JP2007531994A - 多結晶シリコンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、いかなる機械的、化学的ストレスも与えることなく、太陽電池用の多結晶シリコンプレートにエンボス加工を施す方法を提供する。
【解決手段】
予め決定されているレリーフを表現している二つの表面の一つを有する、少なくとも一つの多結晶シリコーンプレート(68,78)の製造方法に関するもので、多結晶シリコーン(60,62)の層が支持体(50)の二つの表面(56,58)のうち少なくとも1つの表面上に堆積することを特徴とする。
本製造方法は、
(1)前記レリーフが互いに補完する形を支持体に与えるために、支持体(50)の前記表面(52,54)に凸凹加工(エンボス加工)を施すステップと、
(2)支持体の前記エンボス加工された表面(56,58)に前記多結晶シリコーン層を堆積させ、前記エンボス面と接している前記多結晶シリコーン層の表面に、前記レリーフの形状を形成するステップと、
(3)前記多結晶シリコーンプレート(68,70)を得るために、前記支持体を取り除くステップと、
から構成される。
【選択図】図1
Description
光を照射すると、半導体の禁制帯Eg(物質内を電子のエネルギ帯で表した時の、電子が存在できないバンド)より大きいエネルギhvのフォトンが、光を吸収して電子と正孔のペアを生成する。
与えられた光照射の下で発生する光電流の密度を最大にする方法が、常に求められている。
この目的のために、様ざまな技術が用いられてきた。例えば下記のような技術が利用されている:
・紫外線に近い、短波長の光子のベースにおける吸収を活性化させるために、接合部(ジャンクション)の深さを浅くする;
・入射光を効率よく取り込むために、照射表面に光を反射させない層を形成する;
・境界面(表面、裏面、接合部等)の再接合プロセスを減らす;
最後に挙げた技術は、表面のテクスチュア加工である。
IEEE Trans.Electoron Devices46(10)(1999)1948、
図1は、この技術の作動原理を示す。光を受けるシリコン層12の表面10は、見かけ上、同一で、ベースに対して約45度の角度に形成された側面を有する、隣接したピラミッド(各部の三角形で表される)の配列から成る。
反射光ビームは隣接するピラミッドに突き当たり、まず第一に反射光ビーム22となってシリコン層から遠ざかり、その分は損失となる。次に、第一の屈折光24を発生し、それは第二の屈折光26になって、シリコン層に吸収される。
レリーフ(シリコン層表面の彫刻)は、このように、光電池の全体の効率を増加させる。
・特に、入射光が大きな発散(拡散)成分を持っているときに、入射面上の光の実効反射率が減少する
・光電池のマクロ的な表面と比較して、ベース内を伝搬する光線の入射角はかなり大きくなる。このことは次の二つの結果をもたらす。まず第一は、半導体基板(ベース)内での光の伝搬距離が長くなる。第二は、半導体の裏面の光の反射率が増加する
本発明の第1の応用分野は、太陽電池を製造するための、多結晶シリコン層のテクスチュア加工であり、特に、300μm以下の薄いシリコン層の加工に大きな利点がある。
結晶面に近い表面を有する単結晶シリコンプレートにのみ適用された,最初の周知のテクスト加工技術では、テクスト加工にKOHやイソプロパノール溶液を用い、表面を化学的にエッチングする方法がとられた。
上記状況の下で、他の技術も試行されてきた。それにもかかわらず、これらの技術は、例えば、類似の条件の下で、全ての粒子(グレイン)をアタックすると仮定した等方性エッチングに頼ってきた。例えば、酸性媒体を使用した化学的あるいは電気化学的な方法(詳細は下記の文献を参照)。あるいは、塩素化物の種を含むプラズマを使用した、ガス中において反応の速いイオンエッチング(RIE)。
Solar Energy Materials &Solar Cell65(2001)269−275 他のメカニカルエッチングについては、下記の文献に記載されている。 Proceedings 2nd World Conference on PV Solar Energy Conversion,1998
本発明の他の応用は、シリコンプレートまたはそのシリコンプレートの組(シリーズ)を他のシリコンプレートから区別するために、プレートにマークを付けることにある。
一般的に、この発明は、従来技術よりも低コストで、そしてシリコンの内部構造を壊すことなく、また工業的に実行できるという効果ある方法を提案する。この方法により、300μm以下の特に薄い多結晶シリコンプレートにエンボス加工を施すときの問題点を解決することができる。
(1)前記レリーフと補完する形状を前記支持体に与えるために、支持体の前記表面にエンボス加工(凹凸加工のこと、本願ではエンボス加工という)を施すステップと、
(2)支持体の前記エンボス表面に前記多結晶シリコン層を堆積させ、前記エンボス面と接して存する前記多結晶シリコン層の表面に、前記レリーフの形状を形成するステップと、
(3)前記多結晶シリコン層を切断するステップと、
(4)前記多結晶シリコンプレートを得るために、前記支持体を取り除くステップ。
例えば、シリコンプレートの表面にテクスチュア加工を施す。前記の実施例では、レリーフは少なくともその表面の大部分を占める。さらに付加的に、あるいは独立的に、リコン層にプレートを区別するための参照マーク、あるいは同じ起源のシリコン層から作られた一連のプレートであることを示すマークを付けるテクスチュア加工のために、レリーフが提供される。
この発明の最もふさわしい応用は、太陽電池の製造方法にあるので、シリコン層の大部分に、前記シリコン層に吸収される入射光の割合を増加させるテクスチュア加工を施すためのレリーフが選択される。
前記ピラミッドの高さは1μm〜10μmのが範囲にあることが有効である。
他の実施例では、前記支持体が、(その表面にレリーフに補完的な形状を与えるためにエンボス加工が施される前に)パイロリティックグラファイトで保護コーティングされたカーボンテープから構成される。
本発明の更なる特徴は、前記支持体は200μm〜350μmの範囲、好ましくは200μm〜300μmの範囲の厚さを有し、多結晶シリコン層は40μm〜300μmの範囲の厚さ、前記保護コーティングは略1μmに等しい厚さを有していることである。他の実施例において、前記レリーフは、独立して、あるいは付加的に、前記プレートまたはシリコンプレートの1つの組を特徴付ける特定のパターンによりテクスト加工されるように作成される。 例えば、前記パターンとして、バーコードや参照番号が挙げられる。
前期刻み目の深さは、数十μmぐらい、最大でも数mmがよい。
第2図は、シリコン層支持体の両面にテクスチュア加工をする方法を示す概略図である。
第3図は、テクスチュア加工を施されたシリコン層の製造方法の種々のステップ毎に得られる支持体とシリコン層の説明図である。
第4図は、テクスチュア加工を施されたシリコン層を製造する好ましい実施例を示す概略図である。
第5図は、支持体にエンボス加工するステップによって、シリコン層の表面に、 テクスチュア加工および/又は、マークあるいはリブを施すための、刻みホイールとディスクから構成されるローラーを示す概略図である。
第6図は、刻みホイールの回転軸と平行に長手方向に沿った帯(ストリップ)を設けた、該ホイールの概略断面図である。
支持体の表面のレリーフは、従って、薄い層の表面のレリーフに与えられている形状と補完的な形状に選択される。
この方法の最初のステップは、テープの両面に、予め決定されている形状に補完する形状を与えることにある。前記形状は、シリコンの二つの層の面、すなわち、支持体に接触している面から得られるものである。
これらローラーのエンボス加工を施された表面は、好ましくはカーボン、シリコンカーバイト、シリコン、およびシリコンナイトライド(窒化物)から作られ、シリコンの層の表面に施される予め決定されているレリーフ44の形状を表現している。
例えば、前記カーボンとして、「Papyex」の商品名で[La Carbone Lorraine]社から、「 Sigraflex」の商品名で「SGL Carbon」社から、「Grafoil」の商品名で「Union Carbide」社から、それぞれ販売されている。
テープ28のおおよその厚さは、200μm〜300μmであり、それは幅が1mで長さが数百mのロールの形で供給される。
第2の構成では、溝は垂直に、テープに対して長手方向に広がっている。
両方の構成において、一定の寸法を有する異方性の配列(アレイ)が得られる。支持テープのテクスチュア加工に適用されるこれら2つのパターンは、シリコンプレートをテクスチュア加工するという観点からは、ダイアモンドの加工に使用されるようなメカニカルな方法により、直接シリコンにテクスチュア加工して得られる場合と同様の結果が得られるが、しかし、(i)遅い、(ii)攻撃的である、(iii)ダイアモンドエッチングによって受けたダメージを修復するには深いケミカルエッチングで仕上げなくてはならない,といった上記技術の障害がないという利点がある。
表面をテクスチュア加工するときはいつでも、レリーフの形状はシリコン層で吸収される入射光を増加させるように施される。
第3図は、シリコン層を形成する下記のステップを示したものである。
図3Aには、第2図に示した実施例によりテクスチュア加工された両表面52,54を有するカーボンテープ50が示されている。
この層は非常に薄いので、表面52,54のレリーフは維持される。
この保護コーティングは必要である。その理由は、パイロリティックグラファイトは比較的溶融シリコンと反応しにくいのに対して、テープ50のカーボンが溶融シリコンと反応し、シリコンカーバイトを生成するからである。
上記層にシリコンを堆積させる好ましい技術を第4図に示す。
前記テープは、同時にシリコン層の支持体としても作用し、また、シリコン層の面64,66にテクスチュア加工、マーキング、及び/又はリブを施す道具として作用する。それによって、第2図のローラー30、32の予め決定されているレリーフ44をテープの表面に与える。
このレリーフは、支持テープ50の面56,58の形状と補完された形になる。つまり、第2図のローラー30,32上のレリーフ44と同じ形状になる。
シリコンの層はこのようにしてレリーフの所望の予め決定された形状を与えられる。下記のステップから構成される。最初のステップはテープ50とシリコン層60,62から成る合成テープを、通常長方形の形状のプレートに切断する。次のステップで、支持テープ50を高温空気中(約1000℃)で燃焼させ、二つの多結晶プレート68,70を得る。
(FR2 568 490)等に記載されている。
しかしながら、これらの特許に述べられている方法では、テープ50として、エンボス加工されたテープを使用することはできない。従って、上記特許で開示されているシリコン加工された表面には、例えば、(テクスチュア加工、マーク付け、リブ加工)といったエンボス加工が施されていない。
シリカまたはカーボンから成るるつぼ78は、溶融シリコンと、図示しない、例えば、るつぼの周りに設けられた電熱ヒータのようなシリコンの加熱手段とを備えている。
対面する二つのローラー92,94はそれぞれ回転軸96,98と平行に回転する。多結晶シリコン層の支持体として用いられるカーボンテープ100(長手方向に直立の断面で示されている)はローラー92,94の間で引っ張り上げられて図面に垂直な方向に走行する。
上記実施例では、リブは直接ディスクに接するよりも、1mm以下のオーダでギャップがあるほうが好ましい。リブの断面は、意図する目的(例えば、シリコン層の補強)により、例えば、U字型とかV字型とか、適合するどんな形状でもかまわない。
本発明により得られたテクスチュア加工は、特筆すべき特性を備えており(高密度および/又は、レリーフの強度)、従って、光を電子と陽孔ペアに変換する効率のよい太陽電池を製造することができる。さらに、化学的処理は、カーボン支持テープを熱焼して取り除くときに生成されるシリカ層を除去することのみであり、化学的消耗は非常に少ないという利点がある。
勿論、(二つのローラー30,32の一つの面のみにテクスチュア加工することにより)支持テープの一面のみにテクスチュア加工することも可能であり、それによって、本発明の範囲を越えることなく、一面のみにテクスチュア加工したシリコン層を得ることができる。
Claims (31)
- 予め決定されているレリーフを表している二つの表面の一つ(64又は66)を備えた少なくとも一つの多結晶シリコンプレート(68又は70)の製造方法であって、
多結晶シリコン層(60,62)を、支持体(50)の二つの面のうち少なくとも1つの面(56又は58)上に堆積させる方法が、次のステップから成ることを特徴とする、多結晶シリコンプレートの製造方法。
(1)前記レリーフと補完する形状を前記支持体に与えるために、支持体(50)の前記表面(52,54)にエンボス加工を施すステップと、
(2)支持体の前記エンボス表面(56,58)に前記多結晶シリコン層を堆積させ、前記エンボス面と接して存する前記多結晶シリコン層の表面に、前記レリーフの形状を形成するステップと、
(3)前記多結晶シリコン層を切断するステップと、
(4)前記多結晶シリコンプレート(68,70)を得るために、前記支持体を取り除くステップ。 - 前記支持体(50)がカーボンテープから成ることを特徴とする、請求項1に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記カーボンテープを、その表面(52,54)に前記レリーフと補完する前記形状を与えるためエンボス加工を施した後、パイロリティック グラファイトの保護コーティング(56,58)で覆うことを特徴とする、請求項2に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体(28)の表面(46,48)を二つのローラー(30,32)間で引っ張り上げ、走行させることにより、予め決定されている前記レリーフの形状を有する前記ローラーの少なくとも1つのエンボス面によって、前記レリーフ(44)と補完する形状をその表面に与えるため前記支持体の表面(46,48)をエンボス加工することを特徴とする、請求項1乃至3の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体表面は前記レリーフと補完する形状をその表面に形成するために、前記支持体に接触するダイにエンボス加工を施すことにより、すなわち、予め決定されている前記レリーフがエンボス加工されているプレーンな表面の形状を有するダイのエンボス表面によって、エンボス加工されることを特徴とする、請求項1乃至3の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記ローラー(30,32)または前記ダイの前記表面は、カーボン、シリコン カーバイト、シリコン、シリコンナイトライド(窒化物)の中から選択された物質で作成することを特徴とする、請求項4または5に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記二つのローラー(30,32)のエンボス加工する表面は前記レリーフの形状を備え、前記支持体(28)の両表面(46,48)は、前記ローラー間で、引っ張り上げられ、走行する過程で、前記レリーフ(44)と補完する形状が施されることを特徴とする、請求項4または6に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記テープ(72)を溶融シリコン(80)のバスを通過させることにより、また、前記バスから一定の速度(86)で垂直に上方向へ引き上げることにより、多結晶シリコン層(88,90)が、同時におよび連続的に、前記テープ(72)の両面(74,76)に堆積し、それによって、各々が前記レリーフの表面を有する多結晶シリコンの二つの層(88,90)を得ることを特徴とする請求項3又は7に記載する、多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体と多結晶シリコンとから成るアセンブリ(組立物)を高温で加熱することにより、前記支持体(28,50,72,100)を燃焼させて除去することを特徴とする、請求項1乃至8の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記レリーフの形状を有する多結晶シリコンの表面(64,66)を、前記支持体を燃焼した後洗浄することを特徴とする請求項9に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体(28,50,72,100)の厚さは、200μm乃至350μmの範囲であることを特徴とする、請求項1乃至10の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体(28,50,72,100)の厚さは、200μm乃至300μmの範囲であることを特徴とする、請求項1乃至10の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記多結晶シリコン層(68,70,88,90)の厚さが40μm乃至300μmの範囲であることを特徴とする、請求項1乃至12の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記保護コーティング(56,58)の厚さが、実質的に1μmであることを特徴とする、請求項3に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体(28,50)の前記表面(46,48,52,54)に、前記多結晶シリコン層(68,70)の前記表面(64,66)に吸収される入射光の確率を増加させるような前記レリーフ(44)の形状にテクスチュア加工をするためのエンボス加工を施すことを特徴とする、請求項1乃至14の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。入射光の割合を増加させるテクスチュア加工を施すためのレリーフが選択される
- 前記レリーフは略同一のピラミッド(14)の配列(アレイ)から成る形状であることを特徴とする、請求項15に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記ピラミッド(14)の各側面は、前記ピラミッドのベースに対して略45度の角度に形成されていることを特徴とする、請求項16に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記ピラミッド(14)は、高さが1μm乃至10μmの範囲であることを特徴とする、請求項16または17に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記支持体(28,50,72,100)の前記表面は、前記シリコン層の表面に特定のプレートあるいは多結晶シリコンプレートの1つの組を特徴付けるパターンをマーク付けするように、エンボス加工することを特徴とする、請求項1〜18の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記パターンがバーコードであることを特徴とする請求項19に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記パターンは番号(ナンバー)であることを特徴とする、請求項19に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記レリーフは、前記多結晶シリコン層の前記表面をテクスト加工することにより、及び前記プレートを特徴付ける前記パターンにより構成されることを特徴とする、請求項15〜18または請求項19〜21の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- シリコン層の前記表面に、溝と補完する形状のリブが形成され、それによって前記シリコン層の強度が増加するように、前記支持体(100)の前記表面に溝が彫られることを特徴とする、請求項1〜22の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記溝の深さは数十μmであることを特徴とする、請求項23に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記リブの最大幅はたかだか数mmであることを特徴とする、請求項23または24に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記リブは前記テープ(100)の長手方向に延長していることを特徴とする、請求項2または請求項23〜25の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記リブは前記テープ(100)の幅方向に延長していることを特徴とする、請求項2または請求項23〜25の何れか一項に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記レリーフは前記テープの長手方向と幅方向のリブのグリッドから構成される格子形(ワッフル形)であることを特徴とする、請求項26または27に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記各ローラー(92,94)は、エンボス面に形成された表面を有する少なくとも二つの刻みホイール(102〜108および118〜124)から成り、前記刻みホイールは互いに他のホイールと、前記刻みホイールのエンボス表面を越えて突出している部分(134)を有するディスク(110〜116および126〜132)によって分離されており、ローラーの前記エンボス表面は、前記シリコン層にテクスチュア加工及び又はマーク付けを施す前記刻みホイールのエンボス表面と、支持テープ(100)に溝(136)を形成すると共にシリコン層にリブの形状の前記レリーフを形成する前記ディスクの前記突出している部分(134)とから構成されていることを特徴とする、請求項7または26に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記ローラー(92,94)は、ディスク(110〜116及び126〜132)により個々に分離された刻みホイール(102〜108および118〜124)の連続体から成り、前記各ディスクは、前記支持テープに溝(136)を造るために、前記刻みホイールの表面を越えて突出している部分(134)を有し、前記溝(136)の間隔部分には、特定のプレートあるいは多結晶シリコンプレートの一つの組を特徴付ける前記パターンを形成することを特徴とする、請求項19または29に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
- 前記各ローラー(92,94)は、回転軸の回りに回転する少なくとも2つの刻みホイールから成り、各刻みホイールはエンボス表面を形成する面を有し、前記刻みホイールの少なくとも一つは、前記回転軸と平行して、長手方向にリブ(134)を備えていることを特徴とする、請求項7または27に記載する多結晶シリコンプレートの製造方法。
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