CN203232347U

CN203232347U - 低电压带隙基准电压源

Info

Publication number: CN203232347U
Application number: CN 201320192991
Authority: CN
Inventors: 叶春
Original assignee: CHENGDU ZHANGWO MOBILE INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: CHENGDU ZHANGWO MOBILE INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2013-04-17
Filing date: 2013-04-17
Publication date: 2013-10-09
Anticipated expiration: 2023-04-17

Abstract

本实用新型公开了一种低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，本实用新型低电压带隙基准电压源的结构简单、效率高、并且工作状态稳定。

Description

低电压带隙基准电压源

技术领域

本实用新型涉及一种电压源，尤其涉及一种低电压带隙基准电压源。

背景技术

共源共栅电流镜的输出阻抗高，屏蔽特性好，沟道长度调制效应小，它在模拟电路中的应用非常广泛，但由于它需消耗多一级的电压余度，从而降低了其输出电压摆幅。如自偏置的共源共栅电流镜的一个主要缺点就是输出电压摆幅的严重损耗，因而它在低电源电压应用中受限。一般的共源共栅电流镜的栅偏置电压只是满足使级联管工作在饱和区的条件，并未考虑其输出电压摆幅限制。对于低压共源共栅电流镜，需要精确的设计其偏置电压使得各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区。因此可以通过优化设计其偏置电路来提高输出电压摆幅。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、效率高、工作状态稳定的低电压带隙基准电压源。

为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述第七MOS管的源极、所述第五MOS管的源极、所述第一MOS管的源极、所述第三MOS管的源极、第九MOS管的源极、所述第十一MOS管的源极、所述第十三MOS管的源极和所述第十五MOS管的源极连接后再与电压输入端连接，所述第七MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极连接，所述第五MOS管的栅极分别与所述第八MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极、所述第六MOS管的漏极和所述第十八MOS管的漏极，所述第六MOS管的源极分别与所述第五MOS管的漏极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的栅极、所述第二MOS管的漏极和所述第十九MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，所述第四MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的源极和所述第二十MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第十MOS管的源极连接，所述第九MOS管的漏极与所述第十MOS管的源极连接，所述第十MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端和所述第十九MOS管的栅极连接，所述第九MOS管的栅极与所述第十一MOS管的源极连接，所述第十MOS管的栅极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的漏极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接，所述第十一MOS管的栅极与所述第十三MOS管的栅极连接，所述第十二MOS管的栅极与所述第十四MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的源极与所述第十五MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的漏极与所述第十四MOS管的源极连接，所述第十四MOS管的漏极与所述第三电阻的第一端连接后再与外接电路连接，所述第十五MOS管的漏极与所述第十六MOS管的源极连接，所述第十六MOS管的漏极分别与所述第二十MOS管的栅极和所述第四三极管的发射极连接，所述第十九MOS管的源极分别与所述第二十一MOS管的漏极和所述第二十MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端与所述第一三极管的发射极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的发射极连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四三极管的基极和所述第三三极管的发射极连接，所述第八MOS管的漏极分别与所述第十七MOS管的漏极、所述第十七MOS管的栅极和所述第十八MOS管的栅极连接，所述第十八MOS管的源极与所述第二十一MOS管的栅极连接，所述第十七MOS管的源极、所述第十八MOS管的源极、所述第二十一MOS管的源极、所述第一三极管的集电极、所述第二三极管的集电极、所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极、所述第三三极管的集电极和所述第四三极管的集电极连接后接地。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型低电压带隙基准电压源的结构简单、效率高、并且工作状态稳定。

附图说明

图1是本实用新型低电压带隙基准电压源的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，本实用新型低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16、第十七MOS管M17、第十八MOS管M18、第十九MOS管M19、第二十MOS管M20、第二十一MOS管M21、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一三极管VT1、第二三极管VT2、第三三极管VT3、第四三极管VT4，第七MOS管M7的源极、第五MOS管M5的源极、第一MOS管M1的源极、第三MOS管M3的源极、第九MOS管M9的源极、第十一MOS管M11的源极、第十三MOS管M13的源极和第十五MOS管M15的源极连接后再与电压输入端连接，第七MOS管M7的漏极与第八MOS管M8的源极连接，第五MOS管M5的栅极分别与第八MOS管M8的栅极、第六MOS管M6的栅极、第六MOS管M6的漏极和第十八MOS管M18的漏极，第六MOS管M6的源极分别与第五MOS管M5的漏极和第二MOS管M2的源极连接，第一MOS管M1的漏极与第二MOS管M2的源极连接，第二MOS管M2的栅极与第四MOS管M4的栅极连接，第一MOS管M1的栅极分别与第三MOS管M3的栅极、第二MOS管M2的漏极和第十九MOS管M19的漏极连接，第三MOS管M3的漏极与第四MOS管M4的源极连接，第四MOS管M4的漏极分别与第七MOS管M7的栅极、第九MOS管M9的源极和第二十MOS管M20的漏极连接，第四MOS管M4的源极与第十MOS管M10的源极连接，第九MOS管M9的漏极与第十MOS管M10的源极连接，第十MOS管M10的漏极分别与第一电阻R1的第一端和第十九MOS管M19的栅极连接，第九MOS管M9的栅极与第十一MOS管M11的源极连接，第十MOS管M10的栅极与第十二MOS管M12的源极连接，第十一MOS管M11的漏极与第十二MOS管M12的源极连接，第十二MOS管M12的漏极与第二电阻R2的第一端连接，第十一MOS管M11的栅极与第十三MOS管M13的栅极连接，第十二MOS管M12的栅极与第十四MOS管M14的栅极连接，第十三MOS管M13的源极与第十五MOS管M15的栅极连接，第十三MOS管M13的漏极与第十四MOS管M14的源极连接，第十四MOS管M14的漏极与第三电阻R3的第一端连接后再与外接电路连接，第十五MOS管M15的漏极与第十六MOS管M16的源极连接，第十六MOS管M16的漏极分别与第二十MOS管M20的栅极和第四三极管VT4的发射极连接，第十九MOS管M19的源极分别与第二十一MOS管M21的漏极和第二十MOS管M20的源极连接，第一电阻R1的第二端与第一三极管VT1的发射极连接，第二电阻R2的第二端分别与第一三极管VT1的基极和第二三极管VT2的发射极连接，第三电阻R3的第二端分别与第四三极管VT4的基极和第三三极管VT3的发射极连接，第八MOS管M8的漏极分别与第十七MOS管M17的漏极、第十七MOS管M17的栅极和第十八MOS管M18的栅极连接，第十八MOS管M18的源极与第二十一MOS管M21的栅极连接，第十七MOS管M17的源极、第十八MOS管M18的源极、第二十一MOS管M21的源极、第一三极管VT1的集电极、第二三极管VT2的集电极、第二三极管VT2的基极、第三三极管VT3的基极、第三三极管VT3的集电极和第四三极管VT4的集电极连接后接地。

Claims

1.一种低电压带隙基准电压源，其特征在于：包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述第七MOS管的源极、所述第五MOS管的源极、所述第一MOS管的源极、所述第三MOS管的源极、第九MOS管的源极、所述第十一MOS管的源极、所述第十三MOS管的源极和所述第十五MOS管的源极连接后再与电压输入端连接，所述第七MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极连接，所述第五MOS管的栅极分别与所述第八MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极、所述第六MOS管的漏极和所述第十八MOS管的漏极，所述第六MOS管的源极分别与所述第五MOS管的漏极和所述第二MOS管的源极连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的栅极、所述第二MOS管的漏极和所述第十九MOS管的漏极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极连接，所述第四MOS管的漏极分别与所述第七MOS管的栅极、所述第九MOS管的源极和所述第二十MOS管的漏极连接，所述第四MOS管的源极与所述第十MOS管的源极连接，所述第九MOS管的漏极与所述第十MOS管的源极连接，所述第十MOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端和所述第十九MOS管的栅极连接，所述第九MOS管的栅极与所述第十一MOS管的源极连接，所述第十MOS管的栅极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的漏极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第二电阻的第一端连接，所述第十一MOS管的栅极与所述第十三MOS管的栅极连接，所述第十二MOS管的栅极与所述第十四MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的源极与所述第十五MOS管的栅极连接，所述第十三MOS管的漏极与所述第十四MOS管的源极连接，所述第十四MOS管的漏极与所述第三电阻的第一端连接后再与外接电路连接，所述第十五MOS管的漏极与所述第十六MOS管的源极连接，所述第十六MOS管的漏极分别与所述第二十MOS管的栅极和所述第四三极管的发射极连接，所述第十九MOS管的源极分别与所述第二十一MOS管的漏极和所述第二十MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端与所述第一三极管的发射极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的发射极连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四三极管的基极和所述第三三极管的发射极连接，所述第八MOS管的漏极分别与所述第十七MOS管的漏极、所述第十七MOS管的栅极和所述第十八MOS管的栅极连接，所述第十八MOS管的源极与所述第二十一MOS管的栅极连接，所述第十七MOS管的源极、所述第十八MOS管的源极、所述第二十一MOS管的源极、所述第一三极管的集电极、所述第二三极管的集电极、所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极、所述第三三极管的集电极和所述第四三极管的集电极连接后接地。