ES2377938T3 - Procedimiento de fabricación de placas de sicilio policristalino - Google Patents
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Abstract
Procedimiento de fabricación de al menos una placa de silicio policristalino (68, 70) de la cual una (64, 66) de las dos caras tiene un relieve predeterminado, de acuerdo con el cual se deposita una capa de silicio policristalino (60, 62) sobre al menos una (56, 58) de las dos caras de un soporte (50), siendo el citado soporte una cinta de carbono, caracterizado porque: - se imprime la citada cara (52, 54) del soporte (50) para darla una forma complementaria del citado relieve, - se recubre el citado soporte con un revestimiento protector (56, 58) de grafito pirolitico despues de la impresión de su superficie (52, 54) para darle la citada forma complementaria del relieve,- se deposita la citada capa de silicio policristalino (60, 62) es depositada sobre la citada cara impresa (56, 58) del soporte (50), adaptandose entonces la superficie (64 o 66) de la citada capa de silicio policristalino situada en contacto con la citada cara impresa (56 o 58) a la forma del citado relieve, - se recorta la citada capa de silicio policristalino (60º 82), y- se elimina el citado soporte y el citado revestimiento protector con el fin de obtener la citada placa de silicio policristalino (68 o 70) .
Description
Procedimiento de fabricaci6n de placas de silicio policristalino
La presente invenci6n se refiere a un procedimiento de fabricaci6n de placas de silicio policristalino, especialmente de pequeno espesor, en las que al menos una de las dos caras de cada placa tiene un relieve predeterminado. Este
5 relieve puede estar presente en la mayor parte de la cara (este es el caso de la texturizaci6n por ejemplo) y/o en una parte pequena (este es por ejemplo el caso del marcado de una placa o del refuerzo de su rigidez por nervios). El procedimiento se aplica de modo muy particular a la fabricaci6n de celulas solares, denominadas celulas fotovoltaicas o fotopilas.
Una celula fotovoltaica tipo es un diodo de uni6n n-p, en el que la uni6n muy poco profunda es paralela a la
10 superficie. Bajo iluminaci6n, los fotones cuya energia hv sea superior a la anchura de banda prohibida Eg del semiconductor son absorbidos y crean pares electr6n-agujero. Los portadores minoritarios asi generados (agujeros en la zona n y electrones en la zona p) son recogidos por la uni6n n-p. Resulta asi una corriente Iph, que circula de la regi6n n hacia la zona p. Para recoger esta corriente se realizan contactos metalicos en la superficie de la zona de tipo n (emisor) y en la cara trasera de la zona de tipo p (base).
15 El mercado de la electricidad fotovoltaica esta dominado por las celulas fotovoltaicas del tipo uni6n n-p (o p-n) realizadas en silicio cristalizado. Es siempre necesario buscar el valor maximo de la densidad de fotocorriente generada bajo una iluminaci6n dada. Esto supone optimizar la recogida de los portadores minoritarios generados por la parte util de la radiaci6n incidente (fototes de energia hv>Eg). A tal efecto, se utilizan varios metodos. Se puede citar por ejemplo el aumento de espesor de la base para permitir la absorci6n de los fotones de gran longitud de
20 onda - infrarrojo pr6ximo (pero en detrimento del consumo de silicio), la reducci6n de la profundidad de la uni6n para favorecer la absorci6n de los fotones de corta longitud de onda - UV pr6ximo - en la base, el dep6sito de una capa antirreflejo sobre la cara iluminada para mejorar la recogida de la radicaci6n incidente o tambien la reducci6n de los procesos de recombinaci6n en las interfaces (cara delantera, cara trasera, contactos).
Un ultimo metodo es la texturizaci6n de la superficie. Este metodo, descrito por ejemplo en el articulo de J.Nijs,
25 J.Szlufcik, J Poortmans y otros, publicado en el IEEE Trans. Electron Devices 46 (10) (1999) 1948, consiste en formar en superficie un relieve, dicho de otro modo en texturizar la superficie, en forma de piramides. La figura 1 ilustra el principio de funcionamiento de este metodo. La cara 10 de la capa de silicio 12 que recibe la luz esta compuesta por una red de piramides casi identicas y adyacentes 14 (triangulos en corte) cuyas caras laterales forman un angulo de aproximadamente 45 grados con respecto a la base de las piramides. Un haz luminoso
30 incidente 16 normal a la superficie da lugar, por una parte, a un haz refractado 18, que es absorbido en la capa 12, y a un haz reflejado 20. Este ultimo llega a la piramide vecina y da lugar, por una parte, a un haz reflejado 22 que se aleja de la capa de silicio y por tanto se pierde y, por otra, a un primer haz refractado 24, despues a un segundo haz refractado 26 que es absorbido por la capa. Este relieve aumenta asi el rendimiento global de la celula fotovoltaica. En efecto:
35 - el coeficiente efectivo de reflexi6n de la luz sobre la cara de entrada es reducido, especialmente en el caso de una luz incidente de fuerte componente de luz difusa, y
- -
- el angulo de inclinaci6n de los rayos luminosos que se propagan en la base con respecto a la superficie macrosc6pica de la celula fotovoltaica aumenta de modo considerable, con dos consecuencias: por una parte, un aumento de la distancia de propagaci6n en la base del semiconductor y, por otra, un aumento del coeficiente de
40 reflexi6n de la luz sobre la cara trasera del semiconductor. Estos dos efectos aumentan la probabilidad de absorci6n de los fotones de gran longitud de onda. Por via de consecuencia, estos contribuyen a aumentar la densidad de fotocorriente y la tensi6n de circuito abierto de la fotopila con respecto a una fotopila cuya capa de silicio estuviera provista de caras planas.
La presencia de una texturizaci6n de este tipo llega a ser muy importante para el mantenimiento de altos
45 rendimientos de conversi6n cuando se quiere reducir drasticamente el espesor de la capa de silicio de tipicamente 300 Im - 350 Im (celulas fotovoltaicas clasicas) hasta al menos 100 Im, hasta 50 Im (vease mas adelante), para reducir el coste de estos dispositivos. En esta gama, una parte importante del espectro de la radiaci6n incidente, que se propaga en la proximidad de la normal a la superficie, no seria absorbida en el espesor del material mientras que el coeficiente de reflexi6n en cara trasera, salvo precauci6n particular, seria tipicamente inferior a 0,6 (incidencia
50 normal en la cara trasera).
Una de las aplicaciones de la presente invenci6n se refiere a la texturizaci6n de capas de silicio policristalino para la fabricaci6n de celulas solares y es particularmente interesante para las capas de pequeno espesor, inferior a 300 Im. La texturizaci6n consiste en dar a la superficie de la capa un relieve predeterminado, por ejemplo una red de ranuras paralelas o una red de piramides.
55 De acuerdo con un primer metodo de texturizaci6n conocido, que se refiere solamente a las placas de silicio monocristalino y en las que la superficie es pr6xima al plano cristalino (100), la texturizaci6n se efectua por ataque quimico de la superficie por medio de una soluci6n KOH / isopropanol. Este ataque, muy anis6tropo y especifico de
la cara cristalografica (100), permite obtener piramides de tamano micrometrico muy regulares e inclinadas 45° con la superficie macrosc6pica. Sin embargo, esta tecnica es netamente menos eficaz cuando se aplica a placas de silicio policristalino, las cuales son utilizadas cada vez mas por razones de coste.
En este caso, se han ensayado otras tecnicas. Todas estas tecnicas son metodos de grabado is6tropo, es decir supuesto que todos los granos graban en condiciones similares: ataque en medio acido por via quimica o electroquimica (descrita en el articulo de V.Y. Yerokhov, R.Hezel, M.Lipinski, R.Ciach, H.Nagel, A.Mylyanych, P. Panek, Solar Energy Materials & Solar Cells 72 (2002) 291-298), ataque reactivo en fase gaseosa (designado por el termino "RIE" de "Reactive Ion Etching") por ejemplo por medio de un plasma que contiene especies cloradas (descrito en el articulo de S.Fujii, Y. Fukawa, H.Takahashi, Y. Inomata, K. Okada, K.Fukuii, K.Shirasawa, Solar Energy Materials & Solar Cells, 65 (2001) 269-275).
Otra tecnica conocida se refiere al grabado mecanico, descrita en el articulo de F. Duerinckx, J. Szulfcik, J. Nijs, R. Mertens, C.Gerhards, C. Markmann, P. Fath, G. Willeke, High efficiency, mechanically V. Textured, screen printed multicrystalline silicon solar cells with silicon nitride passivation, Proceedings 2a World Conference on PV Solar Energy Conversi6n, 1998. El grabado mecanico consiste en formar mecanicamente un relieve, por ejemplo una red de ranuras paralelas entre si o de piramides, directamente sobre la superficie de la capa de silicio con la ayuda de herramientas mecanicas tales como una muela de diamantes. Sin embargo, esta operaci6n perturba considerablemente la estructura del silicio en un espesor de aproximadamente diez micras, lo que tiene por efecto inducir defectos en todo el volumen del silicio como consecuencia de los tratamientos termicos a los cuales es sometido a continuaci6n el silicio. El grabado mecanico es ademas lento y caro, y por tanto industrialmente ineficaz.
Otra tecnica conocida se refiere a un procedimiento de dep6sito de una pelicula delgada de silicio sobre una superficie de una cinta de carbono, vease el documento EP-A2-0079567.
Cada una de estas tecnicas tiene limitaciones severas, ya sea en terminos de coste (ataque electroquimico, ataque plasma y grabado mecanico), o bien en terminos de eficacia (ataque quimico acido). Varias de ellas no son aplicables a las placas muy delgadas, de espesor inferior a 300 Im, generalmente muy fragiles, en raz6n de las manipulaciones y/o de las tensiones mecanicas que estas inducen. Este es el caso del grabado mecanico y en una cierta medida del decapado electroquimico (manipulaciones). El procedimiento de la presente invenci6n no presenta los inconvenientes anteriores.
Otra aplicaci6n de la presente invenci6n se refiere al marcado de las placas con el fin de diferenciar una placa o una serie de placas de silicio con respecto a otras placas de silicio.
Otra aplicaci6n de la presente invenci6n se refiere al refuerzo de la rigidez de las placas de silicio delgadas.
De modo general, la presente invenci6n resuelve el problema de la impresi6n de placas de silicio policristalino, especialmente de pequenos espesores, inferiores a 300 Im, proponiendo un procedimiento menos costoso que los metodos de la tecnica anterior, eficaz porque no perturba la estructura interna del silicio y porque puede ser puesto en practica industrialmente.
De modo mas preciso, la invenci6n tiene por objeto un procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1.
El relieve predeterminado puede tener una o varias funciones. Puede tratarse por ejemplo de texturizar la cara o las caras de la placa de silicio. En este caso, el relieve ocupa al menos la mayor parte de la cara o de las caras. Puede tratarse igualmente, ademas o independientemente de la texturizaci6n, de marcar la capa de silicio por una referencia para diferenciar la placa, o una serie de placas, resultantes de esta placa de silicio, con respecto a otras placas de silicio. El relieve puede tambien tener la funci6n, cuando este se refiere solamente a una parte de la placa, de aumentar la rigidez de las placas de silicio delgadas, que son relativamente flexibles, creando nervios.
Aplicandose la invenci6n de modo muy particular a la fabricaci6n de celulas solares, el citado relieve puede ser elegido para texturizar la mayor parte de la superficie de la capa de silicio con el fin de aumentar la probabilidad de absorci6n de la luz incidente en la citada capa.
De acuerdo con una primera variante de realizaci6n de la invenci6n, el citado relieve de texturizaci6n tiene le forma de una red de piramides sensiblemente identicas, formando preferentemente las caras laterales de cada una de las citadas piramides con la base de la piramide angulos sensiblemente iguales a 45 grados. La altura de las citadas piramides esta comprendida ventajosamente entre 1 Im y 10 Im.
De acuerdo con la invenci6n, el citado soporte es una cinta de carbono, la cual es recubierta con un revestimiento protector de grafito pirolitico despues de la impresi6n de su superficie para darla la citada forma complementaria del relieve.
La citada cara del soporte puede ser impresa para darla una forma complementaria del citado relieve por impresi6n de una matriz sobre el citado soporte, teniendo la superficie de impresi6n de la matriz la forma de una superficie plana sobre la cual ha sido impreso el citado relieve predeterminado.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n de la invenci6n, se imprime la citada cara del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve por pinzamiento y paso continuo del citado soporte entre dos rodillos, teniendo la superficie de impresi6n de al menos uno de los citados rodillos la forma del citado relieve predeterminado.
La citada superficie de impresi6n de la citada matriz o del citado rodillo esta preferentemente realizada en un material elegido entre el carbono, el carburo de silicio, el silicio y el nitruro de silicio.
De modo ventajoso, las superficies de impresi6n de los dos rodillos tienen la forma del citado relieve, tomando entonces las dos caras del citado soporte la forma complementaria del citado relieve durante los citados pinzamiento y paso continuo entre los citados rodillos.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n, se deposita una capa de silicio policristalino simultaneamente y en regimen continuo sobre las dos caras de la citada cinta haciendola atravesar un bano de silicio fundido y tirando de ella verticalmente y a velocidad constante, de abajo a arriba, para sacarla del citado bano, obteniendo asi dos capas de silicio policristalino, teniendo cada una, una superficie que tiene el citado relieve.
El citado soporte se elimina preferentemente por quemado calentando a alta temperatura el conjunto formado por el soporte y el silicio policristalino y a continuaci6n se decapa la cara del silicio policristalino que tiene la forma del citado relieve.
Ventajosamente, el citado soporte tiene un espesor comprendido entre 200 Im y 350 Im, preferentemente entre 200 Im y 300 Im, la capa de silicio policristalino tiene un espesor comprendido entre 40 Im y 300 Im y el espesor del citado revestimiento protector es sensiblemente igual a 1 Im.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n, el citado relieve esta compuesto, independientemente o ademas de la texturizaci6n, de un motivo que caracteriza a la citada placa o a una serie de placas de silicio. Este motivo puede ser por ejemplo un c6digo de barras o un numero de referencia.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n, independientemente o ademas de la texturizaci6n y/o del motivo que caracteriza a la placa, se imprimen escotaduras sobre la citada placa del citado soporte de modo que sobre la citada superficie de la capa de silicio se forman nervios complementarios de las escotaduras, lo que tiene por efecto aumentar la rigidez de la capa de silicio. La profundidad de las citadas escotaduras puede ser de algunas decenas de micras y la mayor anchura de los citados nervios puede ser como maximo de algunos milimetros.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n, cada uno de los citados rodillos esta formado por al menos dos moletas en las que cada cara forma una cara de impresi6n, estando las moletas separadas por un disco que tiene una parte en saliente por encima de la cara de impresi6n de las moletas, estando constituida la superficie de impresi6n de los rodillos por las caras de impresi6n de las moletas que forman la texturizaci6n y/o el motivo de la capa de silicio y formando la parte en saliente del disco el relieve en forma de nervio perpendicular al eje de rotaci6n del citado rodillo. De modo ventajoso, cada uno de los rodillos esta compuesto por una sucesi6n de moletas separadas por discos, teniendo cada uno de los discos una parte en saliente por encima de la superficie de las moletas, constituyendo el espaciamiento entre los citados discos el motivo que caracteriza a la citada placa o a la citada serie de placas de silicio policristalino.
De acuerdo con otra variante de realizaci6n, los citados rodillos o las citadas moletas comprenden ranuras longitudinales, paralelas a los ejes de rotaci6n de los rodillos o de las moletas. Estas ranuras longitudinales pueden coexistir con las ranuras formadas por los citados discos.
Otras ventajas y caracteristicas de la invenci6n se pondran de manifiesto en el transcurso de la descripci6n que sigue de varios modos de realizaci6n, dados a titulo de ejemplos no limitativos, refiriendose a los dibujos anejos y en los cuales:
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- la figura 1 ilustra la trayectoria de un haz luminoso incidente en una capa de silicio cuya superficie frontal ha sido texturizada para darla un relieve en forma de piramides,
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- la figura 2 ilustra de modo esquematico el procedimiento de texturizaci6n de las dos caras del soporte de la capa de silicio,
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- la figura 3 representa el soporte y las capas de silicio obtenidos en diferentes etapas del procedimiento de fabricaci6n de las capas de silicio texturizadas,
- -
- la figura 4 representa esquematicamente el modo de realizaci6n preferido del procedimiento de fabricaci6n de las capas texturizadas,
- -
- la figura 5 muestra esquematicamente los rodillos formados por moletas y discos que permiten texturizar y/o
marcar y formar nervios en la superficie de la capa de silicio, por intermedio de la etapa de impresi6n del soporte,
y
- -
- la figura 6 representa esquematicamente en secci6n una moleta provista de ranuras longitudinales, paralelamente a su eje de rotaci6n.
De acuerdo con el procedimiento de la invenci6n, la fabricaci6n de una o varias placas delgadas de silicio policristalino consiste principalmente en depositar este silicio en forma de una capa delgada sobre la capa o las capas de un soporte que ha sido o han sido previamente impresas. Siendo depositado el silicio sobre la superficie en relieve del soporte, el silicio se adapta a la forma de este relieve. En otras palabras, la forma de la cara de la capa de silicio en contacto con el soporte es obtenida por moldeo del silicio liquido sobre el soporte. El relieve de la cara del soporte es por tanto elegido complementario de la forma que se quiere dar al relieve de la cara de la capa delgada.
Las figuras 2, 3 y 4 ilustran el modo de realizaci6n preferido de la invenci6n segun el cual se fabrican simultaneamente dos capas de silicio texturizadas, marcadas y/o con nervios depositando el silicio sobre las dos caras de un soporte constituido por una cinta. La primera etapa del procedimiento consiste en dar a las dos caras de la cinta una forma complementaria de la forma predeterminada que se quiere obtener para las caras de las dos capas de silicio, caras enfrentadas del soporte. Esto es lo que ilustra la figura 2, en la cual una cinta 28 (representada en secci6n) es pinzada entre dos rodillos 30 y 32. Estos rodillos, de forma cilindrica, giran alrededor de sus ejes de rotaci6n 34 y 36 en el sentido de las flechas respectivamente 38 y 40, lo que tiene por efecto tirar de la cinta 28 hacia arriba, en el sentido de la flecha 42. De acuerdo con otra forma de realizaci6n, los rodillos 30 y 40 pueden girar libremente alrededor de de sus ejes de rotaci6n 34 y 36, haciendose el arrastre de la cinta 28 por otro medio independiente de los rodillos.
La superficie de impresi6n de estos rodillos, realizados preferentemente de carbono, carburo de silicio, silicio o nitruro de silicio, tiene la forma del relieve predeterminado 44 que se quiere dar a la superficie de la capa de silicio. La cinta 28 es preferentemente de carbono (grafito expandido laminado), un material flexible, poco elastico y de baja densidad (comprendida entre 0,6 y 1,3). Este carbono es por ejemplo comercializado con las denominaciones de "Papyex" de la sociedad Le Carbone Lorraine, "Sigraflex" de la sociedad SGL Carbon et "Grafoil" de la sociedad Union Carbide. El caracter poco elastico de estos materiales permite realizar sobre cada una de las superficies 46 y 48 de la cinta 28 un excelente moldeo del relieve 44 de los rodillos durante el paso continuo de la cinta 28 entre los rodillos 30 y 32. La cinta 28 tiene un espesor de aproximadamente 200 Im a 300 Im y puede ser facilitada en rollos de un metro de anchura y de varios centenares de metros de longitud. Sin embargo, para el modo de realizaci6n descrito aqui, se utiliza preferentemente una anchura de aproximadamente quince centimetros.
En la figura 2, que es solamente una representaci6n esquematica, el relieve 44 puede ser una red de ranuras paralelas o perpendiculares a los ejes de rotaci6n 34 y 36 de los rodillos, cuando el objetivo buscado es la texturizaci6n de las caras de las capas de silicio. En el primer caso, las ranuras son horizontales y estan orientadas en el sentido de la anchura de la cinta. En el segundo caso, las ranuras son verticales y estan orientadas en el sentido de la longitud de la cinta. En los dos casos se obtiene una red anis6tropa de una dimensi6n. Se observara que estos dos motivos aplicados a la texturizaci6n de la cinta de silicio dan el mismo resultado, desde el punto de vista de la texturizaci6n de la placa de silicio, que una texturizaci6n directa del silicio por via mecanica con un diamante pero sin los inconvenientes de esta ultima tecnica (lenta, agresiva y necesidad de un acabado por un ataque quimico en profundidad para eliminar los danos del grabado con diamante). El relieve 44 puede igualmente, y preferentemente, ser una red de piramides adyacentes tal como esta ilustrado en la figura 1. En todos los casos en que la aplicaci6n considerada es la texturizaci6n de la superficie, la forma del relieve es elegida de modo que aumente la probabilidad de absorci6n de la luz incidente en la capa de silicio.
La figura 3 ilustra las etapas siguientes de la fabricaci6n de las capas de silicio. En 3A, se ha representado una cinta de carbono 50 con sus dos caras texturizadas 52 y 54 obtenidas de acuerdo con el primer metodo ilustrado en la figura 2. Estas dos caras 52 y 54 son a continuaci6n recubiertas (3B) con una capa fina protectora 56 y 58 de grafito pirolitico, o pirocarbono, de espesor micrometrico. Debido al espesor muy pequeno de esta capa, se conserva el relieve de las caras 52 y 54. Este revestimiento protector es necesario porque el carbono de la cinta 50 reacciona con el silicio fundido para dar nacimiento a carburo de silicio, mientras que el grafito pirolitico es inerte con respecto al silicio fundido.
En 3C, se ha mostrado la cinta de carbono obtenida en 3B con sus caras en relieve 56 y 58 sobre las cuales han sido depositadas las dos capas 60 y 62 de silicio policristalino. El metodo preferido para el dep6sito de estas capas esta ilustrado en la figura 4. La cinta sirve a la vez de soporte de las capas de silicio y de medios que permiten texturizar, marcar y/o formar nervios en las caras 64 y 66 de las capas de silicio enfrentadas de la cinta de acuerdo con el relieve predeterminado 44 de los rodillos 30 y 32 (vease la figura 2). En efecto, las caras 64 y 66 de las capas de silicio se adaptan, como por moldeo, al relieve de las caras impresas respectivamente 56 y 58. Este relieve es de forma complementaria de las caras 56 y 58 de la cinta soporte 50� este, por tanto, es de forma identica al relieve 44 de los rodillos 30 y 32 de la figura 2. Se obtiene asi para las capas de silicio el relieve predeterminado buscado.
La etapa siguiente consiste en primer lugar en cortar en placas, generalmente rectangulares, la cinta de material compuesto formada por la cinta 50 y las capas de silicio 60 y 62. Despues, se elimina la cinta soporte 50 (etapa 3D) por quemado al aire a alta temperatura (aproximadamente 1000 grados C) con el fin de obtener dos placas 68 y 70 de silicio policristalino. Las caras texturizadas de las placas son sometidas a continuaci6n a un ligero decapado para eliminar la capa oxidada, de silice, que se forma en superficie. Esta capa oxidada es de un espesor muy pequeno,
del orden de algunas decimas de micras. El decapado puede hacerse por diferentes vias clasicas con la ayuda por ejemplo de acido fluorhidrico gaseoso, de una soluci6n acuosa de acido fluorhidrico diluido al 5 � en agua, a la cual puede anadirse eventualmente un 10� de acido nitrico, o tambien por ataque reactivo en fase gaseosa (denominado "RIE" de "Reactive Ion Etching") por medio por ejemplo de un plasma que contenga especies cloradas.
El dep6sito de las capas de silicio 60 y 62 sobre la cinta soporte 50 se efectua ventajosamente de acuerdo con el procedimiento ilustrado en la figura 4. Este procedimiento, denominado procedimiento "RST" (de Ruban de silicium sur Substrat de carbone Temporaire), esta descrito en varias patentes, por ejemplo FR 2 386 359, FR 2 550 965, FR 2 568 490 o EP 0079567. Sin embargo, el procedimiento descrito en estas patentes no utiliza una cinta de carbono impresa como la cinta 50. Las capas de silicio fabricadas de acuerdo con las ensenanzas de estas patentes no estan por tanto impresas (por ejemplo texturizadas, marcada y/o con nervios). En la figura 4, las caras 74 y 76 de una cinta de carbono flexible 72 (identica a la cinta 50 de la figura 3) han sido impresas (vease la figura 3A) para tomar la forma complementaria del relieve predeterminado gracias alprocedimiento ilustrado en la figura 2 y a continuaci6n recubiertas por una capa protectora de grafito pirolitico (vease la figura 3B). Un crisol 78 de silice o de carbono contiene un bano 80 de silicio fundido y medios (no representados) para calentar el silicio, por ejemplo resistencias calefactores que rodean al crisol. El fondo del crisol 78 comprende una ranura rectilinea 82 a traves de la cual pasa verticalmente la cinta de carbono 72. Esta ultima es puesta en movimiento verticalmente y de abajo a arriba, por medios no representados y sale del bano 80 atravesando su superficie de equilibrio horizontal 84. La anchura y la longitud de la ranura 82 se determinan de modo que el menisco de empalme de silicio liquido sea estable en el interior de esta ranura.
Cuando la cinta 72 se desplaza en el sentido de la flecha 86, se deposita una capa de silicio policristalino 88 y 90 sobre las caras impresas respectivamente 74 y 76 de la cinta soporte 72. Se obtiene asi el equivalente de la cinta de carbono 50 y de las capas 60 y 62 de la figura 3C. El conjunto cinta soporte y capas de silicio es a continuaci6n recortado para formar placas. A continuaci6n, se elimina la cinta soporte 72 y se tratan las dos capas de silicio policristalino obtenidas como se indic6 anteriormente en relaci6n con la figura 3D.
El procedimiento descrito en relaci6n con la figura 2 es puesto en practica con la ayuda de dos rodillos 30 y 32 cuyas superficies de impresi6n comprenden un relieve en forma de piramides, que permite texturizar la capa de silicio. La figura 5 muestra esquematicamente una forma de realizaci6n de los rodillos que permiten texturizar y/o marcar y formar nervios en la capa de silicio. Dos rodillos 92 y 94, que estan enfrentados, giran alrededor de sus ejes de rotaci6n paralelos 96 y 98. Una cinta de carbono 100 (mostrada en secci6n perpendicular a su longitud), destinada a servir de soporte a la capa de silicio policristalino, es pinzada entre los rodillos 92 y 94 y pasa continuamente entre los rodillos en el sentido perpendicular a la hoja del dibujo. El rodillo 92 se compone de una serie de moletas 102, 104, 106 y 108 separadas por discos 110, 112, 114 y 116. Estas moletas y estos discos tienen como eje de rotaci6n el eje de rotaci6n 96. Del mismo modo, el rodillo 94 se compone de moletas 118, 120, 122 y 124 separadas por discos 126, 128, 130 y 132, teniendo las moletas y los discos como eje de rotaci6n el eje 98. La superficie cilindrica (superficie de impresi6n) de cada una de las moletas puede tener un relieve o un motivo de impresi6n que permite texturizar y/o marcar por una referencia la cinta de carbono 100. El diametro de los discos es ligeramente superior al de las moletas de modo que una parte 134 de cada disco (la circunferencia exterior) sobresale con respecto a la superficie de impresi6n de las moletas. Resulta asi que el relieve impreso en la cinta 100 por los discos 110 a 116 y 126 a 132 son escotaduras 136. Depositando la capa de silicio sobre la cinta, con la ayuda del procedimiento ilustrado en la figura 4 por ejemplo, la superficie de la capa de silicio comprendera ranuras, de forma complementaria de las escotaduras 136, en el sentido longitudinal de la cinta 100. Estas ranuras refuerzan la rigidez de la capa de silicio.
Pueden realizarse igualmente escotaduras en el sentido de la anchura de la cinta. Para hacer esto, los medios comprenden en relieve nervios dispuestos en sus superficies de impresi6n. Esto es lo que muestra esquematicamente la figura 6 en la cual la moleta 102 esta representada en corte, perpendicularmente al eje de rotaci6n 96. En la superficie cilindrica de impresi6n de esta moleta estan dispuestos nervios 138 paralelamente al eje de rotaci6n 96. Estos nervios provocan escotaduras de forma complementaria en la cinta soporte 100 y nervios de la misma forma sobre la capa de silicio. Tales nervios 138 pueden estar dispuestos del mismo modo sobre las superficies de impresi6n de todas las otras moletas o de una parte solamente segun el relieve deseado para la capa de silicio. El numero y el espaciamiento de los nervios 138 pueden ser variables.
Combinando los discos de la figura 5 con las ranuras de la figura 6, se obtiene un relieve en forma de gofre constituido por un cuadriculado de nervios, estando unos en el sentido de la longitud de la cinta y los otros en el sentido de la anchura de la cinta. En este caso, es preferible que los nervios no esten en contacto directo con los discos, sino que esten espaciados por un intersticio del orden del milimetro o inferior.
Preferentemente, la mayor anchura de los nervios es como mucho de un milimetro y su altura es de algunas decenas de micras.
La secci6n de los nervios puede tomar cualquier forma apropiada para el objetivo perseguido (refuerzo de la rigidez de la capa de silicio por ejemplo), tal como una forma en "U" o en "V".
El procedimiento de acuerdo con la invenci6n aporta una soluci6n industrial a la impresi6n de placas de silicio policristalino, como la texturizaci6n, el marcado y/o el refuerzo de la rigidez, sin que se aplique a la placa ninguna tensi6n mecanica o quimica. La estructura interna del silicio no resulta por tanto danada. Cuando el relieve predeterminado es una red de piramides sensiblemente identicas, la texturizaci6n obtenida es completamente 5 is6tropa con posibilidades de modulaci6n sobre el periodo de la red de piramides y la forma de las piramides. El procedimiento puede ser puesto en practica a bajo coste, siendo el mayor coste la fabricaci6n de los rodillos 30 y 32
o 92 y 94 los cuales pueden ser utilizados para la fabricaci6n de placas muy numerosas. La texturizaci6n obtenida puede ser importante (gran densidad y/o intensidad del relieve) lo que permite fabricar celulas fotovoltaicas de muy alto rendimiento de conversi6n de la luz en pares electr6n-agujero. Ademas, el consumo de los productos quimicos
10 es muy reducido puesto que estos se utilizan solamente para eliminar la capa de silice que se forma en el transcurso de la eliminaci6n por calentamiento de la cinta soporte de carbono.
De acuerdo con el modo de realizaci6n preferido de la invenci6n anteriormente descrito, se texturizan las dos caras de la cinta soporte de carbono y se fabrican simultaneamente dos capas texturizadas de silicio policristalino. Naturalmente, se podria texturizar solamente una sola cara de la cinta soporte (texturizando solamente uno solo de
15 los dos rodillos 30 y 32) y obtener solamente una sola capa de silicio texturizada, sin salirse del marco de la presente invenci6n. Asimismo, podria utilizarse un procedimiento diferente del ilustrado en la figura 4 para depositar una capa de silicio sobre un soporte. En lugar de utilizar rodillos para imprimir la cinta soporte, se podria utilizar una matriz que tenga una superficie plana impresa con el relieve predeterminado.
Claims (28)
- REIVINDICACIONES1. Procedimiento de fabricaci6n de al menos una placa de silicio policristalino (68, 70) de la cual una (64, 66) de las dos caras tiene un relieve predeterminado, de acuerdo con el cual se deposita una capa de silicio policristalino (60, 62) sobre al menos una (56, 58) de las dos caras de un soporte (50), siendo el citado soporte una cinta de carbono, caracterizado porque:
- -
- se imprime la citada cara (52, 54) del soporte (50) para darla una forma complementaria del citado relieve,
- -
- se recubre el citado soporte con un revestimiento protector (56, 58) de grafito pirolitico despues de la impresi6n de su superficie (52, 54) para darle la citada forma complementaria del relieve,
- -
- se deposita la citada capa de silicio policristalino (60, 62) es depositada sobre la citada cara impresa (56, 58) del soporte (50), adaptandose entonces la superficie (64 o 66) de la citada capa de silicio policristalino situada en contacto con la citada cara impresa (56 o 58) a la forma del citado relieve,
- -
- se recorta la citada capa de silicio policristalino (60o 82), y
- -
- se elimina el citado soporte y el citado revestimiento protector con el fin de obtener la citada placa de silicio policristalino (68 o 70).
-
- 2.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1, caracterizado porque se imprime la citada cara (46, 48) del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve (44) por pinzamiento y paso continuo del citado soporte (28) entre dos rodillos (30, 32), teniendo la superficie de impresi6n de al menos uno de los citados rodillos la forma del citado relieve predeterminado.
-
- 3.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1, caracterizado porque se imprime la citada cara del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve por impresi6n de una matriz sobre el citado soporte, teniendo la superficie de impresi6n de la matriz la forma de una superficie plana sobre la cual ha sido impreso el citado relieve predeterminado.
-
- 4.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 2 y 3, caracterizado porque la citada superficie del citado rodillo (30, 32) o de la citada matriz esta realizada en un material elegido entre el carbono, el carburo de silicio, el silicio y el nitruro de silicio.
-
- 5.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 2 y 4, caracterizado porque las superficies de impresi6n de los dos rodillos (30, 32) tienen la forma del citado relieve, tomando entonces las dos caras (46, 48) del citado soporte (28) la forma complementaria del citado relieve (44) durante los citados pinzamiento y paso continuo entre los citados rodillos.
-
- 6.
- Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 1 y 5, caracterizado porque se deposita una capa de silicio policristalino (88, 90) simultaneamente y en regimen continuo sobre las dos caras (74, 76) de la citada cinta (72) haciendola atravesar un bano de silicio fundido (80) y tirando de ella verticalmente y a velocidad constante, de abajo a arriba (86), para sacarla del citado bano, obteniendo asi dos capas (88, 90) de silicio policristalino, teniendo cada una, una superficie que tiene el citado relieve.
-
- 7.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque se elimina el citado soporte (28, 50, 72, 100) por quemado calentando a alta temperatura el conjunto formado por el soporte y el silicio policristalino.
-
- 8.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 7, caracterizado porque despues del quemado del citado soporte se decapa la cara (64, 66) del silicio policristalino que tiene la forma del citado relieve.
-
- 9.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el citado soporte (28, 50, 72, 100) tiene un espesor comprendido entre 200 Im y 350 Im, preferentemente entre 200 Im y 300 Im.
-
- 10.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la capa de silicio policristalino (68, 70, 88, 90) tiene un espesor comprendido entre 40 Im y 300 Im.
-
- 11.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1, caracterizado porque el espesor del citado revestimiento protector (56, 58) es sensiblemente igual a 1 Im.
-
- 12.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque se imprime la citada cara (46, 48, 52, 54) del citado soporte (28, 50) de modo que se texturice la citada cara (64, 66) de la citada capa (68, 70) de silicio policristalino, siendo elegido el citado relieve (44) de modo que aumente la probabilidad de absorci6n de la luz incidente en la citada capa.
-
- 13.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 12, caracterizado porque el citado relieve tiene la forma de una
red de piramides (14) sensiblemente identicas. 8 -
- 14.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 13, caracterizado porque las caras laterales de cada una de las citadas piramides (14) forman con la base de la piramide angulos sensiblemente iguales a 45 grados.
-
- 15.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 13 y 14, caracterizado porque la altura de las citadas piramides (14) esta comprendida entre 1 Im y 10 Im.
-
- 16.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque se imprime la citada cara del citado soporte (28, 50, 72, 100) de modo que la citada superficie de la citada capa de silicio quede marcada con un motivo que caracteriza a la citada placa o a una serie de placas de silicio policristalino.
-
- 17.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 16, caracterizado porque el citado motivo es un c6digo de barras.
-
- 18.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 16, caracterizado porque el citado motivo es un numero.
-
- 19.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 12 a 15 y 16 a 18, caracterizado porque el citado relieve esta compuesto por la texturizaci6n de la citada cara de la citada capa de silicio policristalino y el citado motivo que caracteriza a la citada placa.
-
- 20.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque se imprimen escotaduras sobre la citada cara del citado soporte (100) de modo que sobre la citada superficie de la capa de silicio se forman nervios, de forma complementaria de las escotaduras, lo que tiene por efecto aumentar la rigidez de la citada capa.
-
- 21.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 20, caracterizado porque la profundidad de las citadas escotaduras es de algunas decenas de micras.
-
- 22.
- Procedimiento de acuerdo con una de las reivindicaciones 20 y 21, caracterizado porque la mayor anchura de los citados nervios es como mucho de algunos milimetros.
-
- 23.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1 y una de las reivindicaciones 20 a 22, caracterizado porque los citados nervios son en el sentido de la longitud de la citada cinta (100).
-
- 24.
- Procedimiento de acuerdo con la reivindicaci6n 1 y una de las reivindicaciones 20 a 22, caracterizado porque los citados nervios son el sentido de la anchura de la citada cinta (100).
-
- 25.
- Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 23 y 24, caracterizado porque el citado relieve es en forma de gofre, constituido por un cuadriculado de nervios en el sentido de la longitud y de la anchura de la citada cinta.
-
- 26.
- Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 5 y 23, caracterizado porque cada uno de los citados rodillos (92, 94) esta formado por al menos dos moletas (102-108 y 118-124) de las que cada cara forma una cara de impresi6n, estando las citadas moletas separadas por un disco (110-116 y 126-132) que tiene una parte en saliente
(134) por encima de la cara de impresi6n de las citadas moletas, estando constituida la citada superficie de impresi6n de los rodillos por las citadas caras de impresi6n de las citadas moletas que forman la texturizaci6n y/o el marcado de la citada capa de silicio y formando la citada parte en saliente (134) del disco escotaduras 136 en la cinta soporte (100) y que forman el citado relieve en forma de nervios en la capa de silicio. -
- 27.
- Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 16 y 26, caracterizado porque cada uno de los citados rodillos (92, 94) esta compuesto por una sucesi6n de moletas (102-108 y 118-124) separadas por discos (110-116 y 126132), teniendo cada uno de los citados discos una parte en saliente (134) por encima de la superficie de las citadas moletas que crean escotaduras (136) en la cinta soporte (100), constituyendo el espaciamiento entre las citadas escotaduras (136) el citado motivo que caracteriza a la citada placa o a la citada serie de placas de silicio policristalino.
-
- 28.
- Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 5 y 24, caracterizado porque cada uno de los citados rodillos (92, 94) esta formado al menos por dos moletas que giran alrededor de un eje de rotaci6n y de las que cada cara forma una cara de impresi6n, comprendiendo al menos una de las citadas moletas ranuras longitudinales (134) paralelas al citado eje de rotaci6n.
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Families Citing this family (5)
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2386359A1 (fr) * | 1977-04-07 | 1978-11-03 | Labo Electronique Physique | Procede de depot par immersion en continu, dispositif et produits obtenus |
| FR2516708A1 (fr) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication de silicium polycristallin pour photopiles solaires |
| US5639300A (en) * | 1987-12-07 | 1997-06-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Epitaxy with reusable template |
| US5248621A (en) * | 1990-10-23 | 1993-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing solar cell devices of crystalline material |
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