CN201233896Y - 采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池 - Google Patents

采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。它包括硅片，硅片表面下的高掺杂区和低掺杂区，在高掺杂区上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆，在低掺杂区上具有该磷浆中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片表面作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层。本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

Description

采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。
背景技术
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换。
晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高其光电转换效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提供一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，该太阳能电池具有较高的光电转换效率。
本实用新型所采用的技术方案为：一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片，硅片表面下的高掺杂区和低掺杂区，在高掺杂区上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆，在低掺杂区上具有该磷浆中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片表面形成的作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层。
本实用新型的有益效果是：本太阳电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷浆，5.沉积磷层。
具体实施方式
如图1所示的一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片1，硅片1表面下的高掺杂区2和低掺杂区3，在高掺杂区2上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆4，在低掺杂区3上具有在扩散过程中挥发到扩散炉中的该磷浆4中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片1表面形成的作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层5。
本电池的具体加工步骤如下所述：
硅片1表面首先进行清洗制绒处理，然后将磷浆4按照一定间隔选择性地印刷在硅片1表面，即将磷浆4如电极栅线状印刷到硅片1表面。烘干磷浆4，然后将此硅片1放入链式扩散炉中进行扩散，作为扩散磷源的磷浆4在高掺杂区2形成高掺杂。磷浆4中的部分磷原子在链式扩散炉中会挥发到空气中，最后沉积到磷浆4的非印刷区，沉积到非印刷区的沉积磷层5作为扩散磷源在低掺杂区3形成低掺杂。最后去硅片1表面形成的磷硅玻璃。
硅片1完成选择性扩散后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结成成品。

Claims (1)

1、一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池，包括硅片(1)，硅片(1)表面下的高掺杂区(2)和低掺杂区(3)，其特征是：在所述的高掺杂区(2)上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆(4)；
在低掺杂区(3)上具有该磷浆(4)中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片(1)表面形成的作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层(5)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102844840A (zh) * 2010-02-18 2012-12-26 瓦里安半导体设备公司 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入

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