CN1967261A - 检查装置及检查方法 - Google Patents

Abstract

在固定构件(103)(14)上设置将检查电路基板(15)(15)的第1电极(25)(25)与半导体集成电路(2)的一方的外部电极(3a)之间连接的第1导电性触头(11)(11)，在可动构件(104)(16)上设置将布线基板(17)的第2电极(27)与半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)之间连接的第2导电性触头(12)(12)，在可动构件(104)上设置将检查电路基板(15)的一方的第3电极(26)与布线基板的另一方的第3电极(28)之间连接的第3导电性触头(13)，另一方的第3电极与第2电极连接，在可动构件(104)移动到达接触位置(A)时，第2导电性触头(12)与另一方的外部电极接触，第3导电性触头与一方的第3电极接触。

Description

检查装置及检查方法

技术领域

本发明涉及用测定装置测定在对向的两面具有电极的半导体集成电路的电气特性来进行检查的检查装置及检查方法。

背景技术

在进行半导体集成电路的电气特性检查时，一般采用将半导体集成电路的外部电极与测定装置电连接来进行检查的检查装置。作为以往的一种检查装置，有采用图20所示的弹性引脚方式(内装弹簧式接触引脚)的导电性触头81的检查装置82。

该弹性引脚方式的导电性触头81，是在筒状体83的内部具有螺旋状的压缩弹簧84及一方的柱塞85及另一方的柱塞86。一方的柱塞85的前端部从筒状体83向上方突出，可自由进出，另一方的柱塞86的前端部从筒状体83向下方突出，可自由进出。另外，压缩弹簧84配置在一方的柱塞85与另一方的柱塞86之间，将两方的柱塞85及86向突出方向压紧。

利用压缩弹簧84的伸缩，将一方的柱塞85与半导体集成电路87的外部电极88压紧，同时将另一方的柱塞86与和测定装置89连接的检查电路基板90的连接盘电极91压紧。通过这样，外部电极88与连接盘电极91通过两方的柱塞85及86和筒状体83电连接。另外，检查电路基板90对于半导体集成电路87配置在一个方向，即配置在与形成外部电极88的表面对向的方向。这是为了，将外部电极88与连接盘电极91之间使用导电性触头81以最短距离进行电连接。

近年来，随着半导体集成电路的高密度化的要求，可能要采用将组装后的半导体集成电路层叠的封装上封装(以下，简称为POP)结构，因此作为一种新的半导体集成电路的封装形态，开发了在对向的两面分别具有电极的半导体集成电路，必须要与这样的半导体集成电路结构相对应的检查装置。另外，随着层叠的半导体集成电路之间的电信号的高速动作，对检查装置也要求提高电性能，即要求传输路径低损耗。

另外，在特开2001-208793中揭示了具有弹性引脚方式(内装弹簧式接触引脚)的导电性触头的半导体集成电路的检查装置。

但是，如图21所示，在对对向的两面87a及87b上具有外部电极88a及88b的半导体集成电路87进行电气特性检查中，当使用前述那样的检查装置82时，会有下述那样的问题。

在以往的检查装置82中，检查电路基板90对于半导体集成电路87配置在一个方向。因此，在使半导体集成电路87的一个面87a的外部电极88a与检查电路基板90对向配置时，难以将半导体集成电路87的另一个面87b的外部电极88b与检查电路基板90的连接盘电极91进行电连接。

因此，如图22所示，在半导体集成电路87的一个面87a上，追加设置在基板内部与另一个面87b的外部电极88b连接的多个检查用外部电极93。使用导电性触头81，将一个面87a的外部电极88a与检查电路基板90的连接盘电极91进行电连接，同时将一个面87a的检查用外部电极93与检查电路基板90的连接盘电极91进行电连接。通过这样，能够将半导体集成电路87的两个面87a及87b的外部电极88a及88b与检查电路基板90的连接盘电极91进行电连接，对半导体集成电路87进行检查。

但是，由于除了外部电极88a及88b，还追加设置检查用外部电极93，因此半导体集成电路87的外部电极88a、88b、93的个数增加。所以存在的问题是，半导体集成电路87的外形尺寸增大，影响通过层叠来实现高密度化的效果。

因而，本发明的目的在于提供一种检查装置及检查方法，该检查装置及检查方法，能够不在半导体集成电路中设置检查用外部电极、而对在对向的两面具有电极的半导体集成电路进行电气特性检查。

发明内容

本发明第1方面的检查装置，对在对向的一个面及另一个面的两个面上具有一方的外部电极及另一方的外部电极的半导体集成电路，进行电气特性检查，其中，

将具有第1电极的检查电路基板与具有第2电极的布线基板对向配置，

将测定装置与检查电路基板连接，

在检查电路基板与布线基板之间形成保持半导体集成电路的保持部，

在固定构件上设置与检查电路基板的第1电极和与检查电路基板对向的半导体集成电路的一方的外部电极接触、将这些电极间进行电连接的第1导电性触头，

在可动构件上设置与布线基板的第2电极和与布线基板对向的半导体集成电路的另一方的外部电极接触、将这些电极间进行电连接的第2导电性触头，

将布线基板设置在可动构件上，

可动构件可自由移动到第2导电性触头与半导体集成电路的另一方的外部电极接触的接触位置、以及第2导电性触头从前述另一方的外部电极离开的离开位置，

在检查电路基板上形成一方的第3电极，

在布线基板上形成通过布线电路与第2电极进行电连接的另一方的第3电极，

在可动构件或固定构件上设置第3导电性触头，该第3导电性触头在可动构件移动到达接触位置时、与一方的第3电极及另一方的第3电极接触而将这些电极间进行电连接。

根据这样的结构，使可动构件预先移动到达离开位置，在将一个面朝向检查电路基板一方的状态下，将半导体集成电路保持在保持部。通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极与第1导电性触头接触，第1导电性触头将检查电路基板的第1电极与半导体集成电路的一方的外部电极之间连接。

然后，使可动构件从离开位置移动到达接触位置。通过这样，第2导电性触头与半导体集成电路的另一个面的外部电极接触，将布线基板的第2电极与半导体集成电路的另一方的外部电极之间连接，同时第3导电性触头与一方的第3电极及另一方的第3电极接触，将这两方的第3电极之间连接。

通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极通过第1导电性触头与检查电路基板进行电连接，同时半导体集成电路的另一方的外部电极通过第2导电性触头及布线基板及第3导电性触头与检查电路基板进行电连接，能够将半导体集成电路与测定装置进行电连接，对半导体集成电路进行电气特性检查。

因而，不需要像以往那样，在半导体集成电路的一个面上追加设置与另一个面的外部电极进行电连接的检查用外部电极。通过这样，能够防止半导体集成电路的外部电极个数增加，防止半导体集成电路的外形尺寸的大型化，能够得到通过层叠来实现高密度化的效果。

本发明第2方面的检查装置，使布线基板的特性阻抗与检查电路基板或测定装置的特性阻抗相匹配。

根据这样的结构，由于布线基板与检查电路基板或测定装置进行阻抗匹配，因此能够得到良好的高频传输特性。

本发明第3方面的检查装置，第3导电性触头的全长比第1导电性触头的全长和第2导电性触头的全长和半导体集成电路的全高之和要短。

根据这样的结构，由于一般难以使第1～第3的各导电性触头与检查电路基板或测定装置阻抗匹配，因此通过缩短难以阻抗匹配的第3导电性触头的全长，能够抑制第3导电性触头带来的高频传输特性的下降。

本发明第4方面的检查装置，将第1～第3导电性触头的至少某一导电性触头，采用各向异性导电性橡胶方式的触头。

本发明第5方面的检查装置，

将可动构件设置在将半导体集成电路传送到保持部上的传送装置上

在上述可动构件上设置在第1导电性触头与第2导电性触头之间吸附半导体集成电路的吸附构件，

吸附构件可在面向检查电路基板侧突出的突出位置、与面向可动构件侧退入的退入位置之间自由移动，

在可动构件移动到达离开位置时，吸附构件移动到达突出位置，被吸附构件吸附的半导体集成电路从第2导电性触头离开，

在可动构件移动到达接触位置时，吸附构件移动到达退入位置，半导体集成电路的另一方的外部电极与第2导电性触头接触。

根据这样的结构，用吸附构件吸附半导体集成电路，利用传送装置将半导体集成电路与可动构件一起传送到保持部上。然后，解除吸附构件的吸附，使可动构件从离开位置移动到达接触位置。通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极与第1导电性触头接触，第1导电性触头将检查电路基板的第1电极与半导体集成电路的一方的外部电极之间连接，同时吸附构件从突出位置移动到达退入位置，半导体集成电路的另一方的外部电极与第2导电性触头接触，第2导电性触头将半导体集成电路的另一方的外部电极与布线基板的第2电极之间连接，再有第3导电性触头与一方的第3电极及另一方的第3电极接触，将这两第3电极之间连接。

通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极通过第1导电性触头与检查电路基板进行电连接，同时半导体集成电路的另一方的外部电极通过第2导电性触头及布线基板及第3导电性触头与检查电路基板进行电连接，能够将半导体集成电路与测定装置进行电连接，对半导体集成电路进行电气特性检查。

检查结束后，用吸附构件吸附半导体集成电路，使可动构件从接触位置移动到达离开位置。通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极从第1导电性触头离开，同时吸附构件从退入位置移动到达突出位置，半导体集成电路从第2导电性触头离开，再有第3导电性触头从一方的第3电极或另一方的第3电极离开。在该状态下，利用传送装置将检查完的半导体集成电路与可动构件一起从保持部上向其它的地方传送。

本发明第6方面的检查方法，是使用前述本发明第1方面所述的检查装置的检查方法，其中，

将半导体集成电路保持在保持部，

使可动构件移动到达接触位置，通过第1导电性触头，将检查电路基板的第1电极与半导体集成电路的一方的外部电极进行电连接，同时通过第2导电性触头，将布线基板的第2电极与半导体集成电路的另一方的外部电极进行电连接，而且通过第3导电性触头，将检查电路基板的一方的第3电极与布线基板的另一方的第3电极进行电连接，

将检查信号从测定装置向半导体集成电路的一方或另一方的外部电极输出，

将对于检查信号的应答信号从半导体集成电路的一方或另一方的外部电极用测定装置进行收发，测量该应答信号。

本发明第7方面的检查装置，对在对向的一个面及另一个面的两个面上具有一方的外部电极及另一方的外部电极的半导体集成电路，进行电气特性检查，其中，

将检查电路基板与检查用半导体集成电路(这里所述的检查用半导体集成电路是指用于上述半导体集成电路检查的检查专用的半导体集成电路)对向配置，

检查电路基板具有第1电极，

检查用半导体集成电路具有与利用封装上封装方式在前述半导体集成电路上重叠其它的半导体集成电路相同的结构，同时在与检查电路基板对向的面上具有检查用外部电极，

将测定装置与检查电路基板连接，

在检查电路基板与检查用半导体集成电路之间形成保持半导体集成电路的保持部，

在固定构件上设置与检查电路基板的第1电极和与检查电路基板对向的半导体集成电路的一方的外部电极接触、将这些电极间进行电连接的第1导电性触头，

在可动构件上设置与检查用半导体集成电路的检查用外部电极和与检查用半导体集成电路对向的半导体集成电路的另一方的外部电极接触、将这些电极间进行电连接的第2导电性触头，

将检查用半导体集成电路设置在可动构件上，

可动构件可自由移动到第2导电性触头与半导体集成电路的另一方的外部电极接触的接触位置、以及第2导电性触头从前述另一方的外部电极离开的离开位置。

根据这样的结构，使可动构件预先移动到达离开位置，在将一个面朝向检查电路基板一方的状态下，将半导体集成电路保持在保持部。通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极与第1导电性触头接触，第1导电性触头将检查电路基板的第1电极与半导体集成电路的一方的外部电极之间连接。

然后，使可动构件从离开位置移动到达接触位置。通过这样，第2导电性触头与半导体集成电路的另一个面的外部电极接触，将半导体集成电路的另一方的外部电极与检查用半导体集成电路的检查用外部电极之间连接。

通过这样，半导体集成电路的一方的外部电极通过第1导电性触头与检查电路基板进行电连接，同时半导体集成电路的另一方的外部电极通过第2导电性触头与检查用半导体集成电路进行电连接。

在这种状态下，从测定装置通过第1导电性触头对半导体集成电路输出检查信号，将对于该检查信号的第1应答信号从半导体集成电路通过第1导电性触头用测定装置进行收发。另外，从半导体集成电路通过第2导电性触头对检查用半导体集成电路输出第2应答信号，将对于该第2应答信号的第3应答信号或空信号从检查用半导体集成电路通过第2导电性触头对半导体集成电路输出。再有，将对于第3应答信号或空信号的第4应答信号从半导体集成电路通过第1导电性触头用测定装置进行收发，通过测量收发的前述第1应答信号及第4应答信号，能够对半导体集成电路进行电气特性检查。

因而，不需要像以往那样，在半导体集成电路的一个面上追加设置与另一个面的外部电极进行电连接的检查用外部电极。通过这样，能够防止外部电极个数增加，防止半导体集成电路的外形尺寸的大型化，能够得到通过层叠来实现高密度化的效果。

本发明第8方面的检查装置，测定装置对半导体集成电路输出检查信号，同时收发对于检查信号的第1应答信号，再收发对于第3应答信号或空信号的第4应答信号，

检查用半导体集成电路收发从半导体集成电路输出的第2应答信号，同时将对于第2应答信号的第3应答信号或空信号对半导体集成电路输出。

本发明第9方面的检查装置，使检查用半导体集成电路的检查用外部电极与第2导电性触头的接触电阻小于半导体集成电路的外部电极与第1导电性触头的接触电阻。

根据这样的结构，能够使检查用半导体集成电路的检查用外部电极与第2导电性触头的电连接长期稳定，能够对半导体集成电路进行更高精度的电气特性检查。

本发明第10方面的检查方法，是使用前述第7发明所述的检查装置的检查方法，其中，

将半导体集成电路保持在保持部，

使可动构件移动到达接触位置，通过第1导电性触头，将检查电路基板的第1电极与半导体集成电路的一方的外部电极进行电连接，同时通过第2导电性触头，将检查用半导体集成电路的检查用外部电极与半导体集成电路的另一方的外部电极进行电连接，

从测定装置通过第1导电性触头对半导体集成电路，输出检查信号，

将对于检查信号的第1应答信号从半导体集成电路通过第1导电性触头用测定装置进行收发，

再有，从半导体集成电路通过第2导电性触头对检查用半导体集成电路，输出第2应答信号，

将对于第2应答信号的第3应答信号或空信号，从检查用半导体集成电路通过第2导电性触头，对半导体集成电路输出，

将对于第3应答信号或空信号的第4应答信号，从半导体集成电路通过第1导电性触头，用测定装置进行收发，

测量收发的前述第1应答信号及第4应答信号。

本发明第11方面的检查装置，对在对向的一个面及另一个面的两个面上具有一方的外部电极及另一方的外部电极的第1半导体集成电路、以及

仅在一个面上具有外部电极而且利用封装上封装方式在第1半导体集成电路上重叠的第2半导体集成电路的至少某一种半导体集成电路进行电气特性检查，其中，

在检查电路基板与可动构件之间具有固定构件，

在检查电路基板上设置第1电极，

将测定装置与检查电路基板连接，

在固定构件上设置第1导电性触头，

可动构件由可在接近离开固定构件的移动路径上自由移动、同时能够分别移动的第1可动体及第2可动体构成，

第2可动体与固定构件对向配置，

第1可动体配置在第2可动体与固定构件之间，

在第1可动体上设置第2导电性触头，

在固定构件与第1可动体之间形成保持第1半导体集成电路的第1保持部，

在第1可动体与第2可动体之间形成保持第2半导体集成电路的第2保持部，

第1导电性触头与第1电极及保持在第1保持部上的第1半导体集成电路的一方的外部电极接触，将这些电极间进行电连接，

第2导电性触头与保持在第1保持部上的第1半导体集成电路的另一方的外部电极及保持在第2保持部上的第2半导体集成电路的外部电极接触，将这些电极间进行电连接，

第1可动体可自由移动到第2导电性触头与第1半导体集成电路的另一方的外部电极接触的第1接触位置、以及第2导电性触头从第1半导体集成电路的另一方的外部电极离开的第1离开位置，

第2可动体可自由移动到与保持在第2保持部上的第2半导体集成电路接触并将第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头压紧的第2接触位置、以及从第2半导体集成电路离开的第2离开位置，

根据这样的结构，在对第1半导体集成电路进行电气特性检查时，预先将第2半导体集成电路保持在第2保持部上，使第2可动体移动到达第2接触位置。通过这样，第2可动体与第2半导体集成电路接触，将第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头压紧。

然后，使第1可动体移动到达第1离开位置，将检查对象的第1半导体集成电路保持在第1保持部上。通过这样，第1导电性触头与第1电极及第1半导体集成电路的一方的外部电极接触。

然后，使第1可动体与第2可动体一起移动到达第1接触位置。通过这样，由于第2导电性触头与第1半导体集成电路的另一方的外部电极接触，因此第1导电性触头将检查电路基板的第1电极与第1半导体集成电路的一方的外部电极之间连接，同时第2导电性触头将第1半导体集成电路的另一方的外部电极与第2半导体集成电路的外部电极之间连接。

通过这样，第1半导体集成电路的一方的外部电极通过第1导电性触头与检查电路基板进行电连接，同时第1半导体集成电路的另一方的外部电极通过第2导电性触头与第2半导体集成电路进行电连接，能够对第1半导体集成电路进行电气特性检查。

然后，使第1可动体与第2可动体一起从第1接触位置移动到达第1离开位置，从第1保持部取出检查完的第1半导体集成电路，将成为检查对象的其它的第1半导体集成电路保持在第1保持部，利用与前述同样的顺序，检查第1半导体集成电路。

另外，在对第2半导体集成电路进行电气特性检查时，预先将第1半导体集成电路保持在第1保持部，使第1可动体移动到达第1接触位置。通过这样，第2导电性触头与第1半导体集成电路的另一方的外部电极接触，同时第1导电性触头将检查电路基板的第1电极与第1半导体集成电路的一方的外部电极之间连接。

然后，使第2可动体移动到达第2离开位置，将检查对象的第2半导体集成电路保持在第2保持部上。通过这样，第2导电性触头与第2半导体集成电路的外部电极接触。然后，使第2可动体移动到达第2接触位置。通过这样，由于第2可动体与第2半导体集成电路接触，将第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头压紧，因此第2导电性触头将第2半导体集成电路的外部电极与第1半导体集成电路的另一方的外部电极之间连接。

通过这样，第1半导体集成电路的一方的外部电极通过第1导电性触头与检查电路基板进行电连接，同时第2半导体集成电路的外部电极通过第2导电性触头与第1半导体集成电路的另一方的外部电极进行电连接，能够对第2半导体集成电路进行电气特性检查。

然后，使第2可动体从第2接触位置移动到达第2离开位置，从第2保持部取出检查完的第2半导体集成电路，将成为检查对象的其它的第2半导体集成电路保持在第2保持部上，利用与前述同样的顺序，检查第2半导体集成电路。

本发明第12方面的检查装置，在对第1半导体集成电路进行电气特性检查时，使第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头的接触电阻小于第1半导体集成电路的外部电极与第1导电性触头的接触电阻，

在对第2半导体集成电路进行电气特性检查时，使第1半导体集成电路的外部电极与第1导电性触头的接触电阻小于第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头的接触电阻。

根据这样，在不将第2半导体集成电路作为特性检查对象、而仅对第1半导体集成电路进行特性检查时，能够使第2半导体集成电路的外部电极与第2导电性触头的电连接长期稳定，能够进行更高精度的电气特性检查。

另外，在不将第1半导体集成电路作为特性检查对象、而仅对第2半导体集成电路进行特性检查时，能够使第1半导体集成电路的外部电极与第1导电性触头的电连接长期稳定，能够进行更高精度的电气特性检查。

附图说明

图1为本发明实施形态1的检查装置图，(a)所示为使可动构件下降到达下限位置的状态，(b)所示为使可动构件上升到达上限位置的状态。

图2为图1(b)中的X-X向视图。

图3为图1(b)中的Y-Y向视图。

图4为图1(b)中的Z-Z向视图。

图5为用检查装置检查的半导体集成电路图。

图6所示为检查装置的信号传输路径的方框图。

图7为本发明实施形态2的检查装置图，(a)所示为使可动构件下降到达下限位置的状态，(b)所示为使可动构件上升到达上限位置的状态。

图8为检查装置的柔性布线基板图，(a)所示为从固定构件侧(下方)来看的视图，(b)所示为(a)中的X-X向视图。

图9为本发明实施形态3的检查装置图，(a)所示为使可动构件下降到达下限位置的状态，(b)所示为使可动构件上升到达上限位置的状态。

图10为检查装置的第2导电性触头的平面图。

图11为检查装置的第2导电性触头的部分放大剖视图。

图12为本发明实施形态4的检查装置的第2导电性触头的部分放大剖视图。

图13为本发明实施形态5的检查装置图，所示为吸附半导体集成电路并使可动构件上升到达上限位置的状态。

图14为检查装置图，所示为使半导体集成电路落下、用保持部保持的状态。

图15为检查装置图，所示为使可动构件下降到达下限位置的状态。

图16为本发明实施形态6的检查装置图，(a)所示为使可动构件下降到达下限位置的状态，(b)所示为使可动构件上升到达上限位置的状态。

图17所示为检查装置的信号传输路径的方框图。

图18为本发明实施形态7的检查第1半导体集成电路时的检查装置图，(a)所示为使可动构架下降到达第1下限位置的状态，(b)所示为使可动构架上升到达第1上限位置的状态。

图19为检查第2半导体集成电路时的检查装置图，(a)所示为使可动罩盖下降到达第2下限位置的状态，(b)所示为使可动罩盖上升到达第2上限位置的状态。

图20为以往的检查装置的导电性触头部分放大图。

图21为以往的检查装置图，所示为放置了在对向的两面具有外部电极的半导体集成电路的状态。

图22所示为使用以往的检查装置来检查在对向的两面具有外部电极的半导体集成电路的方法图。

具体实施方式

为了更详细地说明本发明，下面根据附图对它进行说明。

(实施形态1)

首先，根据图1～图6说明实施形态1。

如图1～图4所示，检查装置1是用测定装置4来测定半导体集成电路2的电气特性，从而进行检查的。另外，如图5所示，在半导体集成电路2的对向的两面2a及2b上分别形成多个外部电极3a及3b。

前述检查装置1具有弹性引脚方式(内装弹簧式接触引脚方式)的第1～第3导电性触头11～13、固定构件14、与前述测定装置4连接的检查电路基板15、可动构件16、以及布线基板17。

在检查电路基板15的上方，对向配置布线基板17。检查电路基板15利用螺丝(未图示)等设置在固定构件14的下部，可自由装拆。在检查电路基板15的上面形成多个第1连接盘电极25(第1电极的一个例子)及多个固定侧的第3连接盘电极26(一方的第3电极的一个例子)。

各导电性触头11～13与以往相同，由筒状体19、压缩弹簧20、一方的柱塞21、以及另一方的柱塞22构成。另外，第1及第2导电性触头11及12是长度相等的导电性触头，第3导电性触头13是比第1及第2导电性触头11及12要长的导电性触头。

第1导电性触头11与检查电路基板15的第1连接盘电极25及半导体集成电路2的一方的外部电极3a接触，将这些电极25与3a之间进行电连接。第1导电性触头11使一方的柱塞21向上，同时使另一方的柱塞22向下，在固定构件14上设置多个。

如图1及图2所示，前述固定构件14在俯视图中由四边形构架构成。在固定构件14的上部(即检查电路基板15与布线基板17之间)，设置保持半导体集成电路2的保持部24、以及将半导体集成电路2在保持部24上定位的突起部30。另外，突起部30配置多个，使其包围保持部24的周围。在保持部24，利用第1导电性触头11支持半导体集成电路2。

如图1及图3所示，可动构件16在俯视图中由四边形构架构成，相对于固定构件14可沿上下方向移动那样构成。可动构件16利用缸体或电动机等构成的驱动装置(未图示)进行升降。

可动构件16形成下方开口的凹下形状的放置部18。如图1(a)所示，在下限位置A(接触位置的一个例子)，固定构件14放置在可动构件16的放置部18内，如图1(b)所示，在上限位置B(离开位置的一个例子)，放置部18向固定构件14的上方离开，固定构件14向可动构件16的下方露出。

如图1及图4所示，布线基板17利用螺丝(未图示)等设置在可动构件16的上部，可自由装拆。在布线基板17的下面形成多个第2连接盘电极27(第2电极的一个例子)及多个可动侧的第3连接盘电极28(另一方的第3电极的一个例子)。各第2连接盘电极27与可动侧第3连接盘电极28通过布线基板17上形成的布线电路23进行电连接。

第2及第3导电性触头12及13分别使一方的柱塞21向上，同时使另一方的柱塞22向下，在可动构件16上各设置多个。第2导电性触头12与布线基板17的第2连接盘电极27及半导体集成电路2的另一方的外部电极3b接触，将这些电极27与3b之间进行电连接。另外，第3导电性触头13与检查电路基板15的固定侧第3连接盘电极26及布线基板17的可动侧第3连接盘电极28接触，将这些电极26与28之间进行电连接。

以下，说明上述结构的作用。

如图1(b)所示，在使可动构件16上升到达上限位置B的状态下，各第1导电性触头11的另一方的柱塞22的前端与第1连接盘电极25接触，另外，各第2导电性触头12的一方的柱塞21的前端与第2连接盘电极27接触，再有，各第3导电性触头13的一方的柱塞21的前端与可动侧第3连接盘电极28接触。

在该状态下，通过将半导体集成电路2配置在保持部24，则半导体集成电路2的一个面2a的外部电极3a与各第1导电性触头11的一方的柱塞21的前端接触。

然后，如图1(a)所示，通过使可动构件16从上限位置B下降到达下限位置A，则将固定构件14放置在可动构件16的放置部18内，各第2导电性触头12的另一方的柱塞22的前端与半导体集成电路2的另一个面2b的外部电极3b接触，同时各第3导电性触头13的另一方的柱塞22的前端与固定侧第3连接盘电极26接触。

通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头12及布线基板17及第3导电性触头13与检查电路基板15进行电连接。因此，半导体集成电路2与测定装置4进行电连接，能够对半导体集成电路2进行电气特性检查。

因而，不需要像以往那样，在半导体集成电路2的一个面2a上追加设置与另一方的外部电极3b进行电连接的检查用外部电极。通过这样，能够防止外部电极个数增加，防止半导体集成电路2的外形尺寸的大型化，能够得到通过层叠来实现高密度化的效果。

另外，如前所述，在使可动构件16下降到达下限位置A时，由于各导电性触头11～13内的压缩弹簧20被压缩，利用这些压缩弹簧20的反作用力，各导电性触头11～13的柱塞21及22对各电极3a、3b、25～28产生接触载荷，各导电性触头11～13的柱塞21及22与各电极3a、3b、25～28压紧，因此能够得到稳定的电气导通。

检查结束后，如图1(b)所示，通过使可动构件16从下限位置A上升到达上限位置B，各第2导电性触头12的另一方的柱塞22的前端从半导体集成电路2的另一方的外部电极3b向上方离开，同时各第3导电性触头13的另一方的柱塞22的前端从固定侧第3连接盘电极26向上方离开。

下面，说明使用前述检查装置1的半导体集成电路2的检查方法。

如前所述，使可动构件16下降到达下限位置A，如图1(a)所示，通过第1导电性触头11将检查电路基板15的第1连接盘电极25与半导体集成电路2的一方的外部电极3a进行电连接，同时通过第2导电性触头12将布线基板17的第2连接盘电极27与半导体集成电路2的另一方的外部电极3b进行电连接，而且通过第3导电性触头13将检查电路基板15的固定侧第3连接盘电极26与布线基板17的可动侧第3连接盘电极28进行电连接。

然后，如图6所示，在将半导体集成电路2的各外部电极3a及3b与测定装置4进行电连接的状态下，从测定装置4对外部电极3a及3b供给任意时间检查信号，然后将对于前述检查信号的应答信号从外部电极3a及3b用测定装置4进行任意时间收发，用测定装置4测量收发的应答信号，判别测量结果，通过这样来检查半导体器件2的电气特性。

在这种情况下，对任意的某一个或多个一方的外部电极3a的检查信号，从测定装置4通过检查电路基板15及第1导电性触头11，供给前述任意的一方的外部电极3a。再有，从任意的某一个或多个一方的外部电极3a输出的应答信号，则通过第1导电性触头11及检查电路基板15，用测定装置4进行收发和测量。

另外，对任意的某一个或多个另一方的外部电极3b的检查信号，从测定装置4通过检查电路基板15及第3导电性触头13及布线基板17及第2导电性触头12，供给前述任意的另一方的外部电极3b。再有，从任意的某一个或多个另一方的外部电极3b输出的应答信号，则通过第2导电性触头12及布线基板17及第3导电性触头13及检查电路基板15，用测定装置4进行收发和测量。

(实施形态2)

下面，根据图7及图8说明实施形态2。

如图7所示，将可动构件16分割成外构件16a及内构件16b。外构件16a及内构件16b在俯视图中分别为四边形。在外构件16a的中心部形成下方开口的凹下形状的空间部35。内构件16b配置在空间部35内，安装在外构件16a上。

另外，作为布线基板，是采用柔软的可自由弯曲的柔性布线基板36。如图8所示，在柔性布线基板36的中心部形成孔37。柔性布线基板36被弯曲，前述孔37的边缘部(中心部)成为上部36a，外边缘部成为位于上部36a的下方的下部36b。

柔性布线基板36的上部36a插入安装在外构件16a与内构件16b的间隙中。柔性布线基板36的下部36b安装在外构件16a的外边缘部下表面。

在柔性布线基板36的上部36a的下表面形成多个第2连接盘电极27。在柔性布线基板36的下部36b的下表面形成多个可动侧第3连接盘电极28。在固定构件14上设置第1及第3导电性触头11及13。第3导电性触头13的另一方的柱塞22的前端与固定侧第3连接盘电极26接触。另外，在可动构件16的内构件16b上设置第2导电性触头12。

另外，前述检查电路基板15及测定装置4分别具有规定的特性阻抗。适当设计柔性布线基板36的布线宽度及间隔，使柔性布线基板36的特性阻抗与前述检查电路基板15或测定装置4的特性阻抗匹配。例如，在检查电路基板15及测定装置4的各特性阻抗分别为50Ω时，将柔性布线基板36的特性阻抗匹配为50Ω。

以下，说明上述结构的作用。

如图7(b)所示，使可动构件16预先上升到达上限位置B，在将一个面2a朝向固定构件14一方的状态下，将半导体集成电路2配置在固定构件14的保持部24。通过这样，半导体集成电路2的一方的各外部电极3a与第1导电性触头11的一方的柱塞21的前端接触。

然后，如图7(a)所示，通过使可动构件16下降到达下限位置A，则各第2导电性触头12的另一方的柱塞22的前端与半导体集成电路2的另一个面2b的外部电极3b接触，同时各第3导电性触头13的一方的柱塞21的前端与柔性布线基板36的可动侧第3连接盘电极28接触。

通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头12及柔性布线基板36及第3导电性触头13与检查电路基板15进行电连接。通过这样，半导体集成电路2与测定装置4进行电连接，能够对半导体集成电路2进行电气特性检查。

这时，由于柔性布线基板36分别与检查电路基板15及测定装置4进行阻抗匹配，因此能够得到良好的高频传输特性。

另外，在本实施形态2中，通过采用可自由弯曲的柔性布线基板36，能够使可动侧第3连接盘电极28位于第2连接盘电极27的下方(即接近固定构件14的一方)。通过这样，若设半导体集成电路2的全高为H(参照图5)，第1导电性触头11的全长为L1，第2导电性触头12的全长为L2，第3导电性触头13的全长为L3，则可以使全长L3比全高H与全长L1与全长L2之和要短(即L3＜H+L1+L2)。

一般，由于难以使第1～第3的各导电性触头11～13与检查电路基板15或测定装置4进行阻抗匹配，因此通过采用前述那样的尺寸关系(即L3＜H+L1+L2)，使难以阻抗匹配的第3导电性触头13的全长L3比前述实施形态1的要短。

再有，通过使用柔性布线基板36，能够将第1～第3的各导电性触头11～13的全长L1～L3全部统一为相同的值(例如3mm)。因此，能够将第1～第3的各导电性触头11～13统一为一种，能够减少零部件的种类。

(实施形态3)

下面，根据图9～图11说明实施形态3。

本实施形态3如图9所示，是使用各向异性导电性橡胶方式的第2导电性触头41，以代替前述的实施形态2的弹性引脚方式(内装弹簧式接触引脚方式)的第2导电性触头12。

该第2导电性触头41如图10及图11所示，由中心部具有孔42的方板状硅橡胶部43、以及多个金属粒子内包部45构成。这些金属粒子内包部45是将具有良好导电性的金粒子44(或对镍施加镀金的金属粒子)内包在硅橡胶中。利用前述金属粒子内包部45的金粒子44，形成能够得到仅一个方向电气导通的结构。

另外，可动构件16形成下方开口的凹下形状的空间部47。在该空间部47内的顶部形成向下(即面向固定构件14)突出的突出部48。该突出部48插入柔性布线基板36的孔37及硅橡胶部43的孔42，在可动构件16的下表面(与固定构件14对向的面)安装柔性布线基板36，在柔性布线基板36的下表面安装第2导电性触头41。第2导电性触头41的各金属粒子内包部45的上端与柔性布线基板36的第2连接盘电极27接触。

以下，说明上述结构的作用。

如图9(b)所示，使可动构件16预先上升到达上限位置B，在将一个面2a朝向固定构件14一方(下方)的状态下，将半导体集成电路2配置在固定构件14的保持部24。通过这样，半导体集成电路2的一方的各外部电极3a与第1导电性触头11的一方的柱塞21的前端接触。

然后，如图9(a)所示，通过使可动构件16下降到达下限位置A，则第2导电性触头41的各金属粒子内包部45的下端与半导体集成电路2的另一方的各外部电极3b接触，同时各第3导电性触头13的一方的柱塞21的前端与柔性布线基板36的可动侧第3连接盘电极28接触。

通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头41及柔性布线基板36及第3导电性触头13与检查电路基板15进行电连接。通过这样，半导体集成电路2与测定装置4进行电连接，能够对半导体集成电路2进行电气特性检查。

另外，如前所述，在使可动构件16下降到达下限位置A时，第1及第3导电性触头11及13内的压缩弹簧20被压缩，同时第2导电性触头12的金属粒子内包部45被压缩。利用这些压缩弹簧20的反作用力，第1及第3导电性触头11及13的柱塞21及22对各电极3a、25、26、28产生接触载荷，同时利用金属粒子内包部45的硅橡胶的弹性，第2导电性触头41的粒子内包部45对各电极3b、27产生接触载荷。通过这样，由于第1及第3导电性触头11及13的柱塞21及22及第2导电性触头12的金属粒子内包部45与各电极3a、3b、25～28压紧，因此能够得到稳定的电气导通。

(实施形态4)

下面，根据图12说明实施形态4。

在前述实施形态3中，是用硅橡胶部43及多个金属粒子内包部45构成第2导电性触头41，但在本实施形态4中，如图12所示，用硅橡胶部43及多个金属线内包部53构成第2导电性触头41。这些金属线内包部53是将具有良好导电性的金或对镍施加镀金的金属线54斜向内包在硅橡胶中。通过这样，金属线内包部53形成能够得到仅一个方向电气导通的结构。

在前述实施形态3及4中，是使第2导电性触头41采用各向异性导电性橡胶方式，但也可以使第1或第3导电性触头11或13采用各向异性导电性橡胶方式。

(实施形态5)

下面，根据图13～图15说明实施形态5。

如图13～图15所示，在多个托盘(未图示)与检查装置1的保持部24之间传送半导体集成电路2的机器人式自动传送装置60上设置可动构件16。

可动构件16由俯视图中为四边平板状的上构件16c、以及安装在上构件16c的下表面的下构件16d构成。可动构件16形成下方开口的凹下形状的空间部47。在可动构件16的下表面(与固定构件14对向的面)安装柔性布线基板36，在柔性布线基板36的下表面安装各向异性导电性橡胶方式的第2导电性触头41。第2导电性触头41的各金属粒子内包部45的上端与柔性布线基板36的第2连接盘电极27接触。

可动构件16保持有在第1导电性触头11与第2导电性触头41之间吸附半导体集成电路2的吸附块61(吸附构件的一个例子)。上述吸附块61嵌入保持在可动构件16上形成的保持孔62内，可沿上下方向(与可动构件16的移动方向相同的方向)自由移动。在吸附块61的上端部形成凸缘部61a。如图14所示，在吸附块61向检查电路基板15一侧下降到达突出位置C时，吸附块61的下端部通过柔性布线基板36的孔37及第2导电性触头41的孔42，比第2导电性触头41更向下方突出，通过凸缘部61a与下构件16d卡合，就阻止吸附块61下降。

另外，如图15所示，在吸附块61向可动构件16一侧上升到达退入位置D时，吸附块61的下端部向比第2导电性触头41的下端面更上方退入，通过吸附块61的上端面与保持孔62的上里面接触，而阻止吸附块61上升。

在上述吸附块61的下端面形成吸附口63(参照图14)，在吸附块61的外周面形成吸引口64。在吸附块61的内部形成与吸附口63及吸引口64连通的、呈直角弯曲的吸引通路65。另外，在可动构件16中形成真空通路66。该真空通路66的一端与吸引口64连通。另外，真空通路66的另一端通过连接管道等，与真空泵等真空源连接。另外，真空通路66是这样形成，使得其长度方向为与吸附块61的移动方向(即上下方向)垂直的方向(即横向)。

以下，说明上述结构的作用。

利用自动传送装置60，将可动构件16传送到放置有检查前的半导体集成电路2的托盘的上方。使真空泵动作，使真空通路66及吸引通路65内的气压低于大气压，将托盘内的半导体集成电路2用吸附块61的吸附口63吸附。

然后，如图13所示，利用自动传送装置60，将半导体集成电路2与可动构件16一起，从托盘上方向检查装置1的保持部24上传送。这时，可动构件16位于上限位置B，吸附块61利用吸附块61的自重及半导体集成电路2的重量，下降到达突出位置C。通过这样，半导体集成电路2在不与第2导电性触头41接触、向下方离开的状态下，被吸附块61吸附保持。因此，利用第2导电性触头41产生的向下的接触载荷没有作为向下的反力作用于半导体集成电路2。因而，吸附块61的吸附力没有被上述反力抵消，而作用于半导体集成电路2。通过这样，能够进行稳定的传送动作。

接着，如图14所示，将真空泵停止，向大气开放，从而解除用吸附块61的吸附，半导体集成电路2落下，被保持部24保持。通过这样，半导体集成电路2的一方的各外部电极3a与第1导电性触头的一方的柱塞21的前端接触。

然后，如图15所示，通过使可动构件16从上限位置B下降到达下限位置A，则吸附块61从突出位置C向上推，退入到达退入位置D，半导体集成电路2的另一方的各外部电极3b与第2导电性触头41的各金属粒子内包部45的下端接触，再有各第3导电性触头13的一方的柱塞21的前端与柔性布线基板36的可动侧第3连接盘电极28接触。

通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头41及柔性布线基板36及第3导电性触头13与检查电路基板15进行电连接。通过这样，半导体集成电路2与测定装置4进行电连接，能够对半导体集成电路2进行电气特性检查。

检查结束后，使真空泵动作，用吸附口63吸附半导体集成电路2，在该状态下，如图13所示，使可动构件16从下限位置A上升到达上限位置B。通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a从第1导电性触头11向上方离开，同时可动侧第3连接盘电极28从第3导电性触头13离开。再有，吸附块61利用吸附块61的自重及半导体集成电路2的重量，下降到达突出位置C，半导体集成电路2在不与第2导电性触头41接触、向下方离开的状态下，被吸附块61吸附保持。

然后，利用自动传送装置60将半导体集成电路2与可动构件16一起向其它的空托盘的上方传送。然后，将真空泵停止，向大气开放，从而解除用吸附块61的吸附，将检查完的半导体集成电路2从吸附块61放入前述空托盘内。

另外，吸附块61是在突出位置C与退入位置D之间进行上下移动，而与此不同的是，真空通路66从横向与吸附块61的吸引口64连通。所以，真空通路66的长度方向与吸附块61的移动方向不是同一个方向，是相差90°的方向。因而，在使真空泵动作、产生吸引力时，前述吸引力不妨碍吸附块61的上下移动。

(实施形态6)

下面，根据图16及图17说明实施形态6。

如图16所示，检查装置1具有弹性引脚方式(内装弹簧式接触引脚)的第1及第2导电性触头11及12、固定构件14、与测定装置4连接的检查电路基板15、可动构件16、以及检查用半导体集成电路70。

在检查电路基板15的上方，对向配置检查用半导体集成电路70。检查电路基板15利用螺丝(未图示)等设置在固定构件14的下部，可自由装拆。在检查电路基板15的上面形成多个第1连接盘电极25(第1电极的一个例子)。

各导电性触头11及12与以往相同，由筒状体19及压缩弹簧20及一方的柱塞21及另一方的柱塞22构成。另外，对各柱塞21及22施加镀金。

第1导电性触头11与检查电路基板15的第1连接盘电极25及半导体集成电路2的一方的外部电极3a接触，将这些电极25与3a之间进行电连接。第1导电性触头11使一方的柱塞21向上，同时使另一方的柱塞22向下，在固定构件14上设置多个。

前述固定构件14在俯视图中由四边形构架构成。在固定构件14的上部(即检查电路基板15与检查用半导体集成电路70之间)，设置保持半导体集成电路2的保持部24、以及将半导体集成电路2在保持部24上定位的突起部30。另外，突起部30这样配置，使其包围保持部24的周围。在保持部24，半导体集成电路2利用第1导电性触头11支持。

另外，可动构件16由俯视图中的四边形本体构架16e、以及安装在本体构架16e的上部且可自由装拆的罩盖16f构成。可动构件16相对于固定构件14可沿上下方向自由移动，设置使可动构件16升降的由缸体或电动机等构成的驱动装置。

另外，检查用半导体集成电路70安装在可动构件16的罩盖16f的下部，可自由装拆。检查用半导体集成电路70具有与利用封装上封装方式在半导体集成电路2上重叠其它的半导体集成电路相同的结构。另外，检查用半导体集成电路70在它的下表面(即与检查电路基板15对向的面)具有多个检查用外部电极71。这些检查用外部电极71呈平坦状，其母材由铜或钨构成，对其表面施加镀金。

各第2导电性触头12与检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71及半导体集成电路2的另一方的外部电极3b接触，将这些电极71与3b之间进行电连接。在可动构件16的本体构架16e上设置多个各第2导电性触头12。

可动构件16在下限位置A(接触位置的一个例子)与上限位置B(离开位置的一个例子)之间升降。如图16(a)所示，在下限位置A，第2导电性触头12与半导体集成电路2的另一方的外部电极3b接触，如图16(b)所示，在上限位置B，第2导电性触头12从前述另一方的外部电极3b向上方离开。

以下，说明上述结构的作用。

如图16(b)所示，在使可动构件16上升到达上限位置B的状态下，各第1导电性触头11的另一方的柱塞22的前端与第1连接盘电极25接触，另外，各第2导电性触头12的一方的柱塞21的前端与检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71接触。

在该状态下，通过将半导体集成电路2配置在保持部24，则半导体集成电路2的一方的外部电极3a与各第1导电性触头11的一方的柱塞21的前端接触。

然后，如图16(a)所示，通过使可动构件16从上限位置B下降到达下限位置A，则各第2导电性触头12的另一方的柱塞22的前端与半导体集成电路2的另一方的外部电极3b接触。

通过这样，半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头12与检查用半导体集成电路70进行电连接，能够对半导体集成电路2进行电气特性检查。

因而，不需要像以往那样，在半导体集成电路2的一个面2a上追加设置与另一方的外部电极3b进行电连接的检查用外部电极。通过这样，能够防止外部电极个数增加，防止半导体集成电路2的外形尺寸的大型化，能够得到通过层叠来实现高密度化的效果。

另外，如前所述，在使可动构件16下降到达下限位置A时，各导电性触头11及12内的压缩弹簧20被压缩，利用这些压缩弹簧20的反作用力，各导电性触头11及12的柱塞21及22对各电极3a、3b、25、71产生接触载荷，各导电性触头11及12的柱塞21及22与各电极3a、3b、25、71压紧。因此，能够得到稳定的电气导通。

检查结束后，通过使可动构件16从下限位置A上升到达上限位置B，各第2导电性触头12的另一方的柱塞22的前端从半导体集成电路2的另一方的外部电极3b向上方离开。

另外，由于检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71是平坦状且被镀金，检查用外部电极71与第2导电性触头12的镀金的一方的柱塞21的接触部是金彼此之间的接触，所以接触电阻小，能够得到良好的电气导通，能够进行稳定的电气特性检查。

另外，由于检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71与第2导电性触头12的接触电阻小于检查对象的半导体集成电路2的外部电极3a与第1导电性触头11的接触电阻，因此能够对半导体集成电路2以高精度进行电气特性检查。

下面，说明使用前述检查装置1的半导体集成电路2的检查方法。

如前所述，在将半导体集成电路2保持在保持部24的状态下，使可动构件16下降到达下限位置A，通过第1导电性触头11将检查电路基板15的第1连接盘电极25与半导体集成电路2的一方的外部电极3a进行电连接，同时通过第2导电性触头12将检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71与半导体集成电路2的另一方的外部电极3b进行电连接。

然后，如图17所示，从测定装置4通过第1导电性触头11对半导体集成电路2的一方的外部电极3a供给任意时间检查信号，然后将对于前述检查信号的第1应答信号从半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11用测定装置4进行收发。

再有，从半导体集成电路2的另一方的外部电极3b通过第2导电性触头12对检查用半导体集成电路70的检查用外部电极71供给第2应答信号，将对于前述第2应答信号的第3应答信号或空信号从检查用半导体集成电路70通过第2导电性触头12对半导体集成电路2的另一方的外部电极3b输出。

然后，将对于前述第3应答信号或空信号的第4应答信号从半导体集成电路2的一方的外部电极3a通过第1导电性触头11用测定装置4进行收发。测量用测定装置4收发的前述第1应答信号及第4应答信号，判别测量结果，通过这样来检查半导体器件2的电气特性。

另外，通过将检查电路基板15与检查用半导体集成电路70之间通过其它途径进行电连接，还能够进行检查用半导体集成电路70的故障诊断。在万一检查用半导体集成电路70发生故障时，只要将检查用半导体集成电路70从可动构件16的罩盖16f上取下，更换正常的检查用半导体集成电路70即可。

(实施形态7)

下面，说明本发明的实施形态7。

如图18及图19所示，检查装置1能够对第1半导体集成电路101及第2半导体集成电路105的任一个或两个半导体集成电路进行电气特性检查。另外，第1半导体集成电路101在一个面101a上具有多个一方的外部电极102a，在另一个面101b上具有多个另一方的外部电极102b。另外，第2半导体集成电路105是利用封装上封装方式重叠在第1半导体集成电路101上，仅在一个面(下表面)上具有多个外部电极106。

检查装置1由前述检查电路基板15、弹性引脚方式的第1及第2导电性触头11及12、前述第1半导体集成电路101、前述第2半导体集成电路105、固定构件103、以及可动构件104构成。

固定构件103在俯视图中为四边形构架形状，配置在检查电路基板15与可动构件104之间。

检查电路基板15利用螺丝(未图示)等设置在固定构件103的下部，可自由装拆。在检查电路基板15的上面形成多个第1连接盘电极25(第1电极的一个例子)。另外，测定装置4与检查电路基板15连接。

可动构件104可在接近离开固定构件103的移动路径110上沿上下方向自由移动，由能够分别移动的可动构架104a(第1可动体的一个例子)及可动罩盖104b(第2可动体的一个例子)构成。可动罩盖104b与固定构件103的上方对向配置，以覆盖可动构架104a的上方。另外，可动构架104a在俯视图中形成为四边形，配置在可动罩盖104b与固定构件103之间。

在固定构件103与可动构架104a之间形成第1保持部111，第1半导体集成电路101保持在第1保持部111。在固定构件103的上部，设置将第1半导体集成电路101在第1保持部111上定位的第1突起部113。另外，第1突起部113这样配置，使其包围第1保持部111的周围。

在可动构架104a与可动罩盖104b之间形成第2保持部112，第2半导体集成电路105保持在第2保持部112。在可动构架104a的上部，设置将第2半导体集成电路105在第2保持部112上定位的第2突起部114。另外，第2突起部114这样配置，使其包围第2保持部112的周围。

第1导电性触头11与第1连接盘电极25及第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a接触，将这些电极25与102a之间进行电连接，在固定构件103上设置多个。各第1导电性触头11的一方的柱塞21向上，另一方的柱塞22向下。如图18(b)所示，在第1保持部111，第1半导体集成电路101利用第1导电性触头11支持。

第2导电性触头12与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b及第2半导体集成电路105的外部电极106接触，将这些电极102b与106之间进行电连接，在可动构架104a上设置多个。如图19(b)所示，在第2保持部112，第2半导体集成电路105利用第2导电性触头12支持。

另外，第1及第2导电性触头11及12分别由筒状体19及压缩弹簧20及一方的柱塞21及另一方的柱塞22构成，对各柱塞21及22施加镀金。

前述可动构件104的可动构架104a及可动罩盖104b利用缸体或电动机等构成的驱动装置(未图示)分别在移动路径110上进行移动。即，可动构架104a可随着可动罩盖104b自由移动至图18(a)所示的第1下限位置A1(第1接触位置的一个例子)、及图18(b)所示的第1上限位置B1(第1离开位置的一个例子)。

如图18(a)所示，在可动构架104a移动到达第1下限位置A1时，第2导电性触头12的另一方的柱塞22与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b接触。另外，如图18(b)所示，在可动构架104a移动到达第1上限位置B1时，第2导电性触头12从前述另一方的外部电极102b向上方离开。

另外，可动罩盖104b可自由移动至图19(a)所示的第2下限位置A2(第2接触位置的一个例子)、及图19(b)所示的第2上限位置B2(第2离开位置的一个例子)。

如图19(a)所示，在可动罩盖104b移动到达第2下限位置A2时，可动罩盖104b与保持在第2保持部112的第2半导体集成电路105接触，将第2半导体集成电路105的外部电极106与第2导电性触头12的一方的柱塞21压紧。另外，如图19(b)所示，在可动罩盖104b移动到达第2上限位置B2时，可动罩盖104b从第2半导体集成电路105向上方离开。

以下，说明上述结构的作用。

在不将第2半导体集成电路105作为电气特性检查的对象、而对第1半导体集成电路101进行电气特性检查时，预先使可动罩盖104b上升到达第2上限位置B2，使第2半导体集成电路105保持在第2保持部112，使可动罩盖104b下降到达第2下限位置A2。通过这样，如图18(b)所示，可动罩盖104b与第2半导体集成电路105接触，第2半导体集成电路105的外部电极106与第2导电性触头12的一方的柱塞21压紧。

这时，如图18所示，是检查对象外的第2半导体集成电路105的外部电极106为平坦状，其母材由铜或钨构成，对其表面施加镀金。

然后，如图18(b)所示，使可动构架104a与可动罩盖104b成一体上升到达第1上限位置B1，使检查对象的第1半导体集成电路101保持在第1保持部111。通过这样，第1导电性触头11与检查电路基板15的第1连接盘电极25及第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a接触。

然后，如图18(a)所示，使可动构架104a与可动罩盖104b成一体下降到达第1下限位置A1。通过这样，由于第2导电性触头12的另一方的柱塞22与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b接触，因此第1导电性触头11将检查电路基板15的第1连接盘电极25与第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a之间连接，同时第2导电性触头12将第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b与第2半导体集成电路105的外部电极106之间连接。

通过这样，第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b通过第2导电性触头12与第2半导体集成电路105进行电连接，能够对第1半导体集成电路101进行电气特性检查。

然后，如图18(b)所示，使可动构架104a与可动罩盖104b成一体从第1下限位置A1上升到达第1上限位置B1，从第1保持部111取出检查完的第1半导体集成电路101，将成为检查对象的其它的第1半导体集成电路101保持在第1保持部111，利用与前述同样的顺序，检查第1半导体集成电路101。

在这种情况下，由于检查对象外的第2半导体集成电路105的外部电极106是平坦状且被镀金，前述外部电极106与第2导电性触头12的镀金的一方的柱塞21接触时，成为金彼此之间的接触，所以接触电阻小，能够得到良好的电气导通，能够进行稳定的电气特性检查。

另外，由于检查对象外的第2半导体集成电路105的外部电极106与第2导电性触头12的接触电阻小于检查对象的第1半导体集成电路101的外部电极102a与第1导电性触头11的接触电阻，因此能够对第1半导体集成电路101以高精度进行电气特性检查。

另外，在不将第1半导体集成电路101作为电气特性检查的对象、而对第2半导体集成电路105进行电气特性检查时，预先使可动构架104a与可动罩盖104b成一体上升到达第1上限位置B1，使第1半导体集成电路101保持在第1保持部111，使可动构架104a与可动罩盖104b成一体下降到达第1下限位置A1。通过这样，第2导电性触头12的另一方的柱塞22与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b接触，同时第1导电性触头11将检查电路基板15的第1连接盘电极25与第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a之间连接。

这时，如图19所示，是检查对象外的第1半导体集成电路101的外部电极102a及102b为平坦状，其母材由铜或钨构成，对其表面施加镀金。

然后，如图19(b)所示，使可动罩盖104b上升到达第2上限位置B2，使检查对象的第2半导体集成电路105保持在第2保持部112。通过这样，第2导电性触头12的一方的柱塞21与第2半导体集成电路105的外部电极106接触。

然后，如图19(a)所示，使可动罩盖104b下降到达第2下限位置A2。通过这样，由于可动罩盖104b与第2半导体集成电路105接触，第2半导体集成电路105的外部电极106与第2导电性触头12的一方的柱塞21压紧，因此第2导电性触头12将第2半导体集成电路105的外部电极106与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b之间连接。

通过这样，第1半导体集成电路101的一方的外部电极102a通过第1导电性触头11与检查电路基板15进行电连接，同时第2半导体集成电路105的外部电极106通过第2导电性触头12与第1半导体集成电路101的另一方的外部电极102b进行电连接，能够对第2半导体集成电路105进行电气特性检查。

然后，如图19(b)所示，使可动罩盖104b从第2下限位置A2上升到达第2上限位置B2，从第2保持部112取出检查完的第2半导体集成电路105，将成为检查对象的其它的第2半导体集成电路105保持在第2保持部112，利用与前述同样的顺序，检查第2半导体集成电路105。

在这种情况下，由于检查对象外的第1半导体集成电路101的外部电极102a及102b是平坦状且被镀金，前述外部电极102a与第1导电性触头11的镀金的一方的柱塞21接触时，成为金彼此之间的接触，所以接触电阻小，能够得到良好的电气导通，能够进行稳定的电气特性检查。

另外，由于检查对象外的第1半导体集成电路101的外部电极102a与第1导电性触头11的接触电阻小于检查对象的第2半导体集成电路105的外部电极106与第2导电性触头12的接触电阻，因此能够对第2半导体集成电路105以高精度进行电气特性检查。

另外，由于第1半导体集成电路101的外部电极102a及第2半导体集成电路105的外部电极106的各自的母材是铜或钨，硬度比电极使用较多的焊锡球电极等要高，因此由于与各导电性触头11及12接触而产生的变形也小，能够得到长期稳定的电气导通。

工业上的实用性

如上所述，本发明有关的检查装置适用于检查在对向的两个面上具有外部电极的半导体集成电路。

Claims (12)

1.一种检查装置(1)，对在对向的一个面及另一个面的两个面(2a)(2b)上具有一方的外部电极(3a)及另一方的外部电极(3b)的半导体集成电路(2)，进行电气特性检查，其特征在于，

将具有第1电极(25)的检查电路基板(15)与具有第2电极(27)的布线基板(17或36)对向配置，

将测定装置(4)与检查电路基板(15)连接，

在检查电路基板(15)与布线基板(17或36)之间形成保持半导体集成电路(2)的保持部(24)，

在固定构件(14)上设置与检查电路基板(15)的第1电极(25)和与检查电路基板(15)对向的半导体集成电路(2)的一方的外部电极(3a)接触、将这些电极(3a)(25)间进行电连接的第1导电性触头(11)，

在可动构件(16)上设置与布线基板(17或36)的第2电极(27)和与布线基板(17或36)对向的半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)接触、将这些电极(3b)(27)间进行电连接的第2导电性触头(12或41)，

将布线基板(17或36)设置在可动构件(16)上，

可动构件(16)可自由移动到第2导电性触头(12或41)与半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)接触的接触位置(A)、以及第2导电性触头(12或41)从所述另一方的外部电极(3b)离开的离开位置(B)，

在检查电路基板(15)上形成一方的第3电极(26)，

在布线基板(17或36)上形成通过布线电路(23)与第2电极(27)进行电连接的另一方的第3电极(28)，

在可动构件(16)或固定构件(14)上设置第3导电性触头(13)，该第3导电性触头(13)在可动构件(16)移动到达接触位置(A)时、与一方的第3电极(26)及另一方的第3电极(28)接触而将这些电极(26)(28)间进行电连接。

2.如权利要求1所述的检查装置(1)，其特征在于，

使布线基板(36)的特性阻抗与检查电路基板(15)或测定装置(4)的特性阻抗相匹配。

3.如权利要求2所述的检查装置(1)，其特征在于，

第3导电性触头(13)的全长(L3)比第1导电性触头(11)的全长(L1)和第2导电性触头(12)的全长(L2)和半导体集成电路(2)的全高(H)之和要短。

4.如权利要求1所述的检查装置(1)，其特征在于，

将第1～第3导电性触头(11)(41)(13)的至少某一导电性触头(41)，采用各向异性导电性橡胶方式的触头。

5.如权利要求1所述的检查装置(1)，其特征在于，

将可动构件(16)设置在将半导体集成电路(2)传送到保持部(24)上的传送装置(60)上

在上述可动构件(16)上设置在第1导电性触头(11)与第2导电性触头(41)之间吸附半导体集成电路(2)的吸附构件(61)，

吸附构件(61)可在面向检查电路基板(15)侧突出的突出位置(C)、与面向可动构件(16)侧退入的退入位置(D)之间自由移动，

在可动构件(16)移动到达离开位置(B)时，吸附构件(61)移动到达突出位置(C)，被吸附构件(61)吸附的半导体集成电路(2)从第2导电性触头(41)离开，

在可动构件(16)移动到达接触位置(A)时，吸附构件(61)移动到达退入位置(D)，半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)与第2导电性触头(41)接触。

6.一种检查方法，其特征在于，

是使用所述权利要求1所述的检查装置(1)的检查方法，

将半导体集成电路(2)保持在保持部(24)，

使可动构件(16)移动到达接触位置(A)，通过第1导电性触头(11)，将检查电路基板(15)的第1电极(25)与半导体集成电路(2)的一方的外部电极(3a)进行电连接，同时通过第2导电性触头(12或41)，将布线基板(17或36)的第2电极(27)与半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)进行电连接，而且通过第3导电性触头(13)，将检查电路基板(15)的一方的第3电极(26)与布线基板(17或36)的另一方的第3电极(28)进行电连接，

将检查信号从测定装置(4)向半导体集成电路(2)的一方或另一方的外部电极(3a)(3b)输出，

将对于检查信号的应答信号从半导体集成电路(2)的一方或另一方的外部电极(3a)(3b)用测定装置(4)进行接收，测量该应答信号。

7.一种检查装置(1)，对在对向的一个面及另一个面的两个面(2a)(2b)上具有一方的外部电极(3a)及另一方的外部电极(3b)的半导体集成电路(2)，进行电气特性检查，其特征在于，

将检查电路基板(15)与检查用半导体集成电路(70)对向配置，

检查电路基板(15)具有第1电极(25)，

检查用半导体集成电路(70)具有与利用封装上封装方式在所述半导体集成电路(2)上重叠其它的半导体集成电路相同的结构，同时在与检查电路基板(15)对向的面上具有检查用外部电极(71)，

将测定装置(4)与检查电路基板(15)连接，

在检查电路基板(15)与检查用半导体集成电路(70)之间形成保持半导体集成电路(2)的保持部(24)，

在固定构件(14)上设置与检查电路基板(15)的第1电极(25)和与检查电路基板(15)对向的半导体集成电路(2)的一方的外部电极(3a)接触、将这些电极(3a)(25)间进行电连接的第1导电性触头(11)，

在可动构件(16)上设置与检查用半导体集成电路(70)的检查用外部电极(71)和与检查用半导体集成电路(70)对向的半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)接触、将这些电极(3b)(71)间进行电连接的第2导电性触头(12)，

将检查用半导体集成电路(70)设置在可动构件(16)上，

可动构件(16)可自由移动到第2导电性触头(12)与半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)接触的接触位置(A)、以及第2导电性触头(12)从所述另一方的外部电极(3b)离开的离开位置(B)。

8.如权利要求7所述的检查装置(1)，其特征在于，

测定装置(4)对半导体集成电路(2)输出检查信号，同时接收对于检查信号的第1应答信号，再接收对于第3应答信号或空信号的第4应答信号，

检查用半导体集成电路(70)接收从半导体集成电路(2)输出的第2应答信号，同时将对于第2应答信号的第3应答信号或空信号对半导体集成电路(2)输出。

9.如权利要求7所述的检查装置(1)，其特征在于，

使检查用半导体集成电路(70)的检查用外部电极(71)与第2导电性触头(12)的接触电阻小于半导体集成电路(2)的外部电极(3a)与第1导电性触头(11)的接触电阻。

10.一种检查方法，其特征在于，

是使用所述权利要求7所述的检查装置(1)的检查方法，

将半导体集成电路(2)保持在保持部(24)，

使可动构件(16)移动到达接触位置(A)，通过第1导电性触头(11)，将检查电路基板(15)的第1电极(25)与半导体集成电路(2)的一方的外部电极(3a)进行电连接，同时通过第2导电性触头(12)，将检查用半导体集成电路(70)的检查用外部电极(71)与半导体集成电路(2)的另一方的外部电极(3b)进行电连接，

从测定装置(4)通过第1导电性触头(11)对半导体集成电路(2)，输出检查信号，

将对于检查信号的第1应答信号从半导体集成电路(2)通过第1导电性触头(11)，用测定装置(4)进行接收，

再有，从半导体集成电路(2)通过第2导电性触头(12)对检查用半导体集成电路(70)，输出第2应答信号，

将对于第2应答信号的第3应答信号或空信号，从检查用半导体集成电路(70)通过第2导电性触头(12)，对半导体集成电路(2)输出，

将对于第3应答信号或空信号的第4应答信号，从半导体集成电路(2)通过第1导电性触头(11)，用测定装置(4)进行接收，

测量接收的所述第1应答信号及第4应答信号。

11.一种检查装置(1)，对在对向的一个面及另一个面的两个面(101a)(101b)上具有一方的外部电极(102a)及另一方的外部电极(102b)的第1半导体集成电路(101)、以及

仅在一个面上具有外部电极(106)而且利用封装上封装方式在第1半导体集成电路(101)上重叠的第2半导体集成电路(105)的至少某一种半导体集成电路，进行电气特性检查，其特征在于，

在检查电路基板(15)与可动构件(104)之间具有固定构件(103)，

在检查电路基板(15)上设置第1电极(25)，

将测定装置(4)与检查电路基板(15)连接，

在固定构件(103)上设置第1导电性触头(11)，

可动构件(104)由可在接近离开固定构件(103)的移动路径(110)上自由移动、同时能够分别移动的第1可动体(104a)及第2可动体(104b)构成，

第2可动体(104b)与固定构件(103)对向配置，

第1可动体(104a)配置在第2可动体(104b)与固定构件(103)之间，

在第1可动体(104a)上设置第2导电性触头(12)，

在固定构件(103)与第1可动体(104a)之间形成保持第1半导体集成电路(101)的第1保持部(111)，

在第1可动体(104a)与第2可动体(104b)之间形成保持第2半导体集成电路(105)的第2保持部(112)，

第1导电性触头(11)与第1电极(25)及保持在第1保持部(111)上的第1半导体集成电路(101)的一方的外部电极(102a)接触，将这些电极(25)(102a)间进行电连接，

第2导电性触头(12)与保持在第1保持部(111)上的第1半导体集成电路(101)的另一方的外部电极(102b)及保持在第2保持部(112)上的第2半导体集成电路(105)的外部电极(106)接触，将这些电极(102b)(106)间进行电连接，

第1可动体(104a)可自由移动到第2导电性触头(12)与第1半导体集成电路(101)的另一方的外部电极(102b)接触的第1接触位置(A1)、以及第2导电性触头(12)从第1半导体集成电路(101)的另一方的外部电极(102b)离开的第1离开位置(B1)，

第2可动体(104b)可自由移动到与保持在第2保持部(112)上的第2半导体集成电路(105)接触并将第2半导体集成电路(105)的外部电极(106)与第2导电性触头(12)压紧的第2接触位置(A2)、以及从第2半导体集成电路(105)离开的第2离开位置(B2)。

12.如权利要求11所述的检查装置(1)，其特征在于，

在对第1半导体集成电路(101)进行电气特性检查时，使第2半导体集成电路(105)的外部电极(106)与第2导电性触头(12)的接触电阻小于第1半导体集成电路(101)的外部电极(102a)与第1导电性触头(11)的接触电阻，

在对第2半导体集成电路(105)进行电气特性检查时，使第1半导体集成电路(101)的外部电极(102a)与第1导电性触头(11)的接触电阻小于第2半导体集成电路(105)的外部电极(106)与第2导电性触头(12)的接触电阻。

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