JP2008124230A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 「少なくとも1つ以上の光電変換層を有する光電変換装置であって、前記光電変換層が周期的屈折率変化を有することを特徴とする光電変換装置」によって解決する。また、「前記光電変換層がフォトニックバンドギャップを有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置」で解決する。また、「前記光電変換層が反転オパール構造を有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置」で解決する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、フォトニック結晶からなる光電変換層を有する光電変換装置により、従来技術では不十分であった高い光閉じ込め効果を得る構造を提供することで、変換効率の高い光電変換装置を得ることを目的とする。
まず、本発明の第1の実施の形態による光電変換装置1の各構成要素について図1を参照し説明する。なお、図1の構造を特にスーパーストレート構造という。
本発明の第2の実施の形態による光電変換装置1の各構成要素について図2を参照し説明する。なお、図2の構造を特にサブストレート構造という。
図1を参照して説明された第1の実施の形態に対応して、実施例1としてスーパーストレート構造の光電変換装置1を形成した。白板ガラスから成る透明絶縁基板2の一主面上に、ZnOからなる透明導電膜3を熱CVD法により1.5μm形成した。
実施例1の光電変換装置1の構造に対して、ZnOからなる透明導電膜3が微細なランダムな凹凸を有する条件で熱CVD法により形成した。それ以外は全て同一条件の光電変換装置1を作製した。ZnOからなる透明導電膜3の微細な凹凸のため、i型半導体層42の長距離秩序は形成されず、短距離秩序だけを有する非晶質フォトニック結晶の状態となった。
実施例2の光電変換装置1の構造に対して、i型半導体層42を10μmの膜厚を有する結晶質シリコンの単層とし、周期的屈折率変化を有さない構造とした。それ以外は全て同一条件の光電変換装置1を作製した。
図2を参照して説明された第2の実施の形態に対応して、実施例3としてサブストレート構造の光電変換装置1を形成した。ステンレスから成る基体6の一主面上に、スパッタ法にて金属電極膜である裏面反射層52としてAg層52を200nm形成しさらに、透明反射層51として、スパッタ法にてZnO層51を90nm形成し、金属電極膜を含む裏面電極膜5を形成した。
2 透明絶縁基板
3 透明導電膜
4 薄膜光電変換ユニット
41 p型半導体層
42 i型半導体層
43 n型半導体層
5 裏面電極膜
51 透明反射層
52 裏面反射層
6 基体
7 収集電極
Claims (5)
- 少なくとも1つ以上の光電変換層を有する光電変換装置であって、前記光電変換層が周期的屈折率変化を有することを特徴とする光電変換装置。
- 前記光電変換層がフォトニックバンドギャップを有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記光電変換層が反転オパール構造を有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記光電変換層がシリコンまたはシリコン化合物からなることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記光電変換層の周期的屈折率変化が、長距離秩序と短距離秩序の両方を有するあるいはどちらかのみを有することを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
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