CN204065900U - 高精度基准电压源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了高精度基准电压源,包括由PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1组成的带隙基准电压源电路,其特征在于:所述的带隙基准电压源电路与由NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5组成的低温漂控制开关连接;带隙基准电压源电路的输出端与输出调整电路连接;输出调整电路包括第二运算放大器OP2,电阻R10、R11,电阻串序列R12,NMOS开关阵列MN6,NMOS开关阵列MN6为输出电压开关。该高精度基准电压源,在遇到失配、工艺偏差等非理想状况时,输出基准电压精度高,可以广泛应用于模数转换器、数模转换器等需要高精度基准电压的模拟电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种基准电压源的改进,具体的说是一种高精度基准电压源。
背景技术
随着集成电路工艺的不断发展,以及电路系统结构的复杂化,对模数转换器、数模转换器、锁相环等模拟电路提出了更高的要求,高精度、高稳定性越来越受到重视,基准电压源是这些模拟电路的基本模块,其精度和稳定度直接关系到电路的工作状态和电路的性能,因此一个高精度的基准电压源是十分重要的。一个高精度基准电压源要求输出电压稳定,电源抑制比高,温度系数小。
目前常用的电压源是带隙基准电压源,如图2所示,采用双极型器件实现,包括PNP管Q1、Q2,电阻R1、R2、R3,运算放大器OP,其中,运算放大器OP包括第一输入端a、第二输入端b和输出端c,PNP管Q1、Q2的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R3的负端连接,并同时与运算放大器OP的第一输入端a相连,PNP管Q2的发射极与电阻R1的负端相连,电阻R1的正端与电阻R2的负端和运算放大器OP的第二输入端b相连,运算放大器OP的输出端c与电阻R2的正端和电阻R3的正端相连。运算放大器OP工作于深度负反馈,使运算放大器OP的第一输入端a电压和第二输入端b电压相等,从而使流过电阻R2、R3的电流相等,通过公式计算就可以得到零温度系数的输出电压。但是在实际制造过程中,存在电路失配、工艺偏差等各种非理想状况,这些非理想状况会对电压源的输出电压和温度特性造成很大的影响,使其偏离设计值。因此,对于实际使用的带隙基准电压源,需要解决这些问题,保证带隙基准电压源的高精度特性和低温漂特性。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种解决传统带隙基准电压源电路失配、工艺偏差等各种非理想状况,实现高精度和低温漂的高精度基准电压源。
为了达到以上目的,本实用新型所采用的技术方案是:该高精度基准电压源,包括带隙基准电压源电路,所述带隙基准电压源电路包括PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1,所述电阻R1、R3、R4、R5和R6串联,PNP管Q1的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R6的负端相连;电阻R2的负端与PNP管Q2的发射极相连,作为所述带隙基准电压源电路的第二电压端b,PNP管Q2的基极与集电极接地;电阻R3的正端与电阻R1的负端相连,作为所述带隙基准电压源电路的第一电压端a;其特征在于:所述的电阻R4与NMOS管MN1并联,且NMOS管MN1的源极接电阻R4的负端,NMOS管MN1的漏极接电阻R4的正端;所述的电阻R5与NMOS管MN2并联,且NMOS管MN2的源极接电阻R5的负端,NMOS管MN2的漏极接电阻R5的正端;所述的电阻R6分别通过电阻R7、R8、R9与NMOS管MN3、MN4、MN5并联,且NMOS管MN3、MN4、MN5的源极均接电阻R6的负端,NMOS管MN3、MN4、MN5的漏极分别接电阻R7、R8、R9的负端;NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5为低温漂控制开关;第一运算放大器OP1的输出端c与PMOS管MP1的栅极连接,电阻R1的正端与电阻R2的正端、PMOS管MP1的漏极相连,PMOS管MP1的源极接电源端;所述的电阻R1、R2的正端同时接输出调整电路。
本实用新型还通过如下措施实施:所述的输出调整电路包括第二运算放大器OP2、电阻R10和R11、电阻串序列R12、NMOS开关阵列MN6;所述的第二运算放大器OP2的第一输入端d 与所述带隙基准电压源电路中的电阻R1、R2的正端相连;所述的第二运算放大器OP2的输出端f与电阻R10的正端相连,作为基准电压输出端g;所述电阻串序列R12包括第一电压端h、第二电压端m;所述NMOS开关阵列MN6包括第一电压端N1、第二电压端N2、输出端N3,电阻R10的负端与所述电阻串序列R12的第一电压端h、所述NMOS开关阵列MN6的第一电压端N1相连,所述电阻串序列R12的第二电压端m与所述NMOS开关阵列MN6的第二电压端N2、电阻R11的正端相连;电阻R11的负端接地;所述电阻串序列R12的相邻电阻之间均通过所述NMOS开关阵列MN6的NMOS开关的源极与所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3相连;所述NMOS开关阵列MN6中的所有NMOS开关的漏极连接到一起作为所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3;所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3与所述第二运算放大器OP2的第二输入端e相连;NMOS开关阵列MN6是输出电压控制开关。
本实用新型的有益效果在于:该高精度基准电压源,与现有技术相比,电路在遇到失配、工艺偏差等非理想状况时,输出基准电压精度高,可以广泛应用于模数转换器、数模转换器等需要高精度基准电压的模拟电路。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理示意图。
图2为目前常用的带隙基准电压源电路原理示意图。
图中:1、带隙基准电压源电路;2、输出调整电路。
具体实施方式
参照图1制作本实用新型。该高精度基准电压源,包括带隙基准电压源电路1,所述带隙基准电压源电路1包括PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1,所述电阻R1、R3、R4、R5和R6串联,PNP管Q1的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R6的负端相连;电阻R2的负端与PNP管Q2的发射极相连,作为所述带隙基准电压源电路1的第二电压端b,PNP管Q2的基极与集电极接地;电阻R3的正端与电阻R1的负端相连,作为所述带隙基准电压源电路1的第一电压端a;其特征在于:所述的电阻R4与NMOS管MN1并联,且NMOS管MN1的源极接电阻R4的负端,NMOS管MN1的漏极接电阻R4的正端;所述的电阻R5与NMOS管MN2并联,且NMOS管MN2的源极接电阻R5的负端,NMOS管MN2的漏极接电阻R5的正端;所述的电阻R6分别通过电阻R7、R8、R9与NMOS管MN3、MN4、MN5并联,且NMOS管MN3、MN4、MN5的源极均接电阻R6的负端,NMOS管MN3、MN4、MN5的漏极分别接电阻R7、R8、R9的负端;NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5为低温漂控制开关;第一运算放大器OP1的输出端c与PMOS管MP1的栅极连接,电阻R1的正端与电阻R2的正端、PMOS管MP1的漏极相连,PMOS管MP1的源极接电源端;所述的电阻R1、R2的正端同时接输出调整电路2。
作为本实用新型的改进:所述的输出调整电路2包括第二运算放大器OP2、电阻R10和R11、电阻串序列R12、NMOS开关阵列MN6;所述的第二运算放大器OP2的第一输入端d 与所述带隙基准电压源电路1中的电阻R1、R2的正端相连;所述的第二运算放大器OP2的输出端f与电阻R10的正端相连,作为基准电压输出端g;所述电阻串序列R12包括第一电压端h、第二电压端m;所述NMOS开关阵列MN6包括第一电压端N1、第二电压端N2、输出端N3,电阻R10的负端与所述电阻串序列R12的第一电压端h、所述NMOS开关阵列MN6的第一电压端N1相连,所述电阻串序列R12的第二电压端m与所述NMOS开关阵列MN6的第二电压端N2、电阻R11的正端相连;电阻R11的负端接地;所述电阻串序列R12的相邻电阻之间均通过所述NMOS开关阵列MN6的NMOS开关的源极与所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3相连;所述NMOS开关阵列MN6中的所有NMOS开关的漏极连接到一起作为所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3;所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3与所述第二运算放大器OP2的第二输入端e相连;NMOS开关阵列MN6是输出电压控制开关,高温时,测量并记录所有低温漂开关控制信号对应的输出电压;低温时,测量并记录所有低温漂开关控制信号对应的输出电压;比较高温和低温条件下相同低温漂开关控制信号对应的输出电压,差值最小的低温漂开关控制信号作为芯片的低温漂开关控制信号,将其存入调整信号存储电路中;当需要调整输出电压时,通过调整所述输出调整电路的NMOS开关阵列MN6就可以得到需要的输出电压。
图2给出了一个目前常用的带隙基准电压源电路原理示意图。包括PNP管Q1、Q2,电阻R1、R2、R3,运算放大器OP,其中,运算放大器OP包括第一输入端a、第二输入端b和输出端c,PNP管Q1、Q2的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R3的负端连接,并同时与运算放大器OP的第一输入端a相连,PNP管Q2的发射极与电阻R1的负端相连,电阻R1的正端与电阻R2的负端和运算放大器OP的第二输入端b相连,运算放大器OP的输出端c与电阻R2的正端和电阻R3的正端相连。
Claims (2)
1.高精度基准电压源,包括带隙基准电压源电路(1),所述带隙基准电压源电路(1)包括PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1,所述电阻R1、R3、R4、R5和R6串联,PNP管Q1的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R6的负端相连;电阻R2的负端与PNP管Q2的发射极相连,作为所述带隙基准电压源电路(1)的第二电压端b,PNP管Q2的基极与集电极接地;电阻R3的正端与电阻R1的负端相连,作为所述带隙基准电压源电路(1)的第一电压端a;其特征在于:所述的电阻R4与NMOS管MN1并联,且NMOS管MN1的源极接电阻R4的负端,NMOS管MN1的漏极接电阻R4的正端;所述的电阻R5与NMOS管MN2并联,且NMOS管MN2的源极接电阻R5的负端,NMOS管MN2的漏极接电阻R5的正端;所述的电阻R6分别通过电阻R7、R8、R9与NMOS管MN3、MN4、MN5并联,且NMOS管MN3、MN4、MN5的源极均接电阻R6的负端,NMOS管MN3、MN4、MN5的漏极分别接电阻R7、R8、R9的负端;NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5为低温漂控制开关;第一运算放大器OP1的输出端c与PMOS管MP1的栅极连接,电阻R1的正端与电阻R2的正端、PMOS管MP1的漏极相连,PMOS管MP1的源极接电源端;所述的电阻R1、R2的正端同时接输出调整电路(2)。
2.根据权利要求1所述的高精度基准电压源,其特征在于:所述的输出调整电路(2)包括第二运算放大器OP2、电阻R10和R11、电阻串序列R12、NMOS开关阵列MN6;所述的第二运算放大器OP2的第一输入端d 与所述带隙基准电压源电路(1)中的电阻R1、R2的正端相连;所述的第二运算放大器OP2的输出端f与电阻R10的正端相连,作为基准电压输出端g;所述电阻串序列R12包括第一电压端h、第二电压端m;所述NMOS开关阵列MN6包括第一电压端N1、第二电压端N2、输出端N3,电阻R10的负端与所述电阻串序列R12的第一电压端h、所述NMOS开关阵列MN6的第一电压端N1相连,所述电阻串序列R12的第二电压端m与所述NMOS开关阵列MN6的第二电压端N2、电阻R11的正端相连;电阻R11的负端接地;所述电阻串序列R12的相邻电阻之间均通过所述NMOS开关阵列MN6的NMOS开关的源极与所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3相连;所述NMOS开关阵列MN6中的所有NMOS开关的漏极连接到一起作为所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3;所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3与所述第二运算放大器OP2的第二输入端e相连;NMOS开关阵列MN6是输出电压控制开关。
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