CN209729915U - 一种钝化接触的p型mwt电池 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体，电池本体的内部中心处有P型硅，P型硅的后表面形成有二氧化硅层，二氧化硅层的外表面形成有掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层的外表面形成有氮化硅层，氮化硅层的外表面形成有第一金属，第一金属贯穿氮化硅层与掺磷多晶硅层接触，氮化硅层的外表面覆盖有第二金属，P型硅的前表面形成有掺杂硼的P+层，掺杂硼的P+层的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层。本实用新型中，首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率。

Description

一种钝化接触的P型MWT电池

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，尤其涉及钝化接触的P型MWT电池。

背景技术

太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染，在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一，为此，人们研制和开发了太阳能电池，制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电子转换反应。

但是，现有技术中，由于P型晶体硅电池背面钝化膜钝化，背面局部铝背场接触的PERC晶体硅太阳电池已经得到大规模的产业化，产业化效率也达到21.5% 以上。背面局部铝背场接触的接触处少数载流子复合仍旧比较大，限制了产业化PERC晶体硅电池转换效率的进一步提高。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的钝化接触的P型MWT电池。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体，所述电池本体的内部中心处嵌设有P型硅，所述P型硅的后表面形成有二氧化硅层，所述二氧化硅层的外表面形成有掺磷多晶硅层，所述掺磷多晶硅层的外表面形成有氮化硅层，所述氮化硅层的外表面形成有第一金属，所述第一金属贯穿氮化硅层与掺磷多晶硅层接触，所述氮化硅层的外表面覆盖有第二金属，所述P型硅的前表面形成有掺杂硼的P+层，所述掺杂硼的P+层的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层，所述P型硅的后表面中心处设置有金属正电极，所述P型硅的后表面中心处设置有金属负电极,所述金属负电极通过孔洞穿过P型硅与氮化硅层的外表面覆盖。

优选的，所述电池本体共设置有多个，且多个电池本体的底部固定有固定板，所述电池本体的两侧外表面均固定有方形块，所述方形块的一侧外表面沿水平中线开设有滑槽，所述滑槽的内表壁滑动嵌设有滑块。

优选的，所述滑块共设置有多个，且分为多组，每组两个滑块的一侧外表面焊接有固定块，所述固定块的顶部中心处焊接有拉杆，所述固定块的底部固定有毛刷，且毛刷的底部与固定板的顶部形成。

优选的，所述二氧化硅层的厚度为0.5-2nm。

优选的，所述掺磷多晶硅层的厚度为10-40nm。

优选的，所述氮化硅层的厚度为50-200nm。

优选的，所述掺杂硼的P+层的厚度为100-600nm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率，其次，通过对拉杆进行拉动，从而使固定块底部的毛刷可以更好的对固定板顶部进行扫动，使其可以更好的对两两电池本体之间的灰尘进行清理，从而可以更好的减少灰尘对电池本体的使用，使其可以更好的对太阳能进行使用，便于提高使用效果。

附图说明

图1为本实用新型的俯视剖视图。

图2为本实用新型俯视图。

图3为本实用新型的方形块部分正视剖视图。

图中：1、金属负电极；2、氧化铝氮化硅钝化叠层；3、掺杂硼的P+层；4、P型硅；5、二氧化硅层；6、掺磷多晶硅层；7、氮化硅层；8、第一金属；9、第二金属；10、金属正电极；11、固定板；12、方形块；13、滑槽；14、拉杆；15、滑块；16、固定块；17、毛刷；18、电池本体。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参照图1-3，本实用新型提供一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体18，电池本体18的内部中心处嵌设有P型硅4，P型硅4的后表面形成有二氧化硅层5，二氧化硅层5的外表面形成有掺磷多晶硅层6，掺磷多晶硅层6的外表面形成有氮化硅层7，氮化硅层7的外表面形成有第一金属8，第一金属8为银金属，第一金属8贯穿氮化硅层7与掺磷多晶硅层6接触，氮化硅层7的外表面覆盖有第二金属9，第二金属9为铝金属，P型硅4的前表面形成有掺杂硼的P+层3，掺杂硼的P+层3的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层2，P型硅4的后表面中心处设置有金属正电极10，P型硅4的后表面中心处设置有金属负电极1,金属负电极1通过孔洞穿过P型硅4与氮化硅层7的外表面覆盖，首先采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率，其次，通过对拉杆14进行拉动，从而使固定块16底部的毛刷17可以更好的对固定板11顶部进行扫动，使其可以更好的对两两电池本体18之间的灰尘进行清理，从而可以更好的减少灰尘对电池本体18的使用，使其可以更好的对太阳能进行使用，便于提高使用效果。

电池本体18共设置有多个，且多个电池本体18的底部固定有固定板11，通过固定板11可以更好的对电池本体18进行固定，使其在使用的时候，可以更加的稳定，便于使用，电池本体18的两侧外表面均固定有方形块12，通过方形块12可以更好的对滑槽13的位置进行确认，使其在对滑块15进行滑动的时候，可以更加的稳定，方形块12的一侧外表面沿水平中线开设有滑槽13，滑槽13的内表壁滑动嵌设有滑块15，滑块15共设置有多个，且分为多组，每组两个滑块15的一侧外表面焊接有固定块16，固定块16的顶部中心处焊接有拉杆14，通过对拉杆14进行拉动，从而使固定块16进行移动，使其可以更好的带动毛刷17进行移动，从而可以更好的通过毛刷17对固定板11顶部进行扫动，从而可以更好的对灰尘进行处理，减少灰尘对电池本体18的使用，从而可以更好的对电池本体18进行使用，固定块16的底部固定有毛刷17，且毛刷17的底部与固定板11的顶部形成，二氧化硅层5的厚度为0.5-2nm，掺磷多晶硅层6的厚度为10-40nm，氮化硅层7的厚度为50-200nm，掺杂硼的P+层3的厚度为100-600nm，通过设置一定的范围，可以更好的对P型硅4进行使用。

本实用新型的工作原理如下：

采用隧穿钝化层钝化PERC电池的背面，金属电极不需要直接接触硅片，降低金属电极接触处的少子复合，提高电池效率，并且结合MWT技术，电池的受光面主栅线通过孔洞绕穿到硅片背面，减小受光面主栅的遮光，进一步提高电池的效率，通过对拉杆14进行拉动，从而可以更好的对固定块16进行移动，从而使滑块15在滑槽13的内表壁进行滑动，从而使固定块16在滑动的时候，可以更加的稳定，通过固定块16的移动，从而可以更好的对毛刷17进行移动，使其可以更好的对固定板11的顶部上的灰尘进行扫出，使其可以更好的减少灰尘对电池本体18的影响，从而可以更好的对电池本体18进行使用。

本实用新型的工艺流程如下：

通过对P型硅4进行激光打孔，采用半导体激光器作为光源在P型硅4上进行打孔，通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数可以实现对孔的直径大小进行控制，利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性，对P型硅4进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，从而形成类似“凹陷坑”状的绒面，通过进行高温硼扩散 ，使单晶硅呈现空穴型导电P型，腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物，采用浓硝酸氧化、臭氧氧化或热氧化进进行氧化处理，形成厚度不超过2nm的超薄隧穿氧化层，扩散第一步低温通源时只进行低温预沉积，磷源无法向硅片体内扩散（或进行速率非常低的扩散），而仅在硅片表面堆积，经过一定时间通源后，硅片表面形成一定厚度的掺磷多晶硅层6，第二步高温通源时才进行高温扩散，原硅片表面的磷与硅片反应，并向硅片体内扩散，此时硅片中心点与四周扩散速率相同，因此扩散均匀性较好，硅片表面及体内杂质浓度分布均匀，提高硅片方阻均匀性，从而提高电池片最终光电转换效率，采用等离子体增强型化学气相沉积技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，线性微波化学气相沉积技术在P型硅上制备了氧化铝/氮化硅叠层膜，通过金属化形成奥姆接触。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种钝化接触的P型MWT电池，包括电池本体（18），其特征在于：所述电池本体（18）的内部中心处有P型硅（4），所述P型硅（4）的后表面形成有二氧化硅层（5），所述二氧化硅层（5）的外表面形成有掺磷多晶硅层（6），所述掺磷多晶硅层（6）的外表面形成有氮化硅层（7），所述氮化硅层（7）的外表面形成有第一金属（8），所述第一金属（8）贯穿氮化硅层（7）与掺磷多晶硅层（6）接触，所述氮化硅层（7）的外表面覆盖有第二金属（9），所述P型硅（4）的前表面形成有掺杂硼的P+层（3），所述掺杂硼的P+层（3）的外表面形成有氧化铝氮化硅钝化叠层（2），所述P型硅（4）的后表面中心处设置有金属正电极（10），所述P型硅（4）的后表面中心处设置有金属负电极（1）,所述金属负电极（1）通过孔洞穿过P型硅（4）与氮化硅层（7）的外表面覆盖。

2.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述电池本体（18）共设置有多个，且多个电池本体（18）的底部固定有固定板（11），所述电池本体（18）的两侧外表面均固定有方形块（12），所述方形块（12）的一侧外表面沿水平中线开设有滑槽（13），所述滑槽（13）的内表壁滑动嵌设有滑块（15）。

3.根据权利要求2所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述滑块（15）共设置有多个，且分为多组，每组两个滑块（15）的一侧外表面焊接有固定块（16），所述固定块（16）的顶部中心处焊接有拉杆（14），所述固定块（16）的底部固定有毛刷（17），且毛刷（17）的底部与固定板（11）的顶部形成。

4.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述二氧化硅层（5）的厚度为0.5-2nm。

5.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述掺磷多晶硅层（6）的厚度为10-40nm。

6.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述氮化硅层（7）的厚度为50-200nm。

7.根据权利要求1所述的钝化接触的P型MWT电池，其特征在于：所述掺杂硼的P+层（3）的厚度为100-600nm。