CN203444219U - 阵列基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。本实用新型的技术方案能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

Description

阵列基板、显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示装置。

背景技术

随着TFT产业的进步及工艺的改善，AD-ADS（ADvanced Super DimensionSwitch，高级超维场转换，简称ADS）广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。

ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD（Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器）产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（pushMura）等优点。

由于ADS自身的特点，其Array阵列工艺较传统的TN（扭曲向列）产品复杂，构图及Tact Time（节拍时间）均有所增加，因此成本较高。现有ADS产品的阵列基板需要6次或7次构图工艺制作，构图工艺复杂，制作成本较高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示装置，减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。

进一步地，所述阵列基板的公共电极和有源层为采用透明金属氧化物半导体材料制成。

进一步地，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的沟道保护层；

所述沟道保护层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有对应所述有源层的源电极过孔和漏电极过孔、对应所述公共电极的公共电极线过孔；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；

所述层间绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，ADS阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。本实用新型能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的ADS阵列基板的平面示意图；

图2为本实用新型实施例一沟道刻蚀型的ADS阵列基板的剖面示意图；

图3为本实用新型实施例一沟道保护型的ADS阵列基板的剖面示意图；

图4为本实用新型实施例一第一次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图5为本实用新型实施例一第一次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图6为本实用新型实施例一第二次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图7为本实用新型实施例一第二次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图8为本实用新型实施例一第三次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图9为本实用新型实施例一第三次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图10为本实用新型实施例一第四次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图11为本实用新型实施例一第四次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图12为本实用新型实施例二的ADS阵列基板的平面示意图；

图13为本实用新型实施例二的ADS阵列基板的剖面示意图；

图14为本实用新型实施例二第一次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图15为本实用新型实施例二第一次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图16为本实用新型实施例二第二次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图17为本实用新型实施例二第二次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图18为本实用新型实施例二第三次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图19为本实用新型实施例二第三次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图20为本实用新型实施例二第四次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图21为本实用新型实施例二第四次构图工艺后形成结构的剖面示意图；

图22为本实用新型实施例二第五次构图工艺后形成结构的平面示意图；

图23为本实用新型实施例二第五次构图工艺后形成结构的剖面示意图。

附图标记

110、210  衬底基板    120、220  栅线      121、221  栅电极

122、215  栅绝缘层    131、211  有源层    132、212  公共电极

140、240  数据线      141、241  源电极    142、242  漏电极

143、243  公共电极线  151、219  钝化层    152、251  钝化层过孔

161、261  像素电极    231源电极过孔       232漏电极过孔

233公共电极线过孔    135刻蚀阻挡层

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型的实施例针对现有技术在制备ADS阵列基板时，构图工艺复杂，制作成本较高的问题，提供一种阵列基板、显示装置，减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。

本实用新型的阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。本实用新型能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

进一步地，所述阵列基板的公共电极和有源层为采用透明金属氧化物半导体材料制成。所述透明金属氧化物半导体材料可以为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

进一步地，所述阵列基板具体可以包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

进一步地，所述阵列基板具体可以包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的沟道保护层；

所述沟道保护层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

进一步地，所述阵列基板具体可以包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有对应所述有源层的源电极过孔和漏电极过孔、对应所述公共电极的公共电极线过孔；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；

所述层间绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。其中，阵列基板的结构同上述实施例，在此不再赘述。另外，显示装置其他部分的结构可以参考现有技术，对此本文不再详细描述。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。

本实用新型实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法，通过一次构图工艺同时形成公共电极和有源层的图形。

本实用新型的阵列基板的制作方法，在制备ADS阵列基板时，通过一次构图工艺同时形成阵列基板的公共电极和有源层。本实用新型能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

具体地，本实用新型实施例采用透明金属氧化物半导体层制备公共电极和有源层，首先在衬底基板上沉积透明金属氧化物半导体层；之后通过一次构图工艺利用所述透明金属氧化物半导体层同时形成所述公共电极和所述有源层的图形。所述透明金属氧化物半导体层可以采用非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种制成。

具体地，在制作底栅结构的沟道刻蚀型ADS阵列基板时，所述制作方法包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述公共电极线与所述公共电极连接；

通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。

具体地，在制作底栅结构的沟道保护型ADS阵列基板时，所述制作方法包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成沟道保护层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述沟道保护层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述公共电极线与所述公共电极连接；

通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。

具体地，所述通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形包括：

通过溅射方法在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上沉积一层厚度为

的透明金属氧化物半导体层；

在所述透明金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，曝光显影之后刻蚀所述透明金属氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由所述透明金属氧化物半导体层组成的所述公共电极和有源层的图形。

进一步地，在制作顶栅型的ADS阵列基板时，所述制作方法具体包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成包括有源电极过孔、漏电极过孔和公共电极线过孔的层间绝缘层的图形；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；

通过一次构图工艺在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；

通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。

下面结合具体的实施例对本实用新型的阵列基板进行详细介绍：

实施例一

通过本实施例可以制作底栅结构的沟道刻蚀型ADS阵列基板，该底栅结构的沟道刻蚀型ADS阵列基板的结构如图1所示，图2为图1中沿两端箭头的剖面线I-I’所在位置的剖面示意图。本实施例中，采用透明金属氧化物半导体材料制作公共电极和有源层，采用5次构图工艺即可完成沟道刻蚀型ADS阵列基板的制作，制作工艺简单，可降低生产成本。

本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤：

步骤a1：提供一衬底基板110，通过一次构图工艺在衬底基板110上形成栅电极121和栅线120的图形；

提供一衬底基板110，在衬底基板110上形成由栅金属层组成的包括栅电极和与栅电极连接的栅线的图形。其中，衬底基板110可为玻璃基板或石英基板。

具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板110上沉积一层厚度为

的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线120和栅电极121的图形，如图4和图5所示。

步骤a2：通过一次构图工艺在衬底基板110上形成公共电极132和有源层131的图形；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在经过步骤a1的衬底基板110上沉积厚度约为

的栅绝缘层122，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。

之后在栅绝缘层上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为

的透明金属氧化物半导体层，透明金属氧化物半导体层可以选用非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO2、SnO、CdSnO或其他金属氧化物半导体材料。在透明金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明金属氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由透明金属氧化物半导体层组成的有源层131和公共电极132的图形，如图6和图7所示。

步骤a3：通过一次构图工艺在衬底基板110上形成数据线140、源电极141、漏电极142和公共电极线143的图形，公共电极线143与公共电极132连接；

具体地，在经过步骤a2的衬底基板110上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为

的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极、公共电极线和数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成数据线140、源电极141、漏电极142和公共电极线143的图形，如图8和图9所示，公共电极线143与公共电极132电性连接。

步骤a4：通过一次构图工艺在衬底基板110上形成包括有钝化层过孔152的钝化层151的图形；

具体地，在经过步骤a3的衬底基板110上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的钝化层材料，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，钝化层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

在钝化层材料上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的钝化层材料，剥离剩余的光刻胶，形成包括钝化层过孔152的钝化层151的图形，如图10和图11所示。

步骤a5：通过一次构图工艺在衬底基板110上形成像素电极161的图形，像素电极161通过钝化层过孔152与漏电极142连接。

具体地，在经过步骤a4的衬底基板110上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积厚度为

的透明导电层，透明导电层可以是ITO或IZO。在透明导电层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极161的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极161的图形，如图1和图2所示。像素电极161通过钝化层过孔152与薄膜晶体管的漏电极142电性连接。

通过上述步骤a1-a5即可制作出如图1和图2所示的阵列基板，本实施例的阵列基板中，沟道刻蚀型的金属氧化物薄膜晶体管形成在栅线120和数据线140的交叉处，ADS阵列基板的像素电极161上具有规则排列的狭缝。本实施例的ADS阵列基板，公共电极132采用透明金属氧化物半导体材料制成，透明金属氧化物半导体薄膜具有良好透光性，有源层131和公共电极132在同一次构图工艺中形成，能够减少构图工艺的次数。

进一步地，利用本实施例的制作方法还可以制作底栅结构的沟道保护型ADS阵列基板，如图3所示，沟道保护型ADS阵列基板具有刻蚀阻挡层135，与沟道刻蚀型ADS阵列基板相比，制作沟道保护型ADS阵列基板仅需在步骤a2和a3之间增加形成刻蚀阻挡层的步骤。

其中，形成刻蚀阻挡层的步骤具体包括：

通过磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法在衬底基板110上沉积厚度约为

的绝缘层，该绝缘层可以采用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，该绝缘层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。在该绝缘层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀绝缘层，并剥离光刻胶，形成沟道保护层35的图形。

沟道保护型ADS阵列基板的制作方法中的其他构图工艺与沟道刻蚀型ADS阵列基板的制作方法中的其他构图工艺完全相同。

实施例二

通过本实施例可以制作顶栅结构的ADS阵列基板。现有顶栅结构的ADS阵列基板的结构如图12所示，图13为图12中沿两端箭头的剖面线I-I’所在位置的剖面示意图。本实施例中，采用透明金属氧化物半导体材料制作公共电极和有源层，采用6次构图工艺即可完成顶栅结构ADS阵列基板的制作，制作工艺简单，可降低生产成本。

本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤：

步骤b1：提供一衬底基板210，通过一次构图工艺在衬底基板210上形成公共电极212和有源层211的图形；

提供一衬底基板210，在衬底基板210上形成由透明金属氧化物半导体材料组成的公共电极212和有源层211的图形。其中，衬底基板210可为玻璃基板或石英基板。

具体地，在衬底基板210上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为

的透明金属氧化物半导体层，透明金属氧化物半导体层可以选用非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO2、SnO、CdSnO或其他金属氧化物半导体材料。在透明金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明金属氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由透明金属氧化物半导体层组成的公共电极212和有源层211的图形，如图14和图15所示。

步骤b2：通过一次构图工艺在衬底基板210上形成栅电极221和栅线220的图形；

具体地，可以采用PECVD方法，在经过步骤b1的衬底基板210上沉积厚度约为

的栅绝缘层215，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x，栅绝缘层可以采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

在栅绝缘层215上形成由栅金属层组成的包括栅电极和与栅电极连接的栅线的图形。具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在栅绝缘层215上沉积一层厚度为的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线220和栅电极221的图形，如图16和图17所示。

步骤b3：通过一次构图工艺在衬底基板210上形成包括源电极过孔231、漏电极过孔232、公共电极线过孔233的层间绝缘层217的图形；所述源电极过孔231、漏电极过孔232、公共电极线过孔233还贯穿栅绝缘层215；

具体地，在经过步骤b2的衬底基板210上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为的绝缘层材料，其中，绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，绝缘层材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。层间绝缘层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

在层间绝缘层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于层间绝缘层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的层间绝缘层和栅绝缘层，剥离剩余的光刻胶，形成包括源电极过孔231、漏电极过孔232、公共电极线过孔233的层间绝缘层217的图形，如图18和图19所示。

步骤b4：通过一次构图工艺在衬底基板210上形成数据线240、源电极241、漏电极242和公共电极线243的图形，公共电极线243通过公共电极线过孔233与公共电极212连接，源电极241、漏电极242分别通过源电极过孔231、漏电极过孔232与有源层211连接；

具体地，在经过步骤b3的衬底基板210上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为

的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极、公共电极线和数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成数据线240、源电极241、漏电极242和公共电极线243的图形，如图20和图21所示，公共电极线243通过公共电极线过孔233与公共电极212电性连接，源电极241、漏电极242分别通过源电极过孔231、漏电极过孔232与有源层211连接。

步骤b5：通过一次构图工艺在衬底基板210上形成包括有钝化层过孔251的钝化层219的图形；

具体地，在经过步骤b4的衬底基板210上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为

的钝化层材料，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物或氮氧化物，具体地，钝化层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。钝化层可以是单层结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。

在钝化层材料上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的钝化层材料，剥离剩余的光刻胶，形成包括钝化层过孔251的钝化层219的图形，如图22和图23所示。

步骤b6：通过一次构图工艺在衬底基板210上形成像素电极261的图形，像素电极261通过钝化层过孔251与漏电极242连接。

具体地，在经过步骤b5的衬底基板210上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积厚度为

的透明导电层，透明导电层可以是ITO或IZO。在透明导电层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极261的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极261的图形，如图12和图13所示。像素电极261通过钝化层过孔251与薄膜晶体管的漏电极242电性连接。

通过上述步骤b1-b6即可制作出如图12和图13所示的阵列基板，本实施例的阵列基板中，金属氧化物薄膜晶体管形成在栅线220和数据线240的交叉处，ADS阵列基板的像素电极261上具有规则排列的狭缝。本实施例的ADS阵列基板，公共电极212采用透明金属氧化物半导体材料制成，透明金属氧化物半导体薄膜具有良好透光性，有源层211和公共电极212在同一次构图工艺中形成，能够减少构图工艺的次数。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极和有源层为采用透明金属氧化物半导体材料制成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的沟道保护层；

所述沟道保护层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有对应所述有源层的源电极过孔和漏电极过孔、对应所述公共电极的公共电极线过孔；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；

所述层间绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。

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