CN201974632U

CN201974632U - 掩膜版及掩膜版组

Info

Publication number: CN201974632U
Application number: CN2011201057564U
Authority: CN
Inventors: 陈宁; 郭炜; 王路
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2011-04-12
Filing date: 2011-04-12
Publication date: 2011-09-14
Anticipated expiration: 2021-04-12

Abstract

本实用新型属于显示技术的曝光领域，公开了一种掩膜版，包括正常曝光区域和拼接区域，拼接区域设置在掩模版的至少一侧；正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50％。还公开了一种由若干个上述掩膜版组成的掩膜版组。本实用新型通过在掩膜版拼接区域上设置狭缝或涂覆半透膜，实现50％的透光率，使光刻胶经拼接区域两次曝光之后均一性良好，与光刻胶经正常曝光区域曝光之后的关键尺寸完全相同，提高低世代线生产显示器的质量，降低大尺寸显示器面板的制造成本。

Description

掩膜版及掩膜版组

技术领域

本实用新型涉及显示技术中的曝光领域，特别是涉及一种掩膜版及由其组成的掩膜版组。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)制造中，目前使用低世代线生产大的液晶面板，由于受到掩膜版(MASK)大小的限制，需要对曝光图形进行拼接，在拼接时，为了避免发生断线等情况，拼接区域要进行重复曝光，即拼接区域曝光量就是其他区域曝光量的2倍，局部的曝光量不等造成光刻胶感光不均匀，在显影过后会出现重复曝光区域关键尺寸的不等，在显示时会出现一条暗线，造成显示器次品出现，严重影响显示器生产质量。

图1示出了掩膜版拼接区的结构示意图，使用低世代线对大尺寸的液晶面板进行曝光时，可以利用多块MASK进行拼接，相邻的MASK的相邻区域设置为完全相同的拼接区域，如图中所示的第一掩膜版2和第二掩膜版2’中的掩膜版拼接区域1，该区域的透光区域和遮光区域完全相同。利用图2a和2b中所示的两次曝光机构对光刻胶进行两次曝光，以实现曝光的有效拼接。图中所示的两次曝光的具体过程为：在第一掩膜版2的玻璃板，即MASK玻璃板5上设置第一掩膜版拼接区域4，MASK玻璃板5上的其他区域为正常曝光区域，其上的遮光区域涂有铬膜6，利用第一掩膜版2对光刻胶进行曝光，完成玻璃基板3上光刻胶10的第一次曝光，形成曝光图形拼接区域7；玻璃基板3包括玻璃板8，设置在玻璃板8上的金属层9以及涂覆在金属层9上的光刻胶10，曝光图形拼接区域7由第一掩膜版2完成第一次曝光之后，由第二掩膜版2’对光刻胶10继续曝光，同时由第二掩膜版拼接区域4’再次对曝光图形拼接区域7进行曝光，由此使得曝光图形拼接区域7被曝光两次。

图3示出了经上述曝光之后玻璃基板3上未被曝光区域a、正常被曝光区域b和拼接被曝光区域c形成的图形示意图，拼接被曝光区域c的关键尺寸明显与正常被曝光区域b不同，从而导致显示器生产中的次品出现。

现在TFT-LCD面板向大型化发展，要生产大型液晶面板，一个必要条件就是光刻面积的加大。然而高世代线的曝光机价格昂贵，一条高世代线的曝光设备，需要上亿元的投资。因此，用低世代线生产大的液晶面板是一个明智的方法，但是其生产质量问题的解决刻不容缓。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是如何克服低世代线生产大尺寸显示器面板时对光刻胶曝光的不均匀性。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种掩膜版，其包括正常曝光区域和拼接区域，所述拼接区域设置在所述掩模版的至少一侧；所述正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，所述第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，所述拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，所述第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，所述第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50％。

其中，所述第二透光区域上设置有若干条狭缝，所述狭缝由铬膜间隔开。

其中，所述狭缝间隔的宽度为掩膜版配套曝光机的解析度的1/5。

其中，所述第二透光区域上设置有半透膜，所述半透膜的光透过率为50％。

其中，所述半透膜为铬膜。

本实用新型还提供了一套掩膜版组，其包括若干块如上任一所述的掩膜版。

其中，相邻的两块所述掩膜版上，相邻接的拼接区域的第二透光区域和第二遮光区域的图案分别相同。

(三)有益效果

上述技术方案所提供的掩膜版及由其组成的掩膜版组中，通过在掩膜版拼接区域上设置狭缝或涂覆半透膜，实现50％的透光率，使光刻胶经拼接区域两次曝光之后均一性良好，与光刻胶经正常曝光区域曝光之后的关键尺寸完全相同，提高低世代线生产显示器的质量，降低大尺寸显示器面板的制造成本。

附图说明

图1是曝光机掩膜版拼接区的结构示意图；

图2a是现有技术中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；

图2b是对图2a中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；

图3是图2b中玻璃基板正常曝光区域和拼接曝光区域形成的图形示意图；

图4a是本实用新型实施例一中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；

图4b是对图4a中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；

图5a是本实用新型实施例二中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；

图5b是对图5a中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；

图6是图4b和图5b中玻璃基板正常曝光区域和拼接曝光区域形成的图形示意图。

其中，1：掩膜版拼接区域；2：第一掩膜版；2’：第二掩膜版；3：玻璃基板；4：第一掩膜版拼接区域；4’：第二掩膜版拼接区域；5：MASK玻璃板；6：铬膜；7：曝光图形拼接区域；8：玻璃板；9：金属膜；10：光刻胶；11：狭缝；12：半曝光光刻胶；13：半透膜；a：未被曝光区域；b：正常被曝光区域；c：拼接被曝光区域。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例一

本实施例的掩膜版包括正常曝光区域和拼接区域，拼接区域设置在掩模版的至少一侧；正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，第二透光区域的光透过率是第一透光区域光透过率的50％，以实现通过拼接区域对光刻胶进行两次曝光和通过正常曝光区域对光刻胶进行一次曝光的效果完全相同。

为了实现对大尺寸的光刻胶进行曝光，需要设计一套掩膜版组，该套掩膜版组包括若干块具有上述特征的掩膜版，通过整套掩膜版组可以实现大尺寸玻璃基板上光刻胶的均一性曝光。

图4a示出了本实施例中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图，图4b是对图4a中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图。如图所示，本实施例以若干块掩膜版中相邻的两块为例，第一掩膜版2包括MASK玻璃板5，MASK玻璃板5其中一侧区域设置为第一掩膜版拼接区域4，其余区域为正常曝光区域，MASK玻璃板5上的遮光区域通过涂覆铬膜6实现，第一掩膜版拼接区域4设置有若干条狭缝11，通过狭缝的设置，实现拼接区域的光透过率为正常曝光区域光透过率的50％；第二掩膜版2’的结构与第一掩膜版2的结构类似，其区别之处在于，第二掩膜版拼接区域4’位于第二掩膜版2’与第一掩膜版2相邻的一侧，第一掩膜版拼接区域4和第二掩膜版拼接区域4’完全相同，以实现对同一处光刻胶进行两次相同的曝光；被曝光的光刻胶所在的玻璃基板3包括玻璃板8，设置在玻璃板8上的金属层9和涂在金属层9上的光刻胶10。

为了实现掩膜版拼接区域的光透过率为非拼接区域光透过率的50％，根据拼接区域尺寸大小不同，可以改变狭缝11的数目，狭缝11的宽度取决于曝光机(图中未示出)和光刻胶10的解析度，主要取决于曝光机，优选将狭缝11的宽度设置为曝光机解析度的1/5，例如Nikon FX601F曝光机，缝间隔的宽度设置为0.5um。

使用上述掩膜版对光刻胶进行曝光时，首先使用第一掩膜版2进行曝光，设置在第一掩膜版2上的第一掩膜版拼接区域4对光刻胶进行第一次曝光，光透过率控制在50％，这样第一次曝光完毕，光刻胶10上对应第一掩膜版拼接区域4的曝光图形拼接区域7感光50％，剩余半曝光光刻胶12；接下来，使用第二掩膜版2’对曝光图形拼接区域7进行第二次曝光，光透过率控制在50％，曝光完毕，光刻胶10感光100％，曝光图形拼接区域7的光刻胶完全曝光，曝光图形拼接区域7相比其它正常被曝光区域，曝光量相同，均一性良好。

实施例二

图5a示出了本实施例的光刻胶进行第一次曝光的结构示意图，图5b是对图5a中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图。

本实施例掩膜版和掩膜版组与实施例一相类似，其区别之处在于：实施例一中通过在掩膜版拼接区域上开设狭缝来改变光透过率，本实施例中通过在掩膜版拼接区域设置半透膜来实现掩膜版拼接区域光透过率减半，因为掩膜版上的遮光区域通过涂覆铬膜来实现，所以上述半透膜优选使用铬膜，通过改变铬膜的厚度实现光透过率减半。

使用本实施例的曝光装置对光刻胶进行曝光时，首先使用第一掩膜版2进行光刻胶曝光，通过在第一掩膜版拼接区域4上设置半透膜13，将曝光量控制在50％，这样第一次曝光完毕，曝光图形拼接区域7上的光刻胶10感光50％，剩余半曝光光刻胶12；接下来，使用第二掩膜版2’对曝光图形拼接区域7进行第二次曝光，通过第二掩膜版拼接区域4’上设置的半透膜13，曝光量控制在50％，曝光完毕，曝光图形拼接区域7上的光刻胶10感光100％，曝光图形拼接区域7的光刻胶全曝光，其与正常被曝光区域相比，曝光量相同，均一性良好。

上述实施例一和实施例二所述的掩膜版适用于多种曝光机，曝光机在TFT-LCD生产中有两类，一类是用于Array生产中的曝光机，另一类是用于CF(Colour Film，彩膜)生产中的曝光机。用于Array生产中的曝光机，掩膜版距离玻璃基板的高度是一定的，用于CF生产的曝光机，一般情况下掩膜版距离玻璃基板的高度是可以变化的。其中CF曝光机又分为接近式曝光和贴近式曝光，接近式曝光中掩膜版距离玻璃基板的范围一般为100um-300um；贴近式曝光中掩膜版距离玻璃基板的距离为0。

使用上述实施例的掩膜版组对光刻胶进行曝光之后，未被曝光区域a、正常被曝光区域b和拼接被曝光区域c形成的图形示意图如图6所示，正常被曝光区域b和拼接被曝光区域c的关键尺寸相一致，曝光均一性良好。

由以上实施例可以看出，本实用新型实施例通过在掩膜版拼接区域上设置狭缝或涂覆半透膜，实现50％的透光率，使光刻胶经拼接区域两次曝光之后均一性良好，与光刻胶经正常曝光区域曝光之后的关键尺寸完全相同，提高低世代线生产显示器的质量，降低大尺寸显示器面板的制造成本。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种掩膜版，其特征在于，包括正常曝光区域和拼接区域，所述拼接区域设置在所述掩模版的至少一侧；所述正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，所述第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，所述拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，所述第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，所述第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50％。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二透光区域上设置有若干条狭缝，所述狭缝由铬膜间隔开。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述狭缝间隔的宽度为掩膜版配套曝光机的解析度的1/5。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二透光区域上设置有半透膜，所述半透膜的光透过率为50％。

5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述半透膜为铬膜。

6.一套掩膜版组，其特征在于，包括若干块如权利要求1-5中任一所述的掩膜版。

7.如权利要求6所述的掩膜版组，其特征在于，相邻的两块所述掩膜版上，相邻接的拼接区域的第二透光区域和第二遮光区域的图案分别相同。