CN202529852U - 多晶硅离心提纯炉 - Google Patents

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Abstract

本实用新型属于多晶硅生产设备技术领域,特别涉及一种多晶硅离心提纯炉。其由炉体、坩埚、真空罩、离心机组、真空机组组成。离心机组上部是炉体,炉体上部设有炉门,炉体内设有保温层,保温层内侧设有石墨加热器或者中频加热装置,内部的装料坩埚设于保温层底部上的承接法兰上,真空罩在炉体外部,安置于离心机组上部,多晶硅离心提纯炉的炉体、坩埚主要固定于离心机组的主轴上。形成一个完整的加热离心一体化的提纯炉系统。本实用新型可实现在真空状态下,可实现对固体硅料的熔炼、离心提纯,定向结晶,从而达到纯度的定向分层,提取到纯度从低到高的多晶硅铸锭的目的,从而可得到多量高质量的多晶硅。

Description

多晶硅离心提纯炉
所属技术领域
本实用新型属于多晶硅提纯领域,特别涉及一种多晶硅离心提纯炉的装置。 
背景技术
在多晶硅生产和提纯的过程中,通常是先采用真空感应炉进行熔炼去杂,冷却后,将凝固的硅锭取出,再放入电阻加热炉内进行多次定向凝固去杂和结晶铸锭,但这样,硅液要进行多次加热将无谓地消耗了电能。生产纯度较高的硅料时有的还需要进行细磨和酸洗,既费时费力,且会造成环境污染。 
多晶硅离心提纯炉是一种多晶硅提纯设备。生产中,将工业硅厂矿热炉生产出来粗硅装入炉体中,通过真空、加热、熔化、离心、提纯、冷却出炉,从而使工业粗硅的中杂质和纯硅由于在熔融密度上存在差异,被高速旋转产生的离心力分离开来,从而达到提纯的目的。多晶硅加热、熔化、离心成为一个核心环境。高温加热同时离心提纯多晶硅,形成一体化的生产。 
发明内容
本实用新型要接解决的技术问题是针对现有技术的不足,提出了一种设计合理、提高多晶硅纯度及使用率的高质量提纯多晶硅的多晶硅离心提纯炉。 
本实用新型要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的,一种具有高质量的多晶硅离心提纯炉,由炉体、坩埚、真空罩、离心机组、真空机组组成。离心机组上部是炉体,炉体上部设有炉门,炉体内设有保温层,保温层内侧设有石墨加热器或者中频加热装置,内部的装料坩埚设于保温层底部上的承接法兰上,真空罩在炉体外部,安置于离心机组上部,多晶硅离心提纯炉的炉体、坩埚主要固定于离心机组的主轴上。 
本实用新型与现有技术相比,多晶硅离心提纯炉它不仅能生产出高品质的多晶硅,而且大大缩短了工艺时间,能耗低。其装置设置合理,操作简单,无污染。 
附图说明
图1为本实用新型的结构简图。 
具体实施方式
一种多晶硅离心提纯炉,由炉体8、真空机组7、离心机组5、真空罩1组成。离心机5上部设有真空罩1,真空罩1内设有炉体8,炉体8上部设有炉门,炉内设有保温层2,保温层2内侧设有加热需要的石墨加热器3,内部的装料坩埚6放置在保温层2底部的承接法兰上,炉体8整体固定于离心机5的主轴4上。 
在坩埚内装入硅料,盖上炉盖,调整到位,关闭真空罩门,开启真空机组,达到限定真空值以后,开启加热器,加热到温度到一定温度保温,开启离心机组,开始旋转离心,离心到一定的时间以后,待硅晶后再对硅晶进行冷却,直至多晶硅出炉。 
本实用新型适用于工业硅的提纯,以及以低品位工业硅为原料,生产出适合更高纯度的太阳能级多晶硅产品。减少设备使用量,缩短整个工艺时间,同时能耗也再降低,提高多晶硅使用率。 

Claims (1)

1.一种多晶硅离心提纯炉,由有炉体、坩埚、真空罩、离心机组、真空机组组成;其特征是:离心机组上部是炉体,炉体上部设有炉门,炉体内设有保温层,保温层内侧设有石墨加热器或者中频加热装置,内部的装料坩埚设于保温层底部上的承接法兰上,真空罩在炉体外部,安置于离心机组上部,多晶硅离心提纯炉的炉体、坩埚主要固定于离心机组的主轴上。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN106587071A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 大连理工大学 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法
CN106591946A (zh) * 2016-12-20 2017-04-26 大连理工大学 一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106591946A (zh) * 2016-12-20 2017-04-26 大连理工大学 一种逆向离心提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法
CN106587071A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 大连理工大学 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法
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