CN204719598U - 一种电流源电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电流源电路。一种电流源电路包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二运算放大器、第二NMOS管、第二电阻、第三PMOS管和第四PMOS管。利用本实用新型提供的电流源电路能够输出零温度系数的电流。
Description
技术领域
本实用新型涉及电流源电路，尤其涉及到产生零温度系数电流的电流源电路。
背景技术
为了减少温度对输出电流的影响，设计了产生零温度系数电流的电流源电路。
发明内容
本实用新型旨在提供一种产生零温度系数电流的电流源电路。
一种电流源电路，包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二运算放大器、第二NMOS管、第二电阻、第三PMOS管和第四PMOS管：
所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；
所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I12，源极接电源电压VCC；
所述第二运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第二NMOS管的源极和所述第二电阻的一端，输出端接所述第二NMOS管的栅极；
所述第二NMOS管的栅极接所述第二运算放大器的输出端，漏极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的一端接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二NMOS管的源极，另一端接地；
所述第三PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第四PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I22，源极接电源电压VCC。
所述第一运算放大器和所述第一NMOS管组成跟随器电路，所述第一电阻上的电压等于带隙基准电压VREF，带隙基准电压VREF是不随温度变化的基准电压，设置所述第一电阻为负温度系数的多晶POLY电阻，在所述第一电阻上产生的电流就是正温度系数的电流I11，再通过所述第一PMOS管镜像给所述第二PMOS管输出电流I12，可以通过调节所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的宽长比比例进行调节I12；所述第二运算放大器和所述第二NMOS管组成跟随器电路，所述第二电阻上的电压等于带隙基准电压VREF，带隙基准电压VREF是不随温度变化的基准电压，设置所述第二电阻为正温度系数的基区BASE电阻，在所述第二电阻上产生的电流就是负温度系数的电流I21，再通过所述第三PMOS管镜像给所述第四PMOS管输出电流I22，可以通过调节所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的宽长比比例进行调节I22；通过调节电流I12和I22的比例系数，最后I12和I22通过叠加得到零温度系数的电流IOUT。
附图说明
图1为本实用新型的一种电流源电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
一种电流源电路，如图1所示，包括第一运算放大器101、第一NMOS管102、第一电阻103、第一PMOS管104、第二PMOS管105、第二运算放大器201、第二NMOS管202、第二电阻203、第三PMOS管204和第四PMOS管205：
所述第一运算放大器101的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一NMOS管102的源极和所述第一电阻103的一端，输出端接所述第一NMOS管102的栅极；
所述第一NMOS管102的栅极接所述第一运算放大器101的输出端，漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管105的栅极，源极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一电阻103的一端；
所述第一电阻103的一端接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一NMOS管102的源极，另一端接地；
所述第一PMOS管104的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管105的栅极和所述第一NMOS管102的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第二PMOS管105的栅极接所述第一NMOS管102的漏极和所述第一PMOS管104的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I12，源极接电源电压VCC；
所述第二运算放大器201的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第二NMOS管202的源极和所述第二电阻203的一端，输出端接所述第二NMOS管202的栅极；
所述第二NMOS管202的栅极接所述第二运算放大器201的输出端，漏极接所述第三PMOS管204的栅极和漏极和所述第四PMOS管205的栅极，源极接所述第一运算放大器201的负输入端和所述第二电阻203的一端；
所述第二电阻203的一端接所述第二运算放大器201的负输入端和所述第二NMOS管202的源极，另一端接地；
所述第三PMOS管204的栅极和漏极接在一起再接所述第四PMOS管205的栅极和所述第二NMOS管202的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第四PMOS管205的栅极接所述第二NMOS管202的漏极和所述第三PMOS管204的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I22，源极接电源电压VCC。
所述第一运算放大器101和所述第一NMOS管102组成跟随器电路，所述第一电阻103上的电压等于带隙基准电压VREF，带隙基准电压VREF是不随温度变化的基准电压，设置所述第一电阻103为负温度系数的多晶POLY电阻，在所述第一电阻103上产生的电流就是正温度系数的电流I11，再通过所述第一PMOS管104镜像给所述第二PMOS管105输出电流I12，可以通过调节所述第一PMOS管104和所述第二PMOS管105的宽长比比例进行调节I 12；所述第二运算放大器201和所述第二NMOS管202组成跟随器电路，所述第二电阻203上的电压等于带隙基准电压VREF，带隙基准电压VREF是不随温度变化的基准电压，设置所述第二电阻203为正温度系数的基区BASE电阻，在所述第二电阻203上产生的电流就是负温度系数的电流I21，再通过所述第三PMOS管204镜像给所述第四PMOS管205输出电流I22，可以通过调节所述第三PMOS管204和所述第四PMOS管205的宽长比比例进行调节I22；通过调节电流I12和I22的比例系数，最后I12和I22通过叠加得到零温度系数的电流IOUT。
Claims (1)
1.一种电流源电路，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第二运算放大器、第二NMOS管、第二电阻、第三PMOS管和第四PMOS管；
所述第一运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；
所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接地；
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I12，源极接电源电压VCC；
所述第二运算放大器的正输入端接带隙基准电压VREF，负输入端接所述第二NMOS管的源极和所述第二电阻的一端，输出端接所述第二NMOS管的栅极；
所述第二NMOS管的栅极接所述第二运算放大器的输出端，漏极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二电阻的一端；
所述第二电阻的一端接所述第二运算放大器的负输入端和所述第二NMOS管的源极，另一端接地；
所述第三PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第四PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和漏极，漏极作为电流出端输出电流I22，源极接电源电压VCC。
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|---|---|---|---|---|
| CN106444953A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-02-22 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 低温漂精密电流产生电路 |
| CN107132872A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种电流偏置电路 |
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2015
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| CN107132872A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种电流偏置电路 |
| CN107132872B (zh) * | 2016-02-29 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种电流偏置电路 |
| CN106444953A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-02-22 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 低温漂精密电流产生电路 |
| CN106444953B (zh) * | 2016-12-26 | 2018-01-23 | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 | 低温漂精密电流产生电路 |
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