CN204434719U - 一种掩膜板 - Google Patents

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龚建国
罗武峰
吴俊雄
冉应刚
柯贤军
苏君海
黄亚清
李建华
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Abstract

本实用新型公开了一种掩膜板,包括掩膜面,所述掩膜面上形成有一保护膜。所述保护膜为铬碳化合物。该掩膜板的掩膜面形成一保护膜,该保护膜可以覆盖制作掩模板开口时形成的毛刺,则减少基板在对位过程中因为毛刺对基板造成的划伤;同时该掩膜板还具有耐磨性和减摩性,耐磨的特性可以用来保护掩模板在反复对位的过程中因为异物导致的磨损,提高膜层的使用寿命;而减摩的特性主要保证了所镀膜层不会对基板造成划伤和磨损。

Description

一种掩膜板
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及了一种掩膜板。
背景技术
由于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)同时具备有自发光、不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角光、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广等优异特性。被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
OLED生产过程中最重要的一个环节是将有机材料蒸镀到基板上,形成发光单元。目前OLED行业发光单元制作方法主要是通过利用真空热蒸镀的方法,将位于真空腔内的有机分子通过加热的方式,使得这些分子以膜层的形式沉积在温度较低的基板上。这一过程与OLED发光显示单元精度相适应的高精度掩模板密切相关。
在有机材料的蒸镀过程中,掩模板是固定在基板下方的。为了使得有机材料通过掩模板的开口精确地镀到基板上,必须要求基板与掩模板精确对位。而掩模板在制作开口时常常会形成毛刺,在对位过程中,这种毛刺就会造成对玻璃基板的划伤。同时在对位过程中因为异物夹杂在玻璃和掩模板之间会进一步加重基板的划伤和掩模板的磨损。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种掩膜板,其掩膜面形成一保护膜,该保护膜可以覆盖制作掩模板开口时形成的毛刺,则减少基板在对位过程中因为毛刺对基板造成的划伤;同时该掩膜板还具有耐磨性和减摩性,耐磨的特性可以用来保护掩模板在反复对位的过程中因为异物导致的磨损,提高膜层的使用寿命;而减摩的特性主要保证了所镀膜层不会对基板造成划伤和磨损。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种掩膜板,包括掩膜面,其特征在于,所述掩膜面上形成有一保护膜。
优选地,所述保护膜的厚度为10~30μm。
优选地,所述保护膜为铬碳化合物。
优选地,所述铬碳化合物为Cr23C6、Cr7C3和Cr3C2中的至少一种。
优选地,所述掩膜面与保护膜之间还形成有一过渡膜。
优选地,所述过渡膜的厚度为3~8μm。
优选地,所述过渡膜为铬层或氮化铬层。
优选地,所述保护膜采用磁控溅射制得。
更优选地,所述过渡膜采用磁控溅射制得。
本实用新型具有如下有益效果:
(1)              所述掩模板上的掩膜面形成一保护膜,该保护膜可以覆盖制作掩模板开口时形成的毛刺,则减少基板在对位过程中因为毛刺对基板造成的划伤;
(2)              所述掩模板还具有耐磨和减摩的特性,通过保护膜的耐磨特性来保护掩模板在对位过程中造成的磨损,而其减摩的特性用来减少在对位过程中对基板的划伤;
(3)              使用所述掩膜板,可减少了基板的划伤,从而能大幅度的提高蒸镀过程中的良品率,带来很明显的经济效益;在一定程度上也保护了掩模板,能大幅度的节约成本。
附图说明
图1为本实用新型的一实施例的结构示意图;
图2为图1中A处的放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的机构和原理,为了更好的说明本实用新型,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对于本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。相同或相似的标号对应相同或相似的部件。
请参照图1和图2,示出了本实施例提供的一种掩膜板1的结构示意图。所述掩膜板1通过在其上留有预先设计好的开口和图案,使得有机材料能够通过其蒸发到基板上。在制作掩模板开口时往往形成很多毛刺14,此毛刺14是造成基板被划伤的根本原因。所述掩膜板1包括一掩膜基底11,所述掩膜基底11具有掩膜面12及与所述掩膜面12相对的非掩膜面13,所述掩膜面12朝向基板且与基板进行对位接触。
所述掩膜板1还包括一保护膜2,所述保护膜2可通过物理沉积法形成且覆盖在所述掩膜面12表面。所述保护膜2优选为铬碳化合物(Cr/C类石墨膜层),可以是Cr23C6、Cr7C3和Cr3C2中的至少一种,但不局限于此。所述保护膜2的厚度为10~30μm。所述保护膜2还可以是其他合适的保护膜2,所述保护膜2应具备与掩模板的结合力好且表面粗糙度低同时必须具有较低的摩擦系数(纳米级),并且硬度要适当,结合力好的主要目的是为了能够保证膜层与掩模板能够很好的结合,表面粗糙度低和摩擦系数小且硬度适当是为了保证所镀膜层不能对基板造成磨损和划伤。其中,所述物理沉积法可以是溅射或蒸镀等等,所述溅射优选磁控溅射。
做进一步改进,所述掩膜板1还包括在所述掩膜面12与保护膜2之间形成的一过渡膜3,所述过渡膜3可减少热膨胀系数的差异,从而增强所镀膜层与掩模板的结合力。所述过渡膜3可以是铬层或氮化铬层。但不局限于此。所述过渡膜3可通过物理沉积法制得,所述过渡膜3的厚度为3~8μm。
所述具有保护膜的掩膜板工作机理为:所述保护膜中的Cr与C可以形成三种碳化物,分别是Cr23C6、Cr7C3和Cr3C2;这三种碳化物都具有很高的硬度,从而使得膜层具有很高的硬度且提高了膜层的耐磨性。而所述保护膜中石墨结构的碳分子是每一个碳原子与其他三个碳原子以共价键结合形成层状结构,层与层之间以范德华力结合,结合力很弱,所以存在磨损时,石墨这种固体润滑剂将会在表面形成一层转移膜,降低了摩擦系数,从而减少了磨损;同时沉积的膜层因为表面粗糙度也在纳米级别,所以对基板基本不会造成划伤。利用保护膜耐磨和减摩的特性从而减少了在蒸镀过程中掩膜板对基板的划伤和掩模板的磨损。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种掩膜板,包括掩膜面,其特征在于,所述掩膜面上形成有一保护膜,所述保护膜为铬碳化合物。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述铬碳化合物为Cr23C6、Cr7C3和Cr3C2中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述保护膜的厚度为10~30μm。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜面与保护膜之间还形成有一过渡膜。
5.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述过渡膜为铬层或氮化铬层。
6.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述过渡膜的厚度为3~8μm。
7.根据权利要求1至6任一所述的掩膜板,其特征在于,所述保护膜采用磁控溅射制得。
8.根据权利要求4至6任一所述的掩膜板,其特征在于,所述过渡膜采用磁控溅射制得。
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