CN1982511A - 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途 - Google Patents

一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN1982511A
CN1982511A CN 200510133710 CN200510133710A CN1982511A CN 1982511 A CN1982511 A CN 1982511A CN 200510133710 CN200510133710 CN 200510133710 CN 200510133710 A CN200510133710 A CN 200510133710A CN 1982511 A CN1982511 A CN 1982511A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
laser
molecular formula
laser crystals
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 200510133710
Other languages
English (en)
Inventor
林炎富
黄艺东
龚兴红
陈雨金
罗遵度
谭奇光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Original Assignee
Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS filed Critical Fujian Institute of Research on the Structure of Matter of CAS
Priority to CN 200510133710 priority Critical patent/CN1982511A/zh
Publication of CN1982511A publication Critical patent/CN1982511A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途,涉及激光晶体材料领域。该类晶体的分子式为R4xM4(1-x)Al(BO3)5,属于正交晶系,空间群为Pnma。该类激光晶体物化性能稳定、在空气中不潮解、可用高温熔盐法生长或改进型提拉法生长、制备成本较低。

Description

一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途
技术领域
本发明涉及激光晶体领域,尤其是涉及可应用于固体激光的一类硼铝酸盐晶体及其生长制备。
背景技术
固体激光器具有器件紧凑、激光光束质量高、运行稳定可靠等优点。目前的固体激光器大多采用激光晶体作为其工作物质。激光晶体一般由基质晶体和激活离子(过渡族或稀土离子)两部分构成。基质晶体一方面是一个分散固定激活离子的“支架”,它使激活离子的相互作用不致太强,保证了激光发射所要求的线状光谱特性;另一方面它在激活离子光谱线的位移、分裂、加宽、能量转移以及激光发射不可少的辐射和无辐射过程中起着重要作用。目前,研究较多的硼酸盐激光基质晶体主要有YAl3(BO3)4、GdAl3(BO3)4、YCa4O(BO3)3、GdCa4O(BO3)3等。这类晶体的物化性能稳定,制备成本低廉,因而受到广泛的关注。
发明内容
本发明的激光晶体的分子式为R4xM4(1-x)Al(BO3)5,其中M为稀土或三价过渡金属元素,即为La、Gd、Y、Sc元素中某一元素或若干元素的组合,根据泵浦源、激光器构造及其应用需要,R3+离子可采用Ti3+、Cr3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+等离子作为激活离子,部分或全部替代晶体基质中的稀土或三价过镀金属M3+离子位置。一般情况下,激活离子的浓度即x的值可以根据掺杂离子种类和激光运转需要在0到1之间变化。该类激光晶体的分子式也可写成R4x:M4(1-x)Al(BO3)5。该类晶体属于正交晶系,空间群为Pnma。该晶体在空气中不潮解,具有良好的物理和化学性能。该类基质晶体除了镧系或过渡金属元素带来的特征谱线外,在250nm至3000nm波段透明。
本发明的激光晶体可采用高温溶液法生长,其技术难点在于选取合适的助熔剂,并在适当的温度和温场等条件下,获得大尺寸的R4xM4(1-x)Al(BO3)5晶体。
本发明的激光晶体在掺杂某利过渡族或稀土离子R3+的同时可掺杂其他的过渡族或稀土离子作为敏化剂,以提高激光运转效率。
本发明的R4xM4(1-x)Al(BO3)5类晶体具有良好的光学、机械和热导性能,较高的化学稳定性,而且便于生长,其三价阳离子的晶格位能接受较高浓度的过渡族或稀土离子掺杂。适量掺杂过渡族或稀土离子的该类晶体,能够作为固体激光器的工作介质,被闪光灯、半导体激光或其他光源泵浦而输出固体激光。
具体实施方式
实例1:称取0.77g的Nd2O3、14.12g的La2O3、1.56g的Al2O3、46.7g的H3BO3、63.2g的BaCO3和g的14.6Na2CO3,将这六种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,用φ40×40mm3的铂坩埚多次熔化后,将装料的铂坩埚放置于晶体生长炉中,升温至1100℃,恒温48小时后降至1020℃,用不断下籽晶方法测试出准确的溶液饱和温度,之后在饱和温度以上20℃,将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下,恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长一天后,以2℃/d的速率降温,并以15转/分的速率转动晶体。当降温量达50℃,停止晶转,提起晶体离开液面,结束生长,并以40℃/h的速率退火至室温,获得尺寸大于10×10×5mm3的优质透明单晶Nd3+:La4Al(BO3)5。晶体属于正交晶系,空间群为Pnma,晶体的单胞参数为a=5.871,b=5.099,c=8.239。
实例2:称取1.44g的Yb2O3、13.7g的La2O3、1.56g的Al2O3、46.44g的H3BO3、62.9g的BaCO3和8.92g的NaF,将这六种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,用φ40×40mm3的铂坩埚多次熔化后,将装料的铂坩埚放置于晶体生长炉中,升温至1100℃,恒温24小时后降至1020℃,用不断下籽晶方法测试出准确的溶液的饱和温度,之后在饱和温度以上10℃,将事先固在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下,恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长三天后,以2℃/d的速率降温,并以15转/分的速率转动晶体。当降温量达50℃,停止晶转,提起晶体离开液面,结束生长,并以40℃/h的速率退火至室温,获得尺寸大于10×10×5mm3的优质透明单晶Yb3+:La4Al(BO3)5
实例3:称取3.05g的Er2O3、49.41g的La2O3、5.46g的Al2O3、102.23g的H3BO3、247.6g的BaCO3和35.13g的NaF,将这六种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,用φ60×60mm3的坩埚多次熔化后,将坩埚放置于晶体生长炉中,升温至1150℃,恒温24小时后降至1010℃,用不断下籽晶方法测试出准确的溶液的饱和温度,之后在饱和温度以上10℃,将事先固在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下,恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长三天后,以1℃/d的速率降温,并以9转/分的速率转动晶体。当降温量达60℃,停止晶转,提起晶体离开液面,结束生长,并以40℃/h的速率退火至室温,获得尺寸大于20×20×10mm3的优质透明单晶Er3+:La4Al(BO3)5
实例4:称取0.47g的Pr5O11、14.41g的La2O3、1.56g的Al2O3、46.7g的H3BO3、63.2g的BaCO3和14.6g的Na2CO3,将这六种原料一起置于玛瑙研钵中研磨混合均匀,用φ40×40mm3的铂坩埚多次熔化后,将装料的铂坩埚放置于晶体生长炉中,升温至1050℃,恒温24小时后降至1000℃,用不断下籽晶的方法测试出准确的溶液饱和温度,之后在饱和温度以上10℃,将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下,恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长一天后,以3℃/d的速率降温,并以9转/分的速率转动晶体。当降温量达50℃,停止晶转,提起晶体离开液面,结束生长,并以40℃/h的速率退火至室温,获得尺寸大于10×10×5mm3的优质透明单晶Pr:La4Al(BO3)5。该晶体在空气中不潮解。在250nm至3000nm波段透明。

Claims (8)

1.一种硼铝酸盐激光晶体,其特征在于:该类晶体的分子式为R4xM4(1-x)Al(BO3)5,属于正交晶系,空间群为Pnma,x的值根据掺杂离子种类和激光运转需要在0到1之间变化,M为La、Gd、Y、Sc元素中某一元素或若干元素的组合;R为Ti、Cr、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或Yb。
2.如权利要求1所述的激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Nd4xLa4(1-x)Al(BO3)5,x的值根据掺杂离子种类和激光运转需要在0到1之间变化,晶体的单胞参数为a=5.871,b=5.099,c=8.239。
3.如权利要求1所述的激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为yb3+:La4Al(BO3)5
4.如权利要求1所述的激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Er3+:La4Al(BO3)5
5.如权利要求1所述的激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Pr:La4Al(BO3)5
6.如权利要求1至5任一所述的功能晶体,其特征在于:该激光晶体在掺杂某种过渡族或稀土离子R3+的同时掺杂其他的过渡族或稀土离子作为敏化剂。
7.一种权利要求1至5任一激光晶体的生长制备方法,其特征在于:采用高温熔盐法生长。
8.一种权利要求1至5任一的激光晶体的用途,其特征在于:作为固体激光器工作物质。
CN 200510133710 2005-12-14 2005-12-14 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途 Pending CN1982511A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510133710 CN1982511A (zh) 2005-12-14 2005-12-14 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200510133710 CN1982511A (zh) 2005-12-14 2005-12-14 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1982511A true CN1982511A (zh) 2007-06-20

Family

ID=38165339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200510133710 Pending CN1982511A (zh) 2005-12-14 2005-12-14 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1982511A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104178162A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 铈掺杂稀土硼铝酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件
CN102086530B (zh) * 2009-12-03 2015-07-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学材料磷酸铋铅晶体
CN109265160A (zh) * 2018-09-12 2019-01-25 桂林理工大学 一种硼铝酸盐黄长石结构的氧离子导体材料及制备方法
CN112134128A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 泉州师范学院 紫外激光器
CN112390267A (zh) * 2020-11-18 2021-02-23 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡钠和硼酸钡钠非线性光学晶体及制备方法和用途

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102086530B (zh) * 2009-12-03 2015-07-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学材料磷酸铋铅晶体
CN104178162A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 铈掺杂稀土硼铝酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件
CN109265160A (zh) * 2018-09-12 2019-01-25 桂林理工大学 一种硼铝酸盐黄长石结构的氧离子导体材料及制备方法
CN112134128A (zh) * 2020-09-27 2020-12-25 泉州师范学院 紫外激光器
CN112390267A (zh) * 2020-11-18 2021-02-23 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡钠和硼酸钡钠非线性光学晶体及制备方法和用途
CN112390267B (zh) * 2020-11-18 2022-05-10 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸钡钠和硼酸钡钠非线性光学晶体及制备方法和用途

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101775646A (zh) Na3M2(BO3)3非线性光学晶体及制备方法和用途
CN107699948B (zh) 系列复合金属稀土硼酸盐和复合金属稀土硼酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途
CN101514489A (zh) 含稀土离子的氟硼酸盐、晶体及晶体的生长方法和用途
CN105668577A (zh) K3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、K3Ba3Li2Al4B6O20F非线性光学晶体及其制法和用途
CN101113532B (zh) 激光和非线性光学磷酸铋晶体及其制备和用途
CN1982511A (zh) 一种硼铝酸盐激光晶体及其制备方法和用途
CN103741217A (zh) 硼酸钇钠、硼酸钇钠非线性光学晶体及制法和用途
CN104609849A (zh) Si/Ti掺杂的铽铝石榴石法拉第磁旋光透明陶瓷及其制备方法
CN103451730B (zh) Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途
CN101037796A (zh) 掺钕硼酸氧钙钆镧激光晶体及其制备方法和用途
CN106149056A (zh) 一种稀土碱土硼酸盐及制备方法和用途
CN101377018A (zh) 一种新型闪烁晶体材料掺铈钨酸镧钠
CN1958881A (zh) 硼酸盐激光晶体Li6R (1-x) REx(BO3)3及其制备方法和用途
CN103866388B (zh) 一种立方相萤石型铌酸铽钙磁光晶体及其制备方法
CN104651933B (zh) 氯硼酸钡及氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
CN101089244B (zh) 氧化锌单晶的一种熔盐生长方法
Xu et al. The micro-pulling-down growth of Eu3+-doped Y3Al5O12 and Y3ScAl4O12 crystals for red luminescence
CN105220231A (zh) 一种硅硼酸铽磁光晶体及其制备方法和应用
CN1122732C (zh) 一种硼磷酸镁锌非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN109868504B (zh) 含铽的硼酸盐化合物、含铽的硼酸盐的多晶化合物、光学晶体及其制备方法和用途
Zhou et al. Second harmonic generation in Na3Gd2 (BO3) 3 crystals
CN106835280B (zh) 一种稀土离子Ln3+掺杂铝酸钆锶激光晶体
CN102534793A (zh) 非线性光学材料ZnTeMoO6及其晶体的生长方法
CN101377019A (zh) 一种新型闪烁晶体材料掺铈钨酸钇钠
CN1664177A (zh) 一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070620