CN201689885U - 超薄式片式整流桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体及半导体整流桥的技术领域,尤其涉及一种超薄式片式整流桥。本实用新型所述封装体长度为5.0±0.75mm,最佳值为5.0mm;所述封装体宽度为4.4±1.0mm,最佳值为4.4mm;所述封装体厚度为1.3±0.75mm,最佳值为1.3mm;所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的宽度为0.60±0.10mm,最佳值为0.60mm;所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的焊接面长度为0.6±0.10mm,最佳值为0.6mm;引脚一和引脚二、引脚三和引脚四的中心之间距离为4.0±0.5,最佳值为4.0;所述封装体上的引脚一和下的引脚三两端之间的距离为6.8±1.0mm,最佳值为6.8mm。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体及半导体整流桥,尤其涉及一种超薄式片式整流桥。
背景技术
随着节能灯市场的不断扩大,节能灯品种不断翻新,对其所需的元器件要求越来越高,特别是半导体整流二极管,由于节能灯线路体积空间有限,散热条件差,工作环境恶劣,极易引起二极管失效,所以半导体二极管组成的整流器必须具备以下特点:
1:体积小。
2:耐高温。
3:耐电压冲击。
4负载能力强
5:自身功耗小。
在2007年以前主要以轴向二极管组成桥为主,其特点,生产工艺成熟,生产成本低,价格便宜,基本上能满足市场需求。随着劳动力成本不断的增加,技术含量在不断的提高,进口贴装设备进入国内市场。SMA、SMB封装的贴片二极管近两年得到大量使用,它是将全波线路制在线路板上,二极管贴装在线路上,其生产效率提高近50倍,其能力也比轴向二极管优良。LED及微型高效节能灯问世,SMA及SMB等二极管由于体积较大而无法得到应用,贴片桥为此成 为节能灯的选择,整流桥是将四只二极管芯片通过引线框架焊接组成,并用环氧树脂封装而成的全波整流器。
目前市场上桥式整流器均体积太大而无法在此类节能灯上使用,贴片桥就要解决体积问题,又要解决负载问题。由于贴片TB桥较小,所以相对分立二极管来说芯片的尺寸就相对要大,工艺及其封装模具要求较高,以及引线制作要求高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:目前市场上桥式整流器均体积太大而无法在此类节能灯上使用,贴片桥就要解决体积问题,又要解决负载问题。由于贴片TB桥较小,所以相对分立二极管来说芯片的尺寸就相对要大,工艺及其封装模具要求较高,以及引线制作要求高的不足,提供一种超薄式片式整流桥。
为了克服背景技术中存在的缺陷,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:本实用新型包括引脚一、引脚二、引脚三、引脚四和封装体,引脚一和引脚二置于封装体上方,引脚三和引脚四置于封装体下方,所述封装体长度为5.0±0.75mm,最佳值为5.0mm;所述封装体宽度为4.4±1.0mm,最佳值为4.4mm;所述封装体厚度为1.3±0.75mm,最佳值为1.3mm;所述引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的宽度为0.60±0.10mm,最佳值为0.60mm;所述引脚、引脚二、引脚三、引脚四的长度为0.6±0.10mm,最佳值为0.6mm;引脚一和引脚二、引脚三和引脚四的中心之间距离为4.0±0.2,最佳值为4.0;所述封装体上的引脚一和下的引脚三两端之间的距离为6.8±1.0mm,最佳值为6.8mm。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述封装体为环氧树脂材料组成,封装体内设有芯片,芯片均采用GPP玻璃钝化材料,芯片与引脚一、引 脚二、引脚三、引脚四连接。
根据本实用新型的另一个实施例,进一步包括所述芯片与引脚一、引脚二、引脚三、引脚四的连接到封装体一侧的距离为0.1±0.05mm,最佳值为0.1mm。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过对芯片和引线框架尺寸改造,在不降低其他性能的条件下,与传统的桥式整流器对比,完成对整流桥体积的充分减小,适应微型节能灯及LED的要求,本实用新型芯片均采用GPP玻璃钝化芯片,取消腐蚀工序,不产生水污染。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的主视结构示意图;
图2是本实用新型的俯视结构示意图;
图3是本实用新型的内部结构示意图;
其中:1、引脚一,2、引脚二,3、引脚三,4、引脚四,5、封装体,6、芯片。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1、图2和图3所示,图中包括引脚一1、引脚二2、引脚三3、引脚四4和封装体5,引脚一1和引脚二2置于封装体5上方,引脚三3和引脚四4置于封装体5下方,所述封装体5长度为5.0±0.75mm,最佳值为5.0mm;所述封装体5宽度为4.4±1.0mm,最佳值为4.4mm;所述封装体5厚度为1.3±0.75mm,最佳值为1.3mm;所述引脚一1、引脚二2、引脚三3、引脚四4的宽度为0.60±0.10mm,最佳值为0.60mm;所述引脚一1、引脚二2、引脚三3、引脚四4的长度为0.6±0.10mm,最佳值为0.6mm;引脚一1和引脚二2、引脚三3和引脚四4的中心之间距离为4.0±0.2,最佳值为4.0;所述封装体5上的引脚一1和下的引脚三3两端之间的距离为6.8±1.0mm,最佳值为6.8mm,所述封装体5为环氧树脂材料组成,封装体5内设有芯片6,芯片6均采用GPP玻璃钝化材料,芯片6与引脚一1、引脚二2、引脚三3、引脚四4连接,所述芯片6与引脚一1、引脚二2、引脚三3、引脚四4的连接到封装体5一侧的距离为0.1±0.05mm,最佳值为0.1mm。
本实用新型制作工艺流程为:
首先为芯片选择,为了保证整流桥的稳定,选好二极管的芯片是关键,确保芯片质量。
其次是焊接工艺:
(1)超薄式片式整流桥引线框架用高温焊片通过链烧炉焊在一起。
(2)根据超薄式片式整流桥体积要求制定引线框架。
(3)将焊片通过烧结炉在芯片两表面均焊上焊锡,烧结炉温度在320℃---350℃,时间大于15分钟低于20分钟。
(4)将出炉预焊好的芯片,置于常温冷却,并保持干燥。
(5)将引线框架下片放入组焊板,预焊好的适量的芯片放入筛盘,将二极管极性分开。
(6)用吸笔将芯片焊点上。
(7)盖上压板进焊接,完成此工序。
本实用新型通过对芯片和引线框架改造,在不降低其他性能的条件下,与传统的桥式整流器对比,完成对整流桥体积的充分减小,适应微型节能灯及LED的要求,本实用新型芯片均采用GPP玻璃钝化芯片,取消腐蚀工序,不产生水污染。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (3)
1.一种超薄式片式整流桥,包括引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)和封装体(5),引脚一(1)和引脚二(2)置于封装体(5)上方,引脚三(3)和引脚四(4)置于封装体(5)下方,其特征在于:所述封装体(5)长度为5.0±0.75mm;所述封装体(5)宽度为4.4±1.0mm;所述封装体(5)厚度为1.3±0.75mm;所述引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的宽度为0.60±0.10mm;所述引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的焊接面长度为0.6±0.10mm;引脚一(1)和引脚二(2)、引脚三(3)和引脚四(4)的中心之间距离为4.0±0.2;所述封装体(5)上的引脚一(1)和下的引脚三(3)两端之间的距离为6.8±1.0mm。
2.如权利要求1所述的超薄式片式整流桥,其特征在于:所述封装体(5)为环氧树脂材料组成,封装体(5)内设有芯片(6),芯片(6)均采用GPP玻璃钝化材料,芯片(6)与引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)连接。
3.如权利要求1或2所述的超薄式片式整流桥,其特征在于:所述芯片(6)与引脚一(1)、引脚二(2)、引脚三(3)、引脚四(4)的连接与封装体(5)一侧的距离为0.1±0.05mm。
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