CN1983520A - 半导体抗反射层的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体抗反射层的制作方法，包括抗反射层的生长和光刻两个步骤，在所述抗反射层生长和光刻两个步骤之间，还包括一个对抗反射层进行的O2等离子处理的步骤。本发明通过加入O2等离子处理的步骤，消除了在带NH3的ARL上，SiON与DUV光刻胶直接接触产生的footing或scumming现象，并且对SiO2具有较高的湿法选择比，该方法简便易行，可以投入大批量生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体抗反射层的制作方法。
背景技术
现有的制作抗反射层的工艺是在生成抗反射层之后直接进行光刻工艺。使用增强型化学气相淀积生长的ARL(抗反射层)，其反应气体一般分为两种：一种反应气体主要由SiH4和N2O组成，这种气体一般运用在铝层或通孔的工艺中，能够起到降低金属反射，增强后续光刻工程的CD(条宽)稳定性；另一种反应气体主要由SiH4、N2O和NH3组成，与普通由SiH4和N2O反应生成的SiON相比，由于该气体形成的SiON对于在器件隔离STI(浅槽隔离)工艺中使用的HDP(高密度等离子体)一SiO2具有更大的湿法选择比，一般在10∶1以上，所以该气体一般被运用在Field SiN(场区氮化硅)和Gate Poly(栅极多晶硅)制作工艺之后，这种气体在消除SiN和Poly(多晶硅)对于光刻的驻波效应方面会有帮助，这也通常被运用在DUV(深紫外线)光刻技术中。
DUV的光刻胶在曝光、显像的过程中，H+从中游离出来，这也使得光刻胶能溶解于显影液中。但如果ARL与光刻胶直接接触，SiON表面的N-键会与H+键结合，形成共价键，这就使得一部分的光刻胶不能溶解，从而形成footing(足突)或scumming(浮渣)现象，如图1所示。这会严重的影响光刻胶的形状以及CD的控制。
对于无NH3的ARL而言，解决这种问题的方法是，直接加SiO2。而对于有NH3的ARL，这种方法并不适用，因为这种ARL还要兼顾对SiO2的湿法高选择比。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体抗反射层的制作方法，既能够消除在带NH3的ARL上，SiON与DUV光刻胶直接接触产生的footing或scumming现象，又能兼顾对SiO2的湿法高选择比，并且能简便易行，可以投入大批量生产。
为解决上述技术问题，本发明半导体抗反射层的制作方法的技术方案是，包括三个步骤，分别是：首先进行抗反射层的生长，然后对抗反射层进行O2等离子处理，最后进行光刻。
本发明通过加入O2等离子处理的步骤，消除了在带NH3的ARL上，SiON与DUV光刻胶直接接触产生的footing或scumming现象，并且对SiO2具有较高的湿法选择比，该方法简便易行，可以投入大批量生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：
图1为现有技术处理后的器件结构；
图2为使用本发明处理后的器件结构；
图3为进行O2等离子处理的时间与湿法选择比的关系图。
具体实施方式
本发明半导体抗反射层的制作方法，包括现有技术中抗反射层的生长和光刻两个步骤，并且在所述抗反射层生长和光刻两个步骤之间，还增加了一个对抗反射层进行的O2等离子处理的步骤。在进行O2等离子处理时，RF(无线电频率)功率为500～2000瓦，O2的流量为200～2000sccm，气体压强为0.1～2Torr。如果是对于场区氮化硅的抗反射层进行O2等离子处理，其处理时间为10～60S；如果是对于栅极多晶硅的抗反射层进行O2等离子处理，其处理时间为10～60S。
通过本发明的方法对抗反射层进行处理，产生的footing或scumming现象大大好转，可参见图2。另外，在经过O2等离子处理后，湿法刻蚀速率会有所降低，因为对于SiO2的湿法刻蚀速率为16A/min来说，增加了20s或30s的O2等离子处理，还可以保持高于10∶1的湿法刻蚀的选择比。
Claims (4)
1.一种半导体抗反射层的制作方法，包括抗反射层的生长和光刻两个步骤，其特征在于，在所述抗反射层生长和光刻两个步骤之间，还包括一个对抗反射层进行的O2等离子处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的半导体抗反射层的制作方法，其特征在于，在进行O2等离子处理时，RF功率为500～2000瓦，O2的流量为200～2000sccm，气体压强为0.1～2Torr。
3.根据权利要求1所述的半导体抗反射层的制作方法，其特征在于，对于场区氮化硅的抗反射层进行O2等离子处理的时间为10～60S。
4.根据权利要求1所述的半导体抗反射层的制作方法，其特征在于，对于栅极多晶硅的抗反射层进行O2等离子处理的时间为10～60S。
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| CN 200510111415 CN1983520A (zh) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 半导体抗反射层的制作方法 |
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Publications (1)
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Cited By (3)
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| CN102193318A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法 |
| CN107403719A (zh) * | 2016-05-20 | 2017-11-28 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 在半导体器件中形成图形的方法 |
| CN118645424A (zh) * | 2024-08-12 | 2024-09-13 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法 |
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2005
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