CN204886405U - 一种双电源隔离电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双电源隔离电路，包括第一MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，且所述第一MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端。采用本实用新型实施例，在保证隔离供电的前提下，减少电源供电的压降和电路发热量，提高电源供电系统稳定性。

Description

一种双电源隔离电路

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种双电源隔离电路。

背景技术

在电子电路设计时，常常需要两个电源同时或分别给某一功能模块供电，为了防止这两个电源相互倒灌电流，必须对这两个电源进行隔离。一般地，如图1所示，在两电源的输出端分别串联一个二极管D1和D2，二极管具有反向截止的功能，可以防止这电源A与电源B相互倒灌电流，且当两电源电压不一致时，电压高的电源正常输出，电压低的电源因二极管反向截止断开输出，即，正常工作时，只有电压高的电源输出。但是此电路存在两个缺陷：

1、二极管导通时，两端有电压差，约0.3V，需要提高Power_A和Power_B的输入电压；

2、二极管效率低，有部分电流会转换为热能，会造成二极管发热严重，二极管容易损坏，影响电源供电稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的是，提供一种双电源隔离电路，在保证隔离供电的前提下，减少电源供电的压降和电路发热量，提高电源供电系统稳定性。

为解决以上技术问题，本实用新型实施例提供一种双电源隔离电路，包括第一MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；

所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，且所述第一MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；

所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二MOS管的栅极连接。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第三MOS管；

则，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，具体为：所述第二MOS管的源极通过所述第三MOS管与所述第一MOS管的源极连接，且所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接；

所述第二栅极控制端还与所述第三MOS管的栅极连接。

具体地，所述第一栅极控制端通过输出高低压给所述第一MOS管栅极来控制所述第一MOS管的截止或导通；所述第二栅极控制通过输出高低压给所述第二MOS管栅极或所述第三MOS管栅极来控制其截止或导通。

进一步地，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为P沟道MOS管。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第一电阻和第二电阻；所述第一栅极控制端通过所述第一电阻与所述第一MOS管的源极连接；所述第二栅极控制端通过所述第二电阻与所述第二MOS管的源极连接。所述第一电阻为所述第一MOS管的栅源两端提供压差；所述第二电阻为所述第二MOS管和所述第三MOS管的栅源两端提供压差。

进一步地，所述切换控制模块还包括第一开关管、第二开关管和第三开关管；

所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第一开关管的第二端为所述切换控制模块的第一栅极控制端，所述第一开关管的第三端接地；

所述第二开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第二开关管的第二端与所述第三开关管的第一端连接，且所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，所述第三开关管的第二端为所述控制模块的第二栅极控制端，所述第二开关管的第三端接地，所述第三开关管的第三端接地。

所述第一开关管控制所述第一MOS管的导通或截止；所述第二开关管和所述第三开关管的连接控制所述第二MOS管或所述第三MOS管的导通或截止。

进一步地，所述切换控制模块还包括第三电阻、第四电阻和第五电阻；

则，所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，具体为：所述第一开关管的第一端通过第三电阻与所述切换控制模块的输入控制端连接，且所述第一开关管的第一端通过所述第四电阻与地连接；

则，所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，具体为：所述第二开关管的第二端通过所述第五电阻与直流电源或所述第二电源输入端连接。

所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻均具有分压或限流的作用。

进一步地，所述切换控制模块还包括第六电阻；

则，所述第二开关管的第一端还通过所述第六电阻与地连接。

所述第六电阻具有分压或限流作用。

进一步地，所述第一开关管为N沟道MOS管或NPN型三极管。具体地，所述第一开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应。

进一步地，所述第二开关管和所述第三开关管均为N沟道MOS管或NPN型三极管。具体地，所述第二开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应；所述第三开关管的第一端、第二端和第三端与N沟道MOS管的栅极、漏极和源极或者与NPN型三极管的基极、集电极和发射极相对应。

相比于现有技术，本实用新型的一种的有益效果在于：

本实用新型提供的双电源隔离电路，采用MOS管替代二极管，实现电源隔离供电的前提下，当双电源正常供电时，优先输出一路电源的MOS管处于饱和导通状态，MOS管导通电阻只有几毫欧姆，而现有技术的二极管极限电流压降一般为0.4V，在几十安的大电流供电场合下，MOS管的导通压降明显比二极管的压降小，能有效地减少电源供电的压降。在长时间工作状态下由于MOS管的热损耗相对较低，减少电路的发热量，并且MOS管不易热损坏，从而提高供电系统的稳定性。

附图说明

图1是现有技术的一种双电源隔离电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一的一种双电源隔离电路的结构示意图；

图3是本实用新型实施例二的一种双电源隔离电路的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

请参阅图2，其是本实用新型实施例一的一种双电源隔离电路的结构示意图。本实用新型实施例所提供的一种双电源隔离电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和切换控制模块101；所述第一MOS管Q1的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管Q2的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；

所述第二MOS管Q2的源极与所述第一MOS管Q1的源极连接，且所述第一MOS管Q1的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；

所述切换控制模块101具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一MOS管Q1的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二MOS管Q2的栅极连接。

在本实施例中，所述切换控制模块101由于与所述第一电源输入端连接，故本实施例的双电源隔离电路，通过第一电源输入端所输入的电源控制本电路的电源输出端所输出的电源。另外，所述切换控制模块101分别与第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接，通过控制第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅源压差是否满足阈值电压，来控制第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的导通与截止，从而控制本实施例电路所输出的电源。并且，所述第一MOS管Q1的截止，可防止电流往第二电源输入端流动；所述第二MOS管Q2的截止，可防止电流往第一电源输入端。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第三MOS管Q3；

则，所述第二MOS管Q2的源极与所述第一MOS管Q1的源极连接，具体为：所述第二MOS管Q2的源极通过所述第三MOS管Q3与所述第一MOS管Q1的源极连接，且所述第二MOS管Q2的源极与所述第三MOS管Q3的源极连接，所述第三MOS管Q3的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接；

所述第二栅极控制端还与所述第三MOS管Q3的栅极连接。

需要说明的是，所述切换控制模块101同时控制所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3的导通与截止。在本实施例中，在第一电源输入端输入电源的情况下，所述切换控制模块101控制所述第一MOS管Q1导通，所述第二MOS管Q2和第三MOS管Q3截止；由于MOS具有导通双极性，截止单极性的特性，因而，所述第二MOS管Q2的截止能阻止第一电源输入端的电流向第二电源输入端流动，所述第三MOS管Q3的截止能阻止第二电源输入端的电流向电源输出端流动，从而在本实施例加入第三MOS管Q3，能使所述电源输出端只输出两个电源输入端的输入电源的其中之一。

优选地，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3均为P沟道MOS管。则在图2中，所述第一MOS管Q1等效为第一P沟道MOS管Q1，所述第二MOS管Q2等效为第二P沟道MOS管Q2，所述第三MOS管Q3等效为第三P沟道MOS管Q3。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一栅极控制端通过所述第一电阻R1与所述第一MOS管Q1的源极连接；所述第二栅极控制端通过所述第二电阻R2与所述第二MOS管Q2的源极连接。

在本实施例中，所述第一电阻R1为第一P沟道MOS管Q1的栅源两端提供压差，所述第二电阻R2为第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3的栅源两端提供压差。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第四N沟道MOS管Q4、第五N沟道MOS管Q5和第六N沟道MOS管Q6；

所述第四N沟道MOS管Q4的栅极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，所述第四N沟道MOS管Q4的漏极为所述切换控制模块101的第四栅极控制端，所述第四N沟道MOS管Q4的源极接地；

所述第五N沟道MOS管Q5的栅极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，所述第五N沟道MOS管Q5的漏极与所述第六N沟道MOS管Q6的栅极连接，且所述第五N沟道MOS管Q5的漏极与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接，在本实施例中采用所述第二电源输入端；所述第六N沟道MOS管Q6的漏极为所述控制模块的第五栅极控制端，所述第五N沟道MOS管Q5的源极接地，所述第六N沟道MOS管Q6的源极接地。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5；

则，所述第四N沟道MOS管Q4的栅极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，具体为：所述第四N沟道MOS管Q4的栅极通过第三电阻R3与所述切换控制模块101的输入控制端连接，且所述第四N沟道MOS管Q4的栅极通过所述第四电阻R4与地连接；

则，所述第五N沟道MOS管Q5的漏极与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接，具体为：所述第五N沟道MOS管Q5的漏极通过所述第五电阻R5与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接。在本实施例中采用所述第二电源输入端。

在本实施例中，所述第三电阻R3和第四电阻R4为所述第四N沟道MOS管Q4提供偏压，所述第五电阻R5具有为所述第六N沟道MOS管Q6提供偏压和为所述第五N沟道MOS管Q5限流保护的作用。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第六电阻R6；

则，所述第五N沟道MOS管Q5还通过所述第六电阻R6与地连接。

在本实例中，所述第六电阻R6为所述第五N沟道MOS管Q5提供偏压。

以下将以第一电源输入端输入第一电源，第二电源输入端输入第二电源，描述本实用新型实施例的工作原理：

在本实施例的电路中当所述第一电源输入端输入第一电源时，第四N沟道MOS管Q4导通，使第一P沟道MOS管Q1的栅源压差低于阈值电压，从而第一P沟道MOS管Q1导通；第五N沟道MOS管Q5导通，使第六N沟道MOS管Q6的栅源压差低于阈值电压，则第六N沟道MOS管Q6截止，进而使第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3的栅源压差高于阈值电压，从而第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3截止。同理，当所述第一电源输入端没有输入所述第一电源时，第四N沟道MOS管Q4截止，使第一P沟道MOS管Q1截止；第五沟道MOS管截止，使第六N沟道MOS管Q6导通，进而使第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3导通。因而，在所述第一电源输入端输入第一电源和所述第二电源输入端输入第二电源时，所述电源输出端优先输出所述第一电源，并且，所述第二P沟道MOS管Q2的截止使所述第一电源的电流无法流入所述第二电源输入端，使本电路正常工作，且所述第三P沟道MOS管Q3的截止使所述第二电源的电流无法输出到所述电源输出端，从而保证所述电源输出端仅输出所述第一电源。另外，所述第一电源输入端无电源输入，而所述第二电源输入端输入第二电源时，所述电源输出端输出所述第二电源的电流，并且，所述第一P沟道MOS管Q1的截止使所述第二电源的电流无法流入所述第一电源输入端，使本电路正常工作。

实施例二

请参阅图3，其是本实用新型实施例二的一种双电源隔离电路的结构示意图。本实用新型实施例所提供的一种双电源隔离电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和切换控制模块101；所述第一MOS管Q1的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管Q2的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；

所述第二MOS管Q2的源极与所述第一MOS管Q1的源极连接，且所述第一MOS管Q1的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；

所述切换控制模块101具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一MOS管Q1的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二MOS管Q2的栅极连接。

在本实施例中，所述切换控制模块101由于与所述第一电源输入端连接，故本实施例的双电源隔离电路，通过第一电源输入端所输入的电源控制本电路的电源输出端所输出的电源。另外，所述切换控制模块101分别与第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极连接，通过控制第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅源压差是否满足阈值电压，来控制第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的导通与截止，从而控制本实施例电路所输出的电源。并且，所述第一MOS管Q1的截止，可防止电流往第二电源输入端流动；所述第二MOS管Q2的截止，可防止电流往第一电源输入端。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第三MOS管Q3；

则，所述第二MOS管Q2的源极与所述第一MOS管Q1的源极连接，具体为：所述第二MOS管Q2的源极通过所述第三MOS管Q3与所述第一MOS管Q1的源极连接，且所述第二MOS管Q2的源极与所述第三MOS管Q3的源极连接，所述第三MOS管Q3的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接；

所述第二栅极控制端还与所述第三MOS管Q3的栅极连接。

需要说明的是，所述切换控制模块101同时控制所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3的导通与截止。在本实施例中，在第一电源输入端输入电源的情况下，所述切换控制模块101控制所述第一MOS管Q1导通，所述第二MOS管Q2和第三MOS管Q3截止；由于MOS具有导通双极性，截止单极性的特性，因而，所述第二MOS管Q2的截止能阻止第一电源输入端的电流向第二电源输入端流动，所述第三MOS管Q3的截止能阻止第二电源输入端的电流向电源输出端流动，从而在本实施例加入第三MOS管Q3，能使所述电源输出端只输出两个电源输入端的输入电源的其中之一。

优选地，所述第一MOS管Q1、所述第二MOS管Q2和所述第三MOS管Q3均为P沟道MOS管。则如图3所示，所述第一MOS管Q1等效为第一P沟道MOS管Q1，所述第二MOS管Q2等效为第二P沟道MOS管Q2，所述第三MOS管Q3等效为第三P沟道MOS管Q3。

进一步地，所述双电源隔离电路还包括第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一栅极控制端通过所述第一电阻R1与所述第一MOS管Q1的源极连接；所述第二栅极控制端通过所述第二电阻R2与所述第二MOS管Q2的源极连接。

在本实施例中，所述第一电阻R1为第一P沟道MOS管Q1的栅源两端提供压差，所述第二电阻R2为第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3的栅源两端提供压差。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第一NPN型三极管Q4、第二NPN型三极管Q5和第三NPN型三极管Q6；

所述第一NPN型三极管Q4的基极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，所述第一NPN型三极管Q4的集电极为所述切换控制模块101的第一栅极控制端，所述第一NPN型三极管Q4的发射极接地；

所述第二NPN型三极管Q5的基极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，所述第二NPN型三极管Q5的集电极与所述第三NPN型三极管Q6的基极连接，且所述第二NPN型三极管Q5的集电极与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接，在本实施例中采用所述第二电源输入端；所述第三NPN型三极管Q6的集电极为所述控制模块的第二栅极控制端，所述第二NPN型三极管Q5的发射极接地，所述第三NPN型三极管Q6的发射极接地。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5；

则，所述第一NPN型三极管Q4的基极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，具体为：所述第一NPN型三极管Q4的基极通过第三电阻R3与所述切换控制模块101的输入控制端连接，且所述第一NPN型三极管Q4的基极通过所述第四电阻R4与地连接；

则，所述第二NPN型三极管Q5的集电极与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接，具体为：所述第二NPN型三极管Q5的集电极通过所述第五电阻R5与直流电源VCC或所述第二电源输入端连接。在本实施例中采用所述第二电源输入端。

在本实施例中，所述第三电阻R3和第四电阻R4为所述第一NPN型三极管Q4提供偏流，所述第五电阻R5具有为所述第三NPN型三极管Q6提供偏流以及为所述第二NPN型三极管Q5提供限流保护的作用。

进一步地，所述切换控制模块101还包括第六电阻R6；在本实施例中，还包括第七电阻R7；

则，所述第二NPN型三极管Q5还通过所述第六电阻R6与地连接；

所述第二NPN型三极管Q5的基极与所述切换控制模块101的输入控制端连接，具体为：所述第二NPN型三极管Q5的基极通过所述第七电阻R7与所述切换控制模块101的输入控制端连接。

在本实施例中，所述第六电阻R6和所述第七电阻R7为所述第二NPN型三极管Q5提供偏流。

以下将以第一电源输入端输入第一电源，第二电源输入端输入第二电源，描述本实用新型实施例的工作原理：

在本实施例的电路中，所述第一电源输入端输入第一电源时，第一NPN型三极管Q4导通，使第一P沟道MOS管Q1的栅源压差低于阈值电压，从而第一P沟道MOS管Q1导通；第二NPN型三极管Q5导通，使第三NPN型三极管Q6的基极电流低于阈值电流，则第三NPN型三极管Q6截止，进而使第二P沟道MOS管Q2和所述第三P沟道MOS管Q3的栅源压差高于阈值电压，从而第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3截止。同理，当所述第一电源输入端没有输入电源时，所述第一NPN型三极管Q4截止，使第一P沟道MOS管Q1截止；第二NPN型三极管Q5截止，使第三NPN型三极管Q6导通，进而使第二P沟道MOS管Q2和第三P沟道MOS管Q3导通。因而，在所述第一电源输入端输入第一电源和所述第二电源输入端输入第二电源时，所述电源输出端优先输出所述第一电源，并且，所述第二P沟道MOS管Q2的截止使所述第一电源的电流无法流入所述第二电源输入端，使本电路正常工作，且所述第三P沟道MOS管Q3的截止使所述第二电源的电流无法输出到所述电源输出端，从而保证所述电源输出端仅输出所述第一电源。另外，所述第一电源输入端无电源输入，而所述第二电源输入端输入第二电源时，所述电源输出端输出所述第二电源的电流，并且，所述第一P沟道MOS管Q1的截止使所述第二电源的电流无法流入所述第一电源输入端，使本电路正常工作。

相比于现有技术，本实用新型的一种双电源隔离电路的有益效果在于：

本实用新型提供的双电源隔离电路，采用MOS管替代二极管，实现电源隔离供电的前提下，当双电源正常供电时，优先输出一路电源的MOS管处于饱和导通状态，MOS管导通电阻只有几毫欧姆，而现有技术的二极管极限电流压降一般为0.4V，在几十安的大电流供电场合下，MOS管的导通压降明显比二极管的压降小，能有效地减少电源供电的压降。在长时间工作状态下由于MOS管的热损耗相对较低，减少系统电路的发热量，并且MOS管不易热损坏，从而提高供电系统的稳定性。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种双电源隔离电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管和切换控制模块；所述第一MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第一电源输入端；所述第二MOS管的漏极为所述双电源隔离电路的第二电源输入端；

所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，且所述第一MOS管的源极为所述双电源隔离电路的电源输出端；

所述切换控制模块具有输入控制端、第一栅极控制端和第二栅极控制端；所述输入控制端与所述第一电源输入端连接，所述第一栅极控制端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第二栅极控制端与所述第二MOS管的栅极连接。

2.如权利要求1所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述双电源隔离电路还包括第三MOS管；

则，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，具体为：所述第二MOS管的源极通过所述第三MOS管与所述第一MOS管的源极连接，且所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接；

所述第二栅极控制端还与所述第三MOS管的栅极连接。

3.如权利要求2所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为P沟道MOS管。

4.如权利要求3所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述双电源隔离电路还包括第一电阻和第二电阻；所述第一栅极控制端通过所述第一电阻与所述第一MOS管的源极连接；所述第二栅极控制端通过所述第二电阻与所述第二MOS管的源极连接。

5.如权利要求1至4任一所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述切换控制模块还包括第一开关管、第二开关管和第三开关管；

所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第一开关管的第二端为所述切换控制模块的第一栅极控制端，所述第一开关管的第三端接地；

所述第二开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，所述第二开关管的第二端与所述第三开关管的第一端连接，且所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，所述第三开关管的第二端为所述控制模块的第二栅极控制端，所述第二开关管的第三端接地，所述第三开关管的第三端接地。

6.如权利要求5所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述切换控制模块还包括第三电阻、第四电阻和第五电阻；

则，所述第一开关管的第一端与所述切换控制模块的输入控制端连接，具体为：所述第一开关管的第一端通过第三电阻与所述切换控制模块的输入控制端连接，且所述第一开关管的第一端通过所述第四电阻与地连接；

则，所述第二开关管的第二端与直流电源或所述第二电源输入端连接，具体为：所述第二开关管的第二端通过所述第五电阻与直流电源或所述第二电源输入端连接。

7.如权利要求6所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述切换控制模块还包括第六电阻；

则，所述第二开关管的第一端还通过所述第六电阻与地连接。

8.如权利要求5所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述第一开关管为N沟道MOS管或NPN型三极管。

9.如权利要求5所述的双电源隔离电路，其特征在于，所述第二开关管和所述第三开关管均为N沟道MOS管或NPN型三极管。