CN202678404U - 发光二极管装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013066 combination product Substances 0.000 description 1
- 229940127555 combination product Drugs 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种发光二极管装置，包括：基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；并且：所述支架采用透明材料；所述发光二极管装置碗杯结构透明，所述发光二极管芯片发出的光可以从所述透明碗杯结构射出。本实用新型发光二极管装置具有光通量大，发光角度大的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管装置，尤其是涉及一种光通量大，发光角度大的发光二极管装置。
背景技术
随着发光二极管（Light Emitting Diode，LED）技术的发展成熟，LED装置的应用领域越来越广泛，人们对于LED的要求也越来越高。
传统设计的LED，如图1所述，通常包括支架1、基板2、LED芯片3和封装胶（图中未示出）；支架1和基板2结合形成碗杯结构。支架1除使用金属（或电镀金、银）外，结合产品耐高温和便于成型及反射率等方面的考虑，一般采用白色注塑材质（PPA或PA6T、PA9T等）作为主材， 但这样的话，如图1所示，LED出光将只能在不透明碗杯内通过不断的反射最终射出，因而会有大量的光在LED内部即被吸收，同时受碗杯深度的影响，LED的出光角度不能够显著提高。
因此，有必要提出一种改进，以克服上述传统设计LED的缺陷。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种光通量大，发光角度大的发光二极管装置。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种发光二极管装置，包括：基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；并且：所述支架采用透明材料；所述发光二极管装置碗杯结构透明，所述发光二极管芯片发出的光可以从所述透明碗杯结构射出。
作为一种优选的技术方案，所述透明支架材料可以为透明有机硅胶、硅树脂中的一种。
作为一种优选的技术方案，所述基板上设置有绝缘隔断；所述基板导电层包括正极导电层和负极导电层，所述正负极导电层由所述绝缘隔断绝缘隔开。
作为进一步优选，所述基板为铝基板；所述铝基板由铜箔，绝缘导热胶，铝板，保护膜四层结构组成；所述铜箔层为所述导电层。
本实用新型发光二极管装置，由于硅胶、硅树脂等材料的高透光率，因而芯片光可以直接透过透明碗杯部分射出，从而提高光通量和发光角度；另外硅胶、硅树脂支架与封装胶的结合性优于传统PPA支架，长期耐老化耐UV能力也大大高于PPA等注塑材料，故本实用新型LED装置可靠性能也将有明显提高。因此，本实用新型发光二极管装置具有光通量大，发光角度大，可靠性高的优点。
附图说明
图1为传统技术发光二极管装置光线出射示意图。
图2为本实用新型发光二极管装置剖面图。
图3为图2中Ⅰ部分放大图。
具体实施方式
下面结合附图，详细说明本实用新型发光二极管装置。
请参阅图2，本实用新型发光二极管装置，包括：基板2，基板2上设置有绝缘层，以及设置在绝缘层上的导电层，导电层包括正极导电层和负极导电层，正负极导电层通过绝缘隔断4绝缘隔开；支架1，支架1形成内凹开口，并且，支架1与基板2共同构成发光二极管装置碗杯结构；发光二极管芯片3，发光二极管芯片3设置在基板2上，发光二极管芯片3正负极分别与上述基板正负极导电层电连接；荧光胶（图中未示出），所述荧光胶包覆发光二极管芯片3并填充发光二极管装置碗杯结构，所述荧光胶根据LED装置发光要求，由填充胶和荧光粉按一定比例混合而成。
本实用新型发光二极管装置，支架1采用透明材料，故而支架1形成的LED碗杯结构侧壁为透明结构，发光二极管芯片3发出的光线可以由透明碗杯部分直接射出，而不是先经过反射，再由发光二极管碗杯结构的投光口射出，减少了光线被发光二极管装置内部的吸收，有效地提高了光通量和出光角度。
作为一种优选的实施方案，本实用新型发光二极管装置，可以采用透明的有机硅胶或硅树脂作为支架1的主要材料，由于硅胶、硅树脂支架与封装胶的结合性好，耐老化耐UV能力高，因此在提高出光角度和光通量的同时，可以提高发光二极管装置的可靠性和稳定性。
作为一种优选的实施方案，本实用新型发光二极管基板2采用铝基板。请参阅图3，铝基板为四层结构，包括铜箔21，绝缘导热胶22，铝板23以及保护膜24。铜箔21为导电层，与发光二极管芯片正负极电连接，铜箔21具有很大的电流载流能力；绝缘导热层22热阻小，粘弹性能优良，具有抗热老化能力，能够承受机械及热应力，绝缘导热层22电气绝缘，具有高强度的电气绝缘性能；铝板23为铝基板的支撑构件，具有高导热性；保护膜24可以保护铝基板。上述结构的铝基板具有良好的导热性；无需散热器，可以缩小基板体积；具有良好的绝缘和机械性能。因此，由于采用上述结构的铝基板，本实用新型发光二极管装置具有散热效果好，稳定性高的优点。
以上仅为本实用新型实施案例而已，并不用于限制本实用新型，但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
Claims (4)
1.一种发光二极管装置，包括：
基板，所述基板上设置有绝缘层以及设置在所述绝缘层上的导电层；
支架，所述支架形成内凹开口并与所述基板配合形成发光二极管装置碗杯结构的投光口；
发光二极管芯片，所述发光二极管芯片设置在所述基板上并电连接所述导电层；
其特征在于：所述支架采用透明材料；所述发光二极管装置碗杯结构透明，所述发光二极管芯片发出的光可以从所述透明碗杯结构射出。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述透明支架材料可以为透明有机硅胶、硅树脂中的一种。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述基板上设置有绝缘隔断；所述基板导电层包括正极导电层和负极导电层，所述正负极导电层由所述绝缘隔断绝缘隔开。
4.根据权利要求1或3所述的发光二极管装置，其特征在于：所述基板为铝基板；所述铝基板由铜箔，绝缘导热胶，铝板，保护膜四层结构组成；所述铜箔层为所述导电层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220298625 CN202678404U (zh) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | 发光二极管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201220298625 CN202678404U (zh) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | 发光二极管装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202678404U true CN202678404U (zh) | 2013-01-16 |
Family
ID=47499284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201220298625 Expired - Lifetime CN202678404U (zh) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | 发光二极管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202678404U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709447A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-03 | 歌尔声学股份有限公司 | 发光二极管装置 |
-
2012
- 2012-06-25 CN CN 201220298625 patent/CN202678404U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709447A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-03 | 歌尔声学股份有限公司 | 发光二极管装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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|
| CX01 | Expiry of patent term |