CN204516772U - 一种薄膜晶体管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜晶体管，用以提供一种新型的导电性能较高的薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管，包括：栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；所述源极为W形；所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管。
背景技术
在显示技术领域，平板显示装置，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)因其具有轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示技术领域占据重要的地位。
其中，作为像素结构中的开关器件对高画质显示装置起着重要的作用。例如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的导电性能直接影响TFT的开启程度，影响液晶分子的偏转程度，从而影响图像的显示画面。
TFT作为开关器件的结构和工作原理简述如下：
TFT主要包括栅极，同层设置的源极和漏极，位于栅极和源漏极(即源极和漏极)之间的半导体层。
当为TFT的栅极施加相对于地GND的正电压Vg(简称栅极电压)时，所述栅极和漏极之间会产生电场，位于栅极与漏极之间的半导体层在该电场的作用下形成导电沟道，该导电沟道将位于同一层的源极和漏极电性相连。当为所述 栅极施加相对于地GND的负电压时，源极与漏极通过半导体层断开(即关闭)，这就是TFT的开关特性。
TFT的导电性能(即半导体层导电沟道的导通电流)主要取决于TFT中源极与漏极的结构，目前，较高性能的TFT，其源极为U形，漏极为直线形，漏极位于U形源极的缺口中，但是，TFT的导电性能还有待提高。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管，用以提供一种新型的导电性能较高的薄膜晶体管。
本实用新型实施例提供薄膜晶体管，包括：
栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；所述源极为W形；所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。
可选的，所述漏极为H形。
本实用新型实施例提供薄膜晶体管，源极为W形，漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，两个子电极分别位于W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸，增加了沟道的宽度，从而可有效提高半导体层导电沟道的导通电流。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管的源极和漏极结构示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管，用以提供一种新型的导电性能较高的薄膜晶体管。
本实用新型实施例提供的薄膜晶体管，包括：
栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；所述源极为W形；所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。
可选的，所述漏极为H形。
下面通过附图具体说明本实用新型实施例提供的薄膜晶体管的结构。
图1为本实用新型实施例提供的薄膜晶体管的俯视示意图；
参见图1，薄膜晶体管包括：
位于基板(图1中未示出)上的栅极2；
位于栅极2上的栅极绝缘层(图1中未示出)；
位于所述栅极绝缘层上的半导体层3；
位于半导体层3上同层设置的源极4和漏极5，源极4与漏极5保持绝缘，源极4与漏极5分别与半导体层3相接触；
其中，源极4为W形；漏极5包括两个相连的且呈直线形的子电极51和52，子电极51和子电极52分别位于W形源极4的两个缺口中沿与W形源极4的底部延伸，子电极51和子电极52通过连接线53相连；
可选的，连接线53、子电极51和子电极52构成H形，当然，也可以构成U形，或π形。
参见图2，为本实用新型提供的薄膜晶体管，仅示出源极4和漏极5，源极4的曲线长度(即W形源极的有效长度)为薄膜晶体管沟道的宽度W，漏极5距离源极4的垂直距离L为薄膜晶体管沟道的长度。
可见，相比较U形漏极，本实用新型提供的薄膜晶体管，薄膜晶体管沟道的宽度W变长，但是薄膜晶体管沟道的长度不变，薄膜晶体管沟道的宽长比例增加，流过沟道的电流(即导通电流)也因此而增加，则薄膜晶体管的导电性能可有效提高。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变形而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变形属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变形在内。
Claims (2)
1.一种薄膜晶体管，包括：
栅极、半导体层、源极和漏极；所述源极和漏极同层设置，所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间；所述栅极与所述半导体层相绝缘；其特征在于，
所述源极为W形；
所述漏极包括两个相连的且呈直线形的子电极，所述的两个子电极分别位于所述W形源极的两个缺口中沿与所述W形源极的底部延伸。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极为H形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520054765.3U CN204516772U (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种薄膜晶体管 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520054765.3U CN204516772U (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种薄膜晶体管 |
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|---|---|
| CN204516772U true CN204516772U (zh) | 2015-07-29 |
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ID=53714718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201520054765.3U Expired - Fee Related CN204516772U (zh) | 2015-01-23 | 2015-01-23 | 一种薄膜晶体管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204516772U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106992215A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
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| WO2020098048A1 (zh) * | 2018-11-12 | 2020-05-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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2015
- 2015-01-23 CN CN201520054765.3U patent/CN204516772U/zh not_active Expired - Fee Related
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