CN201699018U - 一种大功率平面结单向tvs二极管芯片 - Google Patents
一种大功率平面结单向tvs二极管芯片 Download PDFInfo
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Abstract
一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。由于产品是平面结结构，因此可采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低；镀膜可采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。产品采用平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，生产效率大大提高，操作方便，也降低了生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件的制造技术领域，特别是大功率平面结单向TVS二极管的制备技术领域。
背景技术
长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品的性价比等方面，作出了不懈的努力。当今TVS二极管芯片制造中较先进的技术是采用一种低电阻率的N型双磨单晶片进行制备，其工艺步骤为：酸洗、清洗、扩散、刻槽、玻璃钝化、化学镀、合金、化学镀、蒸金、测试、划片、裂片，该方法的不足之处为：产品生产工艺中包括两次扩散，一次是N+型扩散，另一次是P型扩散，由于产品是台面结结构，因此是深结扩散，扩散时间长，产品的少子寿命下降，且硅片容易翘曲，造成碎片，操作不方便；产品的电极用化学镀方式形成，需要进行两次镀膜，且为保证产品的可靠性，镀层表面必须覆盖一层金(Aμ)膜，工艺复杂。PN结的保护采用挖槽、玻璃钝化的方式，工艺流程长；直接在玻璃钝化层上划片，影响产品的可靠性；产品采用的是台面工艺，硅片的有效利用率低，生产成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种工艺简单、电流密度大、漏电流小、质量稳定可靠的大功率平面结单向TVS二极管芯片。
本实用新型在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
本实用新型分别在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，由于产品是平面结结构，因此采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低；镀膜采用多层金属化方式，一次完成，工艺简单，可靠性高。产品采用平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。无需在玻璃钝化层上划片，避免了玻璃钝化膜应力的产生，结构牢靠，减少了漏电流、尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，生产效率大大提高，操作方便，也降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图1中，1为N区，2为N+扩散区、3为P扩散区、4为镀膜区、5为镀膜区、6、7为SiO2保护区。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型在N区1的正面设置P扩散区3，另一面设置N+扩散区2，在P扩散区3和N+扩散区2的另一面分别设置镀膜区4、5。在P扩散区3的外侧、于N区1表面设置PN结平面SiO2保护区6、7。
Claims (1)
1.一种大功率平面结单向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的一面设置P扩散区，另一面设置N+扩散区，在所述P扩散区和N+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区的外侧、于N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107425047A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-12-01 | 深圳傲威半导体有限公司 | 一种tvs二极管pn结结构 |
| CN110581178A (zh) * | 2018-06-11 | 2019-12-17 | 江西萨瑞微电子技术有限公司 | 一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法 |
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2010
- 2010-06-22 CN CN2010202431733U patent/CN201699018U/zh not_active Expired - Fee Related
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