CN204631666U - 零温度系数的电流源 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种零温度系数的电流源。零温度系数的电流源包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管，通过调节所述第一电阻R1正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数。利用本实用新型提供的电流源能够得到零温度系数的电流。

Description

零温度系数的电流源
技术领域
本实用新型涉及电流源，尤其涉及到零温度系数的电流源。
背景技术
在集成电路设计中，电流源是很重要的模块，会随着温度变化而变化。
发明内容
本实用新型旨在提供一种零温度系数的电流源。
零温度系数的电流源，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管：
所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻R1的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻R1的一端；
所述第一电阻R1的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源VCC；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极输出电流I2，源极接电源VCC；
所述第一运算放大器和所述第一NMOS管构成跟随器，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2之间的电压等于带隙基准电压VREF，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2上的电流等于基准电压VREF除以所述第一电阻R1和所述第二电阻R2两个电阻之和，该电流就是I1，然后再通过所述第一PMOS管镜像电流给所述第二PMOS管电流产生出I2，可以通过调节所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比的比值进行调节电流I2；同时也可以通过调节所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的电阻之和来调节电流I2；
由于带隙基准电压VREF的电压值是通过带隙电路产生出来，与温度无关；同时所述第一电阻R1采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节所述第一电阻R1正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数，从而就得到零温度系数的电流I2，也即是不随温度变化的电流I2。所述第一电阻R1和所述第二电阻R2电阻在实际版图上可以互换。
附图说明
图1为本实用新型的零温度系数的电流源的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
零温度系数的电流源，如图1所示，包括第一运算放大器100、第一NMOS管200、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管300和第二PMOS管400：
所述第一运算放大器100的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻R1的一端和所述第一NMOS管200的源极，输出端接所述第一NMOS管200的栅极；
所述第一NMOS管200的栅极接所述第一运算放大器100的输出端，漏极接所述第一PMOS管300的栅极和漏极和所述第二PMOS管400的栅极，源极接所述第一运算放大器100的负输入端和所述第一电阻R1的一端；
所述第一电阻R1的一端接所述第一NMOS管200的源极和所述第一运算放大器100的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；
所述第一PMOS管300的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管400的栅极和所述第一NMOS管200的漏极，源极接电源VCC；
所述第二PMOS管400的栅极接所述第一PMOS管300的栅极和漏极和所述第一NMOS管200的漏极，漏极输出电流I2，源极接电源VCC；
所述第一运算放大器100和所述第一NMOS管200构成跟随器，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2之间的电压等于带隙基准电压VREF，所述第一电阻R1和所述第二电阻R2上的电流等于基准电压VREF除以所述第一电阻R1和所述第二电阻R2两个电阻之和，该电流就是I1，然后再通过所述第一PMOS管300镜像电流给所述第二PMOS管400电流产生出I2，可以通过调节所述第一PMOS管300的宽长比与所述第二PMOS管400的宽长比的比值进行调节电流I2；同时也可以通过调节所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的电阻之和来调节电流I2；
由于带隙基准电压VREF的电压值是通过带隙电路产生出来，与温度无关；同时所述第一电阻R1采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节所述第一电阻R1正温度系数和所述第二电阻R2负温度系数的匹配达到零温度系数，从而就得到零温度系数的电流I2，也即是不随温度变化的电流I2。所述第一电阻R1和所述第二电阻R2电阻在实际版图上可以互换。

Claims (2)

1.零温度系数的电流源，其特征在于，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2、第一PMOS管和第二PMOS管：
所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一电阻R1的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻R1的一端；
所述第一电阻R1的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端接地；
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源VCC；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极输出电流I2，源极接电源VCC。
2.根据权利要求1所述的零温度系数的电流源，其特征在于，所述第一电阻R1是采用正温度系数的基区BASE电阻，所述第二电阻R2采用负温度系数的多晶POLY电阻。
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