CN1993736A - 磁记录介质的硅基底及其制造方法以及磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于磁记录介质的硅基底，即使其为易碎材料制成的硅基底，也不易于在基底边缘面上产生碎片或者在基底上产生裂缝，并且防止从基底边缘面上产生的碎屑，以及防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。因此，在用于磁记录介质的硅基底中，在基底的主表面与边缘面之间提供了倒角部分，该边缘面与基底的倒角部分具有镜面光洁度，并且半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于基底主表面与倒角部分之间。在形成该曲表面过程中，制备具有叠置的多个硅基底与间隔物的硅基底叠层，并且刷子抛光该基底中心孔的内圆周和该基底的外圆周。

Description

磁记录介质的硅基底及其制造方法以及磁记录介质

技术领域

本发明涉及一种用于小尺寸磁记录介质的硅基底，该磁记录介质用作信息处理装置的记录介质。

本申请要求2004年8月11日提交的日本专利申请No.2004-234366、2005年4月20日提交的日本专利申请No.2005-122175和2004年8月23日提交的美国临时申请No.60/603272的优先权，，这些申请的内容通过被引用而并入本申请。

背景技术

随着近年来信息装置应用范围的扩展，磁记录介质的存储容量不断增长。特别是，主要作为计算机外部存储器的磁盘的存储容量和存储密度逐年递增。然而，为了进行更高密度的记录，需要进行改进。例如，由于笔记本个人计算机和掌上个人计算机的发展，需要尺寸小并且紧凑的耐久记录器。因此，需要能够进行更高密度记录并且具有大机械强度的小尺寸磁记录介质。此外，近年来，已经将超小型磁记录介质用于一些导航系统和便携式音乐再现单元中。

至今，已经将包括铝合金、具有NiP镀层的铝合金的材料或者玻璃基底用作作为记录介质的磁盘的基底。然而，铝合金基底的耐磨性差并且可加工性低，因此向该铝基底涂敷NiP镀层，以便补偿这些缺点。然而，其上具有NiP镀层的铝合金仍然具有在高温加工过程中容易弯曲、磁化等缺点。此外，玻璃基底的问题在于当回火增强时，在表面上出现应力层，并且在玻璃基底上形成压缩应力，使得当加热该基底时玻璃基底容易变形。

在超小型磁记录介质的直径为1英寸(25.4mmФ)或者0.85英寸(21.6mmФ)并且能够以高密度进行记录的情况下，基底的弯曲是灾难性的缺陷。对于微小型磁记录介质的基底而言，需要薄并且难以因外部受力而变形，以及具有平面表面和其上能够容易地形成磁记录层的材料。

因此，提出使用硅基底作为磁记录介质，其通常用作半导体器件基底(例如参见日本待审专利申请，首次公开No.06-76282)。

单晶硅具有许多优点，例如相较于铝，其密度较低、杨式模量较大、热膨胀系数较小以及高温性能较好，并且导电。因此，希望将其用作磁记录介质的基底材料。此外，基底的直径越小，冲击压力越小，因此即使使用硅基底，也可以制造出耐久的磁记录设备。

通常，为了制造磁记录介质的基底，首先利用Czochralski方法制造单晶硅结晶块。接着，在其中央制造开孔，继而将其切削成预定的厚度。根据其用途，利用研磨机等通过使其中心孔及其外圆周的边缘部分倒角，将经切削的环形盘抛光成镜面，继而研磨并抛光前后表面、外圆周边缘面以及倒角部分。

因为硅基底的硅材料为易碎的，所以在该基底经过上述制造过程时存在问题，容易产生裂缝和碎片。如果产生裂缝或者碎片，不仅会造成磁记录介质产量的减少，所产生的颗粒还会在记录和再现过程中产生错误，以及在记录和再现过程中造成磁头的撞击。

为了由易碎材料获得没有裂缝或碎片的磁记录介质基底，提出了一种方法，其中基底中心孔内圆周和基底外圆周的倒角角度大于或等于20度并且小于或等于24度，并且使倒角面长度大于或等于0.03mm并且小于或等于0.15mm(例如参见日本待审专利申请，首次公开No.07-249223)。

通过形成具有上述形式的基底，能够减少制造过程中由于处理或者落下而在基底上造成的裂缝、碎片等等。因此显著提高了制造产量。

此外，关于玻璃基底，为了实现高密度记录，设想磁头在磁记录介质上更加接近地浮动，并且记录和再现的方法正在逐渐由接触起停(CSS)方法向装载和卸载方法(斜面加载方法)转变。这些记录和再现方法还需要安装可靠性高的基底，该基底在记录和再现过程中没有错误，并且在记录和再现过程中磁头不会撞击。

对于满足这个目的的基底而言，提出了一种将半径大于或等于0.003mm并小于0.2mm的曲表面插入在至少基底内外圆周的边缘面与倒角部分之间，或者基底的主表面与倒角部分之间(例如，参见日本待审专利申请，首次公开No.2002-100031)。

利用这种基底，可以获得安装可靠性高的磁记录介质，由此在记录和再现过程中不会出现错误，以及在记录和再现过程中不会出现磁头的撞击。

[专利文献1]日本专利申请，首次公开No.昭06-76282

[专利文献2]日本专利申请，首次公开No.昭07-249223

[专利文献3]日本专利申请，首次公开No.2002-10031

发明内容

然而，因为硅基底易碎，利用具有日本专利申请首次公开No.昭07-249223和日本专利申请首次公开No.2002-10031中所述形状的基底，将基底边缘面安装到加工盒中的基底插座中。因此，由于运输过程中的震动造成在基底边缘面上出现碎片和在基底上出现裂缝，以及由于与加工盒摩擦产生的硅粉末的碎片引起颗粒污染，从而造成有缺陷的磁记录介质产品。

因此，本发明的目的是提供一种基底，尽管该基底为易碎材料制成的硅基底，也不易于在基底边缘面上产生碎片或者在基底上产生裂缝，还提供一种基底形状，其能够防止由于基底边缘面产生的碎屑，以及防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。

为了解决上述问题，提供了以下的发明：(1)用于磁记录介质的硅基底，其中在基底的主表面与边缘面之间提供了倒角部分，其中边缘面与基底的倒角部分被镜面抛光，并且在基底的主表面与倒角部分之间插入半径大于或等于0.01mm并小于0.3mm的曲表面；(2)根据(1)的用于磁记录介质的硅基底，其中主表面与边缘面之间的倒角部分位于基底的外圆周侧上；(3)根据(1)或(2)的用于磁记录介质的硅基底，其中主表面与边缘面之间的倒角部分位于基底的内圆周侧上，(4)根据(1)至(3)中任一项的用于磁记录介质的硅基底，其中倒角部分的长度为0.05到0.16mm；(5)根据(1)至(4)中任一项的用于磁记录介质的硅基底，其中该硅基底为在中心具有圆形孔的盘形基底，并且中心的圆形孔直径的尺寸精确度在±20μm内；(6)根据(1)至(5)中任一项的用于磁记录介质的硅基底，其中边缘面与倒角部分的表面粗糙度小于或等于1μmRmax；(7)根据(1)至(6)中任一项的用于磁记录介质的硅基底，其中基底主表面的表面粗糙度小于或等于10nm Rmax；(8)一种制造用于磁记录介质的硅基底的方法，包括：使中心具有圆形孔的盘形硅基底浸入包含自由抛光颗粒的抛光液体中，通过与抛光刷滚动接触来抛光硅基底的外圆周边缘面和/或内圆周边缘面的工序；(9)根据(8)的制造用于磁记录介质的硅基底的方法，其中在使内外圆周倒角之后实施通过与抛光刷滚动接触的抛光工序；(10)根据(8)或(9)的制造用于磁记录介质的硅基底的方法，其中将由聚酰胺树脂制成的刷子用作上述的抛光刷；以及(11)一种通过在根据(1)至(7)任一项的磁记录介质的硅基底的主表面上至少形成磁性层而制成的磁记录介质。

根据本发明，在用于磁记录介质的硅基底中，在该基底的主表面与边缘面之间提供了倒角部分，该基底的边缘面与倒角部分被镜面抛光，并且将半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面插在该基底的主表面与倒角部分之间。因此，该基底的角部为光滑的，该基底的角部不会被削掉，所以从该基底上不会产生颗粒，并且能够防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。因此，可以降低有缺陷的磁记录介质发生的比率，以及防止在记录和再现过程中出现错误。

附图说明

图1为本发明的用于磁记录介质的硅基底的透视截面图；

图2为说明图1所示的用于磁记录介质的硅基底各个部分的尺寸的简图；

图3为表示图1所示的用于本发明的磁记录介质的硅基底的放大的外圆周部分的简图；

图4为说明测量曲表面半径R的方法的简图；

图5为表示用于本发明中的叠层的硅基底的一部分的简图；

图6为说明利用刷子抛光硅基底中心孔的内圆周的方法的简图；

图7为说明利用刷子抛光硅基底外圆周的方法的简图。

具体实施方式

下文中详细说明本发明。

图1为磁记录介质的被截断的硅基底的透视图。此外，图2为说明如图1所示的本发明的用于磁记录介质的硅基底的各个尺寸的简图。

如图1所示，由环形盘制成用于磁记录介质1的硅基底1。该盘的前后为用于进行磁记录的主表面2和3。在主表面2和3与圆周边缘面4之间形成外圆周倒角部分5，并且在主表面2和3与内圆周边缘面7之间形成内圆周倒角部分6。

将主表面2和3、外圆周边缘面4、内圆周边缘面7、外圆周倒角部分5和内圆周倒角部分6中的每一个抛光为镜面表面。

此外，在本发明的用于磁记录介质1的硅基底中，在主表面2和3与外圆周倒角部分5的相交部分以及主表面2和3与内圆周倒角部分6的相交部分处形成半径R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。

通过提供上述曲表面，易碎材料制成的硅基底的角部部分不会被削掉，从而减少了碎片的出现，并且减少了由于摩擦加工盒产生的碎屑造成的颗粒污染导致的有缺陷的磁记录介质产品的出现，以及记录和再现过程中错误的出现。

图2表示了本发明的用于磁记录介质1的硅基底各个部分的尺寸。在该图中，D表示该基底的外径，d表示基底中心孔的内径，T表示基底的厚度，以及L表示倒角部分的长度。表1表示了作为本发明目的的用于磁记录介质的硅基底各个部分的测量值的实例。如表1所示，对于直径为0.85英寸到3.5英寸的基底而言，曲表面的适当半径R为0.01mm到0.3mm。

[表1]                                                 单位：mm

基底额定英寸	基底外径(D)	基底圆形孔内径(d)	基底厚度(T)	倒角部分长度(L)
					0.85	21.6	6	0.381	0.07
1	27.6	7	0.381	0.07
					1.89	48	12	0.508	0.12
2.5	65	20	0.635	0.15
					3.3	84	25	1.27	0.15
3.5	95	25	1.27	0.15

图3表示了本发明的用于磁记录介质1的硅基底的外圆周部分的放大图。在本发明的用于磁记录介质1的硅基底的主表面2和3与外圆周边缘面4之间形成外圆周倒角部分5，并且在主表面2和3与外圆周倒角部分5的相交部分处形成半径R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。

此外，类似的是，在主表面2和3与内圆周倒角部分的相交部分处形成半径R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。

参照图4说明测量该曲表面半径R的方法。如图4所示，从主表面绘制延长线S1，并且将该延长线S1与曲表面S2分开的位置标记为原点A。距离原点A 10μm远的位置标记为点B和点C。经过这三个点A、B和C的圆O的半径R等于曲表面的半径R。如果该曲表面的半径R大于或等于0.01mm且小于0.3mm，可以防止硅基底的角部被削落。如果R小于0.01，则该角部过于尖锐，因此抗冲击的强度弱，并且在处理过程中或者如果受到敲击容易被削掉。如果R大于0.3mm，则降低了记录信息的主表面面积，这是不希望的。希望在介于主表面与外圆周倒角部分之间和主表面与内圆周倒角部分之间都提供具有半径R的曲表面。

半径为0.01mm到0.3mm的曲表面能够用于任意尺寸的硅基底。然而，其对于直径为0.85英寸到2.5英寸的基底而言是特别有效的。

对于这些硅基底而言，倒角部分5和6的适当长度为0.15mm到0.19mm。这将确保足够的记录信息的主表面面积。

此外，在本发明的用于磁记录介质的硅基底中，将主表面、外圆周边缘面、内圆周边缘面、外圆周倒角部分和内圆周倒角部分抛光成镜面光洁度。

主表面的粗糙度小于或等于10nm Rmax。此外，内外圆周边缘面和内外圆周倒角部分的粗糙度小于或等于1μm Rmax。

需要将硅基底中心孔的直径的精度控制在±20μm内。

通过利用抛光刷抛光内外圆周表面，能够获得如上所述的具有半径R的曲表面的硅基底。

通常，利用以下方法制造硅基底。即，首先，为了提高形状精度和尺寸精度，对盘形硅材料进行研磨处理。利用研磨设备分两步进行该研磨处理，并且将轮廓不规则度抛光为达到小于或等于1μm，并且抛光表面粗糙度，使其达到小于或等于6μm Rmax。

因为通常在进行第一步研磨处理之后获得的硅基底大于用于磁记录介质的基底，所以利用激光划线器切割出具有适当内外径的基底。

然后，对外圆周和内圆周进行预定的倒角处理。此时，内外圆周边缘面的表面粗糙度近似为4μm Rmax。

接着，进行第二步研磨处理，使轮廓不规则度小于或等于1μm，以及使表面粗糙度小于或等于6μm Rmax。

接着，抛光内外圆周倒角部分，并且修整为镜面光洁度。最后，抛光设置有磁记录层的主表面。该抛光处理分两步进行，第一抛光用于去除到该时刻的处理过程中产生的划痕和形变，第二抛光处理用于抛光为镜面光洁度。

按照这种方式获得了用于磁记录介质的硅基底。

在本发明中，在研磨了外圆周边缘面和倒角部分之后，利用刷子进一步抛光内圆周边缘面和外圆周边缘面。

对于刷子抛光(brush polishing)，使用如图5所示的硅基底叠层12。该硅基底叠层12为叠置的多个硅基底1，并在该各硅基底之间插入间隔物11。

提供间隔物11以便可靠地防止倒角部分5和6的任何部分未被抛光刷抛光，并且可靠地防止硅基底在抛光过程中被损坏。这些间隔物与硅基底类似，为具有中心圆形孔的盘形。具体讲，所形成的这些间隔物11在安装时，其边缘(侧面)缩进硅基底外圆周倒角部分5的端部内约0到2mm(优选的是约0.5到2mm)。如果间隔物的边缘相对于硅基底倒角部分的端部进一步缩进，则进入硅基底主表面区域的刷子会使主表面与倒角部分之间的脊部分变圆，这取决于间隔物的厚度和刷子的刷毛直径。此外，根据所使用的刷子的刷毛直径适当地调整间隔物11的厚度。该厚度优选约为0.1到0.3mm。此外，对于间隔物11的材料而言，优选使用比硅基底柔软的材料，例如聚亚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂、与抛光处理中使用的抛光垫相同的材料等等。优选使用足够柔软的材料，以防止硅基底由于来自抛光刷或抛光垫的压力而损坏。

在抛光操作中，首先，在一个工具(图中未示出)上交替插入大量的硅基底与间隔物，通过安装顶盖并将它们压在一起，形成了硅基底叠层。接着，在硅基底1的中心孔中插入抛光刷，并且调整抛光刷的压力大小，使得刷毛与硅基底的内圆周边缘面相接触。

希望使用由形成为螺旋形的由成束的聚酰胺纤维构成的抛光刷，该纤维直径为0.05mm到0.3mm、长度为1到10mm。

接着，使基底盒填充足够量的抛光液。然后，如图6所示，使硅基底叠层12与抛光刷13上下移动，同时相互沿相反方向旋转，以便刷子抛光基底内圆周表面。优选的是，硅基底叠层12的旋转速度为60rpm，并且抛光刷13的旋转速度约为1000到3000rpm。

通过利用刷子抛光内圆周表面，主表面与内圆周倒角部分的相交部分变为半径为0.01到0.3mm的曲表面。

接着，在刷子抛光内圆周边缘面之后，利用该刷子抛光硅基底的外圆周边缘面。

如图7所示，使圆柱形刷子15压到硅基底叠层12的硅基底1的边缘面上。希望使用直径为200到500mm的形成螺旋形的圆柱形刷子15，其中刷毛为直径为0.05mm到0.3mm、长度为10到30mm的聚酰胺纤维。使圆柱形抛光刷压到硅基底叠层的外圆周部分上，并且向硅基底叠层的外圆周部分与抛光刷相接触的表面提供抛光液。

接着，使硅基底叠层12与圆柱形刷子15上下移动，同时使它们分别以60rpm和700到1000rpm的速度彼此沿相反方向旋转，以便刷子抛光硅基底1的外圆周边缘面。

在水中清洗完成刷子抛光的硅基底，对其表面进行第一抛光处理。

第一抛光处理的目的在于去除直到上述处理过程所残留的划痕和形变。

第一抛光处理使用典型的抛光设备，使用胶体氧化硅+水作为抛光液，并且以近似100gf/cm²(0.98N/cm²(相对压强))的负载、40rpm的下表面旋转速度、35rpm的上表面盘旋转速度、近似14rpm的中心齿轮旋转速度和近似29rpm的内齿轮旋转速度进行该处理。

在水中清洗已经完成上述第一抛光处理的硅衬底，并且将其传送到第二抛光处理。

接着，对已经完成第一抛光处理的硅衬底进行最后的第二抛光处理。第二抛光处理的抛光条件，即最后的抛光处理的条件是：使用胶体氧化硅+水作为抛光液，将负载减少到近似100gf/cm²(0.98N/cm²(相对压强))、40rpm的下表面旋转速度、35rpm的上表面盘旋转速度、近似14rpm的中心齿轮旋转速度和近似29rpm的内齿轮旋转速度。

将已经完成上述第二抛光处理的硅衬底依次浸没在中性洗涤液、纯水、纯水+IPA(异丙醇)和IPA(蒸汽干燥)的洗涤槽中，以清洗这些衬底。

通过以上处理，能够获得用于磁记录介质的硅衬底，其中衬底的边缘面和倒角部分具有镜面光洁度，并且半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于衬底的主表面与倒角部分之间。

尽管用于磁记录介质的硅衬底的材料为易碎的硅，但是难以在衬底边缘面上产生碎片以及在衬底上产生裂缝，能够防止从衬底边缘面上产生碎屑，以及能够防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。

如果根据已知的常规方法，例如利用直列型(inline)溅射设备等，在如上获得的用于磁记录介质的硅衬底两侧依次形成CrMo衬层、CoCrPtTa磁层和碳氢化物保护层，并且利用浸渍法形成全氟聚醚(perfluoropolyether)液体润滑剂膜，则能够获得磁记录介质。

能够按照这种方式获得的本发明的磁记录介质具有介于衬底主表面与倒角部分之间的半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面，因此难以在磁记录介质边缘面上形成碎片以及在衬底上形成裂缝，能够防止从磁记录介质边缘面上产生的碎屑，以及能够防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。因此，有效地防止了记录和再现过程中的错误，以及记录和再现过程中磁头的碰撞。

实施例

制备直径为150mm(额定：6英寸)的硅衬底，依次进行如下步骤：第一阶段研磨处理、激光切割处理、第二研磨处理、内外圆周倒角处理、内外圆周边缘刷光处理、主表面第一抛光处理以及主表面第二抛光处理，并且制得具有如表2所示的形状的20个0.85英寸硅衬底。

在内外圆周边缘面的抛光处理和刷光处理中应用硅衬底叠层，在该硅衬底叠层中直径为21mm、厚度为0.2mm的由环氧树脂制成的间隔物插在各硅衬底之间。

在内圆周边缘面的刷光处理中，使用由直径为0.1mm、长度为5mm的成束的聚酰胺纤维制成的螺旋形抛光刷，并且使用其中颗粒尺寸为#3000的氧化铝抛光颗粒悬浮在水中的抛光液。将抛光刷插入硅衬底叠层的中心孔中，并且使刷子与硅衬底叠层相对沿相反方向旋转以进行抛光，其中硅衬底叠层的旋转速度为60rpm，抛光刷的旋转速度为6000rpm。

接着，在完成了该硅衬底内圆周边缘面的刷子抛光之后，利用该刷子对外圆周边缘面进行抛光。

为了刷子抛光内圆周边缘面，使用直径为300mm、刷毛直径为0.1mm且长度为20mm的圆柱形刷子，其中刷毛为聚酰胺纤维，形成为螺旋形。使抛光刷压在硅衬底叠层中硅衬底的边缘面上，并且在硅衬底叠层的外圆周部分与抛光刷相接触的表面提供抛光液，同时使硅衬底叠层与圆柱形刷子分别以60rpm和1500rpm的速度相对沿相反方向旋转以进行抛光。

在按照这种方式获得的20个硅衬底的外圆周边缘面附近观察硅衬底的尺寸精度，结果如表2所示。

表2

		本发明的实例	比较例
				外圆周倒角部分长度(L：mm)	平均最大最小标准偏差	0.0750.0970.060.0095	0.0730.0970.0510.0114
曲表面半径(R：mm)	平均最大最小标准偏差	0.0410.0520.0310.0064	0.0050.010.0010.00283
				边缘面和倒角部分上的划痕(每单位)	垂直划痕水平划痕坑	0.10.20	0.150.250
有缺陷产品数量		20个中有0个(零)	20个中有0个(零)

接着，使这20个硅衬底经受类似于在运输用的盒子中储存和移动时可能遇到的震动，并且检查在衬底边缘面上发生的损坏的情况以及所产生的碎屑。

通过利用光学显微镜观察该衬底边缘面来检查衬底边缘面上出现的损坏情况。此外，利用运输用盒子通过以下程序进行碎屑生成测试。

(1)在盒子中插入硅衬底，盖上定盖，从而封装该硅衬底。

(2)为了模拟运输，使该硅衬底朝盒子的底部和顶部移动10次。

(3)为了模拟在盒子中的插入和取出，将该硅衬底插入盒子的凹槽中或从凹槽中移除。

在已经完成了上述过程(1)、(2)和(3)之后，利用光学显微镜测量衬底外圆周部分上产生的聚碳酸酯颗粒的数量，该聚碳酸酯颗粒为盒子的材料。通过观察20个衬底来进行测量，并且利用计数的颗粒数量除以衬底的个数(20个)的值进行比较。结果如表3所示。

表3

	本发明实例	比较例
			基底圆周碎片出现比率	0.2	0.6

比较例

为了进行比较，同样地评估了介于衬底主表面与倒角部分之间的曲表面半径为0.05mm的硅衬底(比较例)。结果也列在表3中。

这些结果表明，在易碎材料的衬底中，如果在衬底主表面与倒角部分之间提供半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面，则不易于在衬底边缘面上产生碎片或者在衬底上产生裂缝，可以防止从衬底边缘面上产生碎屑，还可以防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。

Claims (11)

1.一种用于磁记录介质的硅基底，包括位于该基底的主表面与边缘面之间的倒角部分，其中所述边缘面与所述基底的倒角部分具有镜面光洁度，并且半径大于或等于0.01mm并小于0.3mm的曲表面介于所述基底的所述主表面与所述倒角部分之间。

2.根据权利要求1所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述主表面与所述边缘面之间的所述倒角部分位于所述基底的外圆周侧。

3.根据权利要求1或2所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述主表面与所述边缘面之间的所述倒角部分位于所述基底的内圆周侧。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述倒角部分的长度为0.05到0.16mm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述硅基底为在中心具有圆形孔的盘形基底，并且中心的所述圆形孔直径的尺寸精确度在±20μm内。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述边缘面与所述倒角部分的表面粗糙度小于或等于1μm Rmax。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于磁记录介质的硅基底，其中所述基底的所述主表面的表面粗糙度小于或等于10nm Rmax。

8.一种制造用于磁记录介质的硅基底的方法，包括：使中心具有圆形孔的盘形硅基底浸入包含自由抛光颗粒的抛光液中，并且通过与抛光刷滚动接触来抛光所述硅基底的外圆周边缘面和/或内圆周边缘面的步骤。

9.根据权利要求8所述的制造用于磁记录介质的硅基底的方法，其中在使内外圆周倒角之后实施通过与抛光刷滚动接触进行的所述抛光步骤。

10.根据权利要求8和9中的任一项所述的制造用于磁记录介质的硅基底的方法，其中将由聚酰胺树脂制成的刷子用作所述的抛光刷。

11.一种磁记录介质，其中在根据权利要求1至7中任一项所述的用于磁记录介质的硅基底的主表面上至少形成磁性层。

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