CN203288601U - 薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置，为解决现有结构中薄膜晶体管延伸至像素电极下方与像素电极相连，导致薄膜晶体管在背光照射下产生漏电现象的问题而设计。所述薄膜晶体管像素结构，包括：栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极；所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方；所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。本实施例显示装置，包括上述的阵列基板。本实用新型中，像素电极与薄膜晶体管连接的区域位于栅极对应的区域内，从而避免了背光照射薄膜晶体管导致漏电现象导致显示不良的问题，具有性能好、生产良率高、结构简单、制作简便且制作成本低等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置。
背景技术
如图1所示，薄膜晶体管像素结构包括像素电极1、栅线2、薄膜晶体管3以及数据线4。所述薄膜晶体管3包括源极、漏极以及栅极，栅极与所述栅线2连接，源极与所述数据线4连接，漏极延伸到薄膜晶体管3的下方与所述薄膜晶体管3连接。像素电极1与薄膜晶体管3连接处的从上至下包括像素电极1、薄膜晶体管的漏极、薄膜晶体管的半导体层（通常为a-si层）。
在面板中使用时，背光透过阵列基板的透明基板照射到a-si层上，a-si层中载流子在光照的影响下的更加活跃，半导体的电阻减小，从而导致薄膜晶体管上的漏电流偏大。而当薄膜晶体管上的漏电流过大时，将导致薄膜晶体管出现漏电现象，最终导致显示装置上出现画面闪烁、影响残留等现象。
实用新型内容
（一）实用新型目的
本实用新型旨在提供一种薄膜晶体管不会受背光源照射导致显示不良的薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置。
（二）技术方案
为达上述目的，本实用新型薄膜晶体管像素结构，包括：栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极；所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方；
所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。
进一步地，所述薄膜晶体管由下至上依次包括：栅极、栅绝缘层、半导体层及源漏电极层；
所述栅极与所述栅线一体形成；
所述源漏电极层包括源极和漏极。
进一步地，所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述漏极上方与所述漏极过孔连接或搭接。
进一步地，所述源极为环形，且位于漏极的外部，在所述源极朝向所述像素电极的方向设有一开口，所述像素电极通过所述开口与所述漏极连接。
进一步地，所述源极为一设有开口的圆弧，所述漏极为位于所述圆弧内且呈圆形。
进一步地，所述源极为内部呈空心十字的环形，所述漏极位于所述空心十字的中央位置处。
为达上述目的，本实用新型阵列基板，包括像素矩阵，所述像素矩阵中的像素采用上述的薄膜晶体管像素结构。
为达上述目的，本实用新型显示装置，包括如上述的阵列基板。
（三）本实用新型薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置的有益效果
本实用新型薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置，将像素电极与薄膜晶体连接的区域设置在所述栅极的上方，避免了半导体层延伸至透明电极区域底部，从而避免了背光照射导致的薄膜晶体管漏电现象，从而进一步的避免了薄膜晶体管漏电现象造成的显现不良的品质问题，具有性能好，结构简单，实现简便的优点。
附图说明
图1为现有的薄膜晶体管像素结构俯视结构示意图；
图2为本实用新型实施例所述薄膜晶体管像素结构俯视结构示意图之一；
图3为本实用新型实施例所述薄膜晶体管像素结构俯视结构示意图之二。
具体实施方式
下面结合说明书附图以及实施例对本实用新型薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置做进一步的说明。
实施例一：
本实施例薄膜晶体管像素结构，包括：栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极；所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方；
所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。
通常所述薄膜晶体管分层架构，其中从上之下依次为栅极、栅绝缘层、半导体层及源漏电极层。所述半导体层在背光照射下，载流子将更加活跃，可能形成漏电流，最终导致画面闪烁。为了杜绝上述显现问题，降低光照漏电流的产生，在本实施例中，将所述薄膜晶体管设置在栅线的上方，与像素电极连接时，由像素电极延伸至栅线所在区域内与薄膜晶体管相连，像素电极延伸至栅线上方与薄膜晶体管相连，这样薄膜晶体管的半导体层被下方的栅线遮挡，通过栅线隔离了背光对薄膜晶体管的照射，通过像素电极的延伸，也解决了与像素电极连接实现对像素电极供电的功能，具有结构简单，实现简便，不会因背光照射到薄膜晶体管的半导体层，而最终导致画面闪烁以及画面残影等现象。
实施例二：
如图2所示，本实施例薄膜晶体管像素结构，包括栅线2、薄膜晶体管以及位于像素区域的像素电极1；所述薄膜晶体管位于所述栅线2的上方，从而栅线2可以用来遮挡住背光对薄膜晶体管的照射。
所述薄膜晶体管由下至上依次包括：栅极、栅绝缘层、半导体层31及源漏电极层；
所述栅极与所述栅线一体形成；
所述源漏电极层包括源极32和漏极33。
所述半导体层31包括a-si层；
所述像素电极1用以与所述薄膜晶体管连接的部分11，延伸至所述栅线2的对应的区域内与所述漏极33连接。
由图示可知，所述薄膜晶体管的半导体层31位于所述栅线2上，背光打开时，光线被栅线遮挡住了，这样就避免了半导体层31被背光照射，从而避免了光照导致半导体层内的载流子更加活跃，导致源漏极间的电流增大，进而导致的薄膜晶体产生漏电现象，而引起如画面闪烁，影响残留等不良品质问题。
本实施例所述的薄膜晶体管像素结构可以采用制作成本低、经济效益好的4Mask工艺制作，可以有效的解决由于该工艺中半导体层（a-si层）与源漏电极层同时制作，导致薄膜晶体管与像素电极相连时，a-si层与漏极一起延伸至像素电极的下方，在使用过程中被背光直接照射，导致因为漏极电流过大导致的品质不良的概率高的问题，不仅经济效益好，同时具有薄膜晶体管漏电流I-off低，产品性能佳，显示效果好等多重优点。
其中，图2中标号4为数据线，数据线4与薄膜晶体管的源极32相连。
实施例三：
如图3所示，本实用新型薄膜晶体管像素结构，包括栅线12以及薄膜晶体管13以及位于像素区域的像素电极1、；所述薄膜晶体管13位于所述栅线1的上方；图中标号14为数据线；
所述像素电极1用于与所述薄膜晶体管13连接的部分，延伸至所述漏极6上方，与所述漏极6连接；在具体的实施过程中所述像素电极1与所述薄膜晶体管13的漏极6的连接方式可以是过孔连接也可以是直接的搭接。
将图3与图1相比可知，在现有的结构中，与像素电极1相连的漏极局部位于所述源极的外侧，而本实施例中所述的薄膜晶体管像素结构中，所述漏极全部位于所述源极的内侧，且薄膜晶体管中的半导体层、源漏电极层均位于所述栅线的上方，从而可以借助栅线遮住背光对薄膜晶体管中半导体层的照射。在大型的面板中，薄膜晶体管关闭时的漏极电流I-off高达50～100pF，这样高的电流导致薄膜晶体管产生漏电现象的概率大大的提升了，从而因薄膜晶体管漏电现象导致的类似画面闪烁等显示不良明显的较高，而若采用本实施中所述薄膜晶体管像素结构则能避免此类现象的产生。
实施例四：
本实施例薄膜晶体管像素结构，包括：栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极；
所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方；
所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。
所述薄膜晶体管由下至上依次包括：栅极、栅绝缘层、半导体层及源漏电极层；
所述栅极与所述栅线一体形成；
所述源漏电极层包括源极和漏极。
所述薄膜晶体管的源极为环形，且位于漏极的外部，在所述源极朝向所述像素电极的方向设有一开口，所述像素电极与所述薄膜晶体管连接的区域通过所述开口延伸至所述漏极上方与所述漏极连接。所述源极形成的环形可以使矩形环、多边形环或不规则环。
在具体的实施过程中，至少包括以下两种情况：
如图2所示，所述薄膜晶体管的源极32呈圆弧状，所述漏极33位于所述圆弧的的中央位置处且呈圆形。
如图3所示，所述薄膜晶体管的源极5为内部呈空心十字的环形，且所述漏极6位于所述空心十字的中央位置处。
实施例五：
本实施例阵列基板，包括像素矩阵，所述像素矩阵中的像素采用实施例一至实施例三任一所述的薄膜晶体管像素结构。
所述像素矩阵由若干行以及若干列像素构成，同一行像素的栅线相连，同一列像素的数据线相连。
在制作本实施例所述的阵列基板时，可以采用将薄膜晶体管中半导体层与源漏电极层一同制作的4Mask制作工艺制作，从而可以避免半导体层与源漏电极层延伸至像素电极的下方，导致背光打开时，光照影响到半导体层的载流子的活跃度，薄膜晶体管产生漏电流的现象。
本实施例所述的阵列基板，具有结构简单、制作简便，采用经济效益好的4Mask制作，也能很好的避免薄膜晶体管的I-off过高导致的不良。
实施例六:
本实施例的显示装置，所述阵列基板为述的阵列基板。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例中所述的显示装置，采用本实用新型所述的新型的薄膜晶体管像素结构，从而能有效的避免B/L背光对阵列基板的品质的影响，具有产品性能优良，良率高等优点。
以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (8)
1.一种薄膜晶体管像素结构，包括：栅线、薄膜晶体管及位于像素区域的像素电极；其特征在于，
所述薄膜晶体管位于所述栅线的上方；
所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述栅线上方与所述薄膜晶体管相连。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管由下至上依次包括：栅极、栅绝缘层、半导体层及源漏电极层；
所述栅极与所述栅线一体形成；
所述源漏电极层包括源极和漏极。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述像素电极用于与所述薄膜晶体管连接的部分，延伸至所述漏极上方与所述漏极过孔连接或搭接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述源极为环形，且位于漏极的外部，在所述源极朝向所述像素电极的方向设有一开口，所述像素电极通过所述开口与所述漏极连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述源极为一设有开口的圆弧，所述漏极为位于所述圆弧内且呈圆形。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管像素结构，其特征在于，所述源极为内部呈空心十字的环形，所述漏极位于所述空心十字的中央位置处。
7.一种阵列基板，包括像素矩阵，其特征在于，所述像素矩阵中的像素采用权利要求1至6任一所述的薄膜晶体管像素结构。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
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| CN201320384439XU CN203288601U (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 薄膜晶体管像素结构、阵列基板以及显示装置 |
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Publications (1)
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2013
- 2013-06-28 CN CN201320384439XU patent/CN203288601U/zh not_active Expired - Lifetime
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