CN204088364U - 超薄超小正发光双色led元件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种超薄超小正发光双色LED元件，包括基板和两个发光LED芯片，该两个发光LED芯片固定在基板上，所述基板上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体，所述两发光LED芯片的正极分别通过正极导线与两个导通孔内的导电体电连接，两发光LED芯片的负极分别通过负极导线与剩余的两导通孔内的导电体电连接。本实用新型提供一种厚度极薄、且散热效果好的超薄超小正发光双色LED元件。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种超薄超小正发光双色LED元件。
背景技术
目前市场上现行市面上小型正发光双色LED指示灯有两大类：
一、支架类：主要以PPA树脂+铜支架为基板，主要尺寸有3528(3.5*2.8*1.9mm),其尺寸相对较大，无法满足超薄超小型指示类双色LED灯的需求。
二、PCB类：主要是以BT树脂为基板，主要尺寸有0603(1.6*1.5*0.4mm,1.6*0.8*0.3mm)、0805(2.0*1.25*1.1mm)、1206(3.2*1.25*1.1mm)，在双色LED制作上一般尺寸也是选择0805/0603，无法满足小型化的需求。
在消费性电子产品领域，目前市面上使用的大都为0603和0805正发光型双色LED指示灯；在数码管消费领域，如“冰箱、空调、电视”等家电设施，数码管指示灯使用的都是单色LED灯产品，如采用现有的技术制作双色LED灯，其体积必定要增大，无法适用数码管产品，所以还未出现使用双色指示灯的数码管产品。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种厚度极薄、且散热效果好的超薄超小正发光双色LED元件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超薄超小正发光双色LED元件，包括基板和两个发光LED芯片，该两个发光LED芯片固定在基板上，所述基板上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体，所述两发光LED芯片的正极分别通过正极导线与两个导通孔内的导电体电连接，两发光LED芯片的负极分别通过负极导线与剩余的两导通孔内的导电体电连接。
所述导电体为铜柱或导电胶。
所述基板的下底面上覆盖有第一金属导电层，该金属导电层分为相互不连接的正极区域和负极区域，所述负极区域覆盖在与负极导线连接的导电体下方，并与该导电体接触，所述正极区域覆盖在与正极导线连接的导电体下方，并与该导电体接触。
所述基板的上底面上覆盖有第二金属导电层，该金属导电层分为相互不连接的正极区域和负极区域，所述负极区域覆盖在与负极导线连接的导电体上方，并与该导电体接触，所述正极区域覆盖在与正极导线连接的导电体上方，并与该导电体接触，所述两个发光LED芯片固连在第二金属导电层上，所述各正极导线与正极区域电连接，所述各负极导线与负极区域电连接。
所述正极区域与正极区域之间，负极区域与负极区域之间，以及正极区域与负极区域之间的间距b均为0.075±0.05mm。
所述第一和第二金属导电层是镀金层或镀银层或铜箔层。
所述基板为PCB基板。
所述各发光LED芯片的长为1.0±0.1mm，宽为0.5±0.1mm，厚D为0.38±0.1mm。
有益效果：
(一)使用PCB基板上加钻导通孔，再通过塞铜设计做为正负极引线,可达到节省空间,缩小产品尺寸的效果。
(二)本产品为铜柱导体设计,与市面上支架类侧射型LED(热组约为80～180°/W)和PCB类侧射型LED(热组约为200～500°/W)相比，本产品热组低于25°/W,达到极好的散热效果,同时在使用此产品时,也能适用于中高功率的操作(30mA～600mA)。
(三)产品极小化极薄化的设计,通过PCB线路设计将正负极分布在PCB基板的底部，避免了传统正负极导线使用导通孔在两端引出需要0.6mm的厚度限制，使双晶LED产品厚度控制在0.38mm±0.1mm，相比常规的市面上最小的0603双色LED产品面积缩小了60％。
(四)填补了目前数码管消费领域双色指示灯的空白。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的优选实施例的侧视结构示意图；
图2是图1的俯视图。
具体实施方式
如图1、2所示的一种超薄超小正发光双色LED元件，包括PCB基板1和两个发光LED芯片2，该两个发光LED芯片2固定在基板1上,且该两发光LED芯片2发光颜色不同。所述基板1上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体3，所述两发光LED芯片2的正极分别通过正极导线4与两个导通孔内的导电体3电连接，两发光LED芯片2的负极分别通过负极导线5与剩余的两导通孔内的导电体3电连接。所述导电体3为铜柱或导电胶。
所述基板1的下底面上覆盖有第一金属导电层6，该金属导电层6分为相互不连接的正极区域61和负极区域62，所述负极区域62覆盖在与负极导线5连接的导电体3下方，并与该导电体3接触，所述正极区域61覆盖在与正极导线4连接的导电体3下方，并与该导电体3接触。
所述基板1的上底面上覆盖有第二金属导电层7，该金属导电层7分为相互不连接的正极区域71和负极区域72，所述负极区域72覆盖在与负极导线5连接的导电体3上方，并与该导电体3接触，所述正极区域71覆盖在与正极导线4连接的导电体3上方，并与该导电体3接触，所述两个发光LED芯片2固连在第二金属导电层7上，所述各正极导线4与正极区域71电连接，所述各负极导线5与负极区域72电连接。
所述第一和第二金属导电层6、7是镀金层或镀银层或铜箔层。
所述正极区域71与正极区域71之间，负极区域72与负极区域72之间，以及正极区域71与负极区域72之间的间距b均为0.075±0.05mm。
所述各发光LED芯片2的长为1.0±0.1mm，宽为0.5±0.1mm，厚D为0.38±0.1mm，优选长为1.0mm，宽为0.5mm，厚D为0.38mm。
应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
Claims (9)
1.一种超薄超小正发光双色LED元件，包括基板(1)和两个发光LED芯片(2)，该两个发光LED芯片(2)固定在基板(1)上，其特征在于：所述基板(1)上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体(3)，所述两发光LED芯片(2)的正极分别通过正极导线(4)与两个导通孔内的导电体(3)电连接，两发光LED芯片(2)的负极分别通过负极导线(5)与剩余的两导通孔内的导电体(3)电连接。
2.根据权利要求1所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述导电体(3)为铜柱或导电胶。
3.根据权利要求1所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述基板(1)的下底面上覆盖有第一金属导电层(6)，该金属导电层(6)分为相互不连接的正极区域(61)和负极区域(62)，所述负极区域(62)覆盖在与负极导线(5)连接的导电体(3)下方，并与该导电体(3)接触，所述正极区域(61)覆盖在与正极导线(4)连接的导电体(3)下方，并与该导电体(3)接触。
4.根据权利要求1所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述基板(1)的上底面上覆盖有第二金属导电层(7)，该金属导电层(7)分为相互不连接的正极区域(71)和负极区域(72)，所述负极区域(72)覆盖在与负极导线(5)连接的导电体(3)上方，并与该导电体(3)接触，所述正极区域(71)覆盖在与正极导线(4)连接的导电体(3)上方，并与该导电体(3)接触，所述两个发光LED芯片(2)固连在第二金属导电层(7)上，所述各正极导线(4)与正极区域(71)电连接，所述各负极导线(5)与负极区域(72)电连接。
5.根据权利要求4所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在 于：所述正极区域(71)与正极区域(71)之间，负极区域(72)与负极区域(72)之间，以及正极区域(71)与负极区域(72)之间的间距（b）均为0.075±0.05mm。
6.根据权利要求3所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述第一金属导电层(6)是镀金层或镀银层或铜箔层。
7.根据权利要求4所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述第二金属导电层(7)是镀金层或镀银层或铜箔层。
8.根据权利要求1所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述基板(1)为PCB基板。
9.根据权利要求1所述的超薄超小正发光双色LED元件，其特征在于：所述各发光LED芯片(2)的长为1.0±0.1mm，宽为0.5±0.1mm，厚（D）为0.38±0.1mm。
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| CN201420413584.0U CN204088364U (zh) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | 超薄超小正发光双色led元件 |
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| CN201420413584.0U CN204088364U (zh) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | 超薄超小正发光双色led元件 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766917A (zh) * | 2015-03-27 | 2015-07-08 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 一种在板上直接封装led的陶瓷基板 |
| CN107507826A (zh) * | 2017-08-15 | 2017-12-22 | 广东聚科照明股份有限公司 | 一种带抗硫化反光底层的led封装结构 |
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2014
- 2014-07-24 CN CN201420413584.0U patent/CN204088364U/zh active Active
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Address after: Hutang town Wujin District Changzhou city Jiangsu province 213000 minhuang ditch South Industrial Zone Wu Nan Road No. 98 Patentee after: Jiangsu dense grid photoelectric Polytron Technologies Inc. Address before: Hutang town Wujin District Changzhou city Jiangsu province 213000 minhuang ditch South Industrial Zone Wu Nan Road No. 98 Patentee before: Amicc Opto-electronics Technology Co., Ltd. |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CU03 | Correction of utility model patent gazette |
Correction item: Patentee|Address Correct: JIANGSU AMICC OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.|Hutang town Wujin District Changzhou city Jiangsu province 213000 minhuang ditch South Industrial Zone Wu Nan Road No. 98 False: Jiangsu dense grid photoelectric Polytron Technologies Inc.|Hutang town Wujin District Changzhou city Jiangsu province 213000 minhuang ditch South Industrial Zone Wu Nan Road No. 98 Number: 16 Volume: 33 |
|
| CU03 | Correction of utility model patent gazette |