CN201699017U - 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 - Google Patents
一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201699017U CN201699017U CN2010202431502U CN201020243150U CN201699017U CN 201699017 U CN201699017 U CN 201699017U CN 2010202431502 U CN2010202431502 U CN 2010202431502U CN 201020243150 U CN201020243150 U CN 201020243150U CN 201699017 U CN201699017 U CN 201699017U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diode chip
- junction
- bidirectional tvs
- power bidirectional
- products
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本实用新型在N区的正反两面分别设置P扩散区，在两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，可大大提高生产效率，方便生产操作，也降低了生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件的制造技术领域，特别是大功率平面结双向TVS二极管的制备方法。
背景技术
长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品的性价比等方面，作出了不懈的努力。当今TVS二极管芯片制造中较先进的技术是采用一种低电阻率的N型双磨单晶片进行制备，其工艺步骤为：酸洗、清洗、扩散、刻槽、玻璃钝化、化学镀、合金、化学镀、蒸金、测试、划片、裂片，该方法的不足之处为：产品生产工艺中包括两次扩散，一次是N+型扩散，另一次是P型扩散，由于产品是台面结结构，因此是深结扩散，扩散时间长，产品的少子寿命下降，且硅片容易翘曲，造成碎片，操作不方便；产品的电极用化学镀方式形成，需要进行两次镀膜，且为保证产品的可靠性，镀层表面必须覆盖一层金(Aμ)膜，工艺复杂；PN结的保护采用挖槽、玻璃钝化的方式，工艺流程长；直接在玻璃钝化层上划片，影响产品的可靠性；产品采用的是台面工艺，硅片的有效利用率低，生产成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种工艺简单、电流密度大、漏电流小、质量稳定可靠的大功率平面结双向TVS二极管芯片。
本实用新型在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
本实用新型分别在N区的正反两面分别设置P扩散区，由于产品是平面结结构，因此采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。产品采用平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，可大大提高生产效率，方便生产操作，也降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型产品结构示意图。
图1中，1为N区，2、3为P扩散区、4、5为镀膜区、6、7、8、9为SiO2保护区。
具体实施方式
选取电阻率为0.01～0.02Ω.cm，片厚为225～235μm的N型硅材料双磨片，生产大功率平面结双向TVS二极管芯片，结构特点：
在N区1的正反两面分别设置P扩散区2、3，在两个P扩散区2、3的另一面分别设置镀膜区4、5。在两个P扩散区2、3外周的N区1表面分别设置PN结平面SiO2保护区6、7、8、9。
Claims (1)
1.一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010202431502U CN201699017U (zh) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010202431502U CN201699017U (zh) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201699017U true CN201699017U (zh) | 2011-01-05 |
Family
ID=43400263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010202431502U Expired - Fee Related CN201699017U (zh) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201699017U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101916786A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-12-15 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片及其生产方法 |
| CN102244104A (zh) * | 2011-07-07 | 2011-11-16 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 一种平、台结合双向二极管芯片及制作工艺 |
-
2010
- 2010-06-22 CN CN2010202431502U patent/CN201699017U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101916786A (zh) * | 2010-06-22 | 2010-12-15 | 南通明芯微电子有限公司 | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片及其生产方法 |
| CN102244104A (zh) * | 2011-07-07 | 2011-11-16 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 一种平、台结合双向二极管芯片及制作工艺 |
| CN102244104B (zh) * | 2011-07-07 | 2013-05-22 | 重庆平伟实业股份有限公司 | 一种平、台结合双向二极管芯片及制作工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101916786A (zh) | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片及其生产方法 | |
| CN100459151C (zh) | 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管 | |
| CN101651102B (zh) | 一种双向触发二极管芯片的制备方法 | |
| CN103578978B (zh) | 一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法 | |
| MY156090A (en) | Back junction solar cell with selective front surface field | |
| CN101707217B (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104362198B (zh) | 透明电极栅控横向pin蓝紫光探测器及其制备方法 | |
| CN201699017U (zh) | 一种大功率平面结双向tvs二极管芯片 | |
| CN102789970A (zh) | 一种快恢复二极管芯片的制备方法 | |
| CN102324390B (zh) | 整流二极管管芯制造方法 | |
| CN201699018U (zh) | 一种大功率平面结单向tvs二极管芯片 | |
| CN102637776A (zh) | N型太阳能电池片及其制造方法 | |
| CN103050545A (zh) | Tvs二极管及其制作方法 | |
| CN202307905U (zh) | 具有高反向阻断性能肖特基二极管 | |
| CN201450007U (zh) | 一种双向触发二极管芯片 | |
| CN104332530B (zh) | 一种降低切割后太阳电池效率损失的方法以及该方法生产的太阳电池 | |
| EP4250338A3 (en) | Solar cell preparation method | |
| CN105720134A (zh) | 太阳能电池板生产工艺 | |
| CN103078004A (zh) | 一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法 | |
| CN103151263B (zh) | 一种晶闸管芯片制备方法 | |
| CN105702807A (zh) | 太阳能电池的制备方法及串接方法和电池、组件、系统 | |
| CN202473934U (zh) | 整流二极管管芯结构 | |
| CN205231072U (zh) | 一种中低压台面二极管芯片 | |
| CN107658346A (zh) | 一种高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法 | |
| CN205595340U (zh) | 一种快速恢复二极管芯片结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110105 Termination date: 20190622 |