CN203386099U

CN203386099U - 带隙基准电路及电视机

Info

Publication number: CN203386099U
Application number: CN201320499776.3U
Authority: CN
Inventors: 王卫田; 吴小晔
Original assignee: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd
Priority date: 2013-08-15
Filing date: 2013-08-15
Publication date: 2014-01-08
Anticipated expiration: 2023-08-15

Abstract

本实用新型公开一种带隙基准电路及具有该带隙基准电路的电视机，该电路基准电压产生模块包括基准电压输出端以及控制电压输出端；带隙基准电路还包括用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块和启动所述调节模块的启动模块；启动模块输入端与基准电压产生模块的基准电压输出端和调节模块的输出端连接，启动模块的输出端与调节模块的输入端和基准电压产生模块的输出端连接；启动模块输出启动电压至所述调节模块，调节模块根据启动电压启动调节模块运行；调节模块启动后输出电流至基准电压产生模块；基准电压产生模块根据电流输出控制电压至调节模块，调节模块根据控制电压调节输出至基准电压产生模块的电流大小。

Description

带隙基准电路及电视机

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种产生恒定电压的带隙基准电路及具有该带隙基准电路的电视机。

背景技术

精确的基准电压源在AD、DA、比较器、电源管理芯片以及其他模拟电路中有着十分重要的地位。目前，模拟芯片设计领域中能产生基准源的技术有很多，其中，广泛应用带隙基准电路来产生恒定电压作为基准电压。带隙基准（Bandgap voltage reference）是利用一个电压与三极管的温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。但是，基准电压除了要实现与温度变化无关之外，还要实现与输入电压无关。目前的带隙基准电路的设计中，当输入电压摆幅过大时，输出的基准电压将受到影响。电路无法实现输出的基准电压恒定，导致电路的稳定性差。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种带隙基准电路，旨在提高带隙基准电路的电源抑制比，稳定电路输出的基准电压，提高电路的稳定性。

本实用新型提供一种带隙基准电路，基准电压产生模块包括基准电压输出端以及控制电压输出端；所述带隙基准电路还包括用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块和启动所述调节模块的启动模块；所述启动模块输入端与基准电压产生模块的基准电压输出端和调节模块的输出端连接，启动模块的输出端与调节模块的输入端和基准电压产生模块的输出端连接；所述启动模块输出启动电压至所述调节模块，所述调节模块根据所述启动电压启动调节模块运行；调节模块启动后输出电流至基准电压产生模块；所述基准电压产生模块根据所述电流输出控制电压至调节模块，所述调节模块根据所述控制电压调节输出至所述基准电压产生模块的电流大小。

优选地，所述调节模块包括镜像单元、第一电流产生单元以及第二电流产生单元；所述镜像单元包括第一输入端、第二输入端以及输出端；第一电流产生单元的输入端连接至启动模块的输出端和基准电压产生模块的控制电压输出端，输出端连接至镜像单元的第一输入端；所述第二电流产生单元的输入端连接至第一电流产生单元的输入端，输出端连接至镜像单元的第二输入端；镜像单元的输出端与基准电压产生模块的基准电压输出端和启动模块的输入端连接；启动模块输出启动电压至调节模块，所述第一电流产生模块和第二电流产生模块根据启动电压启动运行并分别产生第一电流和第二电流，然后将所述第一电流和第二电流输出至镜像单元；所述镜像单元根据所述第一电流和第二电流输出镜像电流至基准电压产生模块；所述基准源电压产生模块根据所述镜像电流输出控制电压至所述第一电流产生单元和第二电流产生单元，以调节所述第一电流和第二电流的大小。

优选地，所述基准电压产生模块包括运放、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管，所述第一双极结型晶体管的基极与集电极接地，发射极经过第一电阻和第二电阻与基准电压输出端连接，所述第二双极结型晶体管的基极与集电极接地，发射极经第三电阻与基准电压输出端连接；所述第一电阻与第二电阻的公共连接端连接至所述运放的负输入端，所述第三电阻与第二双极结型晶体管发射极的公共连接端连接至所述运放的正输入端，所述运放的输出端为控制电压输出端。

优选地，所述第一电流产生单元包括第四电阻及第一场效应管，所述第一场效应管为N沟道场效应管，且所述第一场效应管的栅极作为第一电流产生单元的输入端，所述第一场效应管的源极经第四电阻接地，所述第一场效应管的漏极作为第一电流产生单元的输出端。

优选地，所述第二电流产生单元包括第五电阻及第二场效应管，所述第二场效应管为N沟道场效应管，第二场效应管的栅极作为第二电流产生单元的输入端，同时还与所述启动模块的输出端连接，第二场效应管的源极经所述第五电阻接地，第二场效应管的漏极作为第二电流产生单元的输出端。

优选地，所述镜像单元包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管以及第七场效应管；所述第三场效应管的栅极、漏极、第四场效应管的栅极以及第五场效应管的栅极连接于所述第一输入端；第三场效应管的源极、第六场效应管的源极、第七场效应管的源极连接于外部直流电源；所述第四场效应管的漏极、第六场效应管的栅极以及第七场效应管的栅极连接于所述第二输入端；第四场效应管的源极与第六场效应管的漏极连接，所述第五场效应管的源极与所述第七场效应管的漏极连接，漏极与所述镜像单元的输出端连接。

优选地，所述启动模块包括第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管、第十三场效应管、第十四场效应管、第十五场效应管、第十六场效应管、电容以及反相器；所述第八场效应管、第九场效应管共源共栅，第八场效应管的源极与外部直流电源连接，漏极与第十场效应管的源极连接,第九场效应管的漏极与第十一场效应管的源极连接，第十场效应管的栅极、第十四场效应管的栅极与所述启动模块的输入端连接，并经过电容接地，第十场效应管的漏极、第十四场效应管的漏极连接至反相器的输入端，第十一场效应管的栅极与反向器的输出端连接，漏极与第十五场效应管的漏极、栅极以及第十六场效应管的栅极连接，第十四场效应管的源极、第十五场效应管的源极以及第十六场效应管的源极接地，第十二场效应管与第十三场效应管共源共栅，第十二的源极与外部直流电源连接，栅极与漏极连接第十六场效应管的漏极，第十三场效应管的漏极与所述启动模块的输出端连接。

本实用新型还提供一种电视机，该电视机具有带隙基准电路，该电路包括产生基准电压的基准电压产生模块，所述基准电压产生模块包括基准电压输出端以及控制电压输出端；所述带隙基准电路还包括用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块和启动所述调节模块的启动模块；所述启动模块输入端与基准电压产生模块的基准电压输出端和调节模块的输出端连接，启动模块的输出端与调节模块的输入端和基准电压产生模块的输出端连接；所述启动模块输出启动电压至所述调节模块，启动电压启动所述调节模块；所述基准电压产生模块输出控制电压至调节模块，进而控制调节模块中的电流大小，调节模块根据控制电压对电流大小进行调整并输出调节电流至基准电压产生模块，从而达到稳定基准电压模块输出的基准电压。

本实用新型通过在现有基准电路产生模块的基础上接入了用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块和触发该调节模块的启动模块。启动模块触发启动调节模块。当输入电源电压变化时，调节模块中的电流将随之变化，并导致了输入至基准电压产生模块中的电流产生变化。与此同时，基准电压产生模块将根据输入至基准电压产生模块中的电流大小，输出控制电压至调节模块，调整调节模块中的电流大小，进而调节了输入至基准电压产生模块的电流，从而抑制了输入电源电压的变化对输出基准电压的影响,提高带隙基准电路的电源抑制比。

附图说明

图1为本实用新型带隙基准电路模块结构框图；

图2为图1中的调整模块结构框图；

图3为本实用新型带隙基准电路一实施例的结构示意图；

图4为图3中的启动模块一实施例的结构示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例就本实用新型的技术方案做进一步的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提出带隙基准电路。

参照图1，图1为本实用新型带隙基准电路模块结构框图。本实施例提供的带隙基准电路，包括产生基准电压的基准电压产生模块1，基准电压产生模块1包括基准电压输出端vref以及控制电压输出端OP_out；带隙基准电路还包括用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块2和启动调节模块2的启动模块3；启动模块3输入端与基准电压产生模块1的基准电压输出端vref和调节模块2的输出端连接，启动模块3的输出端与调节模块2的输入端和基准电压产生模块1的输出端连接；启动模块3输出启动电压至所述调节模块2，调节模块2根据启动电压启动调节模块2运行；调节模块2启动后输出电流至基准电压产生模块1；基准电压产生模块3根据所述电流输出控制电压至调节模块2，所述调节模块2根据所述控制电压调节输出至基准电压产生模块1的电流大小。

应当说明的是，带隙基准电路产生的一种恒定的电压，且电压值几乎不随输入电压和温度变化而变化。当电源电压的摆幅过大时，经过该电路的自调节，仍然可以保证输出电压值几乎恒定。从而提高了电源抑制比（Power SupplyRejection Ratio）。此类电压常用于AD、DA、比较器、电源管理芯片等。进一步说明，基准电压产生模块1包括两个输出端，一端为输出基准电压的基准电压输出vref，输出基准电压供触发启动模块3及最终使用的电压使用。另一端为输出控制电压的控制电压输出端OP_out，输出控制电压供控制调节模块2的电流大小使用。

在本实施例中，基准电压产生模块1产生基准电压，该模块的基准电压输出端vref与启动模块3的输入端连接，该模块的控制电压输出端OP_out与调整模块2连接。当外部输入直流电源VCC由0上升到VCC时，基准电压产生模块1产生的基准电压首先输出至启动模块3，触发启动模块3。启动模块3被触发后，启动模块3开始工作，从而启动调节模块2。应当说明的是，启动了调节模块2之后，启动模块3将停止工作，直到下一个触发源来临。当输入电源的电压发生变化时，若电路中没有接入调节模块2，基准电压产生模块1的电流大小将会随之变化，使得输出的基准电压也随之变化，从而影响了基准电压的稳定性。

在本电路中接入调整模块2，当输入电源电压增大时，调整模块2中的电流将增大，从而导致输入基准电压产生模块1中的电流增大。基准电压产生模块1将根据流入基准电压产生模块1中的电流大小，控制电压输出端OP_out输出控制电压至调整模块2，以控制减小调整模块2中的电流，使得输入基准电压产生模块1的电流减小，进而使得基准电压产生模块1输出的基准电压减小，从而抑制了输入电压增大对输出基准电压的影响。当输入电源电压减小时，调节模块2中的电流将减小，从而导致输入基准电压产生模块1中的电流减小。基准电压产生模块1根据流入基准电压产生模块1中的电流大小，输出控制电压至调整模块2，增大调整模块2中的电流，进而使得输入基准电压产生模块1的电流增大，从而抑制了输入电源电压增大对输出基准电压的影响。

本实用新型通过在现有基准电路产生模块1的基础上接入了用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块2和触发该调节模块2的启动模块3。启动模块3触发启动调节模块2。当输入电源电压变化时，调节模块2中的电流将随之变化，并导致了输入至基准电压产生模块1中的电流产生变化。与此同时，基准电压产生模块1将根据输入至基准电压产生模块1中的电流大小，输出控制电压至调节模块2，调整调节模块2中的电流大小，进而调节了输入至基准电压产生模块1的电流，从而抑制了输入电源电压的变化对输出基准电压的影响，提高带隙基准电路的电源抑制比。

结合参照图2，图2为图1中的调整模块结构框图。具体地，调节模块2包括镜像单元21、第一电流产生单元22以及第二电流产生单元23；镜像单元21包括第一输入端、第二输入端以及输出端；第一电流产生单元22的输入端连接至启动模块3的输出端和基准电压产生模块1的控制电压输出端，输出端连接至镜像单元21的第一输入端；第二电流产生单元23的输入端连接至第一电流产生单元22的输入端，输出端连接至镜像单元21的第二输入端；镜像单元21的输出端与基准电压产生模块1的基准电压输出端和启动模块3的输入端连接；启动模块3输出启动电压至调节模块2，第一电流产生模块22和第二电流产生模块23根据启动电压启动运行并分别产生第一电流和第二电流，然后将第一电流和第二电流输出至镜像单元21；镜像单元21根据第一电流和第二电流输出镜像电流至基准电压产生模块1；基准源电压产生模块1根据镜像电流输出控制电压至所述第一电流产生单元22和第二电流产生单元23，以调节第一电流和第二电流的大小。

在本实施例中，第一电流产生单元22和第二电流产生单元23均与启动模块3连接，启动模块3启动第一电流产生单元22与第二电流产生单元23。且基准电压产生模块1输出控制电压至第一电流产生单元22和第二电流产生单元23，使得第一电流产生单元22中的电流与第二电流产生单元23中的电流相等，同时可以通过控制电压调节第一电流产生单元22与第二电流产生单元23的电流大小。再者，镜像单元21分别与第一电流产生单元22、第二电流产生单元23连接和镜像单元21与基准电压产生模块1连接。镜像单元21对第一电流产生单元22和第二电流产生单元23所产生的电流镜像得到用于输出至基准电压产生模块1的电流。从而使得镜像单元21输入至基准电压产生模块1的电流与第一电流产生单元22、第二电流产生单元23中的电流相等。若基准电压产生模块1输出的控制电压产生变化，第一电流产生单元22和第二电流产生单元23中的电流同时产生变化，从而导致镜像单元21输入至基准电压产生模块1中的电流变化。应当说明的是，控制电压随之输入至基准电压产生模块1的电流变化而变化。

结合参照图3，图3为本实用新型带隙基准电路一实施例的结构示意图。具体地，基准电压产生模块1包括运放OP、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一双极结型晶体管Q101、第二双极结型晶体管Q102，第一双极结型晶体管Q101的基极与集电极接地，发射极经过第一电阻R1和第二电阻R2与基准电压输出端vref连接，第二双极结型晶体管Q102的基极与集电极接地，发射极经第三电阻R3与基准电压输出端vref连接；第一电阻R1与第二电阻R2的公共连接端连接至运放OP的负输入端，第三电阻R3与第二双极结型晶体管Q102发射极的公共连接端连接至运放OP的正输入端，运放OP的输出端为控制电压输出端OP_out。

在本实施例中，第一双极结型晶体管Q101与第二双极结型晶体管Q102均为PNP三极管。基准电压产生模块1包括两个输出端，一个为基准电压输出端vref，另一个为控制电压输出端OP_out。其中基准电压输出端vref输出基准电压，控制电压输出端OP_out输出控制电压。当运放OP两端的输入电压近似相等时，运放OP的输出相对稳定，即输出的控制电压相对稳定，从而使得第一电流产生单元22与第二电流产生单元23的电流稳定。上述镜像单元21输入至基准电压产生模块1中的电流随第一电流产生单元22与第二电流产生单元23的变化而变化。因此可以推断出输入至基准电压产生模块1的电流稳定，从而使得输出基准电压相对稳定。

具体地，第一电流产生单元22包括第四电阻R4及第一场效应管Q1，第一场效应管Q1为N沟道场效应管，且第一场效应管Q1的栅极作为第一电流产生单元22的输入端，第一场效应管Q1的源极经第四电阻R4接地，第一场效应管Q1的漏极作为第一电流产生单元22的输出端。

在本实施例中，第一场效应管Q1为N沟道场效应管。第一场效应管Q1的栅极与基准电压产生模块1的控制电压输出端OP_out连接，同时还与启动模块3连接。启动模块3输出一电压至第一场效应管Q1的栅极，使得栅源电压差（V_GS）大于第一场效应管Q1的开启电压，从而触发启动第一电流产生单元22。第一场效应管Q1的漏极电流作为第一电流产生单元22的干路电流。基准电压产生模块1的控制电压输出端OP_out输出控制电压至第一场效应管Q1的栅极，并作为第一场效应管Q1栅极的电压。本领域技术人员当知，NMOS管的漏极电流与栅源电压差（V_GS）成比例。本实施例中，第一场效应管Q1为N沟道增强型MOS管。V_GS越大，漏极电流越大。因此，当基准电压产生模块1输出的控制电压变化时，漏极电流也随之变化，从而使得第一电流产生单元22中的电流发生变化。因此，可通过调节基准电压产生模块1的控制电压的大小来调节第一电流产生单元22的电流大小。

具体地，第二电流产生单元23包括第五电阻R5及第二场效应管Q2，第二场效应管Q2为N沟道场效应管，第二场效应管Q2的栅极作为第二电流产生单元23的输入端，同时还与启动模块3的输出端连接，第二场效应管Q2的源极经第五电阻R5接地，第二场效应管Q2的漏极作为第二电流产生单元23的输出端。

在本实施例中，第二电流产生单元23的电路结构、原理及其有益效果与上一实施例中的第一电流产生单元22实质相同，在此不再赘述。请参照第一电流产生单元22理解第二电流产生单元23。

具体地，镜像单元21包括第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5、第六场效应管Q6以及第七场效应管Q7；第三场效应管Q3的栅极、漏极、第四场效应管Q4的栅极以及第五场效应管Q5的栅极连接于第一输入端；第三场效应管Q3的源极、第六场效应管Q6的源极、第七场效应管Q7的源极连接于外部直流电源VCC；第四场效应管Q4的漏极、第六场效应管Q6的栅极以及第七场效应管Q7的栅极连接于所述第二输入端；第四场效应管Q4的源极与第六场效应管Q6的漏极连接，第五场效应管Q5的源极与第七场效应管Q7的漏极连接，漏极与镜像单元21的输出端连接。

在本实施例中，第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5、第六场效应管Q6以及第七场效应管Q7均为P沟道场效应管。启动模块3触发启动第一电流产生单元22与第二电流产生单元23。使得第一场效应管Q1与第二场效应管Q2导通。已知第三场效应管Q3的源极与外部直流电源VCC连接，第三场效应管Q3的栅极与第一场效应管Q1的漏极连接。第一场效应管Q1导通，使得第三场效应管Q3源极与栅极的电压差大于开启电压，致使第三场效应管Q3导通。第六场效应管Q6的源极与外部直流电源VCC连接，第六场效应管Q6的栅极与第二场效应管Q2的漏极连接。第二场效应管Q2导通，使得第六场效应管Q6源极与栅极的电压差大于开启电压，致使第三场效应管Q3导通。同理可分析第四场效应管Q4、第五场效应管Q5以及第七场效应管Q7均导通，在此不再赘述。由以上结构描述所知，第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5、第六场效应管Q6以及第七场效应管Q7为共源共栅的结构。因此，流经第五场效应管Q5及第七场效应管Q7的电流等于流经第四场效应管Q4及第六场效应管Q6的电流。应当说明的是，流经第四场效应管Q4及第六场效应管Q6的电流等于第二电流产生单元23的电流大小；流经第五场效应管Q5及第七场效应管Q7的电流等于输入至基准电压产生模块1的电流。因此，以上结构使得输入至基准电压产生模块1的电流等于第二电流产生单元23的电流。当第二电流产生单元23中的电流发生变化时，输入至基准电压产生模块1的电流将随之而变化。

结合参照图4，图4为图3中的启动模块一实施例的结构示意图。具体地，启动模块3包括第八场效应管Q8、第九场效应管Q9、第十场效应管Q10、第十一场效应管Q11、第十二场效应管Q12、第十三场效应管Q13、第十四场效应管Q14、第十五场效应管Q15、第十六场效应管Q16、电容C以及反相器I1；第八场效应管Q8、第九场效应管Q9共源共栅，第八场效应管Q8的源极与外部直流电源VCC连接，漏极与第十场效应管Q10的源极连接,第九场效应管Q9的漏极与第十一场效应管Q11的源极连接，第十场效应管Q10的栅极、第十四场效应管Q14的栅极与启动模块3的输入端连接，并经过电容C接地，第十场效应管Q10的漏极、第十四场效应管Q14的漏极连接至反相器I1的输入端，第十一场效应管Q11的栅极与反向器I1的输出端连接，漏极与第十五场效应管Q15的漏极、栅极以及第十六场效应管Q16的栅极连接，第十四场效应管Q14的源极、第十五场效应管Q15的源极以及第十六场效应管Q16的源极接地，第十二场效应管Q12与第十三场效应管Q13共源共栅，第十二场效应管Q12的源极与外部直流电源VCC连接，栅极与漏极连接第十六场效应管Q16的漏极，第十三场效应管Q13的漏极与启动模块3的输出端连接。

在本实施例中，应当说明的是，第八场效应管Q8、第九场效应管Q9、第十场效应管Q10、第十一场效应管Q11、第十二场效应管Q12以及第十三场效应管Q13均为P沟道场效应管。第十四场效应管Q14、第十五场效应管Q15以及第十六场效应管Q16为N沟道场效应管。

启动模块3工作时：

当vref处于低电平，偏置电压bias作用于第八场效应管Q8及第九场效应管Q9，使得第八场效应管Q8及第九场效应管Q9导通。第十场效应管Q10导通，第十四场效应管Q14截止。因此，反相器I1的输入端为高电平，所以反相器I1的输出端为低电平，第十一场效应管Q11导通，此时OP_out有输出，启动模块3在工作。应当说明的是，启动模块3工作时，只有第十四场效应管Q14处在截止状态，其他MOS管均处于导通状态。

启动模块3不工作时：

当vref升高到使得第十场效应管Q10截止，第十四场效应管Q14导通时。此时，反相器I1的输入端为低电平，反相器I1的输出端为高电平，第十一场效应管Q11截止，因而OP_out没有输出，启动模块3不工作。进一步说明，启动模块3不工作时，第十四场效应管Q14处于导通状态，其他MOS管均不工作，无电流流通。

本实用新型还提供一种电视机，该电视机包括带隙基准电路。理所应当地，本实施例的电视机采用了上述带隙基准电路的技术方案，该电视机通过在现有基准电路产生模块1的基础上接入了用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块2和触发该调节模块2的启动模块3。启动模块3触发启动调节模块2。当输入电源电压变化时，调节模块2中的电流将随之变化，并导致了输入至基准电压产生模块1中的电流产生变化。与此同时，基准电压产生模块1将根据输入至基准电压产生模块1中的电流大小，输出控制电压至调节模块2，调整调节模块2中的电流大小，进而调节了输入至基准电压产生模块1的电流，从而抑制了输入电源电压的变化对输出基准电压的影响，提高带隙基准电路的电源抑制比，从而增加了电视机的电路稳定性。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims

1.一种带隙基准电路，包括产生基准电压的基准电压产生模块，所述基准电压产生模块包括基准电压输出端以及控制电压输出端；其特征在于，所述带隙基准电路还包括用于提高带隙基准电路电源抑制比的调节模块和启动所述调节模块的启动模块；所述启动模块输入端与基准电压产生模块的基准电压输出端和调节模块的输出端连接，启动模块的输出端与调节模块的输入端和基准电压产生模块的输出端连接；所述启动模块输出启动电压至所述调节模块，所述调节模块根据所述启动电压启动调节模块运行；调节模块启动后输出电流至基准电压产生模块；所述基准电压产生模块根据所述电流输出控制电压至调节模块，所述调节模块根据所述控制电压调节输出至所述基准电压产生模块的电流大小。

2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述调节模块包括镜像单元、第一电流产生单元以及第二电流产生单元；所述镜像单元包括第一输入端、第二输入端以及输出端；第一电流产生单元的输入端连接至启动模块的输出端和基准电压产生模块的控制电压输出端，输出端连接至镜像单元的第一输入端；所述第二电流产生单元的输入端连接至第一电流产生单元的输入端，输出端连接至镜像单元的第二输入端；镜像单元的输出端与基准电压产生模块的基准电压输出端和启动模块的输入端连接；启动模块输出启动电压至调节模块，所述第一电流产生模块和第二电流产生模块根据启动电压启动运行并分别产生第一电流和第二电流，然后将所述第一电流和第二电流输出至镜像单元；所述镜像单元根据所述第一电流和第二电流输出镜像电流至基准电压产生模块；所述基准电压产生模块根据所述镜像电流输出控制电压至所述第一电流产生单元和第二电流产生单元，以调节所述第一电流和第二电流的大小。

3.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述基准电压产生模块包括运放、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管，所述第一双极结型晶体管的基极与集电极接地，发射极经过第一电阻和第二电阻与基准电压输出端连接，所述第二双极结型晶体管的基极与集电极接地，发射极经第三电阻与基准电压输出端连接；所述第一电阻与第二电阻的公共连接端连接至所述运放的负输入端，所述第三电阻与第二双极结型晶体管发射极的公共连接端连接至所述运放的正输入端，所述运放的输出端为控制电压输出端。

4.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一电流产生单元包括第四电阻及第一场效应管，所述第一场效应管为N沟道场效应管，且所述第一场效应管的栅极作为第一电流产生单元的输入端，所述第一场效应管的源极经第四电阻接地，所述第一场效应管的漏极作为第一电流产生单元的输出端。

5.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二电流产生单元包括第五电阻及第二场效应管，所述第二场效应管为N沟道场效应管，第二场效应管的栅极作为第二电流产生单元的输入端，同时还与所述启动模块的输出端连接，第二场效应管的源极经所述第五电阻接地，第二场效应管的漏极作为第二电流产生单元的输出端。

6.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述镜像单元包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管以及第七场效应管；所述第三场效应管的栅极、漏极、第四场效应管的栅极以及第五场效应管的栅极连接于所述第一输入端；第三场效应管的源极、第六场效应管的源极、第七场效应管的源极连接于外部直流电源；所述第四场效应管的漏极、第六场效应管的栅极以及第七场效应管的栅极连接于所述第二输入端；第四场效应管的源极与第六场效应管的漏极连接，所述第五场效应管的源极与所述第七场效应管的漏极连接，漏极与所述镜像单元的输出端连接。

7.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述启动模块包括第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管、第十三场效应管、第十四场效应管、第十五场效应管、第十六场效应管、电容以及反相器；所述第八场效应管、第九场效应管共源共栅，第八场效应管的源极与外部直流电源连接，漏极与第十场效应管的源极连接,第九场效应管的漏极与第十一场效应管的源极连接，第十场效应管的栅极、第十四场效应管的栅极与所述启动模块的输入端连接，并经过电容接地，第十场效应管的漏极、第十四场效应管的漏极连接至反相器的输入端，第十一场效应管的栅极与反向器的输出端连接，漏极与第十五场效应管的漏极、栅极以及第十六场效应管的栅极连接，第十四场效应管的源极、第十五场效应管的源极以及第十六场效应管的源极接地，第十二场效应管与第十三场效应管共源共栅，第十二的源极与外部直流电源连接，栅极与漏极连接第十六场效应管的漏极，第十三场效应管的漏极与所述启动模块的输出端连接。

8.一种电视机，其特征在于，包括1至7任一项所述的带隙基准电路。