CN1953218A - 二极管发光装置制造方法及其结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种二极管发光装置制造方法及其结构，其中所述方法为将已完成了二极管芯片设置、导线连接以及覆盖取光层的座体结构，结合到已充填透镜胶体的模具母体上，或者在座体结构上设置至少两个注料孔，接着将座体结构与模具母体结合，然后将用于制作透镜的透镜胶体，通过这些注料孔对所述模具母体进行透镜的灌注成型作业，通过实施上述方法，可有效地提高透镜与座体结构结合的效率。另外其中所述结构，是将二极管发光装置的本体，用导热性好的金属材料制造，以大幅增加散热面积，从而使二极管发光装置的二极管芯片在工作时，能获得更好的散热效果。

Description

二极管发光装置制造方法及其结构
技术领域
本发明涉及到一种二极管发光装置的制造方法及其结构，特别是涉及到一种使透镜与座体结构能更有效结合的二极管发光装置制造方法，以及使二极管发光装置具有更佳散热效果的二极管发光装置结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode；LED)随着材料科技进步，在发光颜色及亮度的进展已不可同日而语，各种发光二极管显示技术已趋近全彩化与高亮度化，发光二极管更有希望成为照亮人类生活的新时代照明设备。
近年来，发光二极管发光效率等产品特性的持续改善，使得发光二极管的应用市场大幅度增长。发光二极管之所以能有如此高的市场增长率，主要的增长动力有两个，首先是在发光二极管显示器背光源市场中发光二极管与冷阴极荧光管(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)间的替代；其次是在一般光源市场中发光二极管与白炽灯泡和荧光灯间的替代。在上述两个增长动力市场中，发光二极管均具有环保、节能及色彩表现性佳的产品优势，其中如“欧盟2006年禁用汞”的环保法规更是驱动市场增长的主要原因。
图1所示，为一公知的发光二极管封装结构10的剖视图。图1为美国专利公开第20050135105号的发光二极管封装结构10，其包括：一参考基准11，从发光二极管封装结构10的绝缘本体12中伸出，并且对一散热器13产生定位关系。二极管芯片50固设于散热器13。于是，参考基准11为设置在发光二极管封装结构10内的二极管芯片50提供位置参考基准。参考基准11可以嵌设到散热器13中或者与散热器13一体成形。另外，发光二极管封装结构10可以包括一以横向延伸方式插入绝缘本体12的导线架43，另外此导线架43朝向二极管芯片方向延伸，以减少导线架与二极管芯片间的垂直距离。
发明内容
本发明主要解决的技术问题在于改善公知的以塑料为本体的发光二极管封装结构，该封装结构具有散热效率低且制造过程复杂的问题。本发明将二极管发光装置的本体，改用导热性好的金属材料制造，以大幅增加发光二极管封装结构的散热面积，进而使二极管发光装置的二极管芯片在工作时，能获得更好的散热效果，或者还可使本发明的二极管发光装置能适用于更大功率的产品使用规格。
为实现上述目的，本发明公开了一种二极管发光装置，其包括：一座体结构，包括：一本体，在所述本体内形成有一金属基座；至少一绝缘体，固设在所述本体的壳体周边上；以及至少一个导线架，每一所述导线架彼此独立且互不电气连接，又每一所述导线架均穿越所述绝缘体且其两端部凸出于所述绝缘体。又本发明特提供一种二极管发光装置还包括：至少一个二极管芯片，每一所述二极管芯片固设在所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均通过一对导线电气连接到所述导线架；一取光层，覆盖在所述金属基座内已完成所述这些导线连接的二极管芯片上；以及一透镜，结合到所述本体且覆盖在所述金属基座上。
所述这些二极管芯片至少包括二种发光颜色，且覆盖在所述这些二极管芯片上的所述取光层可进一步掺入扩散粉。
所述这些二极管芯片为蓝光二极管芯片且覆盖在所述这些二极管芯片上的所述取光层上进一步覆盖有一层光波转换层。
所述取光层为一高透光率的透明树脂。
所述透镜的材料可以为玻璃或透明塑料。
所述本体上具有至少两个注料孔。
每一所述二极管芯片具有一正电极和一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一个所述导线架。
每一所述这些二极管芯片进一步先形成在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片，均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
本发明还提供一种座体结构，应用于一种二极管发光装置或一种二极管发光装置的制造方法中，其包括：一本体，在所述本体内形成有一金属基座：至少一个绝缘体，固设在所述本体的壳体周边上；以及至少一个导线架，每一所述导线架彼此独立且互不电气连接，又每一所述导线架均穿越所述绝缘体并且其两端部凸出于所述绝缘体。
所述本体为金属材料，又所述金属材料可以为铝或铜或铁或钼或由铝、铜、铁、钼中任两种(含)以上合成的金属材料。
所述本体在所述金属基座的周边，设有一凹槽部。
所述凹槽部内，进一步填有一胶体。
所述金属基座具有一凹体。
所述绝缘体的材料可以为玻璃、陶瓷、塑料或电木。
所述本体上具有至少二个注料孔。
为了使本发明的二极管发光装置，其透镜能更有效以及更稳固的与二极管发光装置的座体结构结合且覆盖到所述金属基座上，本发明特提供一种二极管发光装置的制造方法，其包括下列步骤：提供一座体结构，其如“二极管发光装置结构”实施方式中所述的座体结构，但座体结构的本体上并不需要设置任何的注料孔；提供一模具母体，所述模具母体具有形成一透镜型体的凹槽；在所述座体结构的一金属基座内设置至少一个二极管芯片，又将每一所述二极管芯片均通过一对导线电气连接到所述座体结构的所述这些导线架；将一取光层，覆盖到所述金属基座内已完成所述这些导线连接的所述二极管芯片上；充填用于制作所述透镜的一透镜胶体到所述模具母体的凹槽内；将已完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，结合到所述模具母体上；以及当所述透镜胶体凝固后，进行退模作业。
所述二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
每一所述这些二极管芯片，进一步先以倒装芯片(flip chip)方式制作在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片，均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
每一所述二极管芯片具有一正电极及一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
所述座体结构在完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接后，在所述座体结构的本体的凹槽部内，进一步充填一胶体。
本发明还提供另一种二极管发光装置制造方法，包括下列步骤：提供一具有至少两个注料孔的座体结构，其如二极管发光装置结构实施方式中所述的座体结构，但在所述座体结构的本体上设置至少两个注料孔为必要构件；提供一模具母体，所述模具母体具有形成一透镜型体的凹槽；在所述座体结构的一金属基座内设置至少一个二极管芯片，又将每一所述二极管芯片均通过一对导线电气连接到所述座体结构的所述这些导线架；将一取光层，覆盖到所述金属基座内已完成所述这些导线连接的所述二极管芯片上；将已完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，结合到所述模具母体上；将用于制作所述透镜的透镜胶体，通过所述这些注料孔对所述模具母体进行所述透镜的灌注成型作业；以及当所述透镜胶体凝固后，进行退模作业。
所述中二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
每一所述这些二极管芯片进一步先以倒装芯片方式制作在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
每一所述二极管芯片具有一正电极及一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
本发明还提供一种二极管发光装置制造方法，包括下列步骤：提供一具有至少两个注料孔的座体结构，其如“二极管发光装置结构”实施方式所述的座体结构，但本体上设置至少两个注料孔为必要构件；将一取光层，覆盖到所述金属基座内已完成所述这些导线连接的所述二极管芯片上；将已完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，与所述透镜盖体结合；将用于制作所述透镜的一透镜胶体，通过所述这些注料孔对所述透镜盖体的中空部位进行所述透镜的灌注成型作业；以及使灌注于所述透镜盖体内的所述透镜胶体凝固。
所述中二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
每一所述这些二极管芯片，进一步先以倒装芯片方式制作到一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
每一所述二极管芯片具有一正电极和一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
通过实施本发明，可以实现至少下列有益效果：
一、解决目前发光二极管封装为将电路板或金属支架封装在以塑料做为母体的本体上，导致产生耐温与散热皆不佳的问题。
二、利用导热性好的材料以及一体成型的方式制造座体结构的本体，可减少组装的制造过程并且可以增加结构的强度，并可使二极管发光装置获得更好的散热效率。
三、散热效率提高，可使多个二极管芯片封装在一个本体内，从而可应用于更大功率的二极管发光装置。
四、座体结构的绝缘体若为玻璃材料并且以烧结方式与本体结合时，可增加气密性，因而能应用于高质量要求的产品中。
附图说明
图1为一公知的发光二极管封装结构的剖视图；
图2为本发明的一种二极管发光装置的立体实施方式图；
图3为沿着图2A-A剖线的本发明的一种二极管发光装置的剖视实施方式图；
图4为本发明的一种座体结构的立体实施方式图；
图5为沿着图4B-B剖线的本发明的一种座体结构的剖视实施方式图；
图6为先将二极管芯片以倒装芯片方式制作到结合座上，然后再将结合座固设到金属基座内的剖视图；
图7为本发明的一种进一步含有光波转换层的金属基座局部放大剖视实施方式图；
图8为座体结构与已充填透镜胶体的模具母体的分解实施方式图；
图9为座体结构与已充填透镜胶体的模具母体的结合实施方式图；
图10为本发明的一种二极管发光装置制造方法一的实施方式流程图；
图11为具有至少两个注料孔的座体结构与模具母体的剖视分解实施方式图；
图12为一具有至少两个注料孔的座体结构与模具母体结合后灌注透镜胶体的剖视结合实施方式图；
图13为本发明的一种二极管发光装置制造方法二的实施方式流程图；
图14为一具有至少两个注料孔的座体结构与透镜盖体的剖视分解实施方式图；
图15为一具有至少两个注料孔的座体结构与透镜盖体的剖视结合实施方式图；以及
图16为本发明的一种二极管发光装置制造方法三的实施方式流程图。
其中，附图标记：
10：发光二极管封装结构    11：参考基准        12：绝缘本体
13：散热器                30：二极管发光装置  40、40’：座体结构
41、41’：本体            411：金属基座       412：凹体
413：阶梯部               414：凹槽部         415：充填胶体
416：注料孔               42：绝缘体         43：导线架
50：二极管芯片            51：导线           60：取光层
61：光波转换层            70：透镜           71：透镜胶体
72：透镜盖体              80：模具母体       90：结合座
步骤S11：提供一座体结构
步骤S12：提供一模具母体
步骤S13：设置二极管芯片并完成与导线架间的导线连接
步骤S14：将透明胶体覆盖到二极管芯片上
步骤S15：充填透镜胶体到模具母体的凹槽内
步骤S16：将座体结构结合到模具母体上
步骤S17：透镜胶体凝固后进行退模作业
步骤S21：提供一具有至少两个胶料孔的座体结构
步骤S22：提供一模具母体
步骤S23：设置二极管芯片并完成与导线架间的导线连接
步骤S24：将透明胶体覆盖到二极管芯片上
步骤S25：将座体结构结合到模具母体上
步骤S26：进行透镜的灌注成型作业
步骤S27：透镜胶体凝固后进行退模作业
步骤S31：提供一具有至少两个注料孔的座体结构
步骤S32：提供一透镜盖体
步骤S33：设置二极管芯片并完成与导线架间的导线连接
步骤S34：将透明胶体覆盖到二极管芯片上
步骤S35：将座体结构与透镜盖体结合
步骤S36：进行透镜的灌注成型作业
步骤S37：使透镜胶体凝固
具体实施方式
为了进一步说明本发明的目的、构造特征及其功能，配合相关实施方式以及附图详细说明如下：
本发明为一种二极管发光装置30的制造方法及其结构，其中该二极管发光装置30的结构，为用导热性好的金属材料制造二极管发光装置30的本体41、41’，以大幅增加散热面积，从而使二极管发光装置30的二极管芯片50在工作时能获得更好的散热效果。
图2所示，为本发明的一种二极管发光装置30的立体实施方式图。图3所示，为一沿着图2A-A剖线的本发明的一种二极管发光装置30的剖视实施方式图。本实施方式的二极管发光装置30，包括：一座体结构40、至少一个二极管芯片50、一取光层60以及一透镜70。其中座体结构40又包括：一本体41、41’、至少一个绝缘体42以及至少一个导线架43。
首先说明二极管发光装置30座体结构40的本体41、至少一个绝缘体42以及至少一个导线架43部分。
本体41、41’，主要使用导热性好的材料制成，例如使用金属材料，又该金属材料可以为铝(Al)或铜(Cu)或铁(Fe)或钼(Mo)或由铝、铜、铁、钼中任意两种(含)以上合成的金属材料。
本体41、41’内形成有金属基座411，又金属基座411具有一凹体412，该凹体412用以提供二极管芯片50及取光层60的制作空间。且凹体412的周边，可进一步形成一阶梯部413。本体41、41’在金属基座411周边的位置，设有一凹槽部414，该凹槽部414可以为一环型凹槽或是非环型凹槽，是仅为了使导线51能顺利的放置，所制成的局部凹槽(图未示出)。当本实施方式按照图10所示的二极管发光装置30的制造方法制作时，在凹槽部414内，可进一步填有一充填胶体415，以避免透镜70制作时会有产生气泡的问题，而影响透镜70的质量。
图4所示为本发明的一种座体结构40’的立体实施方式图。图5所示为一沿着图4B-B剖线的本发明的一种座体结构40’的剖视实施方式图。当本实施方式的二极管发光装置30按照图13所示的二极管发光装置30的制造方法或图16所示的二极管发光装置30的制造方法的实施方式制作时，本体41’上必须设置至少两个注料孔416。注料孔416从本体41’的底部贯穿，并与凹槽部414相连通。当制作透镜70时，用于制作透镜70的透镜胶体71，可通过注料孔416进行透镜70的灌注成型作业。
在本体41、41’的壳体周边上固设至少一个绝缘体42，用于使导线架43与本体41、41’间产生绝缘效果。绝缘体42的材料可以为玻璃、陶瓷、塑料或电木。
玻璃为微电子工业重要的材料之一，它是集成电路组件用作绝缘及钝态保护层相当常见的材料，具有优良的化学稳定性、抗氧化性、电绝缘性与致密性。玻璃也可以通过成分的调整而改变其性质，因而能应用于各种不同需求的制造过程中。在金属与陶瓷结构的制造过程中，玻璃为主要的密封性材料。又科伐(kovar)铁镍钴合金、铜(Copper)、软钢(Steel Plate Cold Rolled Coil，SPCC)、不锈钢(Stainless)、陶瓷(Ceramic)，因为能与玻璃形成致密的接合，故已成为制作金属外壳或针脚的常用材料。另外陶瓷双列式封装结构，也是因PbO-B2O3-SiO2-Al2O3-ZnO玻璃的开发，使得氧化铝陶瓷与金属引脚间的密封接合问题获得解决。
玻璃与陶瓷之间有良好的黏着性，但熔融的玻璃在金属上，则必须有较大的润湿才能良好的接合，研究显示溶有饱和金属氧化物的玻璃与干净的金属表面接触时，会产生最佳的润湿特性。许多工业应用也证实，金属氧化物的溶解为金属与玻璃密封接合的关键步骤。玻璃在无氧化物的金属表面不能接合，因此如何调整材料中的合金成分与表面处理，以长成致密且与母材键结强度高的氧化物层，是一般引脚架制造过程中重要的一环。玻璃材料的选择与引脚架材料的种类有关，在金属与玻璃的匹配封合(Matched Seals)中，两种材料应有非常相近的热膨胀系数，且金属表层氧化物必须十分致密且不易剥落。在压缩封合(Compression Seals)中，玻璃比金属有更低的热膨胀系数，因此在密封完成冷却后，金属有较大的收缩而压迫玻璃形成密封，因而毋需金属氧化物的辅助。压缩封合的密封性较好，但接点的热稳定性劣于匹配封合。电子封装常用的玻璃热膨胀系数值如表一所示。
表一：
          玻璃种类     热膨胀系数(ppm/℃)
    1990(K，Na，Pb)硅酸玻璃           13.6
    0800(Na，Ca)硅酸玻璃           10.5
    0010(K，Na，Pb)硅酸玻璃           10.1
    0120(K，Na，Pb)硅酸玻璃           9.7
    7040(Na，K)硼硅酸玻璃           5.4
    7050(Alkah，Ba)硼硅酸玻璃           5.1
    7052(Alkah)硼硅酸玻璃     5.3
    7056(Alkah)硼硅酸玻璃     5.6
    7070(Li，K)硼硅酸玻璃     3.9
    7720(Na，Pb)硼硅酸玻璃     4.3
当绝缘体42为玻璃材料时，可以通过烧结的方式使其与本体41、41’结合，这样将使绝缘体42与本体41、41’及导线架43的结合处获得良好的密封效果。且金属具有较好散热性与机械强度用于制作本体41、41’又玻璃具有绝缘性好以及耐高湿、高温的特性，两者的结合将可作为高功率二极管发光装置30之封装。
至少有一个导线架43，其数量配合二极管芯片50的数量而设置。每一导线架43彼此独立且互不电气连接，又每一导线架43均穿过绝缘体42且两端部凸出于绝缘体42。
接着说明二极管发光装置30的二极管芯片50、取光层60以及透镜70部分。
至少有一个二极管芯片50，特别可由红色、蓝色及绿色的二极管芯片50加以组合，但不限于这三种颜色的二极管芯片50。每一个二极管芯片50被固定设置在金属基座411内，且每一个二极管芯片50，均通过一对导线51电气连接到一组导线架43。其中每一个二极管芯片50具有一正电极及一负电极，该正电极均通过一导线51电气连接到一导线架43，所有二极管芯片50的负电极则通过另一导线51电气连接到另一个导线架43。图6所示，为先将二极管芯片50以倒装芯片(flip chip)方式制作于结合座90上，然后再将结合座90固设到金属基座411内的剖视图。除了上述的二极管芯片50的固设方式外，每一个二极管芯片50，也可先以倒装芯片方式制作于一结合座90上，然后再将该结合座90固设到金属基座411内，且每一个二极管芯片50，均进一步通过该结合座90上与二极管芯片50电气连接的一对导电板，经由这对导线51电气连接到这些导线架43。结合座90的基板上通过倒装芯片方式可以置放多个二极管芯片50，又结合座90上的电路可以排列为串联、并联或混合方式，然后再由导线51使结合座90与导线架43电气连接，有关倒装芯片的制作技术及结合座90上的布线技术为公知技术的应用。
图7所示，为本发明的一种进一步含有光波转换层的金属基座剖视局部放大实施方式图。为本发明的一种金属基座411的剖视局部放大实施方式图。取光层60，为一透光率高的透明树脂或一透明胶体，用于覆盖到金属基座411内已完成导线51连接的二极管芯片50上。当金属基座411内的二极管芯片50由至少二种发光颜色的二极管芯片50所组成时，则覆盖在这些二极管芯片50上的取光层60可进一步掺入扩散粉。又当金属基座411内的二极管芯片50由至少一发蓝光的二极管芯片50所组成时，则覆盖在这些二极管芯片50上的取光层60上，可进一步覆盖有一层光波转换层61，又该光波转换层61特别为一荧光粉胶体，且取光层60与光波转换层61制作时，可通过金属基座411的凹体412内的阶梯部413控制取光层60与光波转换层61的厚度。
透镜70，用于结合到本体41、41’且覆盖到金属基座411上，以使二极管芯片50在发光时产生最佳的光场分布效果。透镜70的材料可以为玻璃或透明塑料。
在图10中，揭示了二极管发光装置30的制造方法
图8所示，为本实施方式的座体结构40与已充填透镜胶体71的模具母体80的分解图。图9所示，为本实施方式座体结构40与已充填透镜胶体71的模具母体80的结合图。本发明为一种二极管发光装置30制造方法及其结构，其中本实施方式的方法，为将已完成二极管芯片50设置、导线51连接及取光层60覆盖的座体结构40，结合到已充填透镜胶体71的模具母体80上，通过实施本实施方式的方法，可有效提升透镜70与座体结构40的结合效率。
图10所示，为本发明的一种二极管发光装置30制造方法一的实施方式流程图。本发明实施方式的二极管发光装置30制造方法包括下列步骤：
步骤S11：提供一座体结构40，其如二极管发光装置结构30实施方式中所述的座体结构40。但座体结构40的本体41上并不需要设置任何注料孔416。
步骤S12：提供一模具母体80，该模具母体80具有形成一透镜70型体的凹槽。
步骤S13：在座体结构40的金属基座411内设置至少一个二极管芯片50，又每一个二极管芯片50均通过一对导线51电气连接到座体结构40的导线架43。上述每一个二极管芯片50均具有一正电极及一负电极，该正电极均通过一导线51电气连接到一导线架43，所有二极管芯片50的负电极则通过另一导线51电气连接到另一个导线架43。或者二极管芯片50，也可进一步先以倒装芯片(flip chip)方式制作在一结合座90上，然后再将该结合座90固设于金属基座411内，且每一个二极管芯片50均进一步通过结合座90上与二极管芯片50电气连接的一对导电板，再经由上述这对导线51电气连接到该些导线架43。
有关二极管芯片50的置放方法，除可以利用点胶、银胶或共金方式将二极管芯片50固设于金属基座411内，还可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与二极管芯片50结合，然后再置放于金属基座411内。
当座体结构40在完成二极管芯片50及导线架43间的导线51连接后，在本体41的凹槽部414内进一步充填一胶体，使座体结构40的顶部呈现一平坦的平面，这样当制作透镜70时将可减少气泡或间隙的问题。又该充填的胶体原则上材料并不须要严格的限制，但以制作透镜70的透镜胶体71充填，其结合效果最佳。
步骤S14：将一取光层60，覆盖到金属基座411内已完成导线51连接的二极管芯片50上。或者当金属基座411内的二极管芯片50由至少二种发光颜色的二极管芯片50组成时，则可在取光层60上进一步覆盖有一光波转换层61。而该光波转换层61特别由一荧光粉胶体组成。
步骤S15：在模具母体80的凹槽内充填用于制作透镜70的透镜胶体71。
步骤S16：将已完成二极管芯片50及导线架43间的导线51连接且完成取光层60覆盖的座体结构40与模具母体80相结合。
步骤S17：最后当透镜胶体71凝固后，进行退模作业。
在图13中，揭示了二极管发光装置30的制造方法二。
图11所示，为本实施方式具有至少两个注料孔416的座体结构40’与模具母体80的剖视分解图。图12所示，为本实施方式具有至少两个注料孔416的座体结构40’与模具母体80结合后灌注透镜胶体71的剖视结合图。本发明为一种二极管发光装置30制造方法及其结构，其中本实施方式的方法，为在座体结构40上设置至少两个注料孔416，接着将座体结构40’与模具母体80结合，然后将用于制作透镜70的透镜胶体71通过这注料孔416对该模具母体80进行透镜70的灌注成型作业，通过实施本实施方式的方法，可有效提升透镜70与座体结构40’的结合效率。
图13所示，为本发明的一种二极管发光装置30制造方法二的实施方式流程图。本实施方式的二极管发光装置30制造方法包括下列步骤：
步骤S21：提供一具有至少两个注料孔416的座体结构40’，其如二极管发光装置结构30实施方式中所述的座体结构40’。但与图10所示的二极管发光装置30的制造方法一的实施方式不同的是，本实施方式的本体41’上设置至少两个注料孔416为必要结构。
步骤S22：提供一模具母体80，该模具母体80具有形成一透镜70型体的凹槽。
步骤S23：在座体结构40’的金属基座411内设置至少一个二极管芯片50，又将每一个二极管芯片50均通过一对导线51电气连接到座体结构40’的这些导线架43。上述的每一个二极管芯片50，均具有一正电极及一负电极，该正电极均通过一导线51电气连接到一导线架43，所有二极管芯片50的负电极则通过另一导线51电气连接到另一个导线架43。或者二极管芯片50，还可进一步先以倒装芯片方式制作在一结合座90上，然后再将该结合座90固设到金属基座411内，且每一个二极管芯片50均进一步通过结合座90上与二极管芯片50电气连接的一对导电板，再经由上述的这对导线51电气连接到这些导线架43。
有关二极管芯片50的置放方法，除了可以利用点胶、银胶或共金方式将二极管芯片50固设到金属基座411内以外，还可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与二极管芯片50结合，然后再置放到于金属基座411内。
步骤S24：将一取光层60，覆盖到金属基座411内已完成导线51连接的二极管芯片50上。或者当金属基座411内的二极管芯片50由至少二种发光颜色的二极管芯片50组成时，则可在取光层60上进一步覆盖有一光波转换层61。而该光波转换层61特别由一荧光粉胶体所组成。
步骤S25：将已完成二极管芯片50及导线架43间的这些导线51连接且完成取光层60覆盖的座体结构40’结合到模具母体80上。
步骤S26：将用于制作透镜70的一透镜胶体71通过料孔对模具母体80进行透镜70的灌注成型作业。
步骤S27：当透镜胶体71凝固后，进行退模作业。
在图16中，揭示了二极管发光装置30的制造方法三。
图14所示，为本实施方式具有至少两个注料孔416的座体结构40’与透镜盖体72的剖视分解图。图15所示，为本实施方式具有至少两个注料孔416的座体结构40’与透镜盖体72的剖视结合图。本发明为一种二极管发光装置30制造方法及其结构，其中本实施方式的方法为在座体结构40’上设置至少两个注料孔416，接着将座体结构40’与透镜盖体72结合，然后将用于制作透镜70的透镜胶体71通过这些注料孔416对该模具母体80进行透镜70的灌注成型作业，通过实施本实施方式的方法，可有效提高透镜70与座体结构40’的结合效率。
图16所示，为本发明的一种二极管发光装置30制造方法三的实施方式流程图。本发明实施方式的如图16所示的二极管发光装置30制造方法包括下列步骤：
步骤S31：提供一具有至少两个注料孔416的座体结构40’，其如“二极管发光装置结构30”实施方式中所述的座体结构40’。但与图10所示的二极管发光装置30的制造方法一的实施方式不同的是，本实施方式的本体41’上设置至少两个注料孔416为必要结构。但图10所示的二极管发光装置30的制造方法一的实施方式，本体41上并不需要设置任何注料孔416。
步骤S32：提供一透镜盖体72，透镜盖体72为一中空壳体，其为一透镜70的半成品。
步骤S33：在座体结构40’之金属基座411内设置至少一个二极管芯片50，又将每一个二极管芯片50均通过一对导线51电气连接到座体结构40’的这些导线架43。上述的每一个二极管芯片50均具有一正电极及一负电极，该正电极均通过一导线51电气连接到一导线架43，所有二极管芯片50额负电极则通过另一导线51电气连接到另一个导线架43。或者二极管芯片50还可进一步先以倒装芯片方式制作到一结合座90上，然后再将该结合座90固设于金属基座411内，且每一个二极管芯片50均进一步通过结合座90上与二极管芯片50电气连接的一对导电板，再经由上述这对导线51电气连接到这些导线架43。
有关二极管芯片50的置放方法，除可以利用点胶、银胶或共金方式将二极管芯片50固设于金属基座411内以外，还可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶先与二极管芯片50结合，然后再置放于金属基座411内。
步骤S34：将一取光层60，覆盖到金属基座411内已完成导线51连接的二极管芯片50上。或者当金属基座411内的二极管芯片50由至少二种发光颜色的二极管芯片50组成时，则可在取光层60上进一步覆盖有一光波转换层61。而该光波转换层61特别由一荧光粉胶体所组成。
步骤S35：将已完成二极管芯片50及导线架43间的导线51连接且完成取光层60覆盖的座体结构40’与透镜盖体72结合。座体结构40’与透镜盖体72结合的方式，为使透镜盖体72的端部与座体结构40’密合且扣合后，呈紧配合状态。或者还可将透镜盖体72的端部与座体结构40’密合后，再进一步在透镜盖体72的端部与座体结构40’结合处涂布一胶体，以达到气密的效果。
步骤S36：将用于制作透镜70的一透镜胶体71通过注料孔416对透镜盖体72的中空部位进行透镜70的灌注成型作业。
步骤S37：使灌注于透镜盖体72内的透镜胶体71凝固。
上述各种实施方式用于说明本发明的特点，其目的在于使本领域的普通技术人员能了解本发明的内容并据以实施，而非限定本发明的专利保护范围，因此其它未脱离本发明的精神而完成的改进或改变，仍应包括在所附权利要求及其等同物所限定的范围内。

Claims (34)

1、一种二极管发光装置，其特征在于，包括：
一座体结构，包括：
一本体，在所述本体内形成有一金属基座；
至少一个绝缘体，固设在所述本体的壳体周边上；以及
至少一个导线架，每一所述导线架彼此独立且互不电气连接，又每一
所述导线架均穿越所述绝缘体并且其两端部凸出于听述绝缘体；
至少一个二极管芯片，每一所述二极管芯片固设在所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均通过一对导线电气连接到所述这些导线架；
一取光层，覆盖在所述金属基座内已完成所述这些导线连接的二极管芯片上；以及
一透镜，结合到所述本体且覆盖在所述金属基座上。
2、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，所述这些二极管芯片至少包括二种发光颜色，且覆盖在所述这些二极管芯片上的所述取光层可进一步掺入扩散粉。
3、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，所述这些二极管芯片为蓝光二极管芯片且覆盖在所述这些二极管芯片上的所述取光层上进一步覆盖有一层光波转换层。
4、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，所述取光层为一高透光率的透明树脂。
5、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，所述透镜的材料可以为玻璃或透明塑料。
6、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，所述本体上具有至少两个注料孔。
7、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，每一所述二极管芯片具有一正电极和一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一个所述导线架。
8、根据权利要求1所述的二极管发光装置，其特征在于，每一所述这些二极管芯片进一步先形成在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片，均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
9、一种座体结构，应用于一种二极管发光装置或一种二极管发光装置的制造方法中，其特征在于，包括：
一本体，在所述本体内形成有一金属基座；
至少一个绝缘体，固设于所述本体之壳体周边上；以及
至少一个导线架，每一所述导线架彼此独立且互不电气连接，又每一所述导线架均穿越所述绝缘体并且其两端部凸出于所述绝缘体。
10、根据权利要求9所述的座体结构，其特征在于，所述本体为金属材料，又所述金属材料可以为铝或铜或铁或钼或由铝、铜、铁、钼中任两种(含)以上合成的金属材料。
11、根据权利要求9所述的座体结构，其特征在于，所述本体在所述金属基座的周边，设有一凹槽部。
12、根据权利要求11所述的座体结构，其特征在于，所述凹槽部内，进一步填有一胶体。
13、根据权利要求9所述的座体结构，其特征在于，所述金属基座具有一凹体。
14、根据权利要求9所述的座体结构，其特征在于，所述绝缘体的材料可以为玻璃、陶瓷、塑料或电木。
15、根据权利要求9所述的座体结构，其特征在于，所述本体上具有至少二个注料孔。
16、一种二极管发光装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一座体结构，其未设置任何的注料孔；
提供一模具母体，所述模具母体具有形成一透镜型体的凹槽；
在所述座体结构的一金属基座内设置至少一个二极管芯片，又将每一所述二极管芯片，均通过一对导线电气连接到所述座体结构的所述这些导线架；
将一取光层，覆盖到所述金属基座内己完成所述这些导线连接的所述这些二极管芯片上；
充填用于制作所述透镜的一透镜胶体到所述模具母体的凹槽内；
将已完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，结合到所述模具母体上；以及
当所述透镜胶体凝固后，进行退模作业。
17、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
18、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
19、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，每一所述这些二极管芯片，进一步先以倒装芯片(flip chip)方式制作在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片，均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
20、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
21、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，每一所述二极管芯片具有一正电极及一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
22、根据权利要求16所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述座体结构在完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接后，在所述座体结构的本体的凹槽部内，进一步充填一胶体。
23、一种二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述其包括下列步骤：
提供一具有至少二两注料孔的座体结构；
提供一模具母体，所述模具母体具有形成一透镜型体的凹槽；
在所述座体结构的一金属基座内设置至少一个二极管芯片，又每一所述二极管芯片均通过一对导线电气连接到所述座体结构的所述这导线架；
将一取光层，覆盖到所述金属基座内已完成所述这些导线连接的所述这些二极管芯片上；
将已完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，结合到所述模具母体上；
将用于制作所述透镜的透镜胶体，通过所述这些注料孔对所述模具母体进行所述透镜的灌注成型作业；以及
当所述透镜胶体凝固后，进行退模作业。
24、根据权利要求23所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述中二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
25、根据权利要求23所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
26、根据权利要求23所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，每一所述这些二极管芯片进一步先以倒装芯片方式制作在一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
27、根据权利要求23所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
28、根据权利要求23所述的二极管发光装置，其特征在于，每一所述二极管芯片具有一正电极及一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
29、一种二极管发光装置制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一具有至少两个注料孔的座体结构；
提供一透镜盖体，所述透镜盖体为一中空壳体；
在所述座体结构的一金属基座内设置至少一个二极管芯片，又将每一所述二极管芯片，均通过一对导线电气连接到所述座体结构的所述这些导线架；
将一取光层，覆盖到所述金属基座内已完成所述这些导线连接的所述这些二极管芯片上；
将己完成所述二极管芯片和所述导线架间的所述这些导线连接并且完成所述取光层覆盖的所述座体结构，与所述透镜盖体结合；
将用于制作所述透镜的透镜胶体，通过所述这些注料孔对所述透镜盖体的中空部位进行所述透镜的灌注成型作业；以及
使灌注到所述透镜盖体内的所述透镜胶体凝固。
30、根据权利要求29所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述中二极管芯片的放置方法，为可以利用点胶、银胶或共金方式，将所述二极管芯片固设到所述金属基座内。
31、根据权利要求29所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述二极管芯片的放置方法，为可以利用高导热基座以共金、锡焊或点胶方式先与所述二极管芯片结合，然后再放置到所述金属基座内。
32、根据权利要求29所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，每一所述这些二极管芯片，进一步先以倒装芯片方式制作到一结合座上，然后再将所述结合座固设到所述金属基座内，且每一所述二极管芯片均进一步通过所述结合座上与所述二极管芯片电气连接的一对导电板，经由所述这对导线电气连接到所述这些导线架。
33、根据权利要求29所述的二极管发光装置制造方法，其特征在于，所述取光层上进一步覆盖有一光波转换层。
34、根据权利要求29所述的二极管发光装置，其特征在于，每一所述二极管芯片具有一正电极和一负电极，所述正电极均通过一导线电气连接到一所述导线架，所述负电极则通过另一导线电气连接到另一所述导线架。
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