CN101707217B - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于太阳能利用技术领域，具体公开了一种太阳能电池及其制备方法。所述的一个太阳能电池包括第一电极层、第二电极层以及置于第一电极层和第二电极层之间薄层导电层、超薄介质层和半导体衬底层。其中，第一电极层具有丝网状结构，并且由于从第一电极层侧入的光而产生光电动势。该太阳能电池以玻璃、铝板或钢板为衬底。另外，在薄层导电层上可形成重掺杂多晶硅层等。本发明的太阳能电池具有光电转换效率高、生产成本低以及适合于制备薄膜型电池等优点。

Description

一种太阳能电池及其制备方法

技术领域

本发明属于太阳能利用技术领域，具体涉及一种半导体太阳能电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池主要包括晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池(主要包括非晶硅a-Si，铜铟镓硒CIGS、碲化镉CdTe电池)、III-V族半导体化合物电池(主要以砷化镓GaAs电池为代表)、染料敏化太阳能电池等。目前晶体硅电池和薄膜电池已大规模商业化，GaAs电池处于小规模示范阶段，染料敏化电池还处于实验室研究阶段。

新一代太阳能电池必须具有如下条件：薄膜化，转换效率高，原料丰富且无毒。晶体硅电池技术成熟、性能稳定，是太阳能电池的主流品种。短期来看，晶体硅太阳能电池会在很长时间内保持主流地位。传统的体硅太阳能电池使用高温烧结型P-N结单晶硅或者多晶硅技术。该P-N结由高温烧结形成。为了保证电极与硅片之间形成良好的欧姆接触，正面的N型一般由银来形成电极。高温烧结工艺和银电极材料的成本都比较高。金属一绝缘体一半导体(MIS)反型层体硅太阳能电池具有最简单的结构和制做工艺，是一种性能价格比高的太阳能电池。与常规P-N结太阳能电池相比，MIS型太阳能电池依靠表面感应反型层工作，不需要高温形成的P-N结。在MIS型太阳能电池中，由于热离子电流、开路电压上升，理论上可以得到更高的光电转换效率。但由于表面反型层的面电阻较大，所以太阳能电池都采用密栅电极结构。MIS型太阳能电池一般用带正电的铯离子(Cs)淀积在超薄绝缘层表面从而在P型衬底表面形成N型反型层。但通常来说没有保护的带电铯离子的稳定性比较差，MIS型体硅太阳能电池没有得到大规模的应用。

晶体硅电池的发展方向将继续压缩硅的生产成本和提升电池转化效率。因为硅衬底在电池的成本中占有很大的比例，所以降低硅片厚度是最直接的减少生产成本的方法。初期的太阳能电池硅片的厚度一般是几百微米。现在的主流太阳能电池硅片的厚度为一百微米左右。薄膜型硅太阳能电池技术是将来的发展方向，硅薄膜一般是生长或淀积在比较厚而且价格低的衬底上，硅薄膜厚度则减少到十微米以下，甚至缩小到仅一到两微米。

薄膜型硅太阳能电池技术有很多挑战。由于晶体硅是间接帶隙材料，对光的吸收能力远比直接帶隙材料要差。对直接帶隙材料来说，一般几微米厚的材料就能充分吸收太阳光。而对晶体硅来说，厚度需要大于一百微米以上才能充分吸收太阳光。硅片厚度的降低会导致对光吸收的效率下降，从而导致光电转换效率下降。另外使用传统P-N结制作薄型硅太阳能电池时，由于P-N结非常接近于背面，光生载流子复合速率很大，从而严重影响电池的性能。另外当硅薄膜的厚度减少到十微米以下时，传统的硅表面制绒技术很难被应用，从而导致硅的太阳能表面对光的反射增加、吸收减少。

在走向新一代薄膜型太阳能电池过程中，如何克服上述传统晶体体硅技术的缺点又能提高光电转换效率是亟待解决的问题也是当今太阳能电池技术研究的热点。

发明内容

本发明的目的是提供一种光电转换效率高，可靠性好的新型晶体硅太阳能电池及其制备方法。

本发明提供的晶体硅太阳能电池，包括第一电极层、第二电极层、在第一电极层和第二电极层之间的薄层导电层、超薄介质层和半导体衬底层，其中第一电极层具有丝网状的结构，并且由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势。

还包括置于第一电极层和薄层导电层之间的碳纳米管层。或者，包括覆盖在薄层导电层之上的薄层介质层，以及覆盖在该薄层介质层之上的金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒或者是由这些纳米颗粒和有机材料形成的复合材料。或者，包括置于第一电极层和薄层导电层之间碳纳米管层，以及覆盖在薄层导电层之上的薄层介质层，以及覆盖在该薄层介质层之上的金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒或者是由这些纳米颗粒和有机材料形成的复合材料。

还包括置于第一电极层和薄层导电层之间并和第一电极层具有同样丝网状结构的缓冲电极层。

还包括一个由玻璃、铝板或者钢板组成的衬底，所述的太阳能电池置于该衬底之上。

其中薄层导电层是高掺杂多晶硅、高掺杂非晶硅、硅化镍、硅化铂、硅化钛、硅化钴、铝、钨、氮化钛、氧化铟锡中的一种，或者是它们之中几种混合物。

其中所述薄层导电层厚度大于10纳米小于100纳米。

其中所述半导体衬底层为N型或者P型。或者半导体衬底层同时具有N型和P型的区域，并且它们之间形成一个P-N结。

其中所述半导体衬底层为单晶硅、多晶硅或者非晶硅。

其中所述超薄介质层是二氧化硅、氮化硅、氧化铝或其它高k介质。K为介电常数。

其中所述超薄介质层的厚度大于1纳米小于2纳米。

其中所述金属纳米颗粒是银或者金。

其中所述半导体纳米颗粒是硅、锗或者硅锗。

其中所述复合材料是由银、金、硅、锗或者硅锗纳米颗粒和有机材料复合形成的材料。

其中所述缓冲电极层是金属硅化物硅化镍、硅化铂、硅化钛或硅化钴中的一种。

本发明还提供上述太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的薄层导电层、置于第二电极层和薄层导电层之间的超薄介质层、和置于第二电极层和超薄介质层之间的半导体衬底层，其中第一电极层具有丝网状的结构，并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势，所述方法包括下述步骤：

a)在半导体衬底层上形成超薄介质层。

b)在超薄介质层上形成薄层导电层。

c)去除背面的可能存在的超薄介质层和薄层导电层，然后在背面形成第二电极层。

d)在正面形成丝网状第一电极层。

其中超薄介质层是通过热生长、通过湿法化学方法或者淀积形成。

还包括在半导体衬底层高温形成pn结。

还包括在步骤b)之后在薄层导电层之上形成碳纳米管层。

还包括在步骤d)之后在薄层导电层之上生成一薄层介质层，并在该薄层介质层上生成纳米金属颗粒或者硅纳米颗粒。

其中热处理的温度小于500摄氏度。

本发明还提供上述太阳能电池的如下制备方法，所述太阳能电池制备在一个玻璃、铝板或钢板组成的衬底上，所述方法为依次在该衬底上形成第二电极层、半导体衬底层、超薄介质层、薄层导电层和第一电极层，其中第一电极层具有丝网状的结构，并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势。

还包括在形成薄层导电层之后在其上形成碳纳米管层。

还包括在形成薄层导电层之后在其上生成薄层介质层，并在该薄层介质层上生成纳米金属颗粒或者硅纳米颗粒。

其中热处理的温度小于500摄氏度。

本发明中，在衬底晶体硅表面生长一个超薄(小于2纳米)介电层(如氧化硅绝缘层)，并在其上淀积一薄层导电层(如多晶硅或形成一薄层金属硅化物等)。该薄层多晶硅或金属硅化物等三能够导致在晶体硅衬底表面形成超浅反型层P-N结。然后在该薄层多晶硅或金属硅化物层形成正面丝网状金属电极，并在反面形成金属背电极。形成的光生载流子以隧穿的形式通过该超薄介质层，当该超薄介质层的厚度小于2纳米时，其对光生载流子电流的影响可以忽略不计。由于该多晶硅或金属硅化物层可以控制到很小的厚度，光在其中的损耗也可以基本上忽略不计。在该薄层多晶硅或金属硅化物上可以淀积一层对光透明的碳纳米管，从而可以大大降低太阳能电池的串联电阻。在该薄层多晶硅或金属硅化物上可以淀积一薄层绝缘层，并在该绝缘层上淀积一层纳米颗粒如硅和银等。该纳米颗粒层能够减少光的反射并能提高晶体硅衬底对光的吸收。

本发明的一个显著优点是该结构能够结合传统MIS型的高开路电压以及传统P-N结型晶体硅太阳能电池的高可靠性等优点，并特别适合应用于新型的薄膜型晶体硅太阳能电池技术中。本发明的另一个显著优点是该结构不需要高温烧结工艺以及不需要银材料制作正面电极，从而降低生产成本。本发明结构能降低太阳能电池的串联电阻，从而可以提高太阳能电池的转换效率。而且，该结构能提高太阳能电池对光的吸收效率。该结构能特别适合薄膜型晶体硅太阳能电池技术要求。

这些目标以及本发明的内容和特点，将经过下面的的附图说明进行详细的讲解。

附图说明

图1是表示本发明太阳能电池一个实例的截面示意图。

图2是表示图1中太阳能电池实例的能带图。

图3是表示本发明太阳能电池另一个实例的截面示意图。

图4a是表示本发明太阳能电池又一个实例的截面示意图。

图4b是表示本发明太阳能电池又一个实例的平面示意图。

图5是表示本发明太阳能电池又一个实例的截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实例对本发明所述的技术方案进行详细的说明。后面的描述中，相同的附图标记表示相同的组件，对其重复描述将省略。

在后面的参考附图中，为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以所示大小并不一定代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。参考图是本发明的理想化实施例的示意图，本发明所示的实施例不应该被认为仅限于图中所示区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。例如刻蚀得到的曲线通常具有弯曲或圆润的特点，但在本发明实施例中，均以矩形表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。

应当注意的是在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。

图1表示本发明太阳能电池的一个实例的截面示意图。图1表示的太阳能电池100包括背面电极层60、半导体衬底层10、超薄介质层20、薄层导电层30、缓冲电极层40和正面电极层50。半导体衬底层10可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者其它半导体材料。半导体衬底层10为p型，比如用硼或者铟等进行掺杂。半导体衬底层10也可以为n型，比如用磷、砷或者锑等进行掺杂。为了减少制造成本，杂质掺杂一般是在半导体材料制备过程中直接掺杂形成。超薄介质层20可以是氧化硅、氮化硅、氧化铝、高k介质如氧化铪以及它们之间的混合物。超薄介质层20可以用氧化热生长、淀积或者用化学湿法方式形成。超薄介质层20厚度控制在小于2纳米。薄层导电层30可以是半导体层如多晶硅、非晶硅或其它半导体，也可以是金属层如铝、钨、氮化硅、金属硅化物如硅化镍、硅化铂、硅化钛和硅化钴等，还可以是透明的金属层如氧化铟锡(ITO)。缓冲电极层40为金属、金属化合物如氮化钛或金属硅化物，其作为薄层导电层30和正面电极层50之间的界面层或阻挡层，其功能包括降低薄层导电层30和正面电极层50之间的接触电阻。比如当薄层导电层30为多晶硅时，缓冲电极层40可以是金属硅化物如硅化镍、硅化铂、硅化钴或硅化钛等。当选取的薄层导电层30和正面电极层50能够互相匹配时，包括具有较低的接触电阻，缓冲电极层40也可以省略。正面电极层50为具有低电阻率的金属层如铝、银、铂、钛、铜或钨等或者由具有低电阻率的多层金属层组成。和传统的P-N结型太阳能电池相比，价格比较昂贵的金属银虽然也可以构成正面电极层50的一部分，但不再是一种必须的材料。背面电极层60为具有低电阻率的金属层如铝等，和传统的P-N结型半导体太阳能电池类似。当半导体衬底层10为N型半导体硅时，可以在背面电极层60与半导体衬底层10之间加一层类似缓冲电极层40的导电薄膜层，以减低接触电阻，该导电薄膜层包括金属硅化物如硅化镍、硅化铂、硅化钛和硅化钴等。

为了能让掺杂的半导体10在其上表面形成强反型层，薄层导电层30的功函数要和掺杂的半导体10进行匹配：当半导体10为P型时，需要选取功函数比较低的导电层30材料，比如N型高掺杂多晶硅，超薄介质层和薄层导电层界面具有N型高掺杂的金属硅化物如硅化镍、硅化钴、钴化钛等、具有低功函数的金属如铝等以及具有N型特性的透明氧化物半导体氧化铟锡；当半导体10为N型时，需要选取功函数比较高的导电层30材料，比如P型高掺杂多晶硅、超薄介质层和薄层导电层界面具有p型高掺杂的金属硅化物如硅化镍、硅化钴、钴化钛等以及具有高功函数的的金属元素或金属化合物。超薄介质层20的理想厚度在1到2纳米之间。该超薄介质层可以阻挡多数载流子电流并减少半导体衬底层10的表面复合，从而可以得到比一般P-N结型太阳能电池更高的开路电压。当该超薄氧化层的厚度达到理想的厚度范围时，光照产生的少数载流子能几乎没有耗损的以遂穿的形式流过该超薄氧化层。因此，上述半导体/金属-绝缘介质-半导体型的太阳能电池可以拥有比传统P-N结型太阳能电池更高的光电转换效率。

图2是对应于图1实例中一种材料组合的能带图。在该材料组合中，半导体层10为P型掺杂的硅衬底，超薄介质层20为二氧化硅，薄层导电层30为N型高掺杂多晶硅，正面电极层50和背面电极层60都为铝层。缓冲电极层40在这里不是必须。由于N型高掺杂多晶硅和P型掺杂的衬底硅之间的功函数差，在热平衡条件下P型掺杂的衬底硅表面形成强烈的反型。

图2所对应的太阳能电池的制造工艺简单，生产成本极低，包括至少如下的基本加工步骤：

a)在P型衬底晶体硅10表面通过热生长、化学湿法、或淀积形成超薄介质层二氧化硅20。该超薄二氧化硅层的厚度介于1纳米到2纳米。

b)淀积一层薄层N型高掺杂多晶硅层。该层的厚度控制在几十纳米。

c)去除背面的可能的多晶硅和氧化层。在整个背面淀积铝层形成背电极，或通过丝网印刷方法在背面形成丝网状的背电极。

d)通过光刻或丝网印刷的方式在正面形成丝网状正电极。

由于不需要在半导体衬底上形成传统的P-N结以及整个工艺可以在低于500摄氏度的环境下完成，上述的半导体/金属-绝缘介质-半导体型的太阳能电池工艺技术特别适合于用来制备薄型太阳能电池。半导体层10的厚度可以降到10微米以下，从而降低制造成本。上述的具有薄层半导体层10的太阳能电池100可以制备在便宜的衬底如玻璃、铝片或不锈钢上。

图3是表示本发明太阳能电池另一个实例的截面示意图。图3表示的太阳能电池200包括背面电极层60、半导体衬底层11、超薄介质层20、薄层导电层30、缓冲电极层40和正面电极层50。半导体衬底层11可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者其它半导体材料。这是一种混合型的具有P-N结的太阳能电池结构。除了衬底的掺杂不同之外，其它的结构和图1的太阳能电池100的结构基本类似。衬底11初始为P型或N型掺杂，然后在表面通过杂质扩散、杂质淀积或离子注入并退火形成P-N结。P-N结的界面15靠近衬底的上表面，在图3中用虚线表示。薄层导电层30材料的选取也要和衬底的P-N结相对应，目的是要在衬底上表面形成积累层。当衬底的初始掺杂为P型、上表面的掺杂为N型时，薄层导电层30应选取功函数比较低的材料如N型高掺杂多晶硅，超薄介质层和薄层导电层界面具有N型高掺杂的金属硅化物如硅化镍、硅化铂、硅化钴、钴化钛等，具有低功函数的金属如Al等以及具有N型特性的透明氧化物半导体氧化铟锡；当衬底的初始掺杂为N型、上表面的掺杂为P型时，需要选取功函数比较高的导电层30材料如P型高掺杂多晶硅，超薄介质层和薄层导电层界面具有P型高掺杂的金属硅化物如硅化镍、硅化铂、硅化钴、钴化钛等以及具有高功函数的的金属元素或金属化合物。由于超薄介质层20的存在，衬底上表面可以得到很好的钝化，从而可以大大减少衬底11上表面的表面复合，从而可以得到相对较高的开路电压和短路电流。由于超薄介质层20的存在，也可以同样避免使用昂贵的金属银，从而可以降低生产成本。

上述的半导体/金属-绝缘介质-半导体型的太阳能电池100和200的一个不足是薄层导电层30的厚度的选取需要在透明性和串联电阻导致的电压下降之间取得平衡，这一点也是目前大多数太阳能电池所共同面临的挑战。为了使光在薄层导电层30中的损耗可以忽略不计，薄层导电层30的厚度需要降到100纳米甚至是10纳米左右的范围。这样薄的薄层导电层会增加串联电阻，从而导致太阳能电池光电转换效率下降。在保持同样结构的条件下，为了减少薄层导电层的串联电阻，正面电极层的间距需要缩小，而这也会同样导致太阳能电池的光电转换效率下降。图4a和图4b分别表示本发明太阳能电池的又一个实例的截面示意图和平面示意图。该实例中的太阳能电池结构可以解决薄层导电层在透明性和串联电阻之间的矛盾。图4a和图4b中表示的太阳能电池300包括背面电极层60、半导体衬底层10、超薄介质层20、薄层导电层30、缓冲电极层40、正面电极层50和分布在薄层导电层30上面的透明高导电率的金属层如碳纳米管层70。半导体衬底层10可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者其它半导体材料。除了增加的既透明又高导电的金属层70之外，其它的结构和图1及图3中的太阳能电池100和200中的结构类似。为了降低生产成本，碳纳米管层70可以使用成本比较低方式来形成，比如用旋涂的方式。该碳纳米管层70可以在薄层导电层30形成之后、正面电极层50形成之前形成，也可以在正面电极层50形成之后再形成。

如前所述，薄膜型太阳能电池是将来的发展方向。由于原材料丰富且成本低，薄膜型晶体硅太阳能电池尤其受到关注。然而，薄膜型晶体硅太阳能电池的最主要问题之一就是其对光的吸收能力变差。当晶体硅薄膜的厚度降低到1到2微米时，常用的增强表面吸收的表面制绒工艺也不能再被使用。主要原因是通常的表面制绒工艺产生的金字塔式的结构的深度一般在2到10微米之间。而且绒化的表面会增大电子-空穴的表面复合，从而导致开路电压的降低。因此，对薄膜型晶体硅太阳能电池来说，如何增加光的吸收是研究的热点。图5表示本发明太阳能电池的另一个实例的截面示意图。该实例中的太阳能电池结构可以大大增加薄膜型太阳能电池对光的吸收。图5中表示的太阳能电池400包括背面电极层60、半导体衬底层10、超薄介质层20、薄层导电层30、缓冲电极层40、正面电极层50、位于薄层导电层上面的薄层介质层80和分布在薄层介质层表面的纳米颗粒层90。半导体衬底层10可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者其它半导体材料。除了增加的薄层介质层80和分布在薄层介质层表面的纳米颗粒层90之外，其它的结构和图1及图3中的太阳能电池100和200中的结构类似。薄层介质层80可以是二氧化硅、氮化硅或其他介质材料，其厚度不超过20纳米。一般为10～20纳米。纳米颗粒层90可以由银、金等贵重金属纳米颗粒组成，也可以由硅、锗硅等半导体纳米颗粒组成，还可以由这些有机材料的纳米颗粒和有机材料形成的复合材料组成。当光的频率接近纳米金属颗粒的等离子激振频率是，纳米金属颗粒对光线有很强的散射作用。当纳米金属颗粒的直径明显小于光的波长时，该纳米金属颗粒的对光的散射截面会大于其实际的几何尺寸，从而可以导致更多的光线散射进太阳能电池衬底里并因此增加对入射光的吸收。

图4中的太阳能电池结构300和图5中的太阳能电池结构400可以结合起来形成新的太阳能电池结构(没有在图形中显示)。该结构同时具有增加导电性能的碳纳米管层和用于增加光吸收的纳米颗粒层。该结构特别适合应用于制备薄膜型晶体硅太阳能电池。

Claims (14)

1.一种太阳能电池，其特征在于包括第一电极层、第二电极层、在第一电极层和第二电极层之间依次叠合的薄层导电层、超薄介质层和半导体衬底层，其中薄层导电层通过超薄介质层在半导体衬底层中感应形成PN结，其中第一电极层具有丝网状的结构，并且由于从第一电极层侧入射的光而在半导体衬底内产生光电动势；

此外，还包括置于第一电极层和薄层导电层之间的碳纳米管层；或者还包括覆盖在薄层导电层之上的薄层介质层，以及覆盖在该薄层介质层之上的金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒或者是由这些纳米颗粒和有机材料形成的复合材料；或者还包括置于第一电极层和薄层导电层之间碳纳米管层，以及覆盖在薄层导电层之上的薄层介质层，以及覆盖在该薄层介质层之上的金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒或者是由这些纳米颗粒和有机材料形成的复合材料；

还包括置于第一电极层和薄层导电层之间并和第一电极层具有同样丝网状结构的缓冲电极层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于还包括一个由玻璃、铝板或者钢板组成的衬底，所述的太阳能电池置于该衬底之上。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于所述的薄层导电层是高掺杂多晶硅、高掺杂非晶硅、硅化镍、硅化铂、硅化钛、硅化钴、铝、钨、氮化钛、氧化铟锡中的一种，或者它们之中几种的混合物；薄层导电层厚度大于10纳米小于100纳米。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于所述的半导体衬底层为N型或者P型；或者半导体衬底层同时具有N型和P型的区域，并且它们之间形成一个P-N结。

5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于所述的半导体衬底层为单晶硅、多晶硅或者非晶硅。

6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于所述的超薄介质层是二氧化硅、氮化硅或氧化铝。

7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于所述的超薄介质层的厚度大于1纳米小于2纳米。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述的的金属纳米颗粒是银或者金；所述的半导体纳米颗粒是硅、锗或者硅锗；所述的复合材料是由银、金、硅、锗或者硅锗纳米颗粒和有机材料复合形成的材料。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述的的缓冲电极层是金属硅化物硅化镍、硅化铂、硅化钛或硅化钴中的一种。

10.一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的薄层导电层、置于第二电极层和薄层导电层之间的超薄介质层、和置于第二电极层和超薄介质层之间的半导体衬底层，其中第一电极层具有丝网状的结构，并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势，其特征在于所述方法包括下述步骤：

a)在半导体衬底层上形成超薄介质层；

b)在超薄介质层上形成薄层导电层；

c)去除背面的可能存在的超薄介质层和薄层导电层，然后在背面形成第二电极层；

d)在正面形成丝网状第一电极层。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池制备方法，其特征在于所述的超薄介质层是通过热生长、湿法化学方法或者淀积形成。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池制备方法，其特征在于还包括在半导体衬底层形成pn结。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池制备方法，其特征在于还包括在步骤b)之后在薄层导电层之上形成碳纳米管层。

14.根据权利要求10所述的太阳能电池制备方法，其特征在于还包括在步骤d)之后在薄层导电层之上生成一薄层介质层，并在该薄层介质层上生成纳米金属颗粒或者硅纳米颗粒。

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