CN204464267U - 半导体装置 - Google Patents

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CN204464267U CN201520032253.7U CN201520032253U CN204464267U CN 204464267 U CN204464267 U CN 204464267U CN 201520032253 U CN201520032253 U CN 201520032253U CN 204464267 U CN204464267 U CN 204464267U
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welding wire
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下田一郎
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Sanken Electric Co Ltd
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Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种半导体装置,尤其提供一种不用使焊丝的角形线迹部的弯曲角度变缓就能够防止连接边界面的剥落或缆线的破损的半导体装置。本实用新型的半导体装置具备焊丝、焊丝的角形线迹部、角形线迹部的压溃部和使焊丝弯曲后进行布线而产生的偏转部,其特征是角形线迹部仅在偏转部附近的单侧具有压溃部。当将压溃部的相对短的一侧设为R、将相对长的一侧设为L时,R尺寸相对于L尺寸是R≤2L/3的关系。

Description

半导体装置
技术领域
本实用新型涉及半导体装置,尤其涉及利用引线焊接来进行半导体元件的电连接的半导体装置。
背景技术
近年来,从节能化的观点出发,强烈地需要对电机驱动进行控制的电力用半导体装置的小型化、高效率化。
电力用半导体装置具有电机驱动控制中所需的多个半导体元件,对采用金属制的缆线电连接这些半导体元件与内部引线或者安装基板的引线焊接提出了各种方案。例如在日本特开平7-22455的图6中记载了现有的引线焊接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平7-22455号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的课题
在作为引线焊接之一的楔形焊接法中,采用楔形工具对缆线施加热、超声波振动、压力等后与半导体元件等的电极直接进行连接。为了使半导体装置小型化,而根据内部布局进行使布线方向为非直线且在平面上沿着横方向以某个角度进行弯曲的角形线迹。在楔形焊接法中虽然向一个方向进行布线是比较容易的,但在具有较大弯曲角度的情况下会导致在角形线迹部中产生强应力从而产生连接边界面的剥落或缆线的破损这样的危险,因此存在无法进行具有大弯曲角度的角形线迹这样的课题。
因此,本实用新型是为了解决上述课题而作出的,其目的是提供不用使角形线迹部的弯曲角度变缓就能够防止连接边界面的剥落或缆线的破损的半导体装置。
解决问题的手段
为了解决上述课题,本实用新型构成为以下所示的结构。
本实用新型的半导体装置具备焊丝、上述焊丝的角形线迹部、上述角形线迹部的压溃部和使上述焊丝弯曲后进行布线而产生的偏转部,其特征是,上述角形线迹部仅在上述偏转部附近的单侧具有上述压溃部。
本半导体装置的特征是,当将上述压溃部相对短的一侧设为R、将相对长的一侧设为L时,R尺寸相对于L尺寸是R≤2L/3的关系。
实用新型的效果
本实用新型因为构成为以上这样,所以能够提供可通过缓和角形线迹部的应力来进行具有大角度的角形线迹的电力用半导体装置。
附图说明
图1a是已放大本实用新型中的实施例1的角形线迹部的上表面示意图,图1b是已放大本实用新型中的实施例1的楔形工具的按压面的示意图。
图2a是已放大现有技术的角形线迹部的上表面示意图,图2b是已放大现有技术的楔形工具的按压面的示意图。
标号说明
1 焊丝
2 角形线迹部
21 压溃部
22 偏转部
3 按压面
具体实施方式
以下,参照图来详细说明用于实施本实用新型的方式。此外,在以下的附图记载中,利用相同或类似的符号表示相同或类似的部分。但是,附图是示意性的,尺寸关系的比率等与现实的不同。因此,具体的尺寸等应该对照以下的说明进行判断。另外,显而易见即使在附图的相互之间也包含尺寸的相互关系或比率不同的部分。
另外,以下所示的实施方式是用于使本实用新型的技术思想具体化的例示,本实用新型的实施方式不是将构成部件的材质、形状、构造、配置等特定为以下的内容。本实用新型的实施方式可以在不脱离要旨的范围内进行各种变更后再实施。
【实施例1】
以下,参照附图来说明本实用新型的实施例1的楔形焊接状况。图1a是已放大本实用新型的实施例1的角形线迹部的上表面示意图,图1b是已放大本实用新型的实施例1的楔形工具的按压面的示意图。
图1a所示的角形线迹部2通过将图1b所示的楔形工具(未图示)的按压面3按压到焊丝1上,来形成压溃部21。之后,焊丝1还伴随着内部布局,在平面上沿着横方向进行弯曲而进行布线。此时的弯曲角度例如是45度。
焊丝1是铝或铝合金的细线,与半导体元件的电极(未图示)和内部引线的接合面(未图示)进行连接。例如,细线的直径是300μm以上。
接着,说明上述实施例1的半导体装置的效果。
如图2a所示,根据现有技术,压溃部21处于缆线弯曲的布线方向的偏转部22附近。因为压溃部21与电极等的接合部进行紧固的连接,所以当对压溃部21给予较大的弯曲力时,对焊丝的偏转部22产生的强应力,有可能会引起连接边界面的剥落或缆线的破损。
本实用新型的实施例1的半导体装置,在角形线迹部的偏转部附近仅于单侧具有压溃部。由此,能够缓和偏转部的应力,并且不用使焊丝的角形线迹部的弯曲角度变缓,就能够防止连接边界面的剥落或缆线的破损。
根据本实用新型的实施例1的半导体装置,在将压溃部相对短的一侧设为R、将相对长的一侧设为L时,R尺寸相对于L尺寸是R≤2L/3的关系,由此能够保持适当的焊接面积,能够防止焊接强度的降低。
如上所述,记载了用于实施本实用新型的方式,但显而易见本领域技术人员可根据此公开联想到各种替代实施方式、实施例。

Claims (2)

1.一种半导体装置,其具备焊丝、所述焊丝的角形线迹部、所述角形线迹部的压溃部和使所述焊丝弯曲后进行布线而产生的偏转部,其特征在于,
所述角形线迹部仅在所述偏转部附近的单侧具有所述压溃部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
当将所述压溃部相对短的一侧设为R、将长的一侧设为L时,R尺寸相对于L尺寸是R≤2L/3的关系。
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