CN203085535U - 一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板，能够减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。该氧化物TFT阵列基板包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，所述氧化物TFT的源极和所述数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。本实用新型实施例适用于显示技术领域。

Description

一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示面板。

背景技术

氧化物有源层，如铟镓锌氧化物IGZO(indium gallium zinc oxide)作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，是用于新一代TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示)技术中的沟道层材料。

因为TFT器件本身的漏电流导电机制主要是沟道热离子发射形成的空穴电流，TFT的漏电流会在光照的条件下剧增。为了减少氧化物有源层的光接触面积，氧化物TFT一般采用遮光型结构，如图1所示，栅线11位于氧化物有源层13、源极15和漏极16的下方，这样栅线11遮挡住了源极15和漏极16形成的沟道内的氧化物有源层，从而能够有效降低光照时电子空穴对产生的概率，大大降低光照产生的漏电流。

然而，这种遮光性结构的氧化物TFT器件，源极15、漏极16直接和氧化物有源层13直接接触，在氧化物有源层13的两侧，氧化物有源层13和源极15、漏极16之间没有PN结，这样氧化物有源层13的空穴流入到源极15和漏极16，或源极15和漏极16的电子流入到氧化物有源层13，这使得氧化物有源层13和源极15、漏极16之间的漏电流增加，造成显示面板画面闪烁、串扰和残像等现象。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及显示面板，能够减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供了一种氧化物TFT阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

可选的，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

其中，所述氧化物TFT具体包括：

设置于所述基板上的所述栅线；

设置于所述栅线上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上位于栅线上方的氧化物有源层；

设置于所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置于所述刻蚀阻挡层上的所述源极、漏极，所述源极和漏极分别与所述氧化物有源层接触；

其中，所述漏极与设置于像素区域的延伸至所述漏极的所述像素电极相连；

所述氧化物TFT阵列基板还包括：

设置于形成有所述像素电极的基板上的钝化层；

设置于所述钝化层上的位于像素区域的公共电极。

可选的，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。

另一方面，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例描述的氧化物TFT阵列基板。

本实用新型实施例提供的一种氧化物TFT阵列基板及显示面板，由于在源极15和数据线17之间设置有导接结构21，该导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，这样可以减小源极15和氧化物有源层13直接接触产生的漏电流，从而减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的氧化物TFT阵列基板的俯视结构示意图；

图2为现有技术的氧化物TFT阵列基板沿栅线上的A-A向剖视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的俯视结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板沿栅线上的A-A向剖视结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法流程图；

图6为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第一次构图工艺后的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第二次构图工艺后的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第三次构图工艺后的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第四次构图工艺后的结构示意图；

图10为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第五次构图工艺后的结构示意图；

图11为本实用新型实施例提供的氧化物TFT阵列基板的制作方法的第六次构图工艺后的结构示意图。

附图标记说明：

基板：10；栅线：11；栅绝缘层：12；氧化物有源层：13；刻蚀阻挡层：14；源极：15；漏极：16；数据线：17；像素电极：18；钝化层：19；公共电极：20；导接结构：21；源极和漏极断开的图形：22。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是：本实用新型实施例的“上”“下”只是参考附图对本实用新型实施例进行说明，不作为限定用语。

实施例一、

本实用新型实施例提供了一种氧化物TFT阵列基板，包括基板10，设置于基板10上的氧化物TFT、栅线11、数据线17和像素电极18，其中，所述氧化物TFT的漏极16和所述像素电极18相连，源极15和数据线17之间设置有导接结构21，导接结构21分别和源极15、数据线17相连，源极15和数据线17通过该导接结构21相连。

其中，导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率。

由于源极15和数据线17之间设置有导接结构21，导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，从而能够有效的增大源极15和氧化物有源层13之间的接触电阻，进而减小源极15和氧化物有源层13之间的漏电流，从而能够提升TFT的显示品质和稳定性。

如图3、4所示，示例性的，以下以边缘场开关(AdvancedDimension Switch，简称ADS)型的氧化物TFT阵列基板的单个子像素为例具体描述该TFT阵列基板的结构。

其中，该氧化物TFT阵列基板包括：

基板10；

设置于基板10上的所述栅线11；

设置于所述栅线11上的栅绝缘层12；

设置于栅绝缘层12上位于栅线上方的氧化物有源层13；

设置于氧化物有源层13上的刻蚀阻挡层14，该刻蚀阻挡层14在制作氧化物TFT阵列基板的过程中，用于防止形成源极15和漏极16的过程中，源极15和漏极16之间形成的沟道内的氧化物有源层13被刻蚀，刻蚀阻挡层14的至少覆盖源极15和漏极16之间的沟道，图4中示例性的，示出除源极15、漏极16和氧化物有源层13接触的区域外的栅线11的其它区域都覆盖有刻蚀阻挡层14。在实际的制作过程中，刻蚀阻挡层14的图形可视实际制作工艺和要求而定，本实用新型对此不作具体限定；

设置于所述刻蚀阻挡层14上的所述源极15、漏极16和数据线17，所述源极15和漏极16分别与所述氧化物有源层13接触，所述源极15和漏极16形成的沟道位于所述刻蚀阻挡层14上；

设置于所述源极15和所述数据线17之间的导接结构21，导接结构21分别和源极15、数据线17相连，所述源极15和数据线17通过导接结构21相连；

设置于所述像素区域的像素电极18，其中，像素电极18还延伸至漏极16，与所述漏极16相连；

设置于形成所述像素电极18的基板10上的钝化层19；

以及设置于所述钝化层19上的位于像素区域的公共电极20。

其中，上述图3、4中的氧化物TFT设置在栅线11上，由于栅线金属为非透明金属，可以同时遮挡氧化物TFT的沟道，进而能够减小氧化物TFT阵列基板的光照漏电流。

需要说明的是，上述图3、4仅是以ADS型氧化物TFT阵列基板的底栅结构为例进行说明，但并不限制本实用新型仅适用于底栅结构的TFT阵列基板，同样适用于顶栅结构等源极15、漏极16和氧化物有源层13直接接触的TFT阵列基板，在此本实用新型不作具体限定。

需要说明的是，上述图3、4仅是以ADS型氧化物TFT阵列基板为例进行了说明，但并不限制本实用新型仅适用于ADS型氧化物TFT阵列基板，同样适用于扭曲向列(Twisted Nematic，简称TN)型等源极15、漏极16和氧化物有源层13直接接触的氧化物TFT阵列基板，本实用新型在此不作具体限定。

进一步的，为了在制作氧化物TFT阵列基板时，减少构图工艺的次数，该导接结构21具体可以采用和像素电极18同样的透明导电材料，如ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)，从而在形成像素电极18的构图工艺时，可以一并形成导接结构21。

具体的，该氧化物有源层13为铟镓锌氧化物。

本实用新型实施例提供的一种氧化物TFT阵列基板，由于在源极15和数据线17之间设置有导接结构21，该导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，这样可以减小源极15和氧化物有源层13直接接触产生的漏电流，从而减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。

基于上述实施例提供的氧化物TFT阵列基板，本实用新型实施例还提供了一种氧化物TFT阵列基板的制作方法，该方法包括：

通过构图工艺，在源极15和数据线17之间设置导接结构21，所述源极15和数据线17通过所述导接结构21相连，所述导接结构21的电阻率大于所述源极15的金属的电阻率。

具体的，本实用新型实施例以ADS型氧化物TFT阵列基板的制作方法为例进行详细描述。需要说明的是，本实用新型实施例提到的构图工艺包括曝光、显影、刻蚀、灰化等主要工艺。如图5所示，该方法包括：

501、通过第一次构图工艺，在基板10上形成包括栅线11的图形。

具体的，在第一次构图工艺过程中，首先在基板10上涂布栅金属层薄膜，然后在涂布有栅金属层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应栅线11的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的栅金属层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图6所示，露出栅线11的图形，形成栅线11。

502、通过第二次构图工艺，在经过第一次构图工艺的基板10上形成包括栅绝缘层12和氧化物有源层13的图形。

其中，所述氧化物有源层13的图形位于栅线11上方，由于栅线金属为非透明金属，可以同时遮挡氧化物TFT的沟道，进而能够减小氧化物TFT阵列基板的光照漏电流。

具体的，在第二次构图工艺过程中，首先在经过第一次构图工艺的基板10上涂布栅绝缘层薄膜和氧化物有源层薄膜。然后在涂布有栅绝缘层薄膜和氧化物有源层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应氧化物有源层13的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的氧化物有源层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图7所示，露出氧化物有源层13的图形，形成栅绝缘层12和氧化物有源层13。

503、通过第三次构图工艺，在经过第二次构图工艺的基板10上形成包括刻蚀阻挡层14的图形。

在第三次构图工艺过程中，首先在经过第二次构图工艺的基板10上涂布刻蚀阻挡层薄膜，然后在涂布有刻蚀阻挡层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应刻蚀阻挡层14的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的刻蚀阻挡层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图8所示，露出刻蚀阻挡层14的图形，形成刻蚀阻挡层14。

504、通过第四次构图工艺，在经过第三次构图工艺的基板10上形成包括数据线17、源极15、漏极16，以及所述源极15和漏极16断开的图形22。

在第四次构图工艺过程中，首先在经过第三次构图工艺的基板10上涂布源漏金属层薄膜，然后在涂布有源漏金属层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应源极15、漏极16及数据线17的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域，其中包括源极15和漏极16断开的图形22的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的源漏金属层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图9所示，形成源极15、漏极16、数据线17，以及源极15和漏极16断开的图形22的图形。

505、通过第五次构图工艺，在经过第四次构图工艺的基板10上形成包括像素电极18和在所述源极和漏极断开的图形22上的导接结构21的图形。

其中，该导接结构21与像素电极18采用相同的透明导电材料。

在第五次构图工艺过程中，首先在经过第四次构图工艺的基板10上涂布透明导电层薄膜，然后在涂布有透明导电薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应像素电极18的区域和导接结构21的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的透明导电层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图10所示，露出像素电极18和导接结构21。

506、通过第六次构图工艺，在经过第五次构图工艺的基板10上形成包括钝化层19的图形。

在第六次构图工艺过程中，首先在经过第五次构图工艺的基板10上涂布钝化层薄膜，然后在涂布有钝化层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应钝化层19的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域，具体的所述光刻胶完全去除区域包括栅线引线过孔和数据线引线过孔。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的钝化层薄膜，其中栅线引线过孔还需要刻蚀栅绝缘层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图11所示，形成钝化层19、栅线引线过孔和数据线引线过孔，其中栅线引线过孔和数据线引线过孔(图中未示出)。

507、通过第七次构图工艺，在经过第六次构图工艺的基板上形成包括公共电极20的图形。

在第七次构图工艺过程中，首先在经过第六次构图工艺的基板10上涂布透明导电层薄膜，然后在涂布有透明导电层薄膜的基板10上形成光刻胶。

利用掩模板对光刻胶进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应公共电极20的区域；所述光刻胶完全去除区域对应所述像素单元中除所述光刻胶完全保留区域以外的区域。

利用刻蚀工艺去除掉光刻胶完全去除区域上的透明导电层薄膜，再利用灰化工艺剥离掉光刻胶完全保留区域的光刻胶，如图4所示，形成钝化层形成公共电极20。

需要说明是，本实用新型实施例描述的氧化物TFT阵列基板的制作方法中，为了减少构图工艺的次数，导接结构21采用和像素电极18相同的透明导电材料，则导接结构21和像素电极18可以在一次构图工艺中形成。但是这并不能限制本实用新型中导接结构21仅可以采用和像素电极18相同的透明导电材料，该导接结构21还可以采用其它的材料，只要该材料的电阻率大于源极15的金属的电阻率即可，在这种情况下，导接结构21和像素电极18需要采用两次构图工艺完成。

进一步，需要说明的是，本实用新型实施例描述的氧化物TFT阵列基板的制作方法仅是示例性以七次构图工艺进行描述，但不能理解为限制本实用新型仅能采用七次构图工艺实现。其它不同构图工艺次数，能够在源极15和数据线17之间形成导接结构21的制作方法，也属于本实用新型的保护范围。

本实用新型实施例提供的一种氧化物TFT阵列基板的制作方法，由于在源极15和数据线17之间形成导接结构21，该导接结构21的电阻率大于源极15的金属的电阻率，这样可以减小源极15和氧化物有源层13直接接触产生的漏电流，从而减小氧化物TFT的漏电流，可以改善显示面板的画面闪烁、串扰和残像等现象，提高显示性能。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例提供的氧化物TFT阵列基板。

具体的，该显示面板可以是液晶显示面板，还可以是OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板等。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.一种氧化物TFT阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的氧化物TFT、栅线、数据线和像素电极，所述氧化物TFT的漏极和所述像素电极相连，其特征在于，

所述氧化物TFT的源极和数据线之间设置有导接结构，并通过所述导接结构相连，所述导接结构的电阻率大于所述源极金属的电阻率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导接结构与所述像素电极采用相同的透明导电材料。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物TFT具体包括：

设置于所述基板上的所述栅线；

设置于所述栅线上的所述栅绝缘层；

设置于所述栅绝缘层上位于栅线上方的氧化物有源层；

设置于所述氧化物有源层上的刻蚀阻挡层；

设置于所述刻蚀阻挡层上的所述源极、漏极，所述源极和漏极分别与所述氧化物有源层接触；

其中，所述漏极与设置于像素区域的延伸至所述漏极的所述像素电极相连；

所述氧化物TFT阵列基板还包括：

设置于形成有所述像素电极的基板上的钝化层；

设置于所述钝化层上的位于像素区域的公共电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物有源层为铟镓锌氧化物。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-4任一项所述的氧化物TFT阵列基板。

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