CN203596347U - 高速同轴光电探测组件 - Google Patents
高速同轴光电探测组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203596347U CN203596347U CN201320696436.XU CN201320696436U CN203596347U CN 203596347 U CN203596347 U CN 203596347U CN 201320696436 U CN201320696436 U CN 201320696436U CN 203596347 U CN203596347 U CN 203596347U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- filter capacitor
- chip
- integrated filter
- base
- coaxial photoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种高速同轴光电探测组件，包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一体化滤波电容（3），TIA芯片（1）设于TO底座（4）上，PD芯片（2）设于一体化滤波电容（3）上，一体化滤波电容（3）安装于TO底座（4）上，其中，一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成，一体化滤波电容（3）既可以实现对多个电源进行滤波的功能，又可以使得对一体化滤波电容（3）的贴片改为一次贴片，从而提高了生产效率，而每个电容（C1、C2）的位置已固定，使用自动化焊线设备可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高速同轴光电探测组件，尤其涉及一种采用一体化滤波电容的高速同轴光电探测组件。
背景技术
目前常见的一种高速同轴光电探测组件，其内部的光电探测元件主要包括：PD芯片、TIA芯片、滤波电容、TO底座等，而上述的各元件之间是通过导电胶粘和金丝键合的方式形成电气连接。一般来说，高速同轴光电探测组件内部需要多个独立的电源为上述的不同芯片（如TIA、PD等）供电，而滤波电容的目的则是对上述的多个电源进行滤波。目前，业界中采用的方法是利用多个分立的电容（单层或者多层打线电容）对不同供电电源滤波。
而在高速同轴光电探测组件中，控制金丝键合引线线长，即控制金丝寄生电感对于提升整个高速同轴光电探测组件的灵敏度来说是极其重要的，而两元件之间的距离决定了它们之间的引线长度。对于目前多个分立电容的设计，若采用手动贴片，就需要对不同电容进行多次定位和贴片，影响生产效率；若采用自动贴片，多个分立电容的贴片位置则取决于贴片设备的精度以及胶量的控制，故不能有效地控制金丝键合引线线长，即不能有效地控制金丝寄生电感，从而不能保证高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
因此有必要设计一种新型的高速同轴光电探测组件，以克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种具有较高的灵敏度且可提高生产效率的高速同轴光电探测组件。
本实用新型是这样实现的：
本实用新型提供一种高速同轴光电探测组件，包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一体化滤波电容（3），所述TIA芯片（1）设于所述TO底座（4）上，所述PD芯片（2）设于所述一体化滤波电容（3）上，所述一体化滤波电容（3）安装于所述TO底座（4）上，其中，所述一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成。
进一步地，所述TIA芯片（1）为裸片封装形式。
进一步地，所述TO底座（4）为光通信行业广泛使用的TO-46或TO-56底座。
进一步地，所述PD芯片（2）可以是平面结构，也可以是台面结构。
进一步地，所述PD芯片（2）具有一光敏面（40），所述光敏面（40）与所述TO底座（4）同心设置。
更进一步地，所述一体化滤波电容（3）可以是单层电容，也可以是多层电容。
本实用新型具有以下有益效果：
1、所述TIA芯片（1）设于所述TO底座（4）上，所述PD芯片（2）设于所述一体化滤波电容（3）上，所述一体化滤波电容（3）安装于所述TO底座（4）上，其中，所述一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成，所述一体化滤波电容（3）既可以实现对多个电源进行滤波的功能；又可以使得对所述一体化滤波电容（3）的贴片改为一次贴片，从而提高了生产效率；
2、所述一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成，每个电容（C1、C2）的位置已固定，使用自动化焊线设备，可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本实用新型实施例提供的高速同轴光电探测组件的内部示意图。
标号说明：
1---- TIA芯片 2---- PD芯片
3----一体化滤波电容（包括2个电容C1和C2）
4----TO底座 30----TIA的Vcc Pad 40-----光敏面
21----- TIA Vcc Pad（30）到电容C2的键合金丝
22-----电容C1到Vpd 电源引脚的键合金丝
23-----电容C2到Vcc 电源引脚的键合金丝。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1，本实用新型实施例提供一种高速同轴光电探测组件，其内部的光电探测元件主要包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一体化滤波电容（3）。所述TIA芯片（1）为裸片封装形式，所述TIA芯片（1）装设于所述TO底座（4）上。所述TO底座（4）为光通信行业广泛使用的TO-46或TO-56底座，所述PD芯片（2）可以是平面结构，也可以是台面结构，且所述PD芯片（2）具有一光敏面（40），所述光敏面（40）与所述TO底座（4）同心设置，即所述光敏面（40）与所述TO底座（4）的中心互相重合。
如图1，所述PD芯片（2）装设于所述一体化滤波电容（3）上，所述一体化滤波电容（3）安装于所述TO底座（4）上，其中，所述一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成，因此，所述一体化滤波电容（3）既可以实现对多个电源进行滤波的功能，又可以使得对所述一体化滤波电容（3）的贴片改为一次贴片，从而提高了生产效率；并且，每个电容（C1、C2）的位置已固定，使用自动化焊线设备，可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
而所述一体化滤波电容（3）可以是单层电容，也可以是多层电容。所述一体化滤波电容（3）上的金丝键合方式采用自动化球焊或楔焊工艺。
如图1，组装时，按照如下步骤进行：
1、将所述TIA芯片（1）在TO底座（4）上进行定位和安装，并完成其TIA的Vcc Pad（30）的金丝键合。
2、 将所述PD芯片（2）安装在所述一体化滤波电容（3）上，再将所述一体化滤波电容（3）安装到所述TO底座（4）上，并使所述PD芯片（2）的所述光敏面（40）与所述TO底座（4）同心设置，即完成多个滤波电容（C1、C2）在TO底座（4）上的定位。
3、根据上述的定位位置，分别设计TIA Vcc Pad（30）到电容C2的键合金丝（21）、电容C1到Vpd 电源引脚的键合金丝（22）以及电容C2到Vcc 电源引脚的键合金丝（23）的线长，再使用自动化焊线设备完成键合，因此可保证焊线一致性，同时有效控制金丝寄生电感，从而保证所述高速同轴光电探测组件具有较高的灵敏度。
4、完成所述高速同轴光电探测组件中其它引线的键合，即可完成所有的组装过程。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高速同轴光电探测组件，其特征在于，包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一体化滤波电容（3），所述TIA芯片（1）设于所述TO底座（4）上，所述PD芯片（2）设于所述一体化滤波电容（3）上，所述一体化滤波电容（3）安装于所述TO底座（4）上，其中，所述一体化滤波电容（3）由至少二个电容（C1、C2）设置于同一基板上而形成。
2.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于：所述TIA芯片（1）为裸片封装形式。
3.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于：所述TO底座（4）为光通信行业广泛使用的TO-46或TO-56底座。
4.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于：所述PD芯片（2）可以是平面结构，也可以是台面结构。
5.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于：所述PD芯片（2）具有一光敏面（40），所述光敏面（40）与所述TO底座（4）同心设置。
6.如权利要求1所述的高速同轴光电探测组件，其特征在于：所述一体化滤波电容（3）可以是单层电容，也可以是多层电容。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320696436.XU CN203596347U (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 高速同轴光电探测组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320696436.XU CN203596347U (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 高速同轴光电探测组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203596347U true CN203596347U (zh) | 2014-05-14 |
Family
ID=50677210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320696436.XU Expired - Lifetime CN203596347U (zh) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 高速同轴光电探测组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203596347U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114551426A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-27 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种带WiFi干扰信号能力的跨阻放大器芯片及其封装方法 |
-
2013
- 2013-11-07 CN CN201320696436.XU patent/CN203596347U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114551426A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-27 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种带WiFi干扰信号能力的跨阻放大器芯片及其封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203596347U (zh) | 高速同轴光电探测组件 | |
| CN203553611U (zh) | 一种激光二极管的贴片封装 | |
| CN203367241U (zh) | 功率模块pcb板安装结构及功率模块 | |
| CN206178004U (zh) | 一种单相国网远程智能表印刷电路板 | |
| CN204348710U (zh) | 一种bga下的0402电容的封装焊盘结构 | |
| CN207265238U (zh) | 连接结构 | |
| CN203871372U (zh) | 一种led光源 | |
| CN103904552A (zh) | 投影用激光芯片封装结构 | |
| CN203260633U (zh) | 不用焊线的led封装结构 | |
| CN203644773U (zh) | 一种新型的cob光源 | |
| CN103258933A (zh) | 晶片型led线路板运用镀铜防止封装过程中溢胶的方法 | |
| CN204558176U (zh) | 一种芯片电阻器 | |
| CN203787462U (zh) | 一种360度空间发光led-smd支架 | |
| CN202423233U (zh) | 一种双工位补粉测试机 | |
| CN204045558U (zh) | 半导体器件阵列式倒片封装机构 | |
| CN102495310B (zh) | 基于薄膜封装的pmoled的cog产品测试方法 | |
| CN203521392U (zh) | 被动元件封装结构 | |
| CN203133129U (zh) | 一种dc-dc探针卡板 | |
| CN205881901U (zh) | 一种贴片led | |
| CN201985175U (zh) | 等距功率型led焊盘 | |
| CN201655934U (zh) | 腔体滤波器及滤波器腔体 | |
| CN203339151U (zh) | 芯片与基板的金线连接结构 | |
| CN105470251A (zh) | 接口单元布局优化的集成电路 | |
| CN204761822U (zh) | 多层电路板布线结构 | |
| CN203232182U (zh) | 一种光电转换模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140514 |