CN102637776B - N型太阳能电池片及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种N型太阳能电池片及其制造方法，在扩散制结过程中，采用扩散工艺形成N型重掺杂背场，所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度；在印刷电极过程中，采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。本发明实施例将制作栅线的银浆改为银铝浆，同时增加N型背场的掺杂浓度，避免了铝硅合金结对电池片本身性能的影响，利用铝的热膨胀系数介于银和硅之间，且更接近于硅的热膨胀系数，在烧结过程中，银铝浆中的铝颗粒一方面可与银颗粒进行混合，另一方面还可与硅形成铝硅合金，即铝颗粒会处于硅基底与银的间隙内，改善了应力特性，减小了电池片的串联电阻，提高了填充因子FF，增大了电池片的转换效率。

Description

N型太阳能电池片及其制造方法

技术领域

本发明涉及太阳能电池的生产加工领域，更具体地说，涉及一种N型太阳能电池片及其制造方法。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前，80％以上的太阳电池是由晶体硅(单晶硅和多晶硅)材料制备而成，因此，制备高效率的晶体硅太阳电池对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。

目前，晶体硅太阳能电池的生产过程已经标准化，其主要步骤如下：

步骤S11、化学清洗硅片表面以及表面织构化处理(即表面制绒)，通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构，以增强光的吸收；

步骤S12、扩散制结，将P型(或N型)的硅片放入扩散炉内，使N型(或P型)杂质原子接触硅片表面层，通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就是使硅片具有光伏效应，扩散的浓度、结深以及扩散的均匀性直接影响太阳能电池的电性能。

在常规P型晶体硅太阳能电池中，一般只在电池正面进行扩散制结，在N型晶体硅太阳能电池中，还会在电池背面采用扩散工艺形成背场，所述P型晶体硅包括P型的单晶硅和多晶硅，同理，所述N型晶体硅包括N型的单晶硅和多晶硅；

步骤S13、周边等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层；

步骤S14、平板PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强型化学气相淀积)，即沉积减反射膜，主要采用氮化硅膜、氮氧化硅和/或氮化钛膜，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；

步骤S15、印刷电极，在常规P型晶体硅太阳能电池中，一般采用银浆印刷正电极和背电极，采用铝浆印刷背电场，以收集电流并起到导电的作用，在N型晶体硅太阳能电池中，一般背场是在扩散过程中形成的；

步骤S16、烧结，在高温下使印刷的金属电极与硅片之间形成合金，也就是使各接触面都形成良好的欧姆接触，减小电池的串联电阻，增加电池的输出电压和输出电流，因此能否形成良好的欧姆接触对整个电池片的转换效率有着至关重要的作用。

在实际生产过程中发现，经过烧结后，往往会出现一些低效片，对于N型电池片来说，这种情况更加明显。发明人研究发现，对于这些低效片，在烧结后电池片的金属电极(即栅线，一般为银电极)与硅基底之间的接触情况变差，从而导致串联电阻的增加，进而导致电池片的填充因子(FF)下降，降低了电池片的转换效率。

发明内容

本发明实施例提供了一种N型太阳能电池片及其制造方法，改进了金属栅线与硅基底之间接触情况，提高了电池片光电转换效率，提高了经济效益。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种N型太阳能电池片制造方法，包括电池片表面的制绒过程、扩散制结过程、周边等离子刻蚀过程、沉积减反射膜过程和印刷电极过程，其中，在扩散制结过程中，采用扩散工艺形成N型重掺杂背场，所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度；

在印刷电极过程中，采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。

优选的，所述背场的表面掺杂浓度在5E20cm-3～1.3E21cm-3以内。

优选的，所述背场的表面掺杂浓度在9.5E20cm-31.3E21cm-3以内。

优选的，所述背场的掺杂深度在0.3μm～2μm以内。

优选的，所述背场的掺杂深度在0.8μm～1.2μm以内。

优选的，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。

优选的，所述沉积减反射膜过程为，先后在电池片的正面和背面均进行减反射膜的沉积。

优选的，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。

本发明实施例还公开了一种采用上述方法制造的N型太阳能电池片，所述太阳能电池片N型背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度，所述太阳能电池片的栅线材料为银铝浆。

优选的，所述N型背场的表面掺杂浓度在5E20cm-3～1.3E21cm-3以内，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的N型太阳能电池片及其制造方法，通过将现有技术制作栅线的银浆改为银铝浆，同时增加N型背场的掺杂浓度，由于铝的线性膨胀系数(即热膨胀系数)接近于硅的线性膨胀系数，而银的线性膨胀系数与硅的线性膨胀系数相差较大，因此在烧结过程中，银电极与硅基底之间会出现微小的分离，而银铝浆中的铝颗粒则一方面可与银颗粒进行混合，另一方面还可与硅形成铝硅合金，即银铝浆中的铝颗粒充当了银颗粒与硅基底之间的连接介质，从而加强了栅线与硅基底接触时的机械强度，避免了栅线与硅基底之间出现分离的情况，即改进了金属栅线与硅基底之间的应力特性和接触情况。

并且，由于背场中的铝硅合金与硅基底接触时产生的合金结(以下简称铝硅合金结)的电场方向与N型背场本身的电场方向相反，本发明实施例中通过增加N型背场的掺杂浓度的方式，从而增加了N型电池片本身的电场强度，即由增加的N型电池片本身的电场强度抵消了铝硅合金结的电场强度，避免了铝硅合金结对电池片本身性能的影响，从而在改进金属栅线与硅基底之间接触情况的基础上，提高了电池片光电转换效率，提高了经济效益。

附图说明

通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为现有技术中晶体硅太阳能电池热处理工艺流程图；

图2为本发明实施例公开的N型太阳能电池片制作工艺的流程图；

图3为本发明实施例公开的N型重掺杂背场的掺杂深度和表面掺杂浓度的关系图；

图4为本发明实施例N型太阳能电池片的剖面图；

图5为本发明实施例中的电池片的转换效率与现有技术中的电池片的转换效率的比较图；

图6为本发明实施例中的电池片的FF值随温度变化曲线与现有技术中的电池片的FF值随温度变化曲线的比较图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

正如背景技术部分所述，现有技术中烧结工艺之后，经常会出现一定数量的低效片，尤其是在N型太阳能电池片中，发明人研究发现，导致电池片转换效率低的原因有多种，其中导致N型太阳能电池片效率降低的主要原因是串联电阻增大，并且，结合对成品电池片的检测结果，发明人发现，金属栅线与硅基底材料接触不良是导致串联电阻增大的重要原因之一，对于N型电池片来说，金属栅线与硅基底材料的接触不良现象主要发生的电池片背面的栅线处。

进一步分析，基于晶体硅的太阳能电池片主要由P型和N型之分，P型电池片又分为P型单晶硅和P型多晶硅电池片，同样，N型电池片也分为N型单晶硅和N型多晶硅电池片，总体来说，不论单晶硅电池片还是多晶硅电池片，N型电池片与P型电池片各部分的区别如下：

1)从硅基底的类型来说，N型电池片选择N型基底材料，P型电池片选择P型基底材料；

2)从电池片正面的发射区(在扩散过程中形成)来说，N型电池片的发射区为P型掺杂，发射区的金属栅线多采用银铝浆制作，P型电池片的发射区为N型掺杂，发射区的金属栅线多采用银浆制作；

3)从电池片的背场形成方式来说，N型电池片的背场采用N型杂质原子扩散形成，P型电池片的背场则采用铝浆印刷形成；

4)从栅线的分布来说，N型电池片的正面和背面均设置有栅线，其正面的栅线采用银铝浆制作，背面的栅线采用银浆制作，常规P型电池片的仅在电池片正面设置栅线，其正面的栅线采用银浆制作，背面为全金属的背场。

目前，用于形成太阳能电池片电极的原料主要有银浆料、银铝浆和铝浆，其中，铝浆主要用来形成P型电池片的背场，银浆和银铝浆主要用来形成与硅片接触的电极，而这两者又有一定的区别：银浆主要用于N型掺杂一侧，银铝浆主要用于P型掺杂的一侧，其原因是，银铝浆中的铝可与硅形成铝硅合金层，且形成的铝硅合金层相对于硅基底来说，表现为P型，即与P型掺杂较为接近，因而其与P型硅结合时，不会影响P型硅的掺杂情况和电场情况；而银铝浆中的铝一旦与N型硅接触，就会形成铝硅合金结，该铝硅合金结电场方向与N型硅区域本身的电场方向相反，从而影响电池片的性能。

金属银不会与硅基底接触形成合金，其与硅材料之间的接触仅仅为金属与半导体材料之间的接触，即两种不同材料之间的接触，而没有任何化学反应，并且，由于银的导电能力远远高于铝，因此银成为了主要的电极材料。

基于以上原理及反应机理，发明人考虑，要想增加银电极和硅基底的接触性能，可以在银电极和硅基底的缝隙间增加铝颗粒，即采用银铝浆制作电极，以增强电极与硅基底的接触能力，但是，由于P型电池片的N型掺杂区在正面，由于电池片正面为发射区，而发射区本身的掺杂浓度需要受限在一定范围内，因而采用银铝浆制作正面的栅线，会较严重影响P型电池片的性能，因此，采用银铝浆制作电极的方式更加适合于N型电池片。

基于上述原因，本发明实施例提供了一种N型太阳能电池片制造方法，该方法的流程图如图2所示，包括以下步骤：

步骤S21：表面制绒过程，选择N型硅片，采用化学方法清洗硅片表面以及表面织构化处理，通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构，即形成表面粗糙的绒面，以增强光的吸收，该步骤与现有技术中类似，这里不再详细描述，其中，所述N型硅片可为N型单晶硅，也可以为N型多晶硅；

步骤S22：在硅片正面和背面分别进行扩散制结过程，将N型的硅片放入扩散炉内，在N型硅片的正面采用P型杂质原子接触硅片表面层，通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就是使硅片具有光伏效应，扩散的浓度、结深以及扩散的均匀性直接影响太阳能电池的电性能，通过正面扩散制结过程，同时在N型硅片的正面形成了发射区；

在完成电池片正面的扩散制结过程后，继续在电池背面采用扩散工艺形成N型背场，具体为，在扩散炉中，采用N型杂质原子接触硅片背面，在硅片背面形成N型重掺杂的背场，本实施例中形成的N型背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度，换句话说，即在除背场掺杂浓度之外，其它生产条件均相同的情况下，本实施例中较现有技术，提高了N型背场的掺杂浓度；

需要说明的是，由于在后续背场栅线的形成过程中，采用的是银铝浆，银铝浆中的铝元素会与背场的硅形成铝硅合金结，铝硅合金结相对于硅基底表现为P型，即铝硅合金结产生的电场(以下简称反向电场)与N型背场的内建电场方向相反，即由于铝硅合金结的存在会在一定程度上降低N型背场的电场强度，因此，本实施例中通过提高N型背场的掺杂浓度来加强N型背场的电场强度，由增加的N型背场本身的电场强度抵消了铝硅合金结的电场强度，避免了铝硅合金结对电池片本身性能的影响，从而保证了太阳能电池片本身的电性能。

本实施例中N型背场的表面掺杂浓度优选在5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，更优选为9.5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，如9.5E20cm^-3、9.8E20cm^-3、1.1E21cm^-3、1.3E21cm^-3等，更优选为1E21cm^-3。

本实施例中N型背场的掺杂深度优选在0.3μm～2μm以内，更优选为0.8μm～1.2μm以内，如0.8μm、0.9μm、1.1μm等，更优选为1μm。本实施例中的背场掺杂粒子优选为磷原子。

举例说来，对于一批电池片来说，假如现有技术中的N型电池片的N型背场的表面掺杂浓度为5E20cm^-3，本实施例中的N型电池片的N型背场的表面掺杂浓度则为大于5E20cm^-3的值，如可以为6E20cm^-3、8E20cm^-3或1E21cm^-3等，若现有技术中的N型背场的掺杂深度为0.5μm，则本实施例中的N型背场的掺杂深度则为大于0.5μm的值，如可以为0.8μm、1μm等。

需要说明的是，本实施例中并不限定N型背场的表面掺杂浓度和掺杂深度具体比现有技术中的N型背场的表面掺杂浓度和掺杂深度大多少，可根据具体的电池片的情况而定，只要能够使通过增加N型背场的表面掺杂浓度和掺杂深度所增加的电池片内建电场强度能够抵消因铝硅合金结带来的反向电场的强度即可，以上数值的比较仅是用来说明本实施例中的电池片的N型背场掺杂浓度和掺杂深度大于现有技术中常规的电池片的N型背场掺杂浓度和掺杂深度，并不能作为对本实施例的具体限定。

本实施例中N型重掺杂背场的掺杂深度和表面掺杂浓度的关系图如图3所示，不同掺杂深度的掺杂浓度是不同的，随着掺杂深度的增加，掺杂浓度逐渐减小。

步骤S23：周边等离子刻蚀过程，去除扩散过程中在N型硅片边缘形成的将PN结短路的导电层，该步骤与现有技术类似，这里不做过多描述；

步骤S24：沉积减反射膜过程，可采用PECVD工艺等在硅片表面制作减反射膜，该减反射膜可采用氮化硅膜、氮氧化硅和氮化钛膜中的至少一种，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，同时减少载流子复合，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；

进一步的，本实施例中为了达到更好的钝化作用，减少硅基底材料中的缺陷，可在减反射膜中增加起到钝化作用的氢元素的含量，即所述减反射膜优选采用富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种，本实施例中更优选采用富氢的氮化硅薄膜。

一般情况下，只在电池片的正面沉积减反射膜，本实施例中为了达到更好的钝化作用，还可通过增加减反射膜的面积的方式，来增加起钝化作用的氢元素的含量，即本实施例中的沉积减反射膜的过程为，在电池片的正面和背面先后均进行减反射膜的沉积。

通过上述沉积减反射膜的过程，本实施例的方案较现有技术进一步的钝化硅基底材料中的缺陷，且可以进一步的减少光的反射，提高了电池片的转换效率。

步骤S25：印刷电极过程，该过程主要采用丝网印刷工艺将制作电极用的浆料图形化，本实施例中采用银铝浆制作N型电池片正面和背面的栅线；

在N型太阳能电池中，电池正面为P型掺杂，因此可采用银铝浆制作正面的栅线，而电池的背场为N型掺杂，采用银铝浆制作背场的栅线可在一定程度上减弱背场内建电场的电场强度，为解决这一问题，本实施例中除采用重掺杂的N型背场之外，还可通过控制银铝浆中铝元素的浓度来减少铝硅合金结对N型背场的影响，本实施例中的银铝浆中铝元素的浓度较低，所述银铝浆中铝的浓度优选在0.5％～5％以内，如0.5％、0.8％、1％、1.5％、2％、3％、4％、5％等，更优选为0.5％～3％以内。

步骤S25：烧结过程，在高温下使印刷的金属电极材料穿透减反射膜层，并与硅片之间形成合金(也可称为固化过程)，从而使各接触面都形成良好的欧姆接触，减小电池的串联电阻，增加电池的输出电压和输出电流。

由于现有技术中，导致N型电池片串联电阻增大的主要原因是电池片背面的金属栅线与硅基底接触不良，发明人研究发现，出现这种情况的根本原因是现有技术中的N型电池片背面的栅线采用银浆制作，而银元素与硅材料的热膨胀系数不同，硅的线性热膨胀系数为2.5E-6(1/℃)，银的线性热膨胀系数为1.9E-6(1/℃)，由于在高温下，硅的热膨胀系数大于银的膨胀系数，因此，在烧结过程中，银电极与硅基底之间会出现微小的分离，即硅基底上的银与硅基底间容易产生间隙，从而增大了串联电阻。

本实施例中采用银铝浆制作背场栅线，铝的线性热膨胀系数为2.3E-6(1/℃)，即铝的热膨胀系数介于银和硅之间，且更接近与硅，在一定条件下，还能与硅形成铝硅合金，因此，采用银铝浆制作电池片背面的栅线，在烧结过程中，银铝浆中的铝颗粒一方面可与银颗粒进行混合，另一方面还可与硅形成铝硅合金，即铝颗粒会处于硅基底与银的间隙内，改善了应力特性，从而减小了电池片背面的栅线与硅基底间的接触电阻，进而减小了电池片的串联电阻，提高了填充因子FF，增大了电池片的转换效率，铝元素与硅形成铝硅合金后，还可进一步增加栅线与硅基底接触的机械强度。

对烧结之后的产品进行电性测试，发现采用本发明实施例制作出的太阳能电池片的串联电阻明显减小了，改进了电极的接触性能，提高了电池片的转换效率。

本发明另一实施例公开了采用上述方法制作出的N型太阳能电池片，该太阳能电池片的剖面图如图4所示，包括以下结构：

N型基底101，可以为N型单晶硅或多晶硅基底；

位于N型基底101正面的P型掺杂区域102，P型掺杂区域102与N型基底101间形成PN结；

位于N型基底101背面的N型重掺杂区域103(即N型背场)；

覆盖P型掺杂区域102表面的减反射膜104a，以及覆盖N型重掺杂区域103表面的减反射膜104b，本实施例中的减反射膜优选为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种；

位于减反射膜104a表面上的栅线105a，以及位于减反射膜104b表面上的栅线105b，栅线105a、105b的材料均为银铝浆。

其中，P型掺杂区域102和N型重掺杂区域103均是在扩散过程中先后形成的，本实施例中的N型背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度，从而增加N型电池片本身的电场强度，由增加的N型电池片本身的电场强度抵消后续背场栅线中的铝硅合金结的电场强度，避免铝硅合金结对电池片本身性能的影响。

所述背场的表面掺杂浓度在5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，更优选为9.5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，所述背场的掺杂深度在0.3μm～2μm以内，更优选为0.8μm～1.2μm以内，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内，更优选为0.5％～3％以内。

其中，栅线105a、105b所用的银铝浆中铝的浓度可以相同，也可以不同，本实施例中优选二者所用的银铝浆中铝的浓度相同。

由于铝的热膨胀系数介于银和硅之间，且更接近与硅，在一定条件下，还能与硅形成铝硅合金，因此，采用银铝浆制作电池片背面的栅线，在烧结过程中，银铝浆中的铝颗粒一方面可与银颗粒进行混合，另一方面还可与硅形成铝硅合金，即铝颗粒会处于硅基底与银的间隙内，充当了导电介质，从而减小了电池片背面的栅线与硅基底间的接触电阻，进而减小了电池片的串联电阻，提高了填充因子FF，增大了电池片的转换效率，铝元素与硅形成铝硅合金后，还可进一步增加栅线与硅基底接触的机械强度。

下面将采用本发明实施例的方法制作出的N型太阳能电池与现有技术中的N型太阳能电池的性能进行对比，来说明本发明实施例的N型太阳能电池片的各项性能。

选择2批相同材料相同规格的N型硅片源，分别采用现有的制作工艺(即采用银浆制作背场的栅线)和本发明实施例的方法(即采用银铝浆制作背场的栅线)制作得到电池片成品，对两批成品的转换效率进行检测后的比较图如图5所示，柱a为采用银铝浆制作背场栅线的电池片的转换效率的相对值，柱b为采用银浆制作背场栅线的电池片的转换效率的相对值，从图5中可以看出，采用银铝浆制作背场栅线的电池片的转换效率大于采用银浆制作背场栅线的电池片的转换效率，从相对值来看，前者的转换效率高于后者0.5％以内，所谓相对值，即将前者的转换效率假设为100％，后者的转换效率相对于前者+低0-0.5％以内。

将以上2批次的电池片成品分别进行不同温度的热处理，观察电池片在高温下填充因子(FF)的变化情况，如图6所示，为本发明实施例中的电池片与现有技术中的电池片在高温下的FF的相对值变化情况，曲线c为本发明实施例中的电池片的FF的相对值随温度变化曲线，曲线d为现有技术中的电池片的FF的相对值随温度变化曲线。所谓热处理过程为在一定气体环境中对样品进行恒温或变温的加热过程，这里对以上2批次电池片进行热处理过程中的气体环境相同，加热过程也完全相同。

若认为低温下二者的FF值为100％，在300℃之后，二者的FF值均出现下降的情况，在400℃时，采用银铝浆制作背场栅线的电池片的FF的相对值下降率低于3％(见曲线c)，而采用银浆制作背场栅线的电池片的FF的相对值下降了约17％(见曲线d)，温度越高，曲线d中的FF的相对值下降的越大。

并且，经过Correscan设备检测发现，现有技术中电池片的FF值出现损失的主要原因为电池片背面的接触电阻变大，即在高温下，因热膨胀系数不同导致的银栅线中的银颗粒与硅基底之间出现分离，从而增大了接触电阻。所述Correscan设备为一种表征金属与半导体材料接触情况的太阳能检测设备。

通过以上测试表明，采用本发明实施例的方法制作出的N型太阳能电池片的接触电阻明显减小了，从而提高了电池片的填充因子，进而提高了电池片的转换效率。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种N型太阳能电池片制造方法，包括电池片表面的制绒过程、扩散制结过程、周边等离子刻蚀过程、沉积减反射膜过程和印刷电极过程，其特征在于，

在扩散制结过程中，采用扩散工艺形成N型重掺杂背场，所述N型重掺杂背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度；

在印刷电极过程中，采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线；

其中，所述N型重掺杂背场的表面掺杂浓度在5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内。

2.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述N型重掺杂背场的表面掺杂浓度在9.5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内。

3.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述N型重掺杂背场的掺杂深度在0.3μm～2μm以内。

4.根据权利要求3所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述N型重掺杂背场的掺杂深度在0.8μm～1.2μm以内。

5.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。

6.根据权利要求1所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述沉积减反射膜过程为，先后在电池片的正面和背面均进行减反射膜的沉积。

7.根据权利要求6所述的N型太阳能电池片制造方法，其特征在于，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。

8.一种采用权利要求1-7任一项所述的方法制造的N型太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片N型背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度，所述太阳能电池片的栅线材料为银铝浆；

其中，所述N型背场的表面掺杂浓度在5E20cm^-3～1.3E21cm^-3以内，所述银铝浆中铝的浓度在0.5％～5％以内。