CN201372325Y - 多晶成长炉连续加料器 - Google Patents

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CN201372325Y CN200820131981U CN200820131981U CN201372325Y CN 201372325 Y CN201372325 Y CN 201372325Y CN 200820131981 U CN200820131981 U CN 200820131981U CN 200820131981 U CN200820131981 U CN 200820131981U CN 201372325 Y CN201372325 Y CN 201372325Y
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CN
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filling tube
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Inventor
徐忠龙
谢兆坤
徐文庆
何思桦
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KUNSHAN ZHONGCHEN SILICON CRYSTAL CO Ltd
Kunshan Sino Silicon Technology Co Ltd
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KUNSHAN ZHONGCHEN SILICON CRYSTAL CO Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种多晶成长炉连续加料器,其包含有一与多晶成长炉相连通的外围盒体;一容设在外围盒体内的填料筒,其下方具一开口;一容设于外围盒体内且用以开闭开口的止料塞;一升降机构,其用以带动填料筒与止料塞上下移动;以及一用以开关外围盒体与多晶成长炉机台间通道的隔离阀。本实用新型利用止料塞开关填料筒来达到多次加料,有效减少多晶的工艺步骤并缩短工艺时间。

Description

多晶成长炉连续加料器
技术领域
本实用新型涉及一种长晶炉加料器,特别是指一种多晶成长炉连续加料器。
背景技术
近年来消费性电子元件需求与日剧增,价格往往成了消费性电子产品在市场竞争上的主要关键因素。工艺简单与成本低廉的多晶级结晶材料,如多晶硅,即因为生产速度快与价格低廉,而广泛应用在消费性电子产品上,例如应用在太阳能电池产业上。
多晶级结晶材料是指材料由许多不同的小单晶所构成。以硅多晶材料来说,多晶硅的制作方式是利用压铸的方式,于一大坩锅中将硅原料全部熔融,在透过缓慢冷却,以形成包含不同晶格方向晶粒的晶碇。
现有多晶成长炉可大致上分为三种:第一种是熔融液与结晶过程在不同坩锅中进行的铸造方式;第二种熔融与结晶过程在同一坩锅中进行;以及第三种无使用坩锅的电磁铸造法。而对第二种熔融与结晶过程在同一坩锅中进行的多晶长晶炉而言,在投料时需将整个炉体打开,才可进行加料,这样造成整个工艺时间较为冗长,且也对炉内温度、洁净度的控制造成影响。
有鉴于此,本实用新型遂针对上述现有技术的缺失,提出一种崭新的多晶成长炉连续加料器,以有效克服上述的该等问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种多晶成长炉连续加料器,其可达到连续加料的功用。
本实用新型的另一目的是提供一种多晶成长炉连续加料器,其可有效降低多晶制造成本。
本实用新型的再一目的是提供一种多晶成长炉连续加料器,其可有效减少多晶的工艺步骤并缩短制备时间。
为达上述的目的,本实用新型提供一种装设于一多晶成长炉上的单晶成长炉连续加料器,其包含有一与多晶成长炉相连通的外围盒体;一容设在外围盒体内的填料筒,其下方具一开口,填料筒的外侧壁设有一定位槽;一容设于外围盒体内且用以开闭开口的料止塞;一升降机构,其是用以带动填料筒与料止塞上下移动;一用以开关外围盒体与多晶成长炉机台间通道的隔离阀;以及一位于外围盒体的内侧壁上且邻近隔离阀的定位块,其是与定位槽相卡合,以限定填料筒移动范围。
本实用新型的有益效果是,所提供的一种多晶成长炉连续加料器,其可达到连续加料的功用,还可有效降低多晶制造成本,并且可有效减少多晶的工艺步骤并缩短制备时间。
为能对本实用新型的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识,谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明,说明如后:
附图说明
图1是本实用新型的一种多晶成长炉连续加料器的侧视示意图;
图2~图5是本实用新型的多晶成长炉连续加料器的加料过程示意图。
【图号说明】
10多晶成长炉连续加料器
12外围盒体
14定位槽
16填料筒
18开口
20定位块
22止料塞
24升降油压机构
26隔离阀
28原料
30多晶成长炉
具体实施方式
首先,请参阅图1,其是本实用新型的一种多晶成长炉连续加料器的侧视图。如图所示,本实用新型的多晶成长炉连续加料器10包含有一用以与多晶成长炉机台的上炉盖(请参阅图3的元件30)结合的外围盒体12,其可以利用石英材质制备而成,外围盒体12的内侧壁上具有至少一定位槽14;一容设在外围盒体12内的填料筒16,填料筒16下方具有一开口18;一容设于外围盒体12内且位于填料筒16的开口18处的止料塞22,其是以在将原料制入填料筒16内后开关开口18,来管控原料落至多晶成长炉的量;一带动填料筒16与止料塞22沿着外围盒体12内部上下移动的升降油压机构24;一用以开关外围盒体12与多晶成长炉机台间通道的隔离阀26;以及一邻近隔离阀26的外围盒体12内侧壁的定位块20,其是可与定位槽14相卡合,用以限定填料筒16移动范围。
请一并参阅图2~图5,其是本实用新型的多晶成长炉连续加料器的下料过程示意图。如图所示,如图2所示,首先打开外围盒体12将原料28置于填料筒16;接续如图3所示,关闭外围盒体12,并趋动升降油压机构24带动填料筒12与止料塞22下降开启隔离阀26;再如图4所示,继续趋动升降油压机构24带动填料筒12与止料塞22下降,待下降至定位块20卡固于定位槽14时,仅剩下止料塞22脱离离开填料筒16下方的开口18继续下移,以开放开口18将原料28由填料筒16释放出,如图5所示,使原料28落至多晶成长炉30内,以进行多晶结构的晶碇熔融成长工艺。
待加料达所需数量后,趋动升降油压机构16上升,以使止料塞22重新抵止填料筒16的开口18(或者并同步关闭隔离阀26),待需要再次投料时,再将止料塞22下移,如此将可以达到连续加料。当填料筒16内料品不足时,则趋动升降油压机构24推动填料筒16与止料塞22上升至如图1所示的位置,以进行原料28补充。
本实用新型的多晶成长炉连续加料器透过填料筒与止料塞的配合,将可以达到连续加料,而不再需要每次加料就必须开启多晶成长炉的炉体,鉴此可有效更简化多晶结构的晶碇熔融成长所需的时间成本与工艺步骤,以更降低多晶生产成本。
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用来限定本实用新型实施的范围。故即凡依本实用新型申请范围所述的特征及精神所为的均等变化或修饰,均应包括于本实用新型的申请专利范围内。

Claims (6)

1、一种多晶成长炉连续加料器,其装设于一多晶成长炉上,其特征在于,该多晶成长炉连续加料器包含有:
一外围盒体,其是与该多晶成长炉连通;
一填料筒,其是容设在该外围盒体内,该填料筒下方具一开口,该填料筒的外侧壁设有一定位槽;
一料止塞,其是容设于该外围盒体内且用以开闭该开口;
一升降机构,其是用以带动该填料筒与该料止塞上下移动;
一隔离阀,其是用以开关该外围盒体与该多晶成长炉机台间的通道;以及
一定位块,其是位于该外围盒体的内侧壁上且邻近该隔离阀,该定位块是与该定位槽相卡合,以限定该填料筒移动范围。
2、如权利要求1所述的多晶成长炉连续加料器,其特征在于,该升降机构为升降油压机构。
3、如权利要求1所述的多晶成长炉连续加料器,其特征在于,该外围盒体的材质为石英。
4、如权利要求1所述的多晶成长炉连续加料器,其特征在于,该填料筒供填入硅原料。
5、如权利要求1所述的多晶成长炉连续加料器,其特征在于,该填料筒与该料止塞间相互配合,以达到多次下料。
6、如权利要求1所述的多晶成长炉连续加料器,其特征在于,该外围盒体可开合。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102181917A (zh) * 2011-05-17 2011-09-14 山东大学 一种人工晶体自动控制生长连续加料装置
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