CN202759664U - 高频基板结构 - Google Patents

Abstract

一种高频基板结构，包括一第一铁氟龙基板、一第一金属层、一铁氟龙树脂层、一第二铁氟龙基板与一第二金属层；第一铁氟龙基板具有相对的一第一表面与一第二表面；第一金属层形成于第一铁氟龙基板的第一表面上；铁氟龙树脂层形成于第一铁氟龙基板的第二表面上；第二铁氟龙基板形成于铁氟龙树脂层上；第二金属层形成于第二铁氟龙基板上；其中铁氟龙树脂层位于第一铁氟龙基板与第二铁氟龙基板之间。本实用新型提供的高频基板结构，能减少信号传输延迟或损耗的情形，提升信号传输的速度。

Description

高频基板结构

技术领域

本实用新型涉及一种基板结构，且特别涉及一种高频基板结构。

背景技术

近来，由于电子产品已走向高速及高频的应用趋势，使得现今电子产品都需要使用高频电路用印刷电路基板来支持，以达到高频及高速的运作功效。

然而，一般的高频基板结构运作时会产生信号传输损耗或信号传输延迟等情形。例如聚酰亚胺（Polyimide，PI）层与聚四氟乙烯（polytetrafluorethylene，PTFE）层之间传输的信号会延迟或是损耗。因此，如何加速高频基板结构运作时的信号传输速度，是目前值得探讨的课题。

实用新型内容

本实用新型提供一种高频基板结构，其能减少信号传输延迟或损耗的情形。

本实用新型提出一种高频基板结构，包括一第一铁氟龙基板、一第一金属层、一铁氟龙树脂层、一第二铁氟龙基板与一第二金属层。第一铁氟龙基板具有相对的一第一表面与一第二表面。第一金属层形成于第一铁氟龙基板的第一表面上。铁氟龙树脂层形成于第一铁氟龙基板的第二表面上。第二铁氟龙基板形成于铁氟龙树脂层上。第二金属层形成于第二铁氟龙基板上。其中铁氟龙树脂层位于第一铁氟龙基板与第二铁氟龙基板之间。

换句话说，本实用新型提供一种高频基板结构，该高频基板结构包括：一第一铁氟龙基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一金属层，形成于该第一铁氟龙基板的该第一表面上；一铁氟龙树脂层，形成于该第一铁氟龙基板的该第二表面上；一第二铁氟龙基板，形成于该铁氟龙树脂层上；以及一第二金属层，形成于该第二铁氟龙基板上；其中，该铁氟龙树脂层位于该第一铁氟龙基板与该第二铁氟龙基板之间。

在本实用新型的一实施例中，上述第一金属层直接形成于第一铁氟龙基板上。

在本实用新型的一实施例中，上述第二金属层直接形成于第二铁氟龙基板上。

在本实用新型的一实施例中，上述第二铁氟龙基板位于第二金属层与铁氟龙树脂层之间。

在本实用新型的一实施例中，上述铁氟龙树脂层的厚度介于5微米至50微米之间。

本实用新型还提出一种高频基板结构，包括一第一铁氟龙基板、一第一金属层、一铁氟龙树脂层与一第二金属层。第一铁氟龙基板具有相对的一第一表面与一第二表面。第一金属层形成于第一铁氟龙基板的第一表面上。铁氟龙树脂层形成于第一铁氟龙基板的第二表面上。第二金属层形成于铁氟龙树脂层上。

换句话说，本实用新型提供一种高频基板结构，该高频基板结构包括：一第一铁氟龙基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一金属层，形成于该第一铁氟龙基板的该第一表面上；一铁氟龙树脂层，形成于该第一铁氟龙基板的该第二表面上；以及一第二金属层，形成于该铁氟龙树脂层上。

较佳地，该第一金属层直接形成于该第一铁氟龙基板上。

较佳地，该铁氟龙树脂层的厚度介于5微米至50微米之间。

基于上述，借助上述电气特性相近的铁氟龙树脂层与铁氟龙基板，本实用新型能减少发生上述信号传输延迟或损耗的情形，从而提升高频基板结构的信号传输的速度。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的高频基板结构剖视示意图；

图2至图3为本实用新型实施例一的高频基板结构在制造过程中的剖视示意图；

图4为本实用新型实施例二的高频基板结构剖视示意图。

具体实施方式

为了充分了解本实用新型，于下文将例举较佳实施例并配合附图作详细说明，但是以下实施例并非用以限定本实用新型。

实施例一

图1为本实用新型实施例一的高频基板结构剖视示意图。请参阅图1，图1所示的高频基板结构1包括铁氟龙树脂层10、第一铁氟龙基板12、第一金属层16与第二金属层18。第一铁氟龙基板12具有相对的第一表面121与第二表面122。第一金属层16形成于第一铁氟龙基板12的第一表面121上，而铁氟龙树脂层10形成于第一铁氟龙基板12的第二表面122上。第二金属层18形成于铁氟龙树脂层10上，如图1所示。

第一铁氟龙基板12的材质例如为氟系聚合物，而本实施例氟系聚合物的材质包括但不限于：聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物（Fluorinatedethylene propylene，FEP）、聚四氟乙烯（poly tetra fluoro ethylene，PTFE）或四氟乙烯与乙烯的共聚物（ETFE），具有低介电常数（D k=2.1（1GHz））、低介电损耗（D f＝0.0005（1GHz））的电气特性。由于第一铁氟龙基板12具有低介电常数和低介电损耗等优异电气特性，因此适合作为高频基板结构1的基板。

铁氟龙基板可以作为金属层附着的基板，例如金属层与铁氟龙基板可以热压合，藉此，金属层可附着于铁氟龙基板上。当然，金属层也可以通过蒸镀、溅镀或其他方式来附着于铁氟龙基板。本实施例不限制金属层附着于铁氟龙基板的方式。

请继续参照图1，高频基板结构1的第一及第二金属层16、18的材质例如为铜。在其他实施例中，金属层也可为金、银、镍、铁或铝等导电金属，而本实施例不限制第一及第二金属层16、18的材质。

铁氟龙树脂层10例如为聚四氟乙烯树脂，并配置于第一铁氟龙基板12与第二金属层18之间。聚四氟乙烯树脂具有低介电常数（D k=2.5（1GHz））与低介电损耗（D f＝0.008（1GHz））的电气特性。借此，铁氟龙树脂层10与第一铁氟龙基板12可以做为第一及第二金属层16、18之间的介电质。铁氟龙树脂层10与第一铁氟龙基板12具有相近的低介电常数和低介电损耗等优异电气特性，借此高频基板结构1可具有较低的信号延迟时间，并提升电路的可靠性与信号传输的速度或频率。

详细来说，一般的高频基板结构使用聚酰亚胺（Polyimide，PI）来黏合铁氟龙基板与金属层，而聚酰亚胺的介电常数（D k=3.4（1GHz））与介电损耗（D f＝0.01（1GHz））的电气特性相较于铁氟龙基板的介电常数与介电损耗，其差异较大。因此，使用聚酰亚胺作为软性印刷电路板（Flexible Printed Circuit Board，FPCB）的黏着材料会使整体结构产生较大的信号延迟。

本实用新型以聚四氟乙烯树脂作为铁氟龙基板与金属层或两个铁氟龙基板的黏合材料，且形成于第一铁氟龙基板12与第二金属层18之间或两个铁氟龙基板之间。铁氟龙树脂层10与第一铁氟龙基板12的介电常数或介电损耗的差异较小，因此高频基板结构1可以具有较低的信号延迟时间。本实施例不限制铁氟龙树脂层10接合铁氟龙基板与金属层的迭层结构形态。

由此可知，本实用新型的高频基板结构1的迭构设计通过电气特性相近的铁氟龙树脂层10与第一铁氟龙基板12，借此降低高频基板结构1信号延迟时间，与降低电路中信号传输损耗的机会，以及提升电路的可靠性与信号传输的速度或频率。

以上为本实用新型实施例一的高频基板结构1的介绍，接下来将以图1所示的高频基板结构1为例，并配合图2至图3来说明高频基板结构1的制作过程。

图2至图3为本实用新型实施例一的高频基板结构在制造过程中的剖视示意图。

请参阅图2，在本实例中第一金属层16的材质例如为铜，而第一铁氟龙基板12的材质例如为聚四氟乙烯。本实施例不限制第一金属层16与第一铁氟龙基板12的材质。首先，第一金属层16直接形成于第一铁氟龙基板12上。例如热压合第一金属层16与第一铁氟龙基板12，如图2所示。

接着，将第一铁氟龙基板12涂布例如为聚四氟乙烯树脂的铁氟龙树脂层10，而铁氟龙树脂层10的厚度介于5微米至50微米之间。如此一来，第一铁氟龙基板12的第一表面121形成第一金属层16。第一铁氟龙基板12的第二表面122形成铁氟龙树脂层10。借此，第一金属层16、第一铁氟龙基板12与铁氟龙树脂层10形成为一层迭结构，如图3所示。

之后，第二金属层18的材质例如为铜，本实施例不限制第二金属层18的材质。接下来，热压合第二金属层18与所述层迭结构。借此，第二金属层18可以形成于铁氟龙树脂层10上。至此，一种高频基板结构1大体上已制作完成，形成如图1所示的高频基板结构1。

基于上述，本实用新型提供一种提升信号传输速度的高频基板结构。高频基板结构运用电气特性相近的铁氟龙基板与铁氟龙树脂层，而铁氟龙树脂层与铁氟龙基板具有相近的低介电常数与低介电损耗的电气特性。本实用新型与公知技术相比较，高频基板结构通过铁氟龙基板与铁氟龙树脂层的迭构设计可以降低电路中信号传输损耗的机会，并提高信号传输的速度或频率。

实施例二

图4为本实用新型实施例二的高频基板结构剖视示意图。请参阅图4，图4所示的高频基板结构2包括铁氟龙树脂层10、第一铁氟龙基板12、第二铁氟龙基板14、第一金属层16与第二金属层18，其中图4中的高频基板结构2与图1中的高频基板结构1二者结构相似，对二者所包括的相同元件以相同附图标记表示。高频基板结构1、2二者的差异在于：高频基板结构2还包括一第二铁氟龙基板14，而第二铁氟龙基板14形成于铁氟龙树脂层10与第二金属层18之间，借此铁氟龙树脂层10形成于第一及第二铁氟龙基板12、14之间。

详细来说，一般的高频基板结构使用聚酰亚胺（Polyimide，PI）来黏合两个铁氟龙基板，而聚酰亚胺的介电常数（D k=3.4（1GHz））与介电损耗（D f＝0.01（1GHz））相较于铁氟龙基板的介电常数与介电损耗，其差异较大。因此，使用聚酰亚胺作为软性印刷电路板（FlexiblePrinted Circuit Board，FPCB）的黏着材料会使整体结构产生较大的信号延迟。

本实用新型的第二铁氟龙基板14的材质例如为氟系聚合物，而本实施例氟系聚合物的材质包括但不限于：聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物（Fluorinated ethylene propylene，FEP）、聚四氟乙烯（poly tetra fluoroethylene，PTFE）或四氟乙烯与乙烯的共聚物（ETFE），并具有低介电常数（D k=2.1（1GHz））、低介电损耗（D f＝0.0005（1GHz））的电气特性。

在实际操作中，第二金属层18可以直接形成于第二铁氟龙基板14上，而第一金属层16可以直接形成于第一铁氟龙基板12上。例如第二金属层18与第二铁氟龙基板14热压合为一层迭结构，而第一金属层16与第一铁氟龙基板12可以热压合为另一层迭结构，而所述两个层迭结构可以通过铁氟龙树脂层10来接合，而铁氟龙树脂层10可以作为第一及第二铁氟龙基板12、14接合在一起的黏着剂，借此形成如图4所示的高频基板结构2。

当然，第一及第二铁氟龙基板12、14可以为相同或不相同的材质的氟系聚合物，而第一铁氟龙基板12、铁氟龙树脂层10与第二铁氟龙基板14具有相近的低介电常数与低介电损耗的电气特性。借此降低高频基板结构2信号延迟时间。

由此可知，铁氟龙树脂层10与第一及第二铁氟龙基板12、14可以做为第一及第二金属层16、18之间的介电质，而第一铁氟龙基板12、铁氟龙树脂层10与第二铁氟龙基板14的迭构设计与公知技术相比较，高频基板结构2具有相近的低介电常数和低介电损耗等优异电气特性，借此高频基板结构2与公知技术相比，具有较低的信号延迟时间，所以高频基板结构2可以提升信号传输的速度或频率。

值得注意的是，在其他实施例中，高频基板结构例如为六层、七层或多层迭构设计的层板结构，而铁氟龙树脂层10可以涂布于两个铁氟龙基板之间或是铁氟龙基板与金属层之间。当然，铁氟龙树脂层10与铁氟龙基板的迭构设计可以降低电路中信号传输损耗的机会。本实用新型不限制高频基板结构2的形态。

综上所述，本实用新型的高频基板结构运用电气特性相近的铁氟龙基板与铁氟龙树脂层，而铁氟龙树脂层与铁氟龙基板具有相近的低介电常数与低介电损耗的电气特性。与公知技术相比较，高频基板结构可以降低电路中信号传输损耗的机会，并提高信号传输的速度或频率。

虽然本实用新型公开了上述较佳实施例，但是本实用新型并不受限于上述实施例，任何本领域普通技术人员，在不脱离本实用新型所公开的范围内，能够作少许的更改与调整，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求书为准。

Claims (8)

1.一种高频基板结构，其特征在于，包括：

一第一铁氟龙基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一第一金属层，形成于该第一铁氟龙基板的该第一表面上；

一铁氟龙树脂层，形成于该第一铁氟龙基板的该第二表面上；

一第二铁氟龙基板，形成于该铁氟龙树脂层上；以及

一第二金属层，形成于该第二铁氟龙基板上；

其中，该铁氟龙树脂层位于该第一铁氟龙基板与该第二铁氟龙基板之间。

2.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于，该第一金属层直接形成于该第一铁氟龙基板上。

3.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于，该第二金属层直接形成于该第二铁氟龙基板上。

4.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于，该第二铁氟龙基板位于该第二金属层与该铁氟龙树脂层之间。

5.如权利要求1所述的高频基板结构，其特征在于，该铁氟龙树脂层的厚度介于5微米至50微米之间。

6.一种高频基板结构，其特征在于，包括：

一第一铁氟龙基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一第一金属层，形成于该第一铁氟龙基板的该第一表面上；

一铁氟龙树脂层，形成于该第一铁氟龙基板的该第二表面上；以及

一第二金属层，形成于该铁氟龙树脂层上。

7.如权利要求6所述的高频基板结构，其特征在于，该第一金属层直接形成于该第一铁氟龙基板上。

8.如权利要求6所述的高频基板结构，其特征在于，该铁氟龙树脂层的厚度介于5微米至50微米之间。

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