CN103236451A - 结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法，该硅超小绒面太阳电池包括：表面具有纳米柱结构的硅衬底；腐蚀该硅衬底的纳米柱结构形成的纳米超小绒面结构；对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边形成的PN结；在该硅衬底具有纳米超小绒面结构的表面形成的钝化层；在该钝化层上形成的叠层钝化层；在该叠层钝化层形成的氧化锌纳米线阵列；以及前电极和背电极。本发明将氧化锌纳米线阵列生长在硅纳米超小绒面上，利用硅纳米超小绒面的减反和陷光能力，提高电池对入射光的吸收和利用，并利用氧化锌纳米线的压电效应和导电性，克服了超小绒面电池存在的表面复合较大，电极接触不良等缺陷。
Description
技术领域
本发明属于高效晶体硅太阳电池领域，尤其涉及一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法。
背景技术
近年来，能源紧缺问题和全球变暖的环境问题日益严重，人类对清洁的可再生能源需求空前急切。光伏太阳能是一种重要的可再生能源，具有能源广泛，地域限制少，安全可靠等诸多优势。
自1954年第一块硅太阳电池应用至今，太阳电池经过了第一代单晶硅太阳电池、第二代薄膜电池的发展，其技术发展趋势是成本降低，效率提高。
目前市场应用的太阳电池以晶体硅电池为主，但成本高仍然是限制光伏产业发展的瓶颈。如何提高效率以降低成本成为太阳电池研究的关注点。
由于光谱损失等原因，晶硅电池的理论极限效率为30％左右。而目前产业化的晶硅电池平均效率约为17％。造成电池的实际效率与理论效率存在差距的主要原因包括：光学损失、复合损失以及电极接触等，而其中光学损失占了很大一部分。
为了减少光学损失，提高电池效率，人们制备了多种陷光结构，包括了多孔硅、金字塔绒面以及纳米线结构等，这些结构的特点是一方面可以减少入射光反射，另一方面增加了光在电池体内的光路径，加强对光的吸收。但是目前综合性能、制备成本以及规模化应用等方面，这些陷光结构均并不很理想。因此我们提出了一种超小绒面结构及其制备方法，既有良好的陷光性能又能够低成本规模化的制备，具有很大的市场应用前景。
目前的超小绒面电池性能不是非常理想，这是由于超小绒面尺寸小，绒面的起伏比较大，这样常规的氮化硅钝化对其表面很难全部覆盖，造成了电池的表面复合较大；同时，由于电极与绒面表面接触面积的减少，接触电阻增大，影响了电池的填充因子。这些都直接影响太阳电池的效率。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面，本发明实施例提出了一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，包括：表面具有纳米柱结构的硅衬底；腐蚀该硅衬底的纳米柱结构形成的纳米超小绒面结构；对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边形成的PN结；在该硅衬底具有纳米超小绒面结构的表面形成的钝化层；在该钝化层上形成的叠层钝化层；在该叠层钝化层形成的氧化锌纳米线阵列；形成于该氧化锌纳米线阵列上的前电极；以及形成于该硅衬底背面的背电极。
上述方案中，所述硅衬底为单晶或多晶硅衬底，掺杂类型为P型或者N型。
上述方案中，所述纳米超小绒面结构为尺寸在20～2000nm，长度在0.01～4μm的纳米结构的减反绒面层。
上述方案中，所述PN结的结深为200～600nm。
上述方案中，所述钝化层为氧化硅，厚度为5～20nm。
上述方案中，所述叠层钝化层为氮化硅钝化层，厚度为20～100nm。
上述方案中，所述氧化锌纳米线阵列，其中氧化锌纳米线直径为10～100nm，长度为0.1～10μm。
上述方案中，所述前电极是丝网印刷在硅衬底正面的银浆料，所述背电极是丝网印刷在硅衬底背面的铝浆料，该前电极及背电极是经过高温烧结，形成欧姆接触。
根据本发明的另一个方面，本发明实施例提出了一种制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，包括：清洗硅衬底；在硅衬底的一面湿法腐蚀或者干法刻蚀形成纳米超小绒面结构；清洗，去除杂质和缺陷；对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边，形成PN结；对具有纳米超小绒面结构的硅衬底表面进行热氧化形成氧化硅钝化层，并在氧化硅钝化层沉积氮化硅钝化层进行叠层钝化形成叠层钝化层；在该叠层钝化层生长氧化锌纳米线形成氧化锌纳米线阵列；以及采用丝网印刷来完成前后电极的制作，并烧结完成电池制备。
上述方案中，所述清洗硅衬底的步骤中，是将硅衬底放入浓H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再置入HF溶液，最后用去离子水清洗。
上述方案中，所述在硅衬底的一面湿法腐蚀或者干法刻蚀形成纳米超小绒面结构的步骤中，所述湿法腐蚀为金属诱导化学腐蚀方法，腐蚀时间为2分钟～60分钟；所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀。
上述方案中，所述清洗，去除杂质和缺陷的步骤中，所述清洗是将硅衬底置于硝酸中清洗，时间为0.1小时～3小时，再放入酸性溶液中腐蚀0.2分钟-50分钟，然后用去离子水清洗。
上述方案中，所述对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边，形成PN结的步骤中，所述扩散为n型或p型扩散，对P型衬底采用n型扩散，对N型衬底采用p型扩散。
上述方案中，所述n型扩散为磷源扩散，所述p型扩散为硼源扩散或铝推进。
上述方案中，所述对具有纳米超小绒面结构的硅衬底表面进行热氧化形成氧化硅钝化层的步骤中，采用干氧氧化方法，温度600～890℃，时间2～80分钟，氧化硅钝化层的厚度为2～200nm。
上述方案中，所述在氧化硅钝化层沉积氮化硅钝化层进行叠层钝化形成叠层钝化层的步骤中，采用PECVD方法沉积氮化硅，氮化硅的厚度为20～200nm。
上述方案中，所述在该叠层钝化层生长氧化锌纳米线形成氧化锌纳米线阵列的步骤中，是在该叠层钝化层生长一层氧化锌纳米线阵列，生长的方法包括水热法，氧化锌纳米线直径为2nm～100nm，长度为0.01μm～10μm。
上述方案中，所述采用丝网印刷来完成前后电极的制作的步骤中，丝网印刷前电极采用银浆料，背电极采用铝浆料。
上述方案中，所述采用丝网印刷来完成前后电极的制作的步骤中，所述烧结为无特殊气氛保护的高温烧结，形成电极的欧姆接触。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法，纳米超小绒面的引入能够有效减少电池表面的反射率，增加了电池对入射光的吸收和利用。同时，在超小绒面上生长氧化锌纳米线阵列，利用其压电特性产生的场效应钝化效果减少了电池表面的复合，而其导电性则改善了电池电极的接触性能。这样解决了超小绒面结构引入带来的电池缺陷，提高了电池转换效率。
2、本发明提供的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法，在已有的制备超小绒面电池的基础上，提出了创新的制备方法，以提高晶硅太阳能电池的转换效率，降低太阳能电池的生产成本，并且能很好地与现有的太阳电池制备工艺兼容。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为依照本发明实施例的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的结构示意图；
图2为依照本发明实施例的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法流程图；
图3到图8为依照本发明实施例的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的工艺流程图。
具体实施方式
本发明通常涉及一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”及/或“上方”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
请参考图1，图1为依照本发明实施例的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的结构示意图，该硅超小绒面太阳电池包括：表面具有纳米柱结构的硅衬底；腐蚀该硅衬底的纳米柱结构形成的纳米超小绒面结构；对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边形成的PN结；在该硅衬底具有纳米超小绒面结构的表面形成的钝化层；在该钝化层上形成的叠层钝化层；在该叠层钝化层形成的氧化锌纳米线阵列；形成于该氧化锌纳米线阵列上的前电极；以及形成于该硅衬底背面的背电极。
其中，所述硅衬底为单晶或多晶硅衬底，掺杂类型为P型或者N型。所述纳米超小绒面结构为尺寸在20～2000nm，长度在0.01～4μm的纳米结构的减反绒面层。所述PN结的结深为200～600nm。所述钝化层为氧化硅，厚度为5～20nm。所述叠层钝化层为氮化硅钝化层，厚度为20～100nm。所述氧化锌纳米线阵列，其中氧化锌纳米线直径为10～100nm，长度为0.1～10μm。所述前电极是丝网印刷在硅衬底正面的银浆料，所述背电极是丝网印刷在硅衬底背面的铝浆料，该前电极及背电极是经过高温烧结，形成欧姆接触。
基于图1所示的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，图2示出了依照本发明实施例的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤101：清洗硅衬底；
步骤102：在硅衬底的一面湿法腐蚀或者干法刻蚀形成纳米超小绒面结构；
步骤103：清洗，去除杂质和缺陷；
步骤104：对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边，形成PN结；
步骤105：对具有纳米超小绒面结构的硅衬底表面进行热氧化形成氧化硅钝化层，并在氧化硅钝化层沉积氮化硅钝化层进行叠层钝化形成叠层钝化层；
步骤106：在该叠层钝化层生长氧化锌纳米线形成氧化锌纳米线阵列；
步骤107：采用丝网印刷来完成前后电极的制作；以及
步骤108：烧结完成电池制备。
在步骤101中，首先对硅衬底201进行清洗。其中硅衬底可以是p型硅片，也可以n型硅片。优选的，采用p型硅衬底，步骤101采用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸30分钟，再置入HF溶液1分钟，最后用去离子水清洗。
接着在步骤102中，在硅衬底201的纳米柱结构上腐蚀形成纳米超小绒面结构，如图3所示。其中，腐蚀形成超小绒面，可以是湿法腐蚀也可以是干法刻蚀。优选的，采用湿法腐蚀的方法。
例如在具体实施例中，采用HF/AgNO3溶液对硅片进行腐蚀，腐蚀的时间为30分钟，形成纳米超小绒面结构。绒面直径为20～200nm，长度为0.2～2μm。
在步骤103中，对图3所述结构的硅衬底进行清洗，去除杂质和缺陷。
优选的，步骤103中的清洗为将硅片置于硝酸中清洗，时间为1～2小时，再放入HF溶液1分钟，然后用去离子水清洗；
在步骤104中，对有超小绒面的硅衬底201进行扩散，清洗，刻边形成PN结202，如图4所示。
在本发明实施例中，对P型衬底可以采用磷扩散源，包括液态源和固态源；对N型衬底可以采用硼扩散源，包括液态源和固态源。优选的，所述扩散为在p型硅衬底上，以三氯氧磷扩为散源，扩散后去边和去磷硅玻璃。形成PN结202。
通过步骤104，形成的PN结结深为200～600nm。
例如在具体实施例中，可以采用太阳能电池生产线上成熟的扩散工艺来实现，pn结结深为300nm。扩散完成后，采用太阳能电池刻蚀机，去除边缘处的扩散区域，然后使用稀释的HF溶液(HF与去离子水的体积比为1：20)浸泡180秒，再经过去离子水的冲洗，用甩干机甩干。
在步骤105中，在硅衬底201表面形成一层氧化硅薄层203，以起到钝化的效果，如图5所示。这里，生长氧化硅层的方法可以为干氧自氧化、湿氧自氧化以及PECVD沉积氧化硅。优选的，步骤105采用干氧自氧化，在硅表面氧化形成钝化层，减小表面复合对电池性能的影响。氧化的温度为700～800℃，时间10～30分钟。生长的氧化硅薄层厚度为5～20nm。
例如在具体实施例中，采用管式氧化炉进行氧化，温度为700℃，时间为20分钟，生长的氧化硅厚度为10nm。
在步骤105中，在有超小绒面一侧的硅衬底201的氧化层203上生长一层氮化硅薄膜204，以进行叠层钝化，如图6所示。这里的氮化硅生长可以采用PECVD、ALD或者APCVD。优选的，步骤105采用PECVD沉积氮化硅层，实现叠层钝化，提高电池性能。氮化硅在高真空密闭环境中沉积，厚度为20～200nm。
在步骤106中，在有超小绒面一侧的硅衬底201上生长氧化锌纳米线阵列205，如图7所示，进行场效应钝化和电极接触改善。这里氧化锌的制备可以采用水热法，溶胶凝胶法，模板法等，优选的，步骤106采用水热法制备氧化锌纳米线阵列，生长的氧化锌纳米线直径为10～100nm，长度为0.1～10μm。
在步骤107中，在硅衬底201的背面，即没有超小绒面的一面制作背电极206，在硅衬底201的正面，即有超小绒面一面制作正电极207，如图8所示，以得到太阳能电池的前后电极。制作背电极206可以采用丝网印刷浆料并烧结，或沉积金属并退火的方式来完成，浆料或沉积的金属随衬底的不同而有所区别：对于p型衬底201，采用Al浆或沉积金属Al；对于n型衬底201，采用Ag浆或沉积金属Ag，以能够和衬底202形成良好的欧姆接触为准。
制作正电极207可以采用丝网印刷浆料并烧结，或沉积金属并退火的方式来完成，浆料或金属一般选择Ag。
优选的，步骤107采用丝网印刷Al浆，在p型硅衬底201背面制作背电极206。采用丝网印刷Ag浆，在硅衬底201正面制作正电极207。
例如在具体实施例中，可以采用太阳能电池生产线上使用的丝网印刷技术，印刷铝背场，210℃烘烤2分钟。然后丝网印刷正面银电极，230℃烘烤3分钟。
在步骤108中，对制备完前后电极的硅衬底进行高温烧结，以形成良好欧姆接触，如图8所示。烧结可以采用链式烧结炉或者管式烧结炉。
优选的，步骤108采用链式烧结炉进行烧结，形成欧姆接触。
完成对该具有氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的制备。
需要指出的是，上述关于步骤101到步骤108的具体实施例方式仅为简单清楚描述本发明原理的示意性举例，并非对本发明作任何形式上的限制，尤其是一些可通过现有工艺实现的步骤。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。本领域普通技术人员显然可知，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
本发明与现有技术相比具有以下明显的优点和有益效果：
1、超小绒面与传统的晶体硅表面以及绒面相比，能够有效降低电池表面反射率，并有良好的陷光作用，提高对可见光和红外波段光的吸收利用；
2、将氧化锌纳米线生长在超小绒面上，一方面能够利用氧化锌的压电效应对超小绒面电池表面进行场效应钝化，减少表面复合；另一方面利用氧化锌的导电性改善电池的电极接触性能。
在工艺制备方面较其他工艺有如下实用优点：
1、本发明采用腐蚀法特别是湿法腐蚀法制备超小绒面，适合大规模生产，能与现有生产工艺相兼容；
2、本发明采用化学法生长氧化锌纳米线阵列，能够减少成本，适合产业的大规模生产；
3、制备的电池采用硅基材料和氧化锌，这些原料比较充足，成本较低，而且硅加工工艺相当成熟，有利于规模化生产的推广应用。
综上所述，本发明为一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法，在已有的湿法腐蚀制备超小绒面电池的基础上，提出了创新的制备方法，以提高晶硅太阳能电池的转换效率，降低太阳能电池的生产成本，并且能很好地与现有的太阳电池制备工艺兼容，从而走向实用化，创造价值。本发明具有上述诸多的优点及实用价值，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，从而更加适于实用。
虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。
此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。
Claims (19)
1.一种结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，包括：
表面具有纳米柱结构的硅衬底；
腐蚀该硅衬底的纳米柱结构形成的纳米超小绒面结构；
对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边形成的PN结；
在该硅衬底具有纳米超小绒面结构的表面形成的钝化层；
在该钝化层上形成的叠层钝化层；
在该叠层钝化层形成的氧化锌纳米线阵列；
形成于该氧化锌纳米线阵列上的前电极；以及
形成于该硅衬底背面的背电极。
2.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述硅衬底为单晶或多晶硅衬底，掺杂类型为P型或者N型。
3.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述纳米超小绒面结构为尺寸在20～2000nm，长度在0.01～4μm的纳米结构的减反绒面层。
4.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述PN结的结深为200～600nm。
5.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述钝化层为氧化硅，厚度为5～20nm。
6.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述叠层钝化层为氮化硅钝化层，厚度为20～100nm。
7.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述氧化锌纳米线阵列，其中氧化锌纳米线直径为10～100nm，长度为0.1～10μm。
8.根据权利要求1所述的结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池，其特征在于，所述前电极是丝网印刷在硅衬底正面的银浆料，所述背电极是丝网印刷在硅衬底背面的铝浆料，该前电极及背电极是经过高温烧结，形成欧姆接触。
9.一种制备权利要求1至8中任一项所述结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，包括：
清洗硅衬底；
在硅衬底的一面湿法腐蚀或者干法刻蚀形成纳米超小绒面结构；
清洗，去除杂质和缺陷；
对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边，形成PN结；
对具有纳米超小绒面结构的硅衬底表面进行热氧化形成氧化硅钝化层，并在氧化硅钝化层沉积氮化硅钝化层进行叠层钝化形成叠层钝化层；
在该叠层钝化层生长氧化锌纳米线形成氧化锌纳米线阵列；以及
采用丝网印刷来完成前后电极的制作，并烧结完成电池制备。
10.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述清洗硅衬底的步骤中，是将硅衬底放入浓H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再置入HF溶液，最后用去离子水清洗。
11.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述在硅衬底的一面湿法腐蚀或者干法刻蚀形成纳米超小绒面结构的步骤中，所述湿法腐蚀为金属诱导化学腐蚀方法，腐蚀时间为2分钟～60分钟；所述干法刻蚀采用反应离子刻蚀。
12.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述清洗，去除杂质和缺陷的步骤中，所述清洗是将硅衬底置于硝酸中清洗，时间为0.1小时～3小时，再放入酸性溶液中腐蚀0.2分钟-50分钟，然后用去离子水清洗。
13.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述对该具有纳米超小绒面结构的硅衬底进行扩散、清洗和刻边，形成PN结的步骤中，所述扩散为n型或p型扩散，对P型衬底采用n型扩散，对N型衬底采用p型扩散。
14.根据权利要求13所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述n型扩散为磷源扩散，所述p型扩散为硼源扩散或铝推进。
15.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述对具有纳米超小绒面结构的硅衬底表面进行热氧化形成氧化硅钝化层的步骤中，采用干氧氧化方法，温度600～890℃，时间2～80分钟，氧化硅钝化层的厚度为2～200nm。
16.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述在氧化硅钝化层沉积氮化硅钝化层进行叠层钝化形成叠层钝化层的步骤中，采用PECVD方法沉积氮化硅，氮化硅的厚度为20～200nm。
17.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述在该叠层钝化层生长氧化锌纳米线形成氧化锌纳米线阵列的步骤中，是在该叠层钝化层生长一层氧化锌纳米线阵列，生长的方法包括水热法，氧化锌纳米线直径为2nm～100nm，长度为0.01μm～10μm。
18.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述采用丝网印刷来完成前后电极的制作的步骤中，丝网印刷前电极采用银浆料，背电极采用铝浆料。
19.根据权利要求9所述的制备结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池的方法，其特征在于，所述采用丝网印刷来完成前后电极的制作的步骤中，所述烧结为无特殊气氛保护的高温烧结，形成电极的欧姆接触。
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