CN203608409U

CN203608409U - Led驱动电路

Info

Publication number: CN203608409U
Application number: CN201320624336.6U
Authority: CN
Inventors: 秋山贵; 堺圭亮; 后藤聪
Original assignee: Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Electronics Co Ltd; Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 2012-10-10
Filing date: 2013-10-10
Publication date: 2014-05-21
Anticipated expiration: 2023-10-10
Also published as: JP2014096576A; DE202013008967U1

Abstract

本实用新型要解决的问题在于，存在作为电涌对策使用的变阻器有无法使电涌电压充分地降低的情况，此时负载电路会损坏。本实用新型提供一种LED驱动电路，该LED驱动电路具有：桥式整流电路，其将交流电压转换成脉动电流并输出；LED列，其连接到桥式整流电路的输出侧；第1恒流电路，其串联连接到LED列；以及第2恒流电路，其串联连接于桥式整流电路与所述LED列之间、且具有设定为在流过第1恒流电路的通常的电流值以上的电流设定值。

Description

LED驱动电路

技术领域

本实用新型涉及一种LED驱动电路，特别地涉及具备多个恒流电路的LED驱动电路。

背景技术

已知一种利用商用交流电源，将交流电压整流成脉动电流而使发光二极管（以下，称为“LED”）发光的照明装置（例如，专利文献1）。图1示出以往的LED驱动电路的构成。以往的LED驱动电路1001具备：使用将从交流电源107输入的交流电压转换成脉动电流的二极管的桥式整流电路105、熔断器106、以及LED电路10a，从桥式整流电路105输出的脉动电流被输入到LED电路10a。

LED电路10a具有串联连接有多个LED的LED列1011以及恒流电路100a。LED列1011具有串联地连接有例如80个LED的构成。各个LED中存在被称为正向电压Vf的阈值，当施加阈值电压Vf以上的电压时，LED中有电流流过而发光。阈值电压Vf约为3V。

恒流电路100a具有耗尽型的n型MOS场效应晶体管（以下，仅称为“FET”）1021、栅极保护用电阻1031、以及电流检测用电阻1041。栅极保护用电阻1031是用于保护FET1021的栅极免受浪涌（英文：surge）影响的保护电阻。电流检测用电阻1041是用于检测电流的电阻，对FET1021进行反馈，以使流过电流检测用电阻1041的电流达到恒定。

设想使用LED的照明装置在家庭或办公室中被使用，进行为了弄清在电力线受到雷电等的干扰（雷电浪涌）的情况下的影响的试验（IEC61000-4-5）。因此，针对使用以往的LED的照明装置，研讨雷电浪涌的影响。

使用230V的交流电源作为商用交流电源107，当将浪涌电压的大小设为1kV，则将施加有脉动电流的最大值约300V的1.3kV施加到LED电路10a。当将LED的阈值电压设为3V，则80个LED列1011中的电压降为240V。在这种情况下，变为对FET1021施加约1kV的电压。在作为FET1021而使用耐压600V的FET的情况下，将超过耐压的电压施加到FET1021而引起击穿，其结果，由于几A的电流瞬间地流过LED列1011，从而导致构成LED列1011的各个LED损坏。

另一方面，作为用于保护电子设备免受高电压影响的部件，已知有变阻器。因此，针对在使用变阻器的情况下的浪涌电压的影响而进行研讨。图2示出了具备变阻器的以往的LED驱动电路。变阻器208与桥式整流电路205并联地连接。在与上述一样的条件的情况下，通过使用浪涌耐压1kV的变阻器208而使得施加到LED电路20a的电压被缓和，因而能够避免LED列2011、FET2021的损坏。然而，当向变阻器208施加一定以上的电压时，存在100A以上的大电流流过的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2010-178571号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

然而，设置于LED驱动电路1002的熔断器206被期望在直到熔断为止的期间内流过的电流的平均值为几A～几十A时切断。然而，存在这样的问题：为了使变阻器208发挥功能，设定熔断器206以使得即使100A以上的电流瞬间地流过熔断器206，熔断器206也不会切断，这是困难的。

另外，变阻器接通的电压随流过变阻器的电流一起增加。因此，存在这样的问题：在浪涌电流大的情况下，存在变阻器无法使浪涌电压充分地降低的情况，此时作为负载电路的LED电路20a损坏。

进一步地，变阻器具有从几次到10次左右的脉冲寿命。存在这样的问题：对于变阻器而言过电流保护是必须的，在中途施加大的电压的情况下在电源侧需要防止温度上升的加热保护。

解决问题的技术手段

本实用新型的技术方案的LED驱动电路的特征在于，具有：桥式整流电路，其将交流电压转换成脉动电流并输出；LED列，其连接到桥式整流电路的输出侧；第1恒流电路，其串联连接到LED列；以及第2恒流电路，其串联连接于桥式整流电路与LED列之间，且具有被设定为在流过第1恒流电路的通常的电流值以上的电流设定值。

在本实用新型的技术方案的LED驱动电路中，第2恒流电路优选包含耗尽型的FET。

本实用新型的另一技术方案的LED驱动电路优选在桥式整流电路的交流电压的输入端子还具备变阻器。

在本实用新型的更另一技术方案的LED驱动电路中，LED列以及第1恒流电路也可以构成为并联连接有多个LED列以及多个第1恒流电路的多级构成。

在本实用新型的另一技术方案的LED驱动电路中，第2恒流电路也可以连接到桥式整流电路的接地侧。

在本实用新型的更另一技术方案的LED驱动电路中，第2恒流电路优选包含串联连接的多个恒流电路。

在本实用新型的更另一技术方案的LED驱动电路中，第2恒流电路优选设置在与LED列以及第1恒流电路中的至少一个相同的基板上。

在本实用新型的更另一技术方案的LED驱动电路中，优选第1恒流电路包含耗尽型的FET，具备FET的栅极保护用电阻。

实用新型的效果

由于向LED驱动电路施加浪涌电压，在一方恒流电路的击穿的最初始阶段中，另一方恒流电路限制电流，因而能够抑制伴随着一方恒流电路的击穿的FET的损坏。其结果，直到达到两个恒流电路的耐压与LED列的正向电压降的量之和为止，不会发生伴随着击穿的FET的损坏，能够防止大电流流过整个LED驱动电路。

另外，在将LED列与其驱动电路安装于电路基板的相同面上的情况下，由于追加的恒流电路与驱动电路所包含的部件相同或者类似，因而恒流电路也能够安装在电路基板上。其结果，能够得到易于操作的带有电路的LED模块。

附图说明

图1是以往的LED驱动电路的结构图。

图2是具有变阻器的以往的LED驱动电路的结构图。

图3是本实用新型的实施例1的LED驱动电路的结构图。

图4是本实用新型的实施例2的LED驱动电路的结构图。

图5是本实用新型的实施例3的LED驱动电路的结构图。

图6是本实用新型的实施例4的LED驱动电路的结构图。

图7是本实用新型的实施例5的LED驱动电路的结构图。

图8是本实用新型的实施例6的LED驱动电路的结构图。

图9是示出本实用新型的LED驱动电路的第1安装例的图。

图10是示出本实用新型的LED驱动电路的第2安装例的图。

图11是示出本实用新型的LED驱动电路的第3安装例的图。

符号的说明

10 FET

10x 第2恒流电路

11 LED列

12 FET

13 栅极保护用电阻

14 电流检测用电阻

15 桥式整流电路

16 熔断器

17 交流电源

19 第1恒流电路

101 LED驱动电路

28 变阻器

具体实施方式

以下，参照附图，说明本实用新型的LED驱动电路。但是，本实用新型的技术的范围不限定于这些实施方式，应当留意权利要求书所记载的技术方案及其等同技术方案所涉及的方面。

[实施例1]

首先，使用附图，说明本实用新型的实施例1的LED驱动电路。图3是本实用新型的实施例1的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例1的LED驱动电路101的特征在于，具备：将交流电压转换成脉动电流并输出的桥式整流电路15、连接到桥式整流电路15的输出侧的LED列11、以及串联连接到LED列11的第1恒流电路19，还具有串联连接于桥式整流电路15与LED列11之间的第2恒流电路10x。

LED驱动电路101连接到商用的交流电源17，交流电压通过熔断器16被输入到桥式整流电路15。

桥式整流电路15构成由4个二极管组成的二极管电桥。商用的交流电源17连接到二极管电桥的交流输入侧，将交流电压转换成脉动电流并输出。桥式整流电路15的电流流出侧的端子A与第2恒流电路10x的FET10连接，电流流入侧的端子B与第1恒流电路19的栅极保护用电阻13以及电流检测用电阻14连接。

LED列11连接到桥式整流电路15的输出侧。LED列11串联连接有例如80个LED。由于构成LED列11的各个LED的阈值电压Vf约为3V，因而，在向连接有80个LED的LED列11整体施加240V的电压时，LED列11发光。

第1恒流电路19串联连接到LED列11。第1恒流电路19具有耗尽型的n型MOS场效应晶体管（以下，仅称为FET）12、栅极保护用电阻13、以及电流检测用电阻14。栅极保护用电阻13是用于保护FET12的栅极免受浪涌影响的保护电阻。电流检测用电阻14是用于检测电流的电阻，对FET12进行反馈以使流过电流检测用电阻14的电流达到恒定。作为FET12，能够使用例如漏极-源极间具有600V的耐压的FET。

第2恒流电路10x串联连接于桥式整流电路15与LED列11之间。第2恒流电路10x具备FET10。作为FET10，能够使用具有例如600V的耐压的FET。第2恒流电路10x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路19的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET12的范围内。在这里，“通常的电流值”是指FET12能够不引起击穿地进行动作的电流值。另外，第2恒流电路10x优选包含耗尽型的FET。

根据本实用新型的实施例1的LED驱动电路101，在输入浪涌电压的情况下，即使第1恒流电路19击穿并且过电流将要流过，第2恒流电路10x也会限制电流。因此，能够抑制伴随着第1恒流电路19的击穿的FET损坏。其结果，直到达到第1恒流电路19以及第2恒流电路10x的耐压与LED列11的正向电压降的量之和为止，不会产生伴随着击穿的FET损坏，能够防止大电流流过整个电路。作为一个例子，能够得到将施加到LED列11的电压240V、第1恒流电路19的FET12的耐压600V、以及第2恒流电路10x的FET10的耐压600V合计后的1440V的耐压。因此，在使用了230V的交流电压作为交流电源17的情况下，即使在脉动电流的峰值电压300V上施加浪涌电压1kV，也能够抑制伴随着击穿的FET损坏。

进一步地，作为浪涌对策，通过使用FET来代替以往的变阻器，从而在COB（ChipOn Board：板上芯片）构造中能够将裸芯片的FET嵌入到覆盖用的树脂，因而能够实现省空间化。

另外，由于变阻器电流不流过熔断器，所以熔断器的设定变得容易，能够使用速断型的熔断器。

[实施例2]

接着，使用附图，说明本实用新型的实施例2的LED驱动电路。图4是本实用新型的实施例2的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例2的LED驱动电路102与实施例1的LED驱动电路101不同的地方在于，在桥式整流电路25的交流电压的输入端子上还具备变阻器28。由于其他构成与实施例1的LED驱动电路101的构成一样，因而省略详细说明。

本实用新型的实施例2的LED驱动电路102具备将交流电压转换成脉动电流并输出的桥式整流电路25、连接到桥式整流电路25的输出侧的LED列21、以及串联连接到LED列21的第1恒流电路29，还具有串联连接于桥式整流电路25与LED列21之间的第2恒流电路20x，除此之外还具备变阻器28。第2恒流电路20x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路29的通常的电流值以上，且在不会因过电流而损坏FET22的范围内。

根据本实用新型的实施例2的LED驱动电路，通过在第2恒流电路20x之外还附加变阻器，从而即使与实施例1的LED驱动电路相比施加更大的浪涌电压，也能够抑制FET10、20的击穿，能够使动作更加稳定化。

[实施例3]

接着，使用附图，说明本实用新型的实施例3的LED驱动电路。图5是本实用新型的实施例3的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例3的LED驱动电路103与实施例1的LED驱动电路101不同的地方在于，LED列以及第1恒流电路被构成为并联连接有多个LED列311～314以及多个第1恒流电路30a～30d的多级构成。

如图3所示，实施例1的LED驱动电路101的LED电路1为仅有1级的构成，与此相对地，实施例3的LED驱动电路103的LED电路是由3a～3d构成的4级构成。简要说明该多级构成的LED驱动电路的动作。

在使用脉动电流作为驱动LED列的电压的情况下，施加到LED列的电压从0V到峰值电压周期性地变动。在使用了230V的交流电源的情况下，峰值电压约为320V。施加到LED列的电压被设定为低于峰值电压的电压。由于LED的阈值电压约为3V，因而例如LED列能够设为串联连接有80个LED的构成。在这种情况下，由于在施加到LED列的电压为LED列的阈值电压的合计值240V以下的情况下LED列不发光，因而存在LED列的发光期间较短且效率恶化这样的问题。因此，考虑将用于驱动LED列的LED电路设为多级构成。

在图5所示的LED驱动电路103中，将LED电路设为3a～3d的4级构成。在将驱动串联连接有例如80个LED的LED列的1级的LED电路设为4级构成的情况下，LED列311～314能够设为串联连接有20个LED的构成。在这种情况下，直到脉动电流电压超过60V为止，任一LED列均不点亮，而当脉动电流电压超过约60V时，仅第1恒流电路30a的FET321导通，FET322～324为非导通状态，因而仅LED列311被施加60V并发光。当脉动电流电压进一步地增加而超过约120V时，构成第1级的LED电路3a的第1恒流电路30a的电流检测用电阻341的电压降变大而FET321截止，仅有构成第2级的LED电路3b的第2恒流电路30b的FET322导通，FET323、324仍为非导通状态。其结果，脉动电流电压施加到LED列311以及312，LED列311以及312发光。以下，同样地，伴随着脉动电流电压的增加，LED列313以及314追加性地发光，因而LED列311～314在脉动电流电压约60V以上的情况下开始发光，能够提高效率。

在如上所述地将LED电路设为多级构成的情况下，各LED电路所包含的LED列的LED的个数与1级构成的情况相比而变少。例如，在如上所述地将具有串联连接有80个LED的LED列的1级构成的LED电路设为4级构成的情况下，若将各LED电路所包含的LED列的LED的个数均匀地4等分的话，LED列所包含的LED的个数为20个。在这种情况下，当考虑仅第1级的LED电路3a导通的情况时，LED列311中的电压降约为60V，在设为多级构成的情况下，与1级构成的情况相比，施加到第1恒流电路30a的电压变大，需要更大的耐压。

在本实用新型的实施例3的LED驱动电路103中，将LED电路设为多级构成，还具有串联连接于桥式整流电路35与LED列311～314之间的第2恒流电路30x。其结果，与实施例1的情况一样地，能够改善第2恒流电路30x的FET30的耐压的相当量大小的LED驱动电路103的耐压。例如，若将第1恒流电路30a的FET321的耐压设为600V，将第2恒流电路30x的FET30的耐压设为600V的话，则即使在仅LED列311点亮这样最严格的条件下，也能够得到1260V的耐压。第2恒流电路30x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路30a～30d的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET321～324的范围内。

因此，根据本实用新型的实施例3的LED驱动电路，通过将LED电路设为多级构成，从而即使各LED电路所包含的LED列的电压降降低，也能够通过附加第2恒流电路而得到大的耐压。

[实施例4]

接着，使用附图，说明本实用新型的实施例4的LED驱动电路。图6是本实用新型的实施例4的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例4的LED驱动电路104与实施例3的LED驱动电路103不同的地方在于，在桥式整流电路45的交流电压的输入端子上还具备变阻器48。由于其他构成与实施例3的LED驱动电路103的构成一样，因而省略详细说明。

本实用新型的实施例4的LED驱动电路104具备将交流电压转换成脉动电流并输出的桥式整流电路45、连接到桥式整流电路45的输出侧的LED列411～414、以及分别串联连接到LED列411～414的第1恒流电路40a～40d，还具有串联连接于桥式整流电路45与LED列411之间的第2恒流电路40x，除此之外还具备变阻器48。第2恒流电路40x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路40a～40d的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET421～424的范围内。

根据本实用新型的实施例4的LED驱动电路，通过在第2恒流电路40x之外还附加变阻器，从而即使与实施例3的LED驱动电路相比施加更大的浪涌电压，也能够抑制FET421～424以及40的击穿，能够使动作更加稳定化。

[实施例5]

接着，使用附图，说明本实用新型的实施例5的LED驱动电路。图7是本实用新型的实施例5的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例5的LED驱动电路105与实施例3的LED驱动电路103不同的地方在于，第2恒流电路50x连接到桥式整流电路55的接地侧。由于它的其他构成与实施例3的LED驱动电路103的构成一样，因而省略详细说明。

本实用新型的实施例5的LED驱动电路105具备将交流电压转换成脉动电流并输出的桥式整流电路55、连接到桥式整流电路55的输出侧的LED列511～514、以及分别串联连接到LED列511～514的第1恒流电路50a～50d，还具备连接到桥式整流电路55的接地侧的第2恒流电路50x。在将第2恒流电路50x连接到桥式整流电路55的接地侧的情况下，为了保护FET50的栅极而设置栅极保护用电阻59。第2恒流电路50x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路50a～50d的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET521～524的范围内。

在本实用新型的实施例5的LED驱动电路105中，将LED电路设为多级构成，还具有串联连接于桥式整流电路55与第1恒流电路50a～50d之间的第2恒流电路50x。其结果，与实施例3的情况下一样，能够改善第2恒流电路50x的FET50的耐压的相当量大小的LED驱动电路105的耐压。例如，若将第1恒流电路50a的FET521的耐压设为600V，将第2恒流电路50x的FET50的耐压设为600V，则在仅LED列511点亮这样最严格的条件下也能够得到1260V的耐压。

因此，根据本实用新型的实施例5的LED驱动电路，通过将LED电路设为多级构成，从而即使各LED电路所包含的LED列的电压降降低，也能够通过附加第2恒流电路而得到大的耐压。

[实施例6]

接着，使用附图，说明本实用新型的实施例6的LED驱动电路。图8是本实用新型的实施例6的LED驱动电路的结构图。本实用新型的实施例6的LED驱动电路106与实施例3的LED驱动电路103不同的地方在于，第2恒流电路包含串联连接的多个恒流电路60x、60y。它的其他构成由于与实施例3的LED驱动电路103的构成一样，因而省略详细说明。

本实用新型的实施例6的LED驱动电路106具备：将交流电压转换成脉动电流并输出的桥式整流电路65、连接到桥式整流电路65的输出侧的LED列611～614、以及分别串联连接到LED列611～614的第1恒流电路60a～60d，还具备串联连接于桥式整流电路65与LED列611之间的多个恒流电路60x、60y。多个恒流电路60x、60y的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路60a～60d的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET621～624的范围内。

在本实用新型的实施例6的LED驱动电路106中，将LED电路设为多级构成，还具有串联连接于桥式整流电路65与LED列611～614之间的两个第2恒流电路60x以及60y。其结果，与实施例3的情况一样地，能够改善第2恒流电路60x以及60y的FET601以及602的耐压的相当量大小的LED驱动电路106的耐压。例如，若将第1恒流电路60a的FET621的耐压设为600V，将第2恒流电路60x的FET601以及第2恒流电路60y的FET602的耐压设为600V的话，则在仅LED列611点亮这样最严格的条件下，也能够得到1860V的耐压。

另外，一般而言，能够按以下那样计算附加的第2恒流电路的个数。首先，根据浪涌电压以及脉动电流的峰值电压计算所期望的全耐压。接着，确定LED列所包含的LED的串联个数，通过将从全耐压减去LED的串联个数乘以LED的电压降相当量的值后得到的结果与FET的耐压比较，求出第2恒流电路的个数。

如以上所述，根据本实用新型的实施例6的LED驱动电路，通过将LED电路设为多级构成通过，从而即使各LED电路所包含的LED列的电压降的量降低，也能够通过附加多个第2恒流电路而得到大的耐压。在本实施例中，作为第2恒流电路示出了串联连接有两个恒流电路的例子，但不限于此，也可以串联连接三个以上的恒流电路。

如以上说明的，在本实用新型的LED驱动电路中设置有第2恒流电路，该第2恒流电路作为浪涌对策而具备了FET来代替变阻器、或者除变阻器之外还具备了FET。第2恒流电路由于将FET作为构成要素，因而能够设置在与LED列以及第1恒流电路中的至少一个相同的基板上。以下，说明将第2恒流电路安装于COB的例子。

（第1安装例）

首先，图9示出了将本实用新型的LED驱动电路安装于COB的第1安装例。作为本实用新型的LED驱动电路，图9（a）示出了具备第2恒流电路70x的电路构成，图9（b）是图9（a）的电路构成的COB的俯视图。

在图9（b）中107表示基板，在基板107上安装有LED列711以及712、构成第1恒流电路70a以及70b的FET721以及722、栅极保护用电阻731以及732、电流检测用电阻741以及742，进一步地在相同基板上安装有构成本实用新型的第2恒流电路70x的FET70。79a以及79b表示与桥式整流电路75的连接端子。第2恒流电路70x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路70a以及70b的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET721以及722的范围内。

如以上所述，在本实用新型的LED驱动电路的第1安装例中，由于能够将用于浪涌对策而设置的第2恒流电路封装于已有的COB，因而能够不使芯片大型化地实施浪涌对策。

（第2安装例）

接着，图10示出了将本实用新型的LED驱动电路安装于COB的第2安装例。作为本实用新型的LED驱动电路，图10（a）示出了具备多个第2恒流电路80x以及80y的电路构成，图10（b）是图10（a）的电路构成的COB的俯视图。

在图10（b）中108表示基板，在基板108上安装有LED列811～814、构成第1恒流电路80a～80e的FET821～825、栅极保护用电阻831～835、电流检测用电阻841～845，进一步地在相同基板上安装有构成本实用新型的多个第2恒流电路80x以及80y的FET801以及802。89a以及89b表示与桥式整流电路85的连接端子。多个恒流电路80x、80y的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路80a～80e的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET821～825的范围内。

如以上所述，在本实用新型的LED驱动电路的第2安装例中，由于能够将用于浪涌对策而设置的多个第2恒流电路封装于已有的COB，因而能够不使芯片大型化地实施浪涌对策。

（第3安装例）

接着，图11示出了将本实用新型的LED驱动电路安装于COB的第3安装例。作为本实用新型的LED驱动电路，图11（a）示出了具备第2恒流电路90x的电路构成，图11（b）是图11（a）的电路构成的COB的俯视图。此外，在浪涌耐压的目标值低的情况下，或者在第2恒流电路90x的耐压高的情况下，能够省略变阻器98。此时由于能够使在LED驱动电路109之外所准备的元件仅为熔断器，因而能够简化外部电路。

在图11（b）中109表示基板，在基板109上安装有LED列911以及912、构成第1恒流电路90a以及90b的FET921以及922、栅极保护用电阻931以及932、电流检测用电阻941以及942，进一步地在相同基板上安装有构成本实用新型的第2恒流电路90x的FET90。另外，在第3安装例中，在相同基板上也安装桥式整流电路95。99a以及99b表示与交流电源97的连接端子。第2恒流电路90x的电流设定值优选设定在流过第1恒流电路90a以及90b的通常的电流值以上，且在不会由于过电流而损坏FET921以及922的范围内。

如以上所述，在本实用新型的LED驱动电路的第3安装例中，由于将用于浪涌对策而设置的第2恒流电路以及桥式整流电路封装于已有的COB，因而能够不使芯片大型化地实施浪涌对策。

在以上的说明中，示出了将LED电路设为2级、4级或5级的多级构成的例子，但不限于这些情况，也能够设为3级或者6级以上。

Claims

1.一种LED驱动电路，其特征在于，具有：

桥式整流电路，其将交流电压转换成脉动电流并输出；

LED列，其连接于所述桥式整流电路的输出侧；

第1恒流电路，其串联连接于所述LED列；以及

第2恒流电路，其串联连接于所述桥式整流电路与所述LED列之间，且具有被设定为在流过所述第1恒流电路的通常的电流值以上的电流设定值。

2.根据权利要求1所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述第2恒流电路包含耗尽型的FET。

3.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

在所述桥式整流电路的交流电压的输入端子还具备变阻器。

4.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述LED列以及所述第1恒流电路设为并联连接有多个LED列以及多个第1恒流电路的多级构成。

5.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述第2恒流电路连接于所述桥式整流电路的接地侧。

6.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述第2恒流电路包含串联连接的多个恒流电路。

7.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述第2恒流电路设置在与所述LED列以及所述第1恒流电路中的至少一个相同的基板上。

8.根据权利要求1或2所述的LED驱动电路，其特征在于，

所述第1恒流电路包含耗尽型的FET，具备所述FET的栅极保护用电阻。