CN206878008U - 一种多晶硅太阳能电池 - Google Patents
一种多晶硅太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206878008U CN206878008U CN201720506208.XU CN201720506208U CN206878008U CN 206878008 U CN206878008 U CN 206878008U CN 201720506208 U CN201720506208 U CN 201720506208U CN 206878008 U CN206878008 U CN 206878008U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- polysilicon
- solar cell
- silicon
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅太阳能电池,包括多晶硅,在多晶硅上表面设有二氧化硅层,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层、减反膜、多晶硅吸收层、发射层、TCO玻璃以及多个电极。本实用新型制造工艺简单、结构简单、光电转换效率高、能够有效解决太阳能电池电位诱导衰减问题。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能能源利用技术领域,特别是指一种多晶硅太阳能电池。
背景技术
能源短缺和环境污染是世纪人类所面临的两个重大问题,成为国际社会经济发展的瓶颈。太阳能作为清洁无污染的可再生能源提供了解决这两个问题的最好方案。目前,如何研制出光电转换效率高、寿命长、性能稳定以及成本低廉的太阳电池已经引起了全世界的广泛关注。因此,基于时代发展的需要,太阳电池具有广阔的发展空间。
太阳能光伏发电市场正蓬勃发展,在过去10年间,太阳电池市场每年以40%的比例迅速增长,其中晶体硅太阳电池占据了太阳电池近90%的市场份额。晶体硅太阳电池组件中硅晶片的成本约占太阳电池总成本的50%,即使生产技术不断精进与发展!进一步大幅降低晶体硅太阳电池的制备成本也已经达到极限;因此,薄膜化或薄层化成为降低太阳电池成本的主要手段和发展趋势。薄膜太阳电池(TFSC)较晶体硅太阳电池,具有弱光性能优良、原材料消耗大幅降低和成本低等优势。并且,TFSC还可在柔性衬底上制备,具有韧性好、可折叠、可卷曲以及可大面积生产等优点,未来可应用于衣服、汽车玻璃、飞机以及建筑物等表面。
另外,现有的多晶硅太阳能电池的结构复杂,而且,在多晶硅衬底的生长过程中,由于热应力的作用,会在晶粒中产生大量的缺陷。其中,悬挂键是多晶硅中的主要缺陷之一,存在于多晶硅的畴界处,成为载流子的俘获中心,导致载流子迁移率下降。且悬挂键的存在增加电子 - 空穴的复合损失,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。为了增加载流子的迁移率,提高光电转换效率。通常在所述多晶硅衬底的上表面沉积一磷或神层,使其与所述多晶硅衬底作用以形成掺杂硅层接着,在所述掺杂硅层的上表面通过丝网印刷形成金属电极。然而,形成掺杂硅层需在高温条件下进行,工艺复杂,另外,丝网印刷所形成的金属电极宽度较大,造成这光面积较大,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。
正面氮化硅钝化层与硅片之间没有隔离层,很容易出现PID(电位诱导衰减)现象。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种制造工艺简单、结构简单、光电转换效率高、能够有效解决太阳能电池电位诱导衰减问题的多晶硅太阳能电池。
本实用新型所述的一种多晶硅太阳能电池,包括多晶硅,在多晶硅上表面设有二氧化硅层,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层、减反膜、多晶硅吸收层、发射层、TCO玻璃以及多个电极。
进一步改进,所述的TCO玻璃由平板玻璃表面通过均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜而成。
本实用新型的有益效果在于:
本实用新型在发射区使用了重掺杂工艺,发射区重掺杂能够形成顶层浅结重掺杂,大大提高了太阳能电池的能量转换效率,节约了成本;该电池还具有结构简单,制造工艺简单等优点。制备工艺简单,能进一步发展成更大的主动矩阵显示屏;含TCO的多晶硅薄膜电池结构可极大提高光生载流子的收集率。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层,能够有效的解决太阳能电池电位诱导衰减问题。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型所述的一种多晶硅太阳能电池,包括多晶硅1,在多晶硅上表面设有二氧化硅层2,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层3;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层4、减反膜5、多晶硅吸收层6、发射层7、TCO玻璃8以及多个电极9。
所述的TCO玻璃8由平板玻璃表面通过均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜而成。
本实用新型在发射区使用了重掺杂工艺,发射区重掺杂能够形成顶层浅结重掺杂,大大提高了太阳能电池的能量转换效率,节约了成本;该电池还具有结构简单,制造工艺简单等优点。制备工艺简单,能进一步发展成更大的主动矩阵显示屏;含TCO的多晶硅薄膜电池结构可极大提高光生载流子的收集率。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层,能够有效的解决太阳能电池电位诱导衰减问题。
本实用新型提供了一种多晶硅太阳能电池板,以上所述仅是本实用新型的优选实施方法,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以作出若干改进,这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种多晶硅太阳能电池,其特征在于,包括多晶硅,在多晶硅上表面设有二氧化硅层,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层、减反膜、多晶硅吸收层、发射层、TCO玻璃以及多个电极。
2.根据权利要求1所述的多晶硅太阳能电池,其特征在于,所述的TCO玻璃由平板玻璃表面通过均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜而成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720506208.XU CN206878008U (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种多晶硅太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720506208.XU CN206878008U (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种多晶硅太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206878008U true CN206878008U (zh) | 2018-01-12 |
Family
ID=61339253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720506208.XU Expired - Fee Related CN206878008U (zh) | 2017-05-09 | 2017-05-09 | 一种多晶硅太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206878008U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106972067A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-07-21 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池 |
-
2017
- 2017-05-09 CN CN201720506208.XU patent/CN206878008U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106972067A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-07-21 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种多晶硅太阳能电池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107564989A (zh) | 一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计 | |
CN103346214B (zh) | 一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法 | |
CN104332522B (zh) | 一种石墨烯双结太阳能电池及其制备方法 | |
CN203932078U (zh) | 一种背钝化太阳能电池 | |
CN206293472U (zh) | 一种单节钙钛矿太阳能电池及其钙钛矿太阳能电池模块 | |
CN107946382A (zh) | Mwt与hit结合的太阳能电池及其制备方法 | |
CN105576127B (zh) | 一种多异质结界面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN206878008U (zh) | 一种多晶硅太阳能电池 | |
CN208580749U (zh) | 一种用于叠片光伏组件的电池及叠片光伏组件 | |
CN102522453B (zh) | 一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法 | |
CN206878022U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
CN108831968A (zh) | 一种n型硅基太阳能电池及其制备方法 | |
CN210052747U (zh) | 一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构 | |
CN106972067A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池 | |
CN104167472B (zh) | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN104269447B (zh) | 一种多晶硅太阳能电池板 | |
CN205944102U (zh) | 一种双层减反射膜的多晶硅片 | |
CN103178163A (zh) | 一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法 | |
CN106910792A (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
CN101635318A (zh) | 太阳能电池 | |
CN204118089U (zh) | 一种太阳电池 | |
CN104952961A (zh) | 一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池 | |
CN203883020U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
CN110600500A (zh) | 一种钙钛矿与n型硅基背接触电池叠加电池结构 | |
CN203179931U (zh) | P型硅衬底异质结电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180112 Termination date: 20210509 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |