CN102315332A - 太阳能电池片及其热处理工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种太阳能电池片及其热处理工艺，该方法包括：a)从经过印刷烧结后的太阳能电池片中，筛选出转换效率低于18％，且填充因子在70％以上的电池片；b)对筛选出的电池片进行低温退火；c)从经低温退火后的电池片中筛选出填充因子下降的电池片；d)对筛选出的电池片进行重新烧结；e)从经重新烧结的电池片中筛选出转换效率低于18％的电池片，返回b)，直至筛选出的大部分或全部电池片满足要求。本发明实施例中低温退火和重新烧结过程循环进行，低温退火可以修复基底材料中的缺陷，而重新烧结过程又可以修复低温退火产生的缺陷，两个处理过程相互配合，层层筛选，大大减少了低效片的数量，提高了经济效益。

Description

太阳能电池片及其热处理工艺
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产加工领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池片及其热处理工艺。
背景技术
太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。目前，80％以上的太阳电池是由晶体硅(单晶硅和多晶硅)材料制备而成，因此，制备高效率的晶体硅太阳电池对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。
目前，晶体硅太阳能电池的生产过程已经标准化，其主要步骤如下：
步骤S11、化学清洗硅片表面以及表面织构化处理(即表面制绒)，通过化学反应在原本光滑的硅片表面形成凹凸不平的结构，以增强光的吸收；
步骤S12、扩散制结，将P型(或N型)的硅片放入扩散炉内，使N型(或P型)杂质原子接触硅片表面层，通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成PN结，使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样便形成电流，也就是使硅片具有光伏效应，扩散的浓度、结深以及扩散的均匀性直接影响太阳能电池的电性能，扩散进杂质的总量用方块电阻来衡量，杂质总量越小，方块电阻越大，转换效率越低，在常规P型晶体硅太阳能电池中，一般只在电池正面进行扩散制结，在N型晶体硅太阳能电池中，还会在电池背面采用扩散工艺形成背场，所述P型晶体硅包括P型的单晶硅和多晶硅，同理，所述N型晶体硅包括N型的单晶硅和多晶硅；
步骤S13、周边等离子刻蚀，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层；
步骤S14、平板PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强型化学气相淀积)，即沉积减反射膜，主要采用氮化硅膜、氮氧化硅和/或氮化钛膜，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；
步骤S15、印刷电极，在常规P型晶体硅太阳能电池中，一般采用银浆印刷正电极和背电极，采用铝浆印刷背电场，以收集电流并起到导电的作用，在N型晶体硅太阳能电池中，一般背场是在扩散过程中形成的；
步骤S16、烧结，在高温下使印刷的金属电极与硅片之间形成合金，也就是使各接触面都形成良好的欧姆接触，减小电池的串联电阻，增加电池的输出电压和输出电流，因此能否形成良好的欧姆接触对整个电池片的转换效率有着至关重要的作用。
在实际生产过程中发现，经过上述方法生产出的电池片中往往会出现一定比例的转换效率偏低的电池片，这里将转换效率低于18％的太阳能电池片称为等外低效片或低效片。现有技术中处理上述低效片的方法就是通过分拣测试后，将上述低效片筛选出来，直接按照等外低效产品进行入库包装，这种处理方式没有充分挖掘出电池片的转换效率，降低了经济效益。
发明内容
本发明实施例提供了一种太阳能电池片及其热处理工艺，进一步提高了电池片光电转换效率，提高了经济效益。
为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种太阳能电池片热处理工艺，包括：
a)从经过印刷烧结后的太阳能电池片中，筛选出转换效率低于18％，且填充因子在70％以上的电池片；
b)对筛选出的电池片进行低温退火，以提高所述筛选出的电池片的转换效率，所述低温退火的温度低于正常的烧结温度；
c)对经低温退火后的电池片进行分拣测试，筛选出填充因子下降的电池片；
d)对步骤c)中筛选出的电池片进行重新烧结，以提高所述电池片的填充因子，所述重新烧结的温度与正常烧结温度相同；
e)对经重新烧结的电池片进行分拣测试，筛选出转换效率低于18％的电池片，返回步骤b)，直至筛选出的大部分或全部电池片的转换效率均高于18％，且填充因子在70％以上。
优选的，所述电池片的基底材料为单晶硅，所述筛选出的电池片为因单晶硅拉制过程中引入的缺陷导致的转换效率低的太阳能电池片。
优选的，在印刷烧结之前还包括：电池片表面的制绒过程、扩散制结过程和周边等离子刻蚀过程，所述扩散制结过程为，在电池片的正面进行扩散制结，在电池片的背面扩散制作背场。
优选的，进行周边等离子刻蚀过程后还包括，沉积减反射膜过程和印刷电极过程，所述沉积减反射膜过程为，在电池片的正面和背面先后均进行减反射膜的沉积。
优选的，制作所述电池片的基底材料为N型单晶硅。
优选的，所述低温退火的时间在30s-4min以内。
优选的，所述低温退火的温度在250℃-550℃以内。
优选的，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。
优选的，所述低温退火过程可在非氧化性气氛下进行。
本发明实施例还公开了采用上述工艺制作的太阳能电池片，所述太阳能电池片的转换效率在18％以上，且填充因子在70％以上。
优选的，所述太阳能电池片的基底材料为单晶硅，该电池片的正面和背面均具有富氢的减反射膜。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例提供的太阳能电池片及其热处理工艺，通过筛选出转换效率偏低的太阳能电池片，并对筛选出的电池片进行低温退火，即重新返烧过程，由于筛选出的电池片转换效率低是由在硅基底材料制备过程中引入的缺陷引起的，这些缺陷在太阳能电池片的制备过程中是无法完全消除的，但是本实施例中以低于正常烧结温度和烧结时间进行重新返烧，可使减反射膜中具有钝化作用的元素(主要为氢元素)进一步的钝化基底材料中的缺陷，即可进一步的减少基底材料中的缺陷从而提高了晶体硅太阳能电池片的转换效率。
在经过低温退火之后，由于低温退火过程可能导致电池片栅线中的玻璃体性质发生变化，从而可能导致填充因子下降，进而也会影响电池片的转换效率，因此对填充因子下降的电池片再次以正常烧结温度进行烧结，从而提高其填充因子。
低温退火和重新烧结过程循环进行，低温退火过程可以修复单晶硅和多晶硅基底材料中的缺陷，而重新进行的正常烧结过程又可以修复低温退火过程产生的缺陷，两个处理过程相互配合，在每一步骤后都会得到转换效率高于18％，且填充因子在70％以上的电池片，之后再对剩余不满足要求的电池片进行处理，如此往复，经过一步步的筛选、返烧等，能够使大部分或全部电池片的转换效率和填充因子满足要求，即大大减少了低效片的数量，提高了经济效益。
附图说明
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为现有技术中晶体硅太阳能电池热处理工艺流程图；
图2为本发明实施例公开的太阳能电池片热处理工艺的流程图；
图3为本发明另一实施例公开的太阳能电池片热处理工艺的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术部分所述，现有技术中烧结工艺之后，经常会出现一定数量的低效片。发明人研究发现，导致电池片转换效率低的原因有多种，但是，其中大部分低效片往往有一个共同的特征，即在烧结工艺之后，会出现多种缺陷形式，针对这些缺陷的结构和形貌进行进一步的探测之后，发现这些缺陷是由单晶硅和多晶硅基底材料中本身的缺陷引起的，如针对单晶硅基底材料中存在的氧诱导堆垛层错(OSF)的环和空隙，或者空位团的“漩涡”缺陷，多晶硅基底材料中也存在晶界和位错等缺陷，这些缺陷经过一步烧结过程是无法完全消除的，如单晶硅基底材料的缺陷在烧结后体现为电池片上出现环形缺陷或黑心缺陷，由于在这些缺陷处不能进行良好的导电，从而导致电池片的转换效率偏低。
基于上述原因，本发明实施例提供了一种太阳能电池片热处理工艺，该方法的流程图如图2所示，包括以下步骤：
步骤S21：从经过印刷烧结后的太阳能电池片中，筛选出转换效率低于18％，且填充因子在70％以上的电池片，这些电池片上多存在环形缺陷或黑心缺陷，主要是因基底材料本身的缺陷引起的转换效率低的电池片，举例来说，这些电池片若为多晶硅电池片，这些缺陷多是由多晶硅基底中的晶界和位错引起的，若为单晶硅电池片，这些缺陷多是由单晶硅拉制过程中引入的氧诱导堆垛层错(OSF)的环和空隙，或者空位团的“漩涡”缺陷引起的，这些基底材料本身的缺陷按照正常的太阳能电池片生产工艺是无法消除的。
其中，正常情况下填充因子在70％以上的电池片，其转换效率不会过低，往往均在可以接受的范围内，但是由于硅基底材料本身存在缺陷等原因，这类电池片也会出现转换效率低的情况，因此，本实施例中筛选出的电池片主要是填充因子在70％以上，且转换效率低于18％的电池片，并且电池片上沉积的减反射膜多为富氢的氮化硅或氮氧化硅薄膜。
步骤S22：对筛选出的电池片进行低温退火，以提高所述筛选出的电池片的转换效率，所述低温退火的温度低于正常的烧结温度，该低温退火过程可在非氧化性气氛下进行，如在氮气或氢气气氛下进行，本实施例对低温退火过程的气体氛围不做具体限定，工艺方案可以灵活掌控；
发明人研究发现，在多种低效太阳能电池片中，存在填充因子较大，但转换效率低的电池片经过低温退火处理之后，在一定程度上能够提高其转换效率，但是低温退火的温度须低于正常烧结温度，这样经过低温退火过程，可使减反射膜层中的氢可以进一步的深入基底材料内部，从而可以进一步的钝化硅基底材料中的缺陷，从而提高Voc和Isc，也就提高了转换效率。
具体说来，在正常的电池片制作过程中，硅基底材料内存在的缺陷可通过烧结过程进行消除，但由于某些硅基底材料在制作过程中引入的缺陷过多，仅通过一步正常的烧结过程无法完全消除基底材料中的缺陷，此时就会产生部分低效片，本实施例中对因基底材料本身缺陷导致的转换效率偏低的电池片进行低温退火过程，可使减反射膜层(富氢的氮化硅膜或氮氧化硅膜)中的氢进一步钝化硅基底中的缺陷，从而使Voc和Isc得到提升，进而提高转换效率。
并且，由于是正常烧结后的退火工艺，为了保证电池片的基本性能，本发明实施例中的低温退火温度低于正常烧结温度，而且，由于该退火过程中是电池片的正反两面同时进行的退火，对于多晶硅电池片来说，银浆的熔点远高于铝浆的熔点，因此，对于多晶硅电池片，优选的，退火温度需低于铝的熔点，以免影响铝背场的光滑度；对于单晶硅电池片来说，其背场是在扩散过程中形成的，为避免电池片栅线的性质受到影响，该退火温度也不宜过高。
基于此，本实施例中低温退火的温度优选为低于600℃，更优选为，在250℃-550℃以内，低温退火的时间在30s-4min以内，具体退火时间可根据电池片的缺陷情况确定，缺陷越多，退火时间也就相应的较长。
步骤S23：对经低温退火后的电池片进行分拣测试，筛选出填充因子下降的电池片，对填充因子没有下降且转换效率高于18％的电池片，即可进入步骤S26，按照正常的高效片进行包装入库保存；
在实际生产过程中发现，经过低温退火过程，大部分电池片的填充因子和转换效率均得到了提高，不再属于低效片，但也可能会导致小部分电池片的填充因子下降，因填充因子下降，这部分电池片的转换效率也可能会有所提升，但提升水平有限，多数的转换效率还是会较低。
发明人研究发现，退火过程导致填充因子下降的其主要原因是低温退火过程中，由于栅线中的导电性物质挥发，使栅线中的玻璃体不具腐蚀性，且导电性能变差，导致串联电阻变大，填充因子下降，而且低温退火过程Voc和Isc提升明显，在一定程度上也会使填充因子下降，而填充因子下降后也必然会影响到电池片的转换效率，因此必须对这些电池片进行处理。
步骤S24：对步骤S23中筛选出的电池片进行重新烧结，以提高所述电池片的填充因子，所述重新烧结的温度与正常烧结温度相同；
本步骤将经低温退火过程，填充因子下降明显且转换效率低于18％的电池片进行重新烧结，该烧结过程的参数与正常烧结过程参数相同，经该步骤处理后，修复了低温退火过程出现的缺陷，提高了电池片的填充因子，但是经过此步骤的重新烧结后，可能会使减反射膜中起钝化作用的氢元素部分溢出，基底材料中的缺陷又会重新生成，因此该步骤后也可能会出现Voc和Isc下降，即转换效率下降的情况，但出现这种问题的可能性较小，可根据存在这种缺陷电池片的数量确定是否进行下一步处理，本实施例中仅以需要处理的情况进行说明。
步骤S25：对经重新烧结的电池片进行分拣测试，筛选出转换效率低于18％的电池片，即筛选出Voc和Isc下降的电池片，重复步骤S22-步骤S24，直至筛选出的大部分或全部电池片的转换效率均高于18％，且填充因子在70％以上。
每一处理步骤后，筛选出的填充因子在70％以上且转换效率高于18％的电池片，均可进入步骤S26，按照正常的高效片进行包装入库保存。在实际生产过程中，基本上经过一次低温退火-再烧结-再次低温退火过程，大部分电池片的转换效率和填充因子即可满足要求。
本实施例中通过筛选出转换效率偏低的太阳能电池片，并对筛选出的电池片进行低温退火，可改善正常烧结过程中的缺陷，但是在经过低温退火之后，会出现填充因子下降的问题，而对填充因子下降的电池片再次以正常烧结温度进行烧结，便可提高其填充因子。
本实施例中低温退火和重新烧结过程循环进行，低温退火过程可以修复正常烧结过程产生的缺陷，而重新进行的正常烧结过程又可以修复低温退火过程产生的缺陷，两个处理过程相互配合，在每一步骤后都会得到转换效率高于18％，且填充因子在70％以上的电池片，之后再对剩余不满足要求的电池片进行处理，如此往复，经过一步步的筛选、返烧等，能够使大部分或全部电池片的转换效率和填充因子满足要求，即大大减少了低效片的数量，提高了经济效益。
需要说明的是，本实施例的太阳能电池片热处理工艺可应用于采用N型或P型单晶硅，以及N型或P型多晶硅为基底材料制作的太阳能电池片，均能提高电池片的转换效率。以下实施例仅以N型晶体硅，优选为N型单晶硅太阳能电池为例，对本发明实施例的主体思想和有益效果进行进一步的阐述。
本发明另一实施例提供的太阳能电池片热处理工艺的流程图如图3所示，与上一实施例不同的是，本实施例中以制作太阳能电池片的基底材料为N型晶体硅，优选为N型单晶硅为例，对上述方法进行了进一步改进，具体包括以下步骤：
步骤S311：化学清洗硅片表面以及电池片表面的制绒过程，该步骤中电池片的正面和背面均需进行制绒，以增强光的吸收；
步骤S312：在电池片的正面进行扩散制结，在电池片的和背面先后均进行扩散制结扩散制作背场；
需要说明的是，常规太阳能电池生产工艺多采用P型硅片，之后扩散N型杂质原子形成PN结，本实施例中正好与其相反，采用N型硅片，之后扩散P型杂质原子形成PN结，常规P型晶体硅太阳能电池工艺中只是在电池片的正面进行扩散制结，而本实施例中由于采用的是N型单晶硅作为基底材料，因此在电池的正面进行扩散制结后，还会在电池片的背面扩散制作背场，从而进一步的降低了硅片的方块电阻，为提高电池片的转换效率奠定了基础。
步骤S313：周边等离子刻蚀过程，去除扩散过程中在硅片边缘形成的将PN结短路的导电层；
步骤S314：沉积减反射膜过程，主要采用氮化硅膜、氮氧化硅和氮化钛膜中的至少一种，利用薄膜干涉原理，减少光的反射，同时减少载流子复合，起到钝化作用，增大电池的短路电流和输出功率，提高转换效率；
与现有技术不同的是，现有技术中一般只在电池片的正面沉积减反射膜，而本实施例中在电池片的正面和背面先后均进行减反射膜的沉积，相当于增大了减反射膜的面积，增加了起到钝化作用的氢元素的含量，可以进一步的钝化单晶硅基底材料中的缺陷，且可以进一步的减少光的反射，同时对电池片的背面也起到了钝化作用，进一步提高了电池片的转换效率。
需要说明的是，本实施例中仅以N型单晶硅为例来说明正反两面沉积减反射膜的工艺，但该工艺并不仅限于N型单晶硅或N型多晶硅，理论上，也可应用于P型晶体硅。但是，由于N型晶体硅和P型晶体硅制作背场的方式不同，在实际生产过程中，正反两面沉积减反射膜的工艺不同掺杂类型的晶体硅太阳能电池的转换效率的提高水平也不同，一般情况下，对N型晶体硅太阳能电池的转换效率提高较大，对P型晶体硅太阳能电池的转换效率提高较小。
另外，需要说明的是，本实施例中为了达到良好的钝化作用，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种，本实施例中优选为富氢的氮化硅薄膜。
步骤S315：印刷电极过程，该步骤中仅采用银浆印刷正电极和背电极，以收集电流并起到导电的作用；
步骤S316：烧结过程，在高温下使印刷的金属电极与硅片之间形成合金；
之后，进入步骤S317-步骤S316，对烧结后的电池片进行筛选并再处理，这些过程与上一实施例中相同，这里不再赘述。
本实施例中通过在电池片的正面扩散制结，背面扩散形成背场，并且在电池片的正反两面都进行减反射膜的沉积过程，由于增加了氢元素的含量，可使减反射膜中的氢元素的钝化作用更明显，即进一步减少了单晶硅基底材料中的缺陷，从而进一步提高了N型单晶硅太阳能电池片的转换效率。在正常的单晶硅棒的拉制过程中可能引入氧诱导堆垛层错(OSF)的环和空隙、空位团的“漩涡”缺陷或包含较多的氧杂质等，经过多次低温退火-重新烧结-低温退火等过程，并且由于电池片的正反两面均具有减反射膜，可进一步的钝化N单晶硅基底材料中的缺陷，即改善了单晶硅基底内部各种结构缺陷，提高N型单晶硅制作的电池片的Voc和Isc，进而提高电池片的转换效率。
下面以N型单晶硅太阳能电池在采用本实施例方法处理前后的具体实验数据为例，来说明本发明实施例的太阳能电池片热处理工艺的效果。
选择5批相同材料相同规格的N型单晶硅太阳能电池片，这些电池片的正反两面均具有富氢的减反射膜，经过正常生产工艺后，对这5批太阳能电池片进行测试分档，在每批中筛选出200片转换效率低于18％，填充因子在70％以上的电池片，对筛选出的电池片的各项电性参数进行测试，得出各批次电池片平均的电性参数，测试结果如表一所示：
表一  正常烧结工艺后编号为1-5批次低效片的电性参数表
对上述筛选出的电池片进行低温退火，退火过程中将烧结炉温度控制在250℃-550℃以内，退火时间控制在30s-4min以内，对经低温退火之后的电池片进行测试，测试结果如表二所示：
表二  低温退火后的编号为1-5批次低效片的电性参数表
Figure BDA0000096220380000112
从上表可以看出，经退火步骤后，1、2、3组的电池片的转换效率均提高到了18％以上，填充因子也均高于70％，退火前后，填充因子没有下降或下降的很低，因此，1、2、3组的电池片仅经过一步低温退火步骤即满足了电池片的效率要求，就可直接按照高效片包装入库，不需再进行后续步骤。而第4、5组电池片的填充因子较退火前下降明显，导致转换效率提升比例很小，甚至下降了，因此，需对4、5组电池片进行后续的再次烧结-退火过程，经重新烧结后的4、5组电池片进行测试，测试结果如表三所示：
表三  重新烧结后的编号为4、5批次低效片的电性参数表
从表三中可以看出，经重新烧结后的4、5组电池片的填充因子明显提高了，但是Voc、Isc以及转换效率反而降低了，需对这2组电池片进行再次退火过程，经再次退火后的性能测试结果如表四所示：
表四  再次退火后的编号为4、5批次低效片的电性参数表
Figure BDA0000096220380000121
从上表可以看出，经再次退火后的4、5组电池片的转换效率均提高到了18％以上，填充因子也均高于70％，且退火前后填充因子下降很低，因此，这2组电池片也满足了电池片的效率要求，可直接按照高效片包装入库，不需再进行烧结和退火步骤。
一般情况下，对于正反两面均具有减反射膜的单晶硅电池片来说，经过上述步骤，大部分低效片的转换效率均能够得到大幅度的提升，若仍由不满足要求的低效片，仍可继续进行烧结和退火步骤。
作为比较例，下面提供一组背面无减反射膜的N型单晶硅电池片的处理结果，该组电池片除背面无减反射膜外，其它参数与以上5组电池片相同，其处理结果如表五所示：
表五  背面无减反射膜的低效片退火前后的电性参数表
Figure BDA0000096220380000122
从上表可以看出，对于背面无减反射膜的低效片，经过一步退火后的转换效率虽有所提升，但提升效果不明显，之后可进行再次烧结-退火等步骤，虽然可将电池片的转换效率提升到高效水平，但经过的烧结-退火过程的次数，要远远多于正反两面均具有减反射膜电池片的处理次数。
经过以上处理过程中，低效片性能参数的变化过程，可以明显的看出，本发明实施例的方法进一步提高了电池片的光电转换效率，提高了经济效益。
本发明另一实施例公开了采用上述热处理工艺制作的太阳能电池片，该太阳能电池片的转换效率在18％以上，且填充因子在70％以上，该太阳能电池片的基底材料为单晶硅，优选为N型单晶硅，其正面和背面均具有富氢的减反射膜，从而使该电池片基底材料中的氧诱导堆垛层错(OSF)的环和空隙、空位团的“漩涡”缺陷等明显少于常规单晶硅太阳能电池中的缺陷。并且，该太阳能电池片上基本不存在环形或黑芯等缺陷，转换效率得到了提高。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (11)

1.一种太阳能电池片热处理工艺，其特征在于，包括：
a)从经过印刷烧结后的太阳能电池片中，筛选出转换效率低于18％，且填充因子在70％以上的电池片；
b)对筛选出的电池片进行低温退火，以提高所述筛选出的电池片的转换效率，所述低温退火的温度低于正常的烧结温度；
c)对经低温退火后的电池片进行分拣测试，筛选出填充因子下降的电池片；
d)对步骤c)中筛选出的电池片进行重新烧结，以提高所述电池片的填充因子，所述重新烧结的温度与正常烧结温度相同；
e)对经重新烧结的电池片进行分拣测试，筛选出转换效率低于18％的电池片，返回步骤b)，直至筛选出的大部分或全部电池片的转换效率均高于18％，且填充因子在70％以上。
2.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，所述电池片的基底材料为单晶硅，所述筛选出的电池片为因单晶硅拉制过程中引入的缺陷导致的转换效率低的太阳能电池片。
3.根据权利要求2所述的热处理工艺，在印刷烧结之前还包括：电池片表面的制绒过程、扩散制结过程和周边等离子刻蚀过程，其特征在于，所述扩散制结过程为，在电池片的正面进行扩散制结，在电池片的背面扩散制作背场。
4.根据权利要求3所述的热处理工艺，进行周边等离子刻蚀过程后还包括，沉积减反射膜过程和印刷电极过程，其特征在于，所述沉积减反射膜过程为，在电池片的正面和背面先后均进行减反射膜的沉积。
5.根据权利要求4所述的热处理工艺，其特征在于，制作所述电池片的基底材料为N型单晶硅。
6.根据权利要求5所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火的时间在30s-4min以内。
7.根据权利要求6所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火的温度在250℃-550℃以内。
8.根据权利要求7所述的热处理工艺，其特征在于，所述减反射膜为富氢的氮化硅薄膜、富氢的氮氧化硅薄膜和富氢的氮化钛薄膜中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的热处理工艺，其特征在于，所述低温退火过程可在非氧化性气氛下进行。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的热处理工艺制作的太阳能电池片，所述太阳能电池片的转换效率在18％以上，且填充因子在70％以上。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片的基底材料为单晶硅，该电池片的正面和背面均具有富氢的减反射膜。
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