CN1965415A - 多晶硅板制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制造至少一个多晶硅膜(68，70)的方法，该多晶硅膜的两个面(64，66)之一呈现预定凹凸，在该方法中，多晶硅层(60，62)被沉积在支撑(50)的两个面(56，58)的至少一个上。该方法包含步骤：压印该支撑(50)的所述面(52，54)以向其提供与所述凹凸匹配的形状；在该支撑(50)的所述压印的面(56，58)上沉积所述多晶硅层(60，62)，与所述压印的面(56或58)接触的所述多晶硅层的表面(64或66)所述凹凸的形状相匹配；以及取出所述多晶硅层(60或62)以获得所述多晶硅膜(68或70)。本发明适用于制造太阳能电池。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅板的制备方法，具体地涉及小厚度的板，各个板的两个面中至少一个具有预定凹凸。该凹凸可存在于面的大部分上(例如对于纹理化(texture)的情形)和/或小部分上(对板做标记或者通过肋强化其刚度)。该方法最适用于制造太阳能电池，也称为光伏电池或太阳电池。
背景技术
典型的光伏电池为具有n-p结的二极管，该结非常浅并平行于表面。受光照时，能量hv大于半导体禁带宽度Eg的光子被吸收并产生电子-空穴对。以这种方式产生的少数载流子(n区内为空穴，p区内为电子)被n-p结收集。由此形成从n区流向p区的电流Iph。金属接触形成于n型区(发射极)的表面上以及p型区(基极)的背面上，从而收集该电流。
光伏发电的市场主要为制作于结晶硅上的n-p(或p-n)结类型的光伏电池。通常需要寻求在特定光照下产生的光电流密度的最大值。这等于最大化对由入射辐射有用部分(能量hv＞Eg)所产生的少数载流子的收集。几种技术被用于这种目的。例如，其中一些技术为：增大基极的厚度，使得靠近红外的长波长光子可以被吸收(但是导致硅消耗这一不利方面)；减小结的深度以促进基极内对靠近UV的短波长光子的吸收；在光照面上沉积抗反射层，以改善对入射辐射的收集；或者真正减少在界面(前面、背面、接触)的复合过程。
最后的技术为对表面进行纹理化。该技术例如描述于J.Nijs，J.Szlufcik，J.Poortmans et al.发表于IEEE Trans.Electron Devices 46(10)(1999)1948的文献，其包含形成表面凹凸，换而言之，对表面进行纹理化以形成锥体。图1示出了这种技术工作的原理。硅层12的接收光的面10由准相同且相邻的锥体14(用三角形剖面表示)的阵列构成，锥体14的侧面与锥体基底形成约45°角。垂直表面的入射光束16首先产生被吸收于层12中的折射束18，其次产生反射束20。反射束射到相邻锥体，首先产生离开硅层并因此损失的反射束22，其次产生第一折射束24，该第一折射束24随后形成被该层吸收的第二折射束26。该凹凸因此增大了光伏电池的总效率。特别地：
·入口面上的有效光反射系数减小了，尤其是当入射光包含大的散射光分量时；以及
·在基底内传播的光线相对于该光伏电池的宏观表面的倾斜角度大幅增大，这产生两个后果：首先增大了在半导体基底内的传播距离，其次增大了该半导体的背面上光的反射系数。这两个效果增大了长波长光子被吸收的可能性。因此，和硅层具有平面表面的太阳能电池相比，这些效果有助于增大光电流密度以及太阳能电池的开路电压。
当期望大幅减小硅层厚度以降低器件成本时，通常从约300微米(μm)或350μm(传统的光伏电池)减小到小于100μm或者降低到50μm(或者甚至更小)时，存在这种纹理对于维持高转换效率是非常重要的。在该范围内，且在背面上的反射系数通常小于0.6(在背面上的垂直入射)，近垂直入射表面的入射辐射的大部分未在该材料的厚度中被吸收，除非采取了预防措施。
发明内容
本发明的一个应用在于将多晶硅层纹理化以制作太阳能电池，尤其有益于小于300μm的小厚度的层。该纹理化包含将预定凹凸，例如平行凹槽的阵列或锥体阵列传递到层表面。
在仅适用于表面接近(100)晶面的单晶硅板的第一已知纹理化技术中，使用KOH和异丙醇的溶液化学蚀刻该表面以进行纹理化。这种蚀刻是高度各向异性并特别针对(100)晶面的，且可以在宏观表面上获得倾角为45°的非常规则的微米尺寸的锥体。然而，这种技术在应用于多晶硅板时，有效性降低很多，而多晶硅板出于成本原因被越来越多地使用。
在这种情况下，其他技术已经被尝试。然而，这些技术依赖于各向同性蚀刻，即，在相似条件下攻击所有晶粒的蚀刻：使用酸介质的化学或电化学蚀刻(描述于文献V.Y.Yerokhov，R.Hezel，M.Lipinski，R.Ciach，H.Nagel，A.Mylyanych，P.Panek，Solar Energy Materials&Solar Cells 72(2002)291-298)、气体中的反应离子蚀刻(RIE)，例如使用包含氯化物的等离子体(描述于文献S.Fujii，Y.Fukawa，H.Takahashi，Y.Inomata，K.Okada，K.Fukui，K.Shirasawa，Solar Energy Materials&Solar Cells 65(2001)269-275)。
另一个已知技术涉及机械蚀刻，描述于文献F.Duerinckx，J.Szulfcik，J.Nijs，R.Mertens，C.Gerhards，C.Markmann，P.Fath，G Willek，High efficiency，mechanically V.textured，screen printed multicrystalline silicon solar cells withsilicon nitride passivation，Proceedings 2nd World Conference on PV SolarEnergy Conversion，1998。机械蚀刻包含使用例如金刚砂轮的机械工具，通过机械方法直接在硅层表面上形成凹凸，例如互相平行的凹槽或锥体的阵列。然而该操作显著扰乱了厚度约10μm以上的硅的结构，由此产生如下效果，即，在随后将硅进行热处理之后在硅的所有体积内引发缺陷。此外，机械蚀刻缓慢且昂贵，因此在工业上是无效的。
每个这些技术在成本方面(电化学蚀刻、等离子体蚀刻和机械蚀刻)或者在有效性方面(酸化学蚀刻)存在严重的限制。鉴于所涉及的处理和/或机械应力，多个这些技术不适用于厚度小于300μm的非常薄的板，这种板通常非常脆。这适用于机械蚀刻且在一定程度上适用于电化学清洗(处理)。
本发明的方法不存在以上缺点。
本发明的另一个应用涉及对板做标记，从而将一个板或一系列硅板与其他硅板区分开。
本发明的另一个应用在于强化薄硅板的刚度。
一般而言，通过提出一种比现有技术方法廉价的方法，且该方法是有效的，因为其不扰乱硅的内部结构并可以工业实施，本发明解决了浮雕多晶硅板的问题，特别是小于300μm的小厚度的多晶硅板。
更确切地说，本发明提供了一种制造至少一个多晶硅板的方法，该多晶硅板的两个面之一呈现预定凹凸，在该方法中，多晶硅层被沉积在支撑(support)的两个面中至少一个上，该方法的特征在于以下步骤：
·浮雕该支撑的所述面以向其传递与所述凹凸互补的形状；
·在该支撑的所述浮雕面上沉积多晶硅层，与所述浮雕面接触的所述多晶硅层的表面于是呈现所述凹凸的形状；
·切割所述多晶硅层；以及
·除去所述支撑以获得所述多晶硅板。
该预定凹凸可执行一个或多个功能。例如，该凹凸可用于纹理化硅板的面。这种情况下，该凹凸至少占据该面(或多个面)的大部分。除纹理化之外或与纹理化无关地，该凹凸可用于使用参考来标记该硅层，以将该板或者由该硅层衍生的一系列板与其他硅板区分开。当该凹凸仅涉及板的一部分时，其还可通过产生肋而用于增大本身相对柔软的薄硅板的刚度。
由于本发明最为适用于制造太阳能电池，所述凹凸可被选择来将该硅层表面的大部分纹理化，从而增大入射光被吸收到所述层的概率。
在本发明的第一变形实施中，所述纹理化凹凸的形式为基本上相同的锥体的阵列，每个所述锥体的侧面与该锥体的基底优选形成基本上等于45°的角。这种锥体的高度优选范围为1μm至10μm。
在另一个变形实施中，所述支撑为碳带，在其表面被浮雕以向其传递所述互补形状的凹凸之前，该碳带被覆盖了热解石墨的保护涂层。
将模具(die)压在该支撑上，所述支撑的所述面可被浮雕以获得与所述凹凸互补的形状，该模具的浮雕表面具有其上浮雕了所述预定凹凸的平面表面形状。
在本发明的另一个变形实施中，通过将该支撑夹在(pinch)两个轧辊之间并使其在该两个轧辊之间穿过，该支撑的所述面被浮雕以获得与所述凹凸互补的形状，所述轧辊中至少一个的浮雕表面呈所述预定凹凸的形状。
所述模具或所述轧辊的所述浮雕表面优选地由选自碳、碳化硅、硅和氮化硅的材料制成。
有利地，两个轧辊的浮雕表面具有所述凹凸的形状，所述支撑的两个面于是在所述支撑被夹在所述轧辊之间并穿过所述轧辊时具有与所述凹凸互补的形状。
在另一个变形实施中，使所述带穿过熔融的硅浴并以固定速度垂直向上提拉使其离开所述浴，多晶硅层被同时且连续地沉积到所述带的两个面上，由此获得两个多晶硅层，每个多晶硅层的一个表面具有所述凹凸。
优选地，通过将由该支撑和多晶硅构成的构件加热到高温而烧掉(burnoff)所述支撑，之后具有所述凹凸的形状的该多晶硅的面被清洗。
有利地，所述支撑的厚度范围为200μm至350μm，优选范围为200μm至300μm，该多晶硅层的厚度范围为40μm至300μm，所述保护涂层的厚度基本上等于1μm。
在另一个变形实施中，与纹理无关地或者除该纹理之外，所述凹凸由表征所述硅板或一系列硅板的图案组成。例如，该图案为条码或参考数字。
在另一个变形实施中，与纹理和/或表征该板的图案无关地或者除此之外，槽口(notch)浮雕于所述支撑的所述面内，使得形状与槽口互补的肋形成于该硅层的所述表面上，由此具有增大该硅层刚度的效果。所述槽口的深度可为几十微米，所述肋的最大宽度至多可为几毫米。
在另一个变形实施中，每个所述轧辊是由至少两个滚花轮形成，各个滚花轮具有形成浮雕面的面，这些滚花轮被具有凸起超过轮浮雕面的部分的圆盘分隔，该轧辊的浮雕表面于是由滚花轮的浮雕面和圆盘的凸起部分构成，其中该滚花轮的浮雕面在硅层内形成纹理和/或图案，该圆盘的凸起部分形成了形式为垂直于所述轧辊旋转轴的肋的凹凸。有利地，各个轧辊是由被圆盘分隔的一连串滚花轮组成，各个圆盘具有凸起超过滚花轮表面的部分，所述圆盘之间的间隔构成了表征所述多晶硅板或所述一系列多晶硅板的图案。
在另一个变形实施中，所述轧辊或所述滚花轮具有平行于所述轧辊或滚花轮的旋转轴的纵向肋。这些纵向肋可与由所述圆盘构成的凸起共存。
附图说明
通过以非限制性方式并参考附图给出的对实施方案的如下描述中，本发明的其他优点和特征将显而易见，附图中：
图1示出了入射光束在前表面已被纹理化以形成锥体形式的凹凸的硅层内的路径；
图2为示出了将硅层支撑的两个面纹理化的方法的图示；
图3示出了在纹理化的硅层的制造方法的不同步骤所获得的支撑和硅层；
图4为示出了纹理化的层的制造方法的优选实施的图示；
图5为示出了由滚花轮和圆盘组成的轧辊的图示，通过浮雕支撑的步骤可使硅层表面被纹理化和/或标记以及形成肋；以及
图6为设有平行于其旋转轴的纵向肋的滚花轮的示意性剖面图。
具体实施方式
在本发明的方法中，一个或多个薄的多晶硅板主要是通过在支撑的一个或两个之前被浮雕的面上沉积形式为薄层的硅而制造。由于硅沉积在支撑的凹凸表面上，所以硅与凹凸的形状匹配。换而言之，通过将液态硅浇铸在支撑上而获得与该支撑接触的硅层的面的形状。该支撑的面的凹凸因此被选择为与薄层面上待形成的凹凸的形状相互补的形状。
图2、3和4示出了本发明的优选实施方案，其中通过在由带构成的支撑的两个面上沉积硅，同时制造了两个纹理化、被标记和/或形成肋的硅层。该方法的第一步骤包含使带的两个面形成这样的形状，该形状与两个硅层的面即面向支撑的两个面待获得的形状互补。这在图2中示出，其中带28(示成剖面)被夹在两个轧辊30和32之间。这些轧辊呈圆柱形，分别沿箭头38和40的方向绕其旋转轴34和36旋转，由此沿箭头42的方向向上提拉带28。在另一个实施方案中，轧辊30和40安装来绕其旋转轴34和36自由旋转，带28则受与轧辊独立的其他装置驱动。
这些轧辊的浮雕表面给出了硅层表面将形成的预定凹凸44的形状，该轧辊优选由碳、碳化硅、硅或氮化硅形成。带28优选由碳(层叠延展石墨)制成，该碳为一种具有小弹性和低密度(相对密度范围为0.6至1.3)的柔性材料。例如，供应商La Carbone Larraine以“Papyex”名称，供应商SGL Carbon以“Sigraflex”名称，或者供应商Union Carbide以“Grafoil”名称出售这种碳。这些材料相对无弹性的性质使其可以实现，当带28穿过轧辊30和32时，可以实现轧辊上的凹凸44被良好地成型于该带的各个表面46和48上。带28的近似厚度为200μm至300μm，且可以以宽1米(m)长几百米的卷的形式被供给。然而，在本文描述的实施中，优选使用约15厘米(cm)的宽度。
图2为仅仅为示意图，其代表了当目标是将硅层面纹理化时，凹凸44的形式可以为平行或垂直于轧辊旋转轴34和36的凹槽阵列。在第一配置中，凹槽是水平的，并延伸贯穿带的宽度。在第二配置中，凹槽是垂直的，并沿带的长度方向延伸。在这两种配置中，获得了具有一维的各向异性阵列。应该观察到，从纹理化硅板的角度而言，将这两种图案应用于纹理化支撑带给出相同的结果，如同使用金刚石的机械方式直接纹理化硅得到的结果那样，但是没有后一技术的缺点(速度慢，具有侵蚀性，且需要通过深化学蚀刻进行抛光以消除由金刚石蚀刻引起的损伤)。优选地，凹凸44也可以是图1所示的相邻锥体的阵列。无论何时应用于纹理化表面，该凹凸的形状选择成使得增大入射光被吸收到硅层内的概率。
图3示出了制造硅层的随后步骤。在图3A中可以看到，通过实施图2所示技术，碳带50的两个面52和54被纹理化。这两个面52和54随后覆盖了(图3B)微米厚度的热解石墨或热解碳的精细保护层56、58。由于该层的厚度非常小，所以面52和54的凹凸得以保存。该保护涂层是必需的，因为带50的碳与熔融的硅反应而形成碳化硅，而热解石墨相对于熔融的硅是惰性的。
图3C示出了图3B所得到的碳带，其具有凹凸56和58的面在其上沉积了两个多晶硅层60和62。用于沉积这些层的优选技术示于图4。该带同时作为硅层的支撑，并用于对面向带的硅层的面64和66进行纹理化、标记和/或形成肋，由此传递轧辊30和32的预定凹凸44(图2)。和浇铸技术相同，硅层的面64和66呈现各个浮雕面56和58的形状。该凹凸的形状与支撑带50的面56及58的形状互补；因此与图2的轧辊30和32上的凹凸44的形状相同。硅层由此获得期望的预定凹凸形状。
随后的步骤包括最初将由带50与硅层60及62制成的复合带切割成通常为矩形的板。接着，支撑带50通过在空气中高温(约1000℃)灼烧而被除去(图3D)，从而获得多晶硅的两个板68和70。之后，板的纹理化面经过轻微的清洗，从而消除形成于其表面上的氧化的硅土层。这些氧化层厚度非常薄，约几十微米量级。清洗可通过各种常规技术进行，例如，使用气相氢氟酸，5％的氢氟酸的水溶液，并可能添加了10％的硝酸，或者实际上使用气体中的反应离子蚀刻(RIE)，例如通过包含氯化物的等离子体。
硅层60和62有利地通过图4示出的方法沉积于支撑带50上。该方法称为临时碳衬底上的硅带(TTS)方法，描述于多个专利，例如FR2386359、FR2550965或者FR2568490。然而，这些专利描述的方法中，对于带50并不利用浮雕碳带。根据这些专利的教导制造的硅层因此没有被浮雕(例如被纹理化、标记和/或形成肋)。在图4中，通过执行图2所示方法且随后覆盖热解石墨的保护层(图3B)，柔性碳带72(和图3中的带50相同)的面74和76被浮雕(图3A)以呈现与预定凹凸互补的形状。硅土或碳坩锅78包含熔融硅浴80以及用于加热硅的装置(未示出)，例如围绕坩锅的加热器电阻。坩锅78的底部包含直线槽82，碳带72垂直地穿过该槽82。通过未示出的装置使带垂直向上运动，且使其穿过水平平衡表面84而离开浴80。槽82的宽度和长度确定为使得该槽内的液态硅的弯月面形成稳定的连接。
当带72沿箭头86的方向移动时，多晶硅层88或90被沉积在支撑带72的各个浮雕面74和76上。这产生了和图3C的碳带50及层60和62等同物。包含支撑带及硅层的组件随后被切割以形成板。之后，支撑带72被除去，且得到的两个多晶硅层按照参考图3D的上述方法处理。
使用两个轧辊30和32实施参考图2所述的方法，该轧辊的浮雕面携带了锥体形式的凹凸，能够纹理化硅层。图5为示出了适用于对硅层纹理化和/或标记以及形成肋的轧辊的实施方案的图示。两个面对的轧辊92和94绕各自平行旋转轴96和98旋转。用于多晶硅层的支撑的碳带100(剖面图中示成垂直于其长度)被夹在轧辊92和94之间，并沿与图面垂直的方向穿过轧辊。轧辊92由被圆盘110、112、114和116分隔的一系列滚花轮102、104、106和108组成。这些滚花轮和圆盘具有公共的旋转轴96。类似地，轧辊94由被圆盘126、128、130和132分隔的滚花轮118、120、122和124组成，这些滚花轮和圆盘以轴98为其旋转轴。各个滚花轮的圆柱表面(浮雕表面)可具有适用于纹理化碳带100和/或在其上标记参考的浮雕图案或凹凸。圆盘的直径略大于滚花轮的直径，使得各个圆盘的一部分134(圆盘的外部圆周)从滚花轮的浮雕表面凸起。于是，被圆盘110至116及126至132浮雕于带100中的凹凸的形式为凹槽136。通过在带上沉积硅层，例如使用图4示出的方法，硅层的表面将包含形状与凹槽136互补并相对于带100纵向延伸的肋。这些肋强化了硅层的刚度。
凹槽也可以形成在带的宽度上。为此，滚花轮携带有形式为位于其浮雕表面上的肋。这示意性地示于图6，其中滚花轮102示出为垂直于其旋转轴96的剖面。肋138置于该滚花轮的圆柱浮雕表面上，且平行于旋转轴96。这些肋在支撑带100中形成互补形状的凹槽，因此在硅层上形成相同形状的肋。这些肋138可按相同的方式位于所有其他滚花轮的浮雕表面上，或者仅位于其一部分上，这取决于硅层上所期望的凹凸。肋138的数目和间距可以改变。
通过将图5的圆盘与图6的肋组合，得到的肋呈现出由肋栅格构成的格状，部分肋沿带的长度方向，其他的则沿宽度方向。在这种情况下，优选肋不直接接触圆盘，而是与圆盘分隔约1毫米(mm)以下的间隙。
肋的最大宽度优选不大于1mm，其高度优选为几十微米。
肋的剖面可以是适用于预期目的(例如，强化硅层的刚度)的任何形状，例如可为U形或V形。
本发明的方法提供了浮雕多晶硅板的工业解决方案，例如对其纹理化、标记和/或强化其刚度，而对板不产生任何机械或化学应力。硅的内部结构因此不受损伤。当预定凹凸的形式为基本上相同的锥体的阵列时，所得到的纹理完全各向同性，并可以调制该锥体阵列的周期及锥体的形状。该方法可以低成本实施，涉及的最大成本为制造轧辊30和32或94和94，这些轧辊可以用于制造许多板。得到的纹理是可观的(高密度和/或强度的凹凸)，由此可以制造具有非常高的将光转换成电子-空穴对的效率的光伏电池。此外，化学制剂的消耗非常小，因为化学制剂仅用于除去所形成的硅土层而通过加热除去碳支撑带。
在上述本发明的优选实施中，碳支撑带的两个面都被纹理化，并同时制造了两个纹理化的多晶硅层。当然，可以仅纹理化支撑带的一个面(通过仅纹理化两个轧辊30和32之一)，由此仅获得一个纹理化硅层，这并不超出本发明的范围。类似地，除了图4所示之外的方法可用于在支撑上沉积硅层。替代使用轧辊浮雕支撑带，可以使用具有被浮雕了预定凹凸的平面表面的模具。
Claims (30)
1.一种制造至少一个多晶硅板(68，70)的方法，所述至少一个多晶硅板的两个面之一(64，66)呈现出预定凹凸，在所述方法中，多晶硅层(60，62)被沉积在支撑(50)两个面的至少一个(56，58)上，所述方法的特征在于以下步骤：
浮雕所述支撑(50)的所述面(52，54)以向其传递与所述凹凸互补的形状；
在所述支撑(50)的所述浮雕面(56，58)上沉积所述多晶硅层(60，62)，与所述浮雕面(56或58)接触的所述多晶硅层的表面(64或66)于是具有所述凹凸的形状；
切割所述多晶硅层(60或62)；以及
除去所述支撑以获得所述多晶硅板(68或70)。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述支撑(50)为碳带。
3.根据权利要求2的方法，其特征在于，所述碳带在其表面(52，54)被浮雕以向其传递与所述凹凸互补的所述形状之后，被覆盖了热解石墨的保护涂层(56，58)。
4.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，通过将所述支撑夹在两个轧辊(30，32)之间并使所述支撑(28)在所述两个轧辊之间穿过，所述支撑的所述面(46，48)被浮雕以向其传递与所述凹凸(44)互补的形状，所述轧辊中至少一个的浮雕表面具有所述预定凹凸的形状。
5.根据任一权利要求1至3的方法，其特征在于，通过模具对所述支撑进行浮雕，所述支撑面被浮雕以向其传递与所述凹凸互补的形状，所述模具的浮雕表面具有其上已经浮雕了所述预定凹凸的平面表面的形状。
6.根据权利要求4或5的方法，其特征在于，所述轧辊(30，32)或所述模具的所述表面优选地由选自碳、碳化硅、硅和氮化硅的材料制成。
7.根据权利要求4或6的方法，其特征在于，所述两个轧辊(30，32)的浮雕表面具有所述凹凸的形状，所述支撑(28)的两个面(46，48)于是在夹在并穿过所述轧辊之间时具有与所述凹凸(44)互补的形状。
8.根据权利要求3和7的方法，其特征在于，使所述带(72)穿过熔融的硅浴(80)并以固定速度(86)垂直向上提拉以离开所述浴，多晶硅层(88，90)被同时且连续地沉积到所述带(72)的两个面(74，76)上，由此获得两个多晶硅层(88，90)，每个所述多晶硅层的一个表面具有所述凹凸。
9.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，所述支撑(28，50，72，100)通过将由所述支撑和所述多晶硅构成的组件加热到高温而烧掉从而被除去。
10.根据权利要求9的方法，其特征在于，在所述支撑被烧掉之后，具有所述凹凸的形状的多晶硅的面(64，66)被清洗。
11.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，所述支撑(28，50，72，100)的厚度范围为200μm至350μm，优选范围为200μm至300μm。
12.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，所述多晶硅层(68，70，88，90)的厚度范围为40μm至300μm。
13.根据权利要求3的方法，其特征在于，所述保护涂层(56，58)的厚度基本上等于1μm。
14.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，所述支撑(28，50)的所述面(46，48，52，54)被浮雕以纹理化所述多晶硅层(68，70)的所述面(64，66)，所述凹凸(44)被选择以增大入射光被吸收于所述层内的概率。
15.根据权利要求14的方法，其特征在于，所述凹凸的形式为基本上相同的锥体(14)的阵列。
16.根据权利要求15的方法，其特征在于，每个所述锥体(14)的侧面与所述锥体的基底形成基本上等于45°的角。
17，根据权利要求15或16的方法，其特征在于，所述锥体(14)高度范围为1μm至10μm。
18.根据任一前述权利要求的方法，其特征在于，所述支撑(28，50，72，100)的所述面被浮雕成使得所述硅层的所述表面被标记了表征所述板或一系列多晶硅板的图案。
19.根据权利要求18的方法，其特征在于，所述图案为条码
20.根据权利要求18的方法，其特征在于，所述图案为数字。
21.根据任一权利要求14至17和18至20的方法，其特征在于，通过纹理化所述多晶硅层的所述面并通过表征所述板的所述图案而构成所述凹凸。
22.根据任一前述权利要求15的方法，其特征在于，凹槽浮雕于所述支撑(100)的所述面内，使得形状与所述凹槽互补的肋形成于所述硅层的所述表面上，由此增大所述硅层的刚度。
23.根据权利要求22的方法，其特征在于，所述槽口的深度为几十微米。
24.根据权利要求22或23的方法，其特征在于，所述肋的最大宽度不大于几毫米。
25.根据权利要求2和任一权利要求22至24的方法，其特征在于，所述肋沿所述带(100)的长度方向延伸。
26.根据权利要求2和任一权利要求22至24的方法，其特征在于，所述肋沿所述带(100)的宽度方向延伸。
27.根据权利要求25和26的方法，其特征在于，所述凹凸为格状，由沿所述带的长度方向和沿宽度方向的肋的栅格构成。
28.根据权利要求7和25的方法，其特征在于，每个所述轧辊(92，94)由至少两个滚花轮(102-108和118-124)形成，每个所述滚花轮具有形成浮雕面的面，所述滚花轮被具有凸起超过所述滚花轮浮雕面的部分(134)的圆盘(110-116和126-132)分隔，所述轧辊的所述浮雕表面由所述滚花轮的所述浮雕面以及所述圆盘的所述凸起部分(134)构成，其中所述滚花轮的浮雕面在所述硅层内形成纹理和/或图案，所述圆盘的所述凸起部分(134)在所述支撑带(100)中形成凹槽(136)并在所述硅层上形成肋形状的所述凹凸。
29.根据权利要求18和28的方法，其特征在于，每个所述轧辊(92，94)是由彼此被圆盘(110-116和126-132)分隔的一连串滚花轮(102-108和118-124)组成，每个所述圆盘具有凸起超过所述滚花轮表面的部分(134)以在所述支撑带(100)内产生凹槽(136)，所述凹槽(136)之间的间隔构成了表征所述多晶硅板或所述一系列多晶硅板的图案。
30.根据权利要求7和26的方法，其特征在于，每个所述轧辊(92，94)由绕旋转轴旋转的至少两个滚花轮组成，各个滚花轮具有形成浮雕面的面，至少一个所述滚花轮包含平行于所述旋转轴的纵向肋(134)。
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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Granted publication date: 20110720 Termination date: 20160318 |
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