CN204719583U - 不随电源电压变化的电流源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种不随电源电压变化的电流源。不随电源电压变化的电流源包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管。利用本实用新型提供的不随电源电压变化的电流源能够输出不随电源电压变化的电流。
Description
技术领域
本实用新型涉及电流源，尤其涉及到不随电源电压变化的电流源。
背景技术
为了得到不随电源电压变化而变化的输出电流，设计了不随电源电压变化的电流源。
发明内容
本实用新型旨在提供一种不随电源电压变化的电流源。
不随电源电压变化的电流源，包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管：
所述第一PMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；
所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；
所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的源极；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的漏极和所述第二
PMOS管的栅极，源极接地；
所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端IOUT，源极接地。
所述第一电阻和所述第二PMOS管组成启动电路；所述第二电阻上的电压为所述第一PMOS管的阈值电压，所述第一PMOS管的阈值电压是不随电源电压VCC变化的，所述第二电阻上的电流也就不随电源电压VCC变化；所述第二电阻上的电流再通过所述第一NMOS管镜像给所述第二NMOS管漏极即为输出电流IOUT；输出电流IOUT可以通过调节所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的宽长比比例进行调节。
附图说明
图1为本实用新型的不随电源电压变化的电流源的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。
不随电源电压变化的电流源，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第二电阻103、第二PMOS管104、第一NMOS管105和第二NMOS管106：
所述第一PMOS管101的栅极接所述第二电阻103的一端和所述第二PMOS管104的源极，漏极接所述第一电阻102的一端和所述第二PMOS管104的栅极，源极接电源电压VCC；
所述第一电阻102的一端接所述第一PMOS管101的漏极和所述第二PMOS管104的栅极，另一端接地；
所述第二电阻103的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PMOS管101的栅极和所述第二PMOS管104的源极；
所述第二PMOS管104的栅极接所述第一电阻102的一端和所述第一PMOS管101的漏极，漏极接所述第一NMOS管105的栅极和漏极和所述第二NMOS管106的栅极，源极第二电阻103的一端和所述第一PMOS管101的栅极；
所述第一NMOS管105的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管104的漏极和所述第二PMOS管106的栅极，源极接地；
所述第二NMOS管106的栅极接所述第二PMOS管104的漏极和所述第一NMOS管105的栅极和漏极，漏极作为输出电流端IOUT，源极接地。
所述第一电阻102和所述第二PMOS管104组成启动电路；所述第二电阻103上的电压为所述第一PMOS管101的阈值电压，所述第一PMOS管101的阈值电压是不随电源电压VCC变化的，所述第二电阻103上的电流也就不随电源电压VCC变化；所述第二电阻103上的电流再通过所述第一NMOS管105镜像给所述第二NMOS管106漏极即为输出电流IOUT；输出电流IOUT可以通过调节所述第一NMOS管105和所述第二NMOS管106的宽长比比例进行调节。
Claims (1)
1.不随电源电压变化的电流源，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；
所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；
所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的源极；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极第二电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接地；
所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端IOUT，源极接地。
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| CN201520420342.9U CN204719583U (zh) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 不随电源电压变化的电流源 |
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| CN201520420342.9U CN204719583U (zh) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 不随电源电压变化的电流源 |
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| CN204719583U true CN204719583U (zh) | 2015-10-21 |
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ID=54318561
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| CN201520420342.9U Expired - Fee Related CN204719583U (zh) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 不随电源电压变化的电流源 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN204719583U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108628381A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-10-09 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种对电源不敏感的电流偏置电路 |
-
2015
- 2015-06-15 CN CN201520420342.9U patent/CN204719583U/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108628381A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-10-09 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种对电源不敏感的电流偏置电路 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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