CN201332101Y - 采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池 - Google Patents

采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池 Download PDF

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CN201332101Y CNU2008201301449U CN200820130144U CN201332101Y CN 201332101 Y CN201332101 Y CN 201332101Y CN U2008201301449 U CNU2008201301449 U CN U2008201301449U CN 200820130144 U CN200820130144 U CN 200820130144U CN 201332101 Y CN201332101 Y CN 201332101Y
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Abstract

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。包括硅片，硅片上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区和需要进行高掺杂高掺杂区，在硅片的低掺杂区上覆盖有磷不可渗透浆料或膜。本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

Description

采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换。
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高其光电转换效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提供一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，该太阳能电池具有较高的光电转换效率。
本实用新型所采用的技术方案为：一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片，硅片上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区和需要进行高掺杂高掺杂区，在硅片的低掺杂区上覆盖有磷不可渗透浆料或膜。
本实用新型的有益效果是：本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷不可渗透浆料或膜。
具体实施方式
如图1所示的一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片1，硅片1上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区3和需要进行高掺杂高掺杂区2，在硅片1的低掺杂区3上覆盖有磷不可渗透浆料或膜4。
本电池的具体加工步骤如下所述：
硅片1表面首先进行清洗制绒处理，将磷不可渗透浆料或膜4按照一定间隔选择性地覆盖在硅片1表面。磷不可渗透浆料在扩散前需要烘干，然后将此硅片1放入扩散炉中进行扩散，在磷不可渗透浆料或膜4没有覆盖的区域形成高掺杂。然后去除硅片1上的磷不可渗透浆料或膜4，再将硅片1放入扩散炉中进行扩散，用于在磷不可渗透浆料或膜4覆盖的区域形成低掺杂。
硅片1完成选择性扩散后进行去硅磷玻璃，然后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结制成电池成品。

Claims (1)

1、一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片(1)，硅片(1)上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区(3)和需要进行高掺杂高掺杂区(2)，其特征是：在所述的硅片(1)的低掺杂区(3)上覆盖有磷不可渗透浆料或膜(4)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102844840A (zh) * 2010-02-18 2012-12-26 瓦里安半导体设备公司 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102844840A (zh) * 2010-02-18 2012-12-26 瓦里安半导体设备公司 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入
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