CN201066697Y - 侧射型发光二极管元件的封装结构 - Google Patents

侧射型发光二极管元件的封装结构 Download PDF

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Abstract

一种侧射型发光二极管元件的封装结构，此封装结构包括基板、金属散热片、非透明盖以及发光二极管元件。金属散热片，具有一凹陷。非透明盖设置于金属散热片的凹陷上。非透明盖具有一中空区域，发光二极管元件则位于非透明盖的中空区域，且设置于金属散热片的凹陷内。金属散热片沿着该非透明盖的边缘，延伸接触基板。发光二极管元件所产生的热量则由金属散热片传导至基板。本实用新型能够有效地将发光二极管所产生的热量散出。

Description

侧射型发光二极管元件的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种侧射式发光二极管，特别是涉及一种侧射式发光二极管的封装结构。
背景技术
随着技术的进步，发光二极管(Light Emitting Diode；LED)具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，反应时间短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小及成本低等特点，因而其应用领域也越来越广泛，例如：大面积图文显示全彩屏，状态指示、标志照明、信号显示、液晶显示器的背光源或车内照明。
传统的侧射式发光二极管封装结构中，使用导线架(Lead Frame)配合塑料制作基座，并将基座以及导线架设置于一基板上，以形成封装结构。导线架电性连接LED晶片的电极，以导入电能。基座内具有一凹口区域以放置发光晶片。在此传统的LED封装结构中，发光二极管所产生的热量，亦藉由导线架散出，因此导线架兼具导电与导热的作用。
然而随着发光二极管的需求功率越来越高，热量产生越来越快，单纯的导线架并不足以即时地将发光二极管所产生的热量散出，会造成发光二极管温度升高，破坏发光二极管。
因此需要一个新的侧射式发光二极管封装结构，能够有效地将发光二极管所产生的热量散出。
发明内容
本实用新型的主要目的在于，克服现有的侧射型发光二极管元件封装结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的侧射型发光二极管元件封装结构，所要解决的技术问题是使其消散发光二极管元件所产生的热量，从而更加适于实用。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种侧射型发光二极管元件的封装结构，其包括：一基板；一金属散热片，具有一凹陷；一非透明盖，设置于该金属散热片的该凹陷上且具有一中空区域，该散热金属片沿着该非透明盖的边缘，延伸至该基板；以及一发光二极管元件，位于该中空区域内且位于该金属散热片的凹陷上，该发光二极管元件的光线由该中空区域透射出而与平行于该基板，该发光二极管元件所产生的热量则由该金属散热片传导至该基板。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可以可采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的封装结构，其更包括多个导线架，发光二极管元件具有多个电极，该些导电架将电流导入该些电极。
前述的封装结构，其中所述的金属散热片的材质为银、铜、铜合金、铜银合金、铝、铝合金。
前述的封装结构，其中所述的非透明盖的材质为高分子混合物。
前述的封装结构，其中所述的发光二极管元件包括一红光二极管晶片、一绿光二极管晶片以及一蓝光二极管晶片。
前述的封装结构，其中所述的发光二极管元件包括一激光二极管晶片。
前述的封装结构，其中所述的发光二极管元件包括一高功率发光二极晶片。
借由上述技术方案，本实用新型侧射型发光二极管元件封装结构至少具有下列优点：
本实用新型侧射型发光二极管元件封装结构，将金属散热片由发光二极管元件延伸至基板，并独立于导线架，因此能有效地将发光二极管元件所产生的热量，传导致基板。
综上所述，本实用新型新颖的侧射型发光二极管元件封装结构，利用独立于导线架的金属散热片，将发光二极管元件所产生的热量传导至基板，藉此消散发光二极管元件所产生的热量。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1绘示本新型一实施例的金属散热片。
图2绘示本新型一实施例的侧射型发光二极管元件封装结构。
图3绘示本新型一实施例的侧射型发光二极管元件封装立体图。
101：金属散热片          103：本体部
105：凹陷                107：延伸部
203：非透明盖            205：发光二极管元件
205a：红光二极管晶片     205b：绿光二极管晶片
205c：蓝光二极管晶片            207：导线架
209：基板                       211：电极
213：中空区域
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的侧射型发光二极管元件封装结构其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
下述实施例的侧射型发光二极管元件封装结构，将一金属散热片由发光二极管元件，沿着不透明盖延伸至基板。因此，发光二极管元件所产生的热量，能及时地透过金属散热片传导至基板上，避免损坏发光二极管元件。
请参照图1，其绘示本新型一实施例的金属散热片。金属散热片101具有本体部103以及延伸部107。本体部103具有一凹陷105来放置发光二极管元件(显示于图2)。延伸部107与一基板(显示于图2)接触。由于金属散热片101同时接触发光二极管元件以及基板，因此可以将发光二极管所产生的热量传导至基板。
请参照图2，其绘示本新型一实施例的侧射型发光二极管元件封装结构剖面图。封装结构包括基板209、金属散热片101以及发光二极管元件205。发光二极管元件205设置于金属散热片101的凹陷105上。金属散热片101的两侧边则延伸接触基板209，以便将发光二极管元件205所产生的热量传导至基板209，来消散热量。金属散热片101的材质可为银、铜、铜合金、铜银合金、铝、铝合金。
发光二极管元件205具有电极211。导线架(Lead frame)207耦接电极211，以将电能导入发光二极管元件205。发光二极管元件205具有多种型态，例如可由一红光二极管晶片205a、一绿光二极管晶片205b以及一蓝光二极管晶片205c组合而成。发光二极管元件205亦可由激光二极管晶片或是高功率发光二极晶片构成。
在此封装结构中，由于增设了金属散热片101，发光二极管元件205所产生的热量不再仅依靠导线架传导，更可透过金属散热片101传导致基板209上，增加了散热面积以及散热途径，能够有效地散热。在封装结构的制程当中，若有高热物体碰触到金属散热片101，此热量可以透过金属散热片101传导致基板上，传导至发光二极管元件的热量因而可以减少，避免发光二极管元件遭到破坏。
封装结构更包括一非透明盖203。非透明盖203设置于金属散热片101的凹陷105内。非透明盖203具有一中空区域213。发光二极管元件则位于中空区域213中。非透明盖203的材质为高分子混合物。非透明盖204的功能在混合或聚集发光二极管元件205所产生的光线。例如，若发光二极管元件205具有红光二极管晶片205a、绿光二极管晶片205b以及蓝光二极管晶片205c，则非透明盖204可以混合红光、绿光以及蓝光。
由于金属散热片101沿着非透明盖203以及基板209的表面设置，因此不会占用额外的空间，也不会增加封装结构的体积。
请参照图3，其绘示本新型一实施例的侧射型发光二极管元件封装结构立体图。发光二极管元件205藉由导线架207固着于基板209。非透明盖203的中空区域213开口的方向与基板209平行。因此，位于中空区域213内的发光二极管元件205所发出的光线则与基板209平行。金属散热片101则沿着非透明盖203的侧边延伸至基板209，并与基板209接触。
根据上述实施例，侧射型发光二极管元件封装结构，不论在发光二极管元件的制程中或是使用中，发光二极管上存在的热量能够透过散热金属片有效地传导致基板上，避免发光二极管元件在制程中或使用中损坏。同时，由于导热的金属散热片与导电的导线架分离，大部份的热量由导热金属片散出，导电架导电效能因而能够提升。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种侧射型发光二极管元件的封装结构，其特征在于包括：
一基板；
一金属散热片，具有一凹陷；
一非透明盖，设置于该金属散热片的该凹陷上且具有一中空区域，该散热金属片沿着该非透明盖的边缘，延伸至该基板；以及
一发光二极管元件，位于该中空区域内且位于该金属散热片的凹陷上，该发光二极管元件的光线由该中空区域透射出而与平行于该基板，该发光二极管元件所产生的热量则由该金属散热片传导至该基板。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于更包括多个导线架，发光二极管元件具有多个电极，该些导电架将电流导入该些电极。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于其中所述的金属散热片的材质为银、铜、铜合金、铜银合金、铝、铝合金。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于其中所述的非透明盖的材质为高分子混合物。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于其中所述的发光二极管元件包括一红光二极管晶片、一绿光二极管晶片以及一蓝光二极管晶片。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于其中所述的发光二极管元件包括一激光二极管晶片。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于其中所述的发光二极管元件包括一高功率发光二极晶片。
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