CN203312359U - Led封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种LED封装结构，包括LED芯片和支架，所述LED芯片的衬底为蓝宝石，所述支架由注塑一体的基板和PCT塑胶反射杯组成，该基板包括紫铜基材和纳米级钻石粉末电镀层，所述LED芯片的P极和N极直接贴装于基板表面。纳米级钻石粉末层应用于基板上时，因其散热系数达到600W/mK以上，远高于蓝宝石衬底，使得LED芯片到基板之间的热传导形成无形的热泵，可使LED芯片发出来的热量通过纳米级的钻石粉末镀层迅速传导出来并通过外界散热器快速散去，达到均衡和控制芯片结温的目的。另外，纳米级钻石粉末镀膜处理可使金属表面具有良好的耐磨、耐腐蚀、耐高温、防氧化及改变表面张力等特性。而紫铜的基板富有延展性且导电导热性能非常好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED的封装结构。
背景技术
LED灯珠一般包括支架、LED芯片和固封胶，支架的作用是导电和支撑。传统的支架采用黄铜做基板，并与PPA塑胶一体注塑，基板表面经过电镀银处理。支架的散热性对LED的光学性质及使用寿命有很直接的关系，如何降低工作时LED芯片的温升是封装与应用必须考虑的，此为还要考虑可焊性及镀层导电的良好性，以及支架的抗氧化性等。然而，黄铜是掺有杂质的铜，容易被氧化和腐蚀，一般黄铜的导热系数是280W/mK，导热性能不是很理想；另外，PPA塑胶容易黄变和老化，影响出光效果。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供LED封装结构，其散热性能更好，抗氧化和腐蚀能力更强。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
LED封装结构，包括LED芯片和支架，所述LED芯片的衬底为蓝宝石，所述支架由注塑一体的基板和PCT塑胶反射杯组成，该基板包括紫铜基材和纳米级钻石粉末电镀层，所述LED芯片的P极和N极直接贴装于基板表面。
所述纳米级钻石粉末电镀层的厚度为100-200um。
本实用新型的有益效果在于：纳米级钻石粉末层应用于基板上时，因其散热系数达到600 W/mK以上，远高于银（460 W/mK）和蓝宝石衬底（46 W/mK），使得LED芯片到基板之间的热传导形成无形的热泵，可使LED芯片发出来的热量通过纳米级的钻石镀层迅速传导出来并通过外界散热器快速散去，达到均衡和控制芯片结温的目的。另外，纳米级钻石粉末镀膜处理可使金属表面具有良好的耐磨、耐腐蚀、耐高温、防氧化及改变表面张力等特性，可以全面改善产品品质，且镀层材料符合环保标准；此外纳米镀膜可以在小于300℃情况下使用，不变色不氧化。而紫铜的基板富有延展性且导电导热性能非常好，导热系数为395 W/mK，远优于一般黄铜的280 W/mK。
附图说明
下面结合附图对本实用新型做进一步说明：
图1为本实用新型剖面结构示意图。
具体实施方式
参考图1，LED封装结构，包括LED芯片和支架，所述LED芯片的衬底110为蓝宝石，所述支架由注塑一体的基板200和PCT塑胶反射杯300组成，该基板200包括紫铜基材和纳米级钻石粉末电镀层210，该纳米级钻石粉末电镀层210的厚度为100-200um；所述LED芯片的P极120和N极130直接贴装于基板200表面。
纳米级钻石粉末层应用于基板上时，因其散热系数达到600 W/mK以上，远高于银（460 W/mK）和蓝宝石衬底（46 W/mK），使得LED芯片到基板之间的热传导形成无形的热泵，可使LED芯片发出来的热量通过纳米级的钻石镀层迅速传导出来并通过外界散热器快速散去，达到均衡和控制芯片结温的目的。另外，纳米级钻石粉末镀膜处理可使金属表面具有良好的耐磨、耐腐蚀、耐高温、防氧化及改变表面张力等特性，可以全面改善产品品质，且镀层材料符合环保标准；此外纳米镀膜可以在小于300℃情况下使用，不变色不氧化。而紫铜的基板富有延展性且导电导热性能非常好，导热系数为395 W/mK，远优于一般黄铜的280 W/mK。
以上的实施例只是在于说明而不是限制本实用新型，故凡依本实用新型专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。
Claims (2)
1.LED封装结构，其特征在于：包括LED芯片和支架，所述LED芯片的衬底为蓝宝石，所述支架由注塑一体的基板和PCT塑胶反射杯组成，该基板包括紫铜基材和纳米级钻石粉末电镀层，所述LED芯片的P极和N极直接贴装于基板表面。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述纳米级钻石粉末电镀层的厚度为100-200um。
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| CN2013202526366U CN203312359U (zh) | 2013-05-11 | 2013-05-11 | Led封装结构 |
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Publications (1)
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| CN203312359U true CN203312359U (zh) | 2013-11-27 |
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Country Status (1)
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN104752579A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 常州欧密格光电科技有限公司 | 超薄高效能Flash LED元件及其制备工艺 |
| CN112054015A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-12-08 | 东莞智昊光电科技有限公司 | 大功率led支架的制作方法及大功率led支架 |
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2013
- 2013-05-11 CN CN2013202526366U patent/CN203312359U/zh not_active Expired - Fee Related
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| WO2015096181A1 (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | 常州欧密格光电科技有限公司 | 超薄高效能Flash LED 元件及其制备工艺 |
| CN112054015A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-12-08 | 东莞智昊光电科技有限公司 | 大功率led支架的制作方法及大功率led支架 |
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