CN1988163B - 阵列基底、制造其的方法及具有其的显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高反射率的阵列基底、制造其的方法及具有其的显示面板。该阵列基底包括多条栅极线、多条源极线、多个像素部分、多个开关元件和多个像素电极。栅极线在第一方向上延伸。源极线在与第一方向交叉的第二方向上延伸。由栅极线和源极线来限定像素部分。各开关元件形成在各自的像素电极上，并电连接到栅极线的一条和源极线的一条。各像素电极电连接到各自的开关元件，并包括在中心部分具有凸起图案的凹陷图案。在中心部分具有凸起图案的凹陷图案提高了阵列基底的反射率。

Description

阵列基底、制造其的方法及具有其的显示面板
技术领域
本发明涉及一种阵列基底、制造该阵列基底的方法及具有该阵列基底的显示面板。更具体地讲，本发明涉及一种能够提高反射率的阵列基底、制造该阵列基底的方法及具有该阵列基底的显示面板。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)装置通过利用具有液相和固相之间的中间性质的液晶来显示图像。在LCD装置中，将电压施加到介于两个玻璃基底之间的液晶层(例如，显示面板)，改变了液晶层的液晶分子的取向。因此，光透射过液晶层并从液晶层出射，以显示图像。
根据利用的光源，LCD装置分类为透射式、反射式或透反式。透射式LCD装置通过将来自背光的光透射过显示面板来显示图像。反射式LCD装置通过将外部光反射进入到显示面板内来显示图像。透反式LCD装置通过将显示面板划分成透射区和反射区，并随后将来自背光的光透射过透射区并从反射区反射外部光来显示图像。
反射式LCD装置和透反式LCD装置具有反射外部光的反射电极。在反射式LCD装置和透反式LCD装置中，被反射电极反射的反射光的亮度最重要。通过提高反射电极的反射率来使LCD装置的能耗最小化，并提高反射模式的显示品质。
发明内容
本发明提供了一种能够提高其反射率的阵列基底。
本发明还提供了一种制造上述阵列基底的方法。
本发明还提供了一种包括上述阵列基底的显示面板。
在根据本发明的阵列基底的示例性实施例中，该阵列基底包括多条栅极线、多条源极线、多个像素部分、多个开关元件和多个像素电极。多条栅极线形成为在第一方向上延伸。多条源极线形成为在与第一方向交叉的第二方向上延伸。由多条栅极线和多条源极线来限定多个像素部分。各开关元件形成在各自的像素部分上，并电连接到栅极线的一条和源极线的一条。各像素电极电连接到各自的开关元件，并具有在中心部分具有凸起图案的凹陷图案。
在制造根据本发明的阵列基底的方法的示例性实施例中，制造阵列基底的该方法包括：在基础基底上形成开关元件，开关元件电连接到在第一方向上延伸的栅极线和在第二方向上延伸的源极线，其中，第二方向与第一方向交叉；在其上形成有开关元件的基础基底上形成有机绝缘层；将有机绝缘层图案化为具有相对于基准表面凹陷的图案，并在凹陷图案的中心部分具有相对于凹陷图案的界面的凸起图案；在其上形成有的凹陷图案的有机绝缘层上形成与开关元件接触的像素电极。
在根据本发明的显示面板的示例性实施例中，显示面板包括阵列基底和滤色器基底。阵列基底包括多个像素部分。像素部分的每个包括各自的开关元件和各自的像素电极，并电连接到各自的开关元件，所述像素电极具有在中心部分包括凸起图案的凹陷图案。滤色器基底与阵列基底相对，液晶层容纳在阵列基底和滤色器基底之间。
因此，通过形成在凹陷图案的中心部分具有凸起图案的凹陷图案来提高反射率。
附图说明
通过参照附图来描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征及优点将变得更加清楚，其中：
图1是示出根据本发明示例性实施例的用于形成反射透镜的掩模的平面图；
图2是示出通过图1中的掩模形成的反射透镜的剖视图；
图3是示出斯涅尔定律的概念视图；
图4是示出根据图2中透镜图案的倾斜角的反射光的出射角的曲线图；
图5是示出根据本发明另一示例性实施例的透反式阵列基底的平面图；
图6是沿着图5的II-II′线截取的放大剖视图；
图7是示出图6中的反射电极的图5的放大剖视图；
图8A至图8C是示出制造图5中的透反式阵列基底的方法的剖视图；
图9是示出根据本发明又一示例性实施例的反射式阵列基底的平面图；
图10是沿着图9的III-III′线截取的剖视图。
具体实施方式
以下参照附图来更加充分地描述本发明，在附图中，示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并不应该被解释为局限于在此阐述的示例性实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开更加彻底和完全，并将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为清楚起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层之“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层之上，直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件或层被称作“直接”在另一元件或层之“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的标号始终指代相同的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和全部组合。
应该理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在这里可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分区别于另一区域、层或部分。因此，在不脱离本发明教导的情况下，下述的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述如附图中示出的一个元件或零件相对于另一元件或零件的关系，在这里可使用空间相对术语，例如“下方”、“下面”、“低于”、“上方”、“上面”等。应该理解，空间相对术语意在除包括附图中示出的方位之外，还包括使用中或运行中的装置的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或零件的“下面”或“下方”的元件将随后被定向为在其他元件或零件的“上方”。因此，示例性的术语“在…的下面”可包括上和下两种方位。可另外定向装置(旋转90度或在其他方位上)，并相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
在这里使用的术语仅出于描述特定的示例性实施例的目的，并不意在成为本发明的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地表明，否则单数形式意在也包括复数形式。还应理解，当术语“包括”和/或“包含”用在本说明书中时，特指所述的零件、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，并不排除存在或添加一个或多个其他零件、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照剖视图来描述本发明的示例性实施例，剖视图是本发明理想实施例(和中间结构)的示意性说明。由此，将预料的是由例如制造技术和/或公差导致的图例形状的变化。因此，本发明的示例性实施例不应该被解释为局限于在这里示出的区域的特定形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，以矩形示出的注入区在它的边缘处将典型地具有倒圆的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而非从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区可导致在掩埋区和表面之间的区域中的某些注入，其中，注入经由所述表面发生。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在示出装置的区域的实际形状，且不意在限制本发明的范围。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应理解，除非在这里特别定义，否则比如在通用词典中定义的术语应被解释为其含义与它们在相关领域的上下文中的含义一致，将不以理想化或过度正式的含义来解释。
在下文中，将参照附图来描述本发明的示例性实施例。
图1是示出根据本发明示例性实施例的用于形成反射透镜的掩模的平面图。图2是示出通过图1中的掩模形成的反射透镜的剖视图。
参照图1，掩模10包括阻挡部分11、开口部分13和局部开口部分15。阻挡部分11阻挡紫外(UV)光，开口部分13透射UV光通过其。局部开口部分15具有形成在其上的分散并衍射UV光的缝隙图案或半色调图案。另外，透射过局部开口部分15的UV光比透射过开口部分13的UV光少。
阻挡部分11的形状为具有连接到彼此的多个图案的网状。例如，所述图案可包括多边形图案、圆形图案等。开口部分13是被阻挡部分11限定的多边形图案的每个的内部部分。局部开口图案15形成在开口图案13的中心部分。局部开口图案15形成为具有缝隙图案或半色调图案。
参照图2，将掩模10设置在感光树脂层20上，以形成图案。UV光穿过掩模10照射在感光树脂层20上，并随后在感光树脂层20上形成所述图案。
具体地讲，反射透镜的基准表面21形成在感光树脂层20的对应于阻挡UV光的阻挡部分11的第一部分上。凹陷图案23形成在感光树脂层20的对应于完全透射UV光的开口部分13的第二部分上。另外，凹陷图案23具有相对于基准表面21凹入的界面。凸起图案25形成在感光树脂层20的对应于局部开口部分15的第三部分上，其中，局部开口部分15具有形成在其上的缝隙图案或半色调图案且与开口部分13相比透射的UV光较少。另外，在凹陷图案23的中心部分，凸起图案25具有相对于凹陷图案23凸起的界面。
通过开口部分13形成的凹陷图案23具有在大约0°和大约20°之间的界面倾斜角，使得反射光以均匀的角度分布被反射。通过局部开口部分15形成的凸起图案25具有在大约5°和大约15°之间的界面倾斜角，使得凸起图案25增大在凹陷图案23中的具有大约10°的界面倾斜角的区域的尺寸(例如，表面面积)。当凹陷图案23不包括凸起图案25时，没有凸起图案25的凹陷图案23的中心部分的界面倾斜角为大约0°。然而，在图2中，凹陷图案23包括凸起图案25。在图2中，凹陷图案23在中心部分具有界面倾斜角为大约10°的凸起图案25，使得界面倾斜角为大约10°的区域的尺寸增大(例如，界面倾斜角为大约10°的表面面积增大)。当界面倾斜角为大约10°时，从凹陷图案朝前表面反射的光的反射率被最大化。
因此，在中心部分具有凸起图案25的凹陷图案23极大地提高了光的反射率。
图3是示出斯涅尔定律(Snell’s Law)的概念视图。图4是示出根据图2中的透镜的倾斜角的反射光的出射角的曲线图。
参照图3和图4，通过方程式1说明了斯涅尔定律。当光从具有第一折射率n1的第一材料入射到具有第二折射率n2的第二材料中时，入射角θi1的正弦与第一折射角θo1的正弦之比为常数。
另外，当来自第二材料的反射光入射到第一材料中时，反射光的入射角θi2的正弦与第二折射角θo2的正弦之比也是常数。
方程式1：
(Sin θi1)/(Sin θo1)＝(n2)/(n1)，
(Sin θi2)/(Sin θo2)＝(n1)/(n2)
参照方程式1，通过下面的方程式2来表示第二折射角θo2：
θo2＝sin-1{(n2/n1)sinθi2}
θi2＝sin-1{(n1/n2)sinθi1}-2θt
在方程式2中，θt表示透镜图案的界面倾斜角。
根据方程式2，如图4所示，当透镜图案的界面倾斜角θt在大约0°和大约20°之间的范围内时，第二折射角为具有在分别大约30°和大约-30°之间的范围内的折射角的圆锥形状。在方程式2和图4中，当透镜图案的界面倾斜角θt为大约0°时，第二折射角θo2可以是大约0°，光可基本上垂直于第一材料和第二材料之间的表面出射。
因此，随着界面倾斜角θt为大约10°的区域的尺寸增大，反射透镜的反射性的效率增大。
图5是示出根据本发明另一实施例的透反式阵列基底的平面图。图6是沿着图5中的II-II′线截取的放大剖视图。图7是示出图6中的反射电极的图5的放大剖视图。
参照图5至图7，显示面板包括透反阵列基底100、滤色器基底200和液晶层300。
阵列基底100包括：第一基础基底101；多条栅极线GLn-1和GLn，在第一方向上延伸；多条源极线DLm-1和DLm，在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极线GLn-1和GLn以及源极线DLm-1和DLm形成在第一基础基底101上。通过源极线DLm-1和DLm与栅极线GLn-1和GLn交叉来限定多个像素部分P。像素部分P也形成在第一基础基底101上。各像素部分P具有：相应的开关元件TFT，电连接到栅极线GLn中的一条和源极线DLm中的一条；像素电极PE，电连接到开关元件TFT；存储电容器CST。
开关元件TFT包括栅电极111、源电极113和漏电极114。栅电极111从栅极线GLn延伸，源电极113从源极线DLm延伸。另外，漏电极114通过接触孔116电连接到像素电极PE。
栅极绝缘层102形成在栅极线GLn-1和GLn以及栅电极111上。沟道部分112对应于具有栅电极111的部分形成在栅极绝缘层102上。沟道部分112包括有源层112a和欧姆接触层112b。去除欧姆接触层112b在源电极113和漏电极114之间的部分，以限定开关元件TFT的沟道。保护层103形成在开关元件TFT和源极线DLm-1及DLm上。
像素部分PE包括透射电极117和反射电极118。透射电极117通过接触孔116电连接到漏电极114，并形成在像素部分P被限定在其上的部分上。反射电极118形成在透射电极117的一小部分上，并将像素部分P限定为反射区RA和透射区TA。
参照图7最能看出，在凹陷图案123的中心部分具有凸起图案125的凹陷图案123形成在反射电极118上。
在方程式1和方程式2中，各凹陷图案123的界面倾斜角θt在一定范围内，使得反射光的出射角相对于0°基准角的前表面均匀。例如，当界面倾斜角θt在大约0°和大约20°之间的范围内时，反射光的出射角具有圆锥形形状，相对于与前表面基本垂直的法线在大约-30°和大约30°之间的范围内。法线对应于大约0°的角。在图5至图7中，界面倾斜角θt可以是大约10°，使得出射角为大约0°。
凹陷图案123在中心部分具有凸起图案125，凸起图案125的界面倾斜角在大约5°和大约15°之间。因此，凸起图案125增大了凹陷图案123的界面倾斜角为10°的区域的尺寸。当界面倾斜角为大约10°时，从在中心部分具有凸起图案125的凹陷图案123朝前表面反射的光的反射率被最大化。
反射电极118形成在凹陷图案123和凸起图案125上，以极大地提高反射电极118的反射率。
有机绝缘层104形成在开关元件TFT和透射电极117之间。将有机绝缘层104的上表面图案化，以形成在中心部分具有凸起图案125的凹陷图案123。可选地，可形成具有多个凸起图案125的多个凹陷图案123。换言之，反射电极118形成在具有凹陷图案123的有机绝缘层104上，因此反射电极118的图案与具有凸起图案125的凹陷图案123的图案基本相同。
存储电容器CST包括公共线131和电极图案132。公共线131公共地形成在像素部分上。电极图案132从漏电极114延伸，并与公共线131局部地叠置。栅极绝缘层102、保护绝缘层103和有机绝缘层104顺序地形成在公共线131上。在图5至图7中，存储电容器CST可形成在反射区RA中。
从图7中最能看出，滤色器基底200包括第二基础基底201、形成在第二基础基底201上的滤色器层210和共电极层220。
局部地去除滤色器层210的对应于反射区RA的部分，以形成光孔211。光孔211增强了从反射电极118反射的第一光L1的亮度。
对应于反射区RA的滤色器层210具有第一深度t1。对应于透射区TA的滤色器层210具有比第一深度t1厚的第二深度t2。因此，对应于透射区TA的滤色器层210显示的彩色图像的纯度比对应于反射区RA的滤色器层210显示的彩色图像的纯度高。
反射区RA的第一光L1两次穿过滤色器层210。然而，透射区TA的第二光L2仅穿过滤色器层210一次。由于透射区TA的滤色器层210比反射区RA的滤色器层210厚，所以透射区TA的颜色再现性与反射区RA的颜色再现性基本相同。
共电极层220形成在滤色器层210上，并与阵列基底100的像素电极117和118相对。
将液晶层300置于阵列基底100和滤色器基底200之间。液晶层300具有对应于反射区RA和透射区TA的不同的盒间隙(cell gap)。第一盒间隙d1是在反射区RA中共电极层220和反射电极118之间的间隙，第二盒间隙d2是在透射区TA中共电极层220和透射电极117之间的间隙。基于第一光L1出射反射区RA的光路和第二光L2出射透射区TA的光路，第一盒间隙d1大约为第二盒间隙d2的一半。第一光L1的光路和第二光L2的光路互不相同。
图8A至图8C是示出制造图5中的透反式阵列基底的方法的剖视图。
参照图5和图8A，将栅极金属层沉积并图案化在第一基础基底101上，以形成栅极金属图案。栅极金属图案包括栅极线GLn-1和GLn、开关元件TFT的栅电极111和存储电容器CST的公共线131。栅极金属层是具有低电阻的金属。例如，可用于栅极金属层的金属的示例包括铬(Cr)、铝(Al)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)，但并不局限于此。可单独使用这些金属，也可使用这些金属的合金或组合。另外，栅极金属层可具有包括多于两种物理上不同的材料的多层结构。例如，通过溅射工艺来沉积栅极金属层，并通过光刻工艺来将栅极金属层图案化。
栅极绝缘层102形成在栅极金属图案上。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成栅极绝缘层102。例如，栅极绝缘层102的厚度可以为大约4000。例如，栅极绝缘层102可包括绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)。
有源层112a和欧姆接触层112b顺序地沉积并图案化在栅极绝缘层102上，以形成沟道部分112。有源层112a包括非晶硅(a-Si:H)，欧姆接触层112b掺杂有高浓度的n+离子。沟道部分112形成在对应于开关元件TFT的栅电极111的栅极绝缘层102上。
源极金属层沉积并图案化在具有沟道部分112的第一基础基底101上，以形成源极金属图案。
源极金属图案包括多条源极线DLm-1和DLm、开关元件TFT的源电极113和漏电极114。另外，源极金属图案还可包括与存储电容器CST的公共线131局部叠置的电极图案132。源极金属层是具有低电阻的金属。例如，可用于源极金属层的金属的示例包括铬(Cr)、铝(Al)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)，但并不局限于此。可单独使用这些金属，也可使用这些金属的合金或组合。另外，源极金属层可具有具有多于两种物理上不同的材料的多层结构。例如，通过溅射工艺来沉积源极金属层，并通过光刻工艺来将源极金属层图案化。
保护绝缘层103形成在具有源极金属图案的基础基底101上。通过PECVD工艺来形成保护绝缘层103。例如，保护绝缘层103的厚度可以是大约1000。保护绝缘层103可包括绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)。
参照图5和图8B，有机绝缘层104形成在具有保护绝缘层103的第一基础基底101上。有机绝缘层104包括绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)，有机绝缘层104的深度为大约4μm。
通过掩模400来将有机绝缘层104图案化。将对应于反射区RA的有机绝缘层104与对应于透射区TA的有机绝缘层104不同地图案化。掩模400包括对应于反射区RA的阻挡部分410、第一开口部分430和局部开口部分450。通过阻挡部分410来限定第一开口部分430，局部开口部分450形成在第一开口部分430的中心部分。掩模400还可包括对应于透射区TA的第二开口部分470。第二开口部分470在透射区TA的基本上的整个区域中开口。局部开口部分450包括缝隙图案或半色调图案。
使用掩模400将有机绝缘层104曝光并显影，以将有机绝缘层104图案化。通过第一开口部分430将有机绝缘层104的一部分曝光来形成凹陷图案123。通过局部开口部分450将有机绝缘层104的一部分曝光来形成从凹陷图案123凸出的凸起图案125。通过第二开口部分470将有机绝缘层104一部分曝光来局部地去除有机绝缘层104。
也就是说，凹陷图案123形成在对应于反射区RA的绝缘层104上，凸起图案125形成在凹陷图案123的中心部分。
根据方程式1和方程式2，当凹陷图案123的界面倾斜角θt在大约0°和大约20°之间的范围内时，反射光的出射角具有圆锥形形状，例如，相对于与第一基础基底101的前表面基本垂直的法线在大约-30°和大约30°之间的范围内。在图8B中，凸起图案125从凹陷图案123的中心部分凸出，使得界面倾斜角θt为大约10°的区域的尺寸增大。
也就是说，凸起图案125形成在凹陷图案123的中心部分上。因此，界面倾斜角θt为大约10°的提高反射率的区域的尺寸增大。
去除对应于透射区TA的有机绝缘层104。此外，接触孔116形成在有机绝缘层104对应于反射区RA的部分中，并暴露漏电极114的一部分。
参照图5和图8C，像素电极PE形成在图案化的有机绝缘层104上，并通过接触孔116电连接到漏电极114。透明导电材料沉积并图案化在图案化的有机绝缘层104上，以形成透射电极117。例如，可用于透射电极117的透明导电材料的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)，但并不局限于此。
透射电极117通过接触孔116电连接到漏电极114。反射金属层沉积并图案化在透射电极117上，以形成反射电极118。反射电极118包括金属材料。例如，可用于反射电极118的金属材料的示例包括铝(Al)、钕(Nd)、钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)。可单独使用这些金属，也可使用这些金属的合金或组合。
反射电极118形成在具有凹陷图案123和凸起图案125的有机绝缘层104上。反射电极118的图案与凹陷图案123和凸起图案125的图案基本相同。凹陷图案123的界面倾斜角在大约0°和大约20°之间。当界面倾斜角为10°时，反射率被最大化。凸起图案125形成在凹陷图案123的中心部分上，因此使界面倾斜角θt为大约10°的区域的尺寸(例如，表面面积)最大化，从而提高了反射电极118的反射率。
图9是示出根据本发明又一实施例的反射式阵列基底的平面图。图10是沿着图9的III-III′线截取的剖视图。
参照图9和图10，显示面板包括反射式阵列基底500、滤色器基底600和设置在反射式阵列基底500和滤色器基底600之间的液晶层700。
反射式阵列基底500包括第一基础基底501、多条栅极线GLn-1和GLn、多条源极线DLm-1和DLm以及多个像素部分P。在第一方向上延伸的栅极线GLn-1和GLn形成在第一基础基底501上。在与第一方向交叉的第二方向上延伸的源极线DLm-1和DLm也形成在第一基础基底501上。通过形成在第一基础基底501上的栅极线GLn-1和GLn以及源极线DLm-1和DLm来限定像素部分P。各像素部分P包括开关元件TFT、像素电极PE和存储电容器CST。开关元件TFT电连接到栅极线GLn的一条和源极线DLm的一条。像素部分PE电连接到开关元件TFT。
开关元件TFT包括栅电极511、源电极513和漏电极514。栅电极511从栅极线GLn延伸，源极线513从源极线DLm延伸。另外，漏电极514通过接触孔516电连接到反射电极518。
栅极绝缘层502形成在栅极线GLn-1和GLn以及栅电极511上。对应于包括栅电极511的区域，沟道部分512形成在栅极绝缘层502上。沟道部分512包括有源层512a和欧姆接触层512b。去除欧姆接触层512b的在源电极513和漏电极514之间的一小部分，以限定开关元件TFT的沟道。保护绝缘层503形成在开关元件TFT和源极线DLm-1及DLm上。
有机绝缘层504形成在开关元件TFT上，在中心部分具有凸起图案525的凹陷图案523形成在有机绝缘层504的上表面上。例如，有机绝缘层504可包括绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)，有机绝缘层504的深度为大约4μm。
反射电极518包括金属材料。例如，可用于反射电极518的金属材料的示例包括铝(Al)、钕(Nd)、钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)，但并不局限于此。可单独使用这些金属，也可使用这些金属的合金或组合。
反射电极518形成在具有凹陷图案523和凸起图案525的有机绝缘层504上。反射电极518的图案与凹陷图案523和凸起图案525的图案基本相同。
根据方程式1和方程式2，当凹陷图案523的界面倾斜角θt在大约0°和大约20°之间的范围内时，反射光的出射角具有圆锥形形状，例如，相对于与第一基础基底501的前表面基本垂直的法线在大约-30°和大约30°之间的范围内。在图10中，凸起图案525从凹陷图案523的中心部分凸出，使得界面倾斜角θt为大约10°的区域的尺寸增大。
凸起图案525形成在凹陷图案523的中心部分上。因此，使界面倾斜角θt为大约10°的区域的尺寸(表面面积)最大化，因此提高了反射电极518的反射率。
存储电容器CST包括公共线531和电极图案532。公共线531公共地形成在像素部分上。
电极图案532从漏电极514延伸，并与公共线531局部地叠置。栅极绝缘层502、保护绝缘层503和有机绝缘层504顺序地形成在公共线531上。
栅极线GLn-1和GLn、源极线DLm-1和DLm、公共线531、电极图案532、栅电极511、源电极513和漏电极514是具有低电阻的金属。例如，可用于栅极金属层的金属的示例包括铬(Cr)、铝(Al)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)、银(Ag)，但并不局限于此。可单独使用这些金属，也可使用这些金属的合金或组合。
滤色器基底600包括第二基础基底601和形成在第二基础基底601上的滤色器层610及共电极层620。滤色器层610通过表现特定的颜色来显示颜色梯度。共电极层620包括透明导电材料。例如，可用于共电极层620的透明导电材料的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)，但并不局限于此。
液晶层700设置在阵列基底500和滤色器基底600之间。阵列基底500的反射电极518和滤色器基底600的共电极层620之间的电势差改变液晶分子的阵列角度。
根据本发明，凸起图案形成在凹陷图案的中心部分上，使得界面倾斜角为大约10°的区域的尺寸(表面面积)最大化，从而提高了反射电极118的反射率。
具体地讲，当凹陷图案的界面倾斜角θt在大约0°和大约20°之间的范围内时，反射光的出射角具有圆锥形形状，例如，相对于与前表面基本垂直的法线在大约-30°和大约30°之间的范围内。法线对应于大约0°的角。凸起图案形成在凹陷图案的中心部分上，使得界面倾斜角为大约10°的区域的尺寸最大化，从而提高了反射电极的反射率。
已经描述了本发明的示例性实施例及其优点，应当注意，在不脱离如权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在这里可作出各种改变、替换和变更。

Claims (8)

1.一种制造阵列基底的方法，包括：
在基础基底上形成开关元件，所述开关元件电连接到在第一方向上延伸的栅极线和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的源极线；
在具有所述开关元件的基础基底上形成有机绝缘层；
将所述有机绝缘层图案化为具有相对于基准表面凹陷的图案，且在所述凹陷图案的中心部分具有相对于所述凹陷图案的界面的凸起图案；
在具有凹陷图案的有机绝缘层上形成与所述开关元件接触的像素电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中，使用掩模将所述有机绝缘层图案化，所述掩模包括：
阻挡光的阻挡部分，位于对应于所述基准表面的部分；
透射光的开口部分，位于对应于所述凹陷图案的部分；
局部地透射光的局部开口部分，位于对应于所述凸起图案的部分。
3.如权利要求1所述的方法，其中，将所述有机绝缘层图案化的步骤还包括形成接触孔，所述接触孔将所述开关元件与所述像素电极接触。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述凹陷图案的界面倾斜角在0°和20°之间。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述凸起图案的界面倾斜角在5°和15°之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中，将所述有机绝缘层图案化的步骤包括对应于其上将要形成反射电极的部分形成所述凹陷图案和所述凸起图案。
7.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述像素电极的步骤包括：
在具有凹陷图案的有机绝缘层上形成与所述开关元件接触的透射电极；
在所述透射电极的一小部分中形成反射电极。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述像素电极是包括反射金属材料的反射电极。
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