CN204516363U - 一种新型NOR Flash译码电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征为：第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG，通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS管提高了电路的读取速度。

Description

一种新型NOR Flash译码电路

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种新型NOR Flash译码电路。

背景技术

NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，因此稳定性和传输效率很高，这很适合用于嵌入式系统作为NOR FLASH ROM。目前，NOR FLASH已在SOC芯片中广泛应用。

所有的存储器(或I/O接口)都以地址来相互区分，根据访问存储器(或访问I/O接口)指令中的地址信息，其地址译码电路产生相应的地址选中信号，以选中所需的存储器(或I/O接口)。

现有NOR Flash的译码电路采用的是NMOS和PMOS混合译码的方式，采用此方式所设计的译码电路由于需要分别引入N阱和P阱，因此所占的面积较大，不利于NOR Flash存储密度的提高，译码电路在NOR flash中，负责把不同工作状态下的电压传输给cell，分Y方向(传输给cell的drain)和X方向(传输给cell的wordline)两个方向的译码，其中的X方向既要传输正电压又要传输负电压，使得电路会很复杂，占用很大的面积，因此也就增加了单位存储量的成本，此外现有NOR Flash译码电路的读写速度较慢也是亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种新的NOR Flash译码电路，来减小译码电路的面积并增加读写速度。

具体技术方案如下：

本实用新型提供一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成：

第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL，其中PS表示wordline所需的正压信号，一个bank共用；PG表示传输正压PS的信号，一个sector共用。

第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连，其中NG表示传输零或者负压的信号，一个sector共用。

第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG。

进一步地，NMOS管阵列共包括2N+1(N≥1)个NMOS管，其中第一横排NMOS管和第二横排NMOS管的数量一样，都为N(N≥1)个，第三横排NMOS管数量为1个，NMOS的个数会根据结构的不同。

进一步地，第三横排NMOS管的宽长比大于第二横排NMOS管的宽长比，第二横排NMOS管的宽长比大于第一横排NMOS管的宽长比。NMOS管的宽长比越大，电流增大，这样电路的读取速度会加快。

进一步地，当执行写操作时，PG引线端加5V至15V的电压，NG 端接0V电压，CHIPG端接电源电压，PS引线端可选择接4V至12V的电压或者接0V电压；

当执行擦除操作时，PS引线端均接0V电压，NG端接0V电压，PG引线端可选择接-5V至-12V的电压或者接0V电压。

进一步地，当执行写操作时，对于选中的sector，PG引线端加5V至15V电压，NG端接0V电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的PS端接0V电压；

对于与选中的所述sector同一个bank的未选中sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的PS端接0V电压；

对于与选中的所述sector不同bank的未选中sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压，CHIPG端接电源电压，PS端接0V电压。

当执行擦除操作时，PS引线端均接0V电压，NG端接0V电压，PG引线端对于选中的接-5V至-12V电压，没有选中的接0V电压；CHIPG端对于选中的bank接0V电压，未选中的sector接-5V至-12V电压。

与现有技术相比，采用本实用新型提供的技术方案具有如下优点：通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，同时通过组合不同尺寸的NMOS管提高了电路的读取速度。

附图说明

图1为根据本实用新型的实施例的一种新型NOR Flash译码电 路的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例。

所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的电路和器件的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他电路的可应用于性和/或其他器件的使用。

本实用新型提供了一种NOR Flash译码电路。下面，将结合图1通过本实用新型的一个实施例对此电路进行具体描述。如图1所示，本实用新型所提供的NOR Flash译码电路包括以下部分：

本实用新型所述NOR Flash译码电路包括：

如图1，第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；

第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接 相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；

第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG。

其中NMOS管阵列共包括33个NMOS管，其中第一横排NMOS管和第二横排NMOS管分别包括16个NMOS管，第三横排NMOS管数量为1个；另外NMOS的个数会根据结构的不同，也可以第一横排和第二横排为8个，第三横排的一个。

同时，第三横排NMOS管的宽长比大于第二横排NMOS管的宽长比，第二横排NMOS管的宽长比大于第一横排NMOS管的宽长比。 

当执行写操作时，对于选中的sector，PG引线端加11V电压，NG端接0V，CHIPG端接电源电压VCC，选中的PS引线端加8V电压，未选中的PS端接0V电压；对于与选中的sector同一个bank的没有选中的sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压VCC，CHIPG端接电源电压VCC，选中的PS引线端加8V电压，未选中的PS端接0V；对于与选中的sector不同一个bank的没有选中的sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压VCC，CHIPG端接电源电压VCC，PS端接0V电压。

当执行擦除操作时，PS引线端均接0V电压，NG端接0V电压，PG引线端对于选中的接-9V电压，没有选中的接0V电压。CHIPG选中的bank接0V电压，没有选中的sector接-9V电压。

如下为MOS管电流的计算公式，其中I_D是MOS管的电流，Un是电子的迁移率，C_ox是氧化层厚度，W/L是器件的宽长比，V_GS 是MOS器件的栅源极电压差，V_TH是MOS器件的阈值电压，U_n、C_ox和V_TH都为工艺常数。

$I_D=\frac{1}{2}{u}_n{C}_{\mathrm{OX}}\frac{W}{L}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2$

从公式中可以得出，W/L(宽长比)越大，MOS管电流也越大，相应的电路读取速度也会加快。

通过只采用NMOS译码的方式，避免了引入PMOS所需的N阱，减小了电路面积，NMOS管的宽长比增加，其电阻减小，电流增大，这样电路的读取速度会加快，本实用新型电路读取速度可提升10％左右。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种新型NOR Flash译码电路，所述电路由NMOS管阵列组成，其特征在于：

第一横排NMOS管的源极接不同的PS引线，栅极接相同的PG引线，漏极与第二横排NMOS管的源极相连，并分别引出字线WL；

第二横排NMOS管的源极与第一横排NMOS管的漏极相连，栅极接相同的NG，漏极与位于第三横排的NMOS管的源极相连；

第三横排只包含一个NMOS管，其源极与第二横排的NMOS管的漏极相连，栅极接片选信号CHIPG，漏极接PG。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述NMOS管阵列共包括2N+1个NMOS管，其中所述第一横排NMOS管和所述第二横排NMOS管的数量一样，都为N个，第三横排NMOS管数量为1个，所述N≥1。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三横排NMOS管的宽长比大于所述第二横排NMOS管的宽长比，所述第二横排NMOS管的宽长比大于所述第一横排NMOS管的宽长比。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当执行写操作时，所述PG引线端加5V至15V的电压，所述NG端接0V电压，所述CHIPG端接电源电压，所述PS引线端可选择接4V至12V的电压或者接0V电压；

当执行擦除操作时，所述PS引线端均接0V电压，所述NG端接0V电压，所述PG引线端可选择接-5V至-12V的电压或者接0V电压。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当执行写操作时，对于选中的sector，PG引线端加5V至15V电压，NG端接0V电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的 PS端接0V电压；

对于与选中的所述sector同一个bank的未选中sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压，CHIPG端接电源电压，选中的PS引线端加4V至12V电压，未选中的PS端接0V电压；

对于与选中的所述sector不同bank的未选中sector，PG引线端加0V电压，NG端接电源电压，CHIPG端接电源电压，PS端接0V电压；

当执行擦除操作时，PS引线端均接0V电压，NG端接0V电压，PG引线端对于选中的接-5V至-12V电压，没有选中的接0V电压；CHIPG端对于选中的bank接0V电压，未选中的sector接-5V至-12V电压。