CN1937231A

CN1937231A - 显示装置及其制造方法

Info

Publication number: CN1937231A
Application number: CNA2006101592327A
Authority: CN
Inventors: 成沄澈; 崔凡洛
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-09-22
Filing date: 2006-09-22
Publication date: 2007-03-28
Anticipated expiration: 2026-09-22
Also published as: CN100456481C; US20070064486A1; KR100643404B1

Abstract

公开了一种显示装置，其适于一种经济有效的简化制造工艺。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；以及通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔。淀积阻挡柱接触位于所述接触孔的底部的公共电压线。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度，并且覆盖所述公共电压线。公共电极连接至所述公共电压线。

Description

显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体而言，涉及顶部发射型显示装置。

背景技术

在市面上不同类型的平板显示器当中，有机发光二极管(OLED)基于其合乎需要的特征近来引起了广泛的注意，例如其驱动电压低、厚度薄、重量轻、视角宽并且响应时间相对较短。在OLED中，在OLED基板上提供多个薄膜晶体管。在薄膜晶体管上提供用于像素的像素电极和用于基准电压的像素电极。在向两个电极施加电压时，空穴和电子在位于所述电极之间的发射层内结合，以形成激子。当激子跃迁回基态时发光。OLED控制光发射，以显示预期图像。

根据哪一表面为主要光发射面，将OLED划分为顶部发射型和底部发射型。就顶部发射型OLED而言，光通过淀积在OLED的整个表面上并且用作公共电极的透明导电金属从OLED出射。由于这一通常由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)构成的公共电极具有高电阻，因此，无法向基板充分施加公共电压。因此，OLED包括辅助公共电极，以补偿公共电压的任何不足。就在基板上形成作为辅助公共电极的线路金属层时，需要多个接触孔将辅助公共电极与公共电极连接起来。在OLED中，可以对诸如空穴注入层和电子输运层的有机层应用采用开放掩模(open mask)的整个表面淀积法。发射层是一个例外，其应当根据发光颜色单独淀积。但是，这时将产生这样的问题，即在公共电极和辅助公共电极之间实现连接所需的接触孔内也淀积了有机层。因此，即使在淀积有机层时也需要遮挡掩模(shadow mask)，从而使制造过程复杂化，并且提高了制造成本。

发明内容

因此，本发明的一个方面在于提供一种能够通过简化的制造过程制造的显示装置。

本发明包括一种显示装置，其具有：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔；以及位于所述接触孔中与所述公共电压线的一部分发生接触的淀积阻挡柱。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度。公共电极连接至公共电压线。

另一方面，本发明是一种制造显示装置的方法。所述方法需要：在绝缘基板上形成公共电压线；在所述公共电压线上形成绝缘层；形成通过所述绝缘层的接触孔，其中，所述接触孔延伸至所述公共电压线；并且形成与一部分暴露的公共电压线接触的淀积阻挡柱。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度。形成连接至所述公共电压线的公共电极。

附图说明

通过下文中结合附图对实施例的描述，本发明的这些和/或其他方面和优点将变得显而易见，并且更易理解，在附图中：

图1是根据本发明第一实施例的显示装置的平面图；

图2是沿图1的II-II′线得到的显示装置的截面图；

图3A到图3H示出了根据本发明的第一实施例的显示装置的制造过程；

图4是根据本发明第二实施例的显示装置的截面图；以及

图5是根据本发明第三实施例的显示装置的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例，其中，类似的附图标记表示类似的元件，并且将根据需要省略重复描述。此外，尽管将OLED作为显示装置的示范性实施例进行描述，但是其并非是对本发明的限定。而且，可以将本发明应用于各种采用通过开放掩模进行选择性材料淀积的装置。

将参考图1到图3H描述根据本发明第一实施例的显示装置。图1是根据本发明的第一实施例的显示装置的平面图；图2是沿图1的II-II′线得到的显示装置的截面图；图3A到图3H示出了根据本发明的第一实施例的显示装置的制造过程。

如图所示，显示装置包括栅极线110、数据线120、驱动电压线130和公共电压线140。在栅极线110和数据线120重叠的位置，形成开关晶体管141，并将其与栅极线110和数据线120二者电连接。由栅极线110、数据线120和驱动电压线130界定像素，像素电极160通过接触孔从电和物理的角度与驱动薄膜晶体管150连接。这里，驱动薄膜晶体管150与驱动电压线130连接。此外，显示装置还包括形成于部分暴露公共电压线140的接触孔141内的淀积阻挡柱(deposition preventing column)170。

在绝缘基板10上形成相互平行的栅极线110，栅极线110基本垂直于数据线120和驱动电压线130延伸，由此形成像素。可以将形成栅极线110以及驱动和开关晶体管150和151的栅电极G的栅极金属层形成为单层或多层。栅极线110向开关晶体管151施加栅极导通/截止电压。

形成平行于栅极线110延伸的公共电压线140，通常在对栅极线110构图的过程中形成公共电压线140。尽管公共电压线140可以由与栅极线110相同的层形成，但是，没有必要采用与栅极线110相同的金属材料形成公共电压线140。在一些实施例中，形成平行于数据线120或驱动电压线130延伸的公共电压线140。在这些实施例中，公共电压线140可以由与数据线120相同的材料构成。此外，即使在公共电压线140平行于栅极线110延伸的情况下，公共电压线140也可以由与数据线120相同的材料构成。在这种情况下，对公共电压线140构图。

在接触孔141内形成淀积阻挡柱170，其接触位于接触孔141的底部的公共电压线140。这里，提供淀积阻挡柱170的目的在于防止有机发射层180覆盖暴露的公共电压线140。在利用不具有详细图案的开放掩模形成每一像素的有机层的情况下，暴露公共电压线140的接触孔141有可能被有机发射层填充。我们不希望在接触孔141内淀积有机发射层180，因为其导致与装置的其他导电部分的连接，从而干扰了公共电压线140。因此，采用淀积阻挡柱170防止接触孔141被有机层填充。

以包括氮化硅(SiNx)等的栅极绝缘层20覆盖栅极金属层。栅极绝缘层20使栅极金属层与数据金属层电绝缘。

数据线120以及包括开关和驱动晶体管151和150的漏电极和源电极D和S的数据金属层与栅极金属层绝缘。通过数据线120，向开关晶体管151施加数据电压。

驱动电压线130平行于数据线120延伸，并且基本垂直于栅极线110，由此按矩阵的形式形成像素。通常，驱动电压线130与数据线120一样均由数据金属层形成。驱动电压线130向驱动晶体管150施加具有均匀电平的驱动电压。

可以为每一像素提供一条驱动电压线130，但是其对本发明不构成限制。在一些实施例中，一条驱动电压线130可以被两个像素共享，因而两个相邻像素可以通过一条驱动电压线130接收驱动电压。在这种结构中，由于减少了驱动电压线，因而简化了制造工艺。此外，由于存在更少的驱动电压线，因而电磁干扰(EMI)也更低。

开关晶体管151通过栅电极G接收栅极导通/截止电压。栅电极G从栅极线110分支出来(参见图1)，并将数据线120的数据电压从漏电极D传输至源电极S。这里，开关晶体管151的源电极S通过接触孔电连接到驱动晶体管150的栅电极G。

驱动晶体管150基于施加到栅电极G上的数据电压控制漏电极和源电极D和S之间的电流。通过源电极S施加到像素电极160上的电压对应于来自栅电极G的数据电压和来自漏电极D的驱动电压之间的差值。同时，在栅极绝缘层20、像素电极160和公共电压线140上形成钝化层30。钝化层30可以包括氮化硅(SiNx)和/或有机层。此外，钝化层30形成有暴露公共电压线140的接触孔141。

像素电极160是与驱动晶体管150电连接的阳极，并且为有机发射层180提供带正电的空穴。在顶部发射型显示装置中，提供空穴的像素电极160通常由诸如镍(Ni)、铬(Cr)等的不透明金属构成。像素电极160优选包括具有高功函数的金属，从而平稳注入空穴。在一些实施例中，像素电极160像公共电极190一样包括透明导电材料。在这些实施例中，光可以通过绝缘基板10的两个对立表面从装置出射，这与本实施例中光主要从绝缘基板10的一个表面出射不同。

在像素之间形成有机绝缘层40。有机绝缘层40通过使像素相互电隔离而防止像素电极160之间发生短路。有利地，有机绝缘层40具有低于无机绝缘层的电阻。所形成的有机绝缘层40具有通过其暴露公共电压线140的接触孔141。这里，所形成的接触孔141贯穿有机绝缘层40和钝化层30。

在通过接触孔141暴露的公共电压线140上形成淀积阻挡柱170，淀积阻挡柱170的上部宽度171大于其下部宽度173。优选地，淀积阻挡柱170具有处于大约0.5μm和大约30μm之间的高度d₄。根据本发明实施例，通过采用负性光致抗蚀剂材料的光刻法形成淀积阻挡柱170，从而在光刻之后，在绝缘基板10上形成作为淀积阻挡柱170的光致抗蚀剂层。

根据本发明的实施例，在沿平行于其上淀积了诸层的绝缘基板10的表面的方向切割时，淀积阻挡柱170具有圆角矩形截面，当沿垂直于绝缘基板10的该表面切割时，淀积阻挡柱170具有梯形截面。平行于绝缘基板10的所述表面切割所得的淀积阻挡柱170的截面可以根据公共电压线140的厚度和淀积阻挡柱170的密度而变化。

由于淀积阻挡柱170的下部宽度173小于接触孔141，上部宽度171大于接触孔141，因此，通过淀积阻挡柱170的上部宽度171覆盖通过接触孔141暴露的公共电压线140。在沿线II-II得到的显示装置的截面内，形成于公共电压线140内的接触孔141的直径d₃大于与公共电压线140接触的淀积阻挡柱170的下部宽度173的直径d₂，小于淀积阻挡柱170的上部宽度171的直径d₁。优选以同轴的方式形成对应于下部宽度173、上部宽度171和接触孔141的三个矩形截面。

上部宽度171和下部宽度173之间的淀积阻挡柱170的侧面朝公共电压线140倾斜。这里，淀积阻挡柱170的侧面和公共电压线140之间的角度θ为锐角。角度θ可以根据下部宽度173、上部宽度171和通过接触孔141暴露的公共电压线140的宽度的比率而改变。优选地，角度θ处于大约30°到大约75°的范围内。

因此，通过淀积阻挡柱170覆盖形成于公共电压线140内的接触孔141。这样，能够采用开放掩模在除显示颜色的发射层之外的整个表面上淀积有机发射层180。

在利用蒸镀法淀积具有小分子的有机层的情况下，有机材料着落(land)在绝缘基板10上，而不会向各个方向扩散。因此，有机材料被淀积阻挡柱170阻挡不会着落在公共电压线140的暴露部分上。因此，在淀积除发射层之外的有机层时，能够采用开放掩模替代遮挡掩模。如果采用遮挡掩模，那么遮挡掩模将逐个像素地移动来形成有机层，因而必然需要多个用来对准遮挡掩模和绝缘基板10的过程。故而，遮挡掩模的使用使制造过程变复杂并且提高了材料消耗。淀积阻挡柱170方便有机层的形成，并降低了材料消耗。

本发明不限于淀积阻挡柱170的图示位置和图示数量。由于淀积阻挡柱170是通过与其数量无关的单次工艺形成的，因此可以适当确定淀积阻挡柱170的数量，从而平滑地提供公共电压。

形成有机发射层180，使其不会淀积在对应于通过接触孔141暴露的公共电压线140的部分上。在有机发射层180中，空穴和电子响应由驱动晶体管150施加的电压而复合，由此产生激子。激子所发射的光的强度对应于电子和空穴之间由受激态跃迁到基态时空穴和电子之间的能级差，其所处的过程有时被称为激子的发射复合。通过叠置用于发射红光、绿光和蓝光的不同材料在像素电极160上形成发射层。在形成发射层时，使用根据颜色和像素构图的遮挡掩模以防止混色。

所述显示装置包括基本形成于装置的整个表面上的公共电极190。通过公共电极190释放来自有机发射层180的电流。在对应于通过接触孔141暴露的公共电压线140的部分上形成公共电极190，向公共电极190提供施加至公共电压线140的公共电压。因此，能够在没有很大阻抗(impediment)的情况下提供施加至公共电极190的公共电压，并增强显示装置的亮度。

在顶部发射型显示装置中，通过公共电极190发射光，因此公共电极190由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成。此外，可以通过层压诸如镍(Ni)或铬(Cr)的金属形成公共电极190。而且，可以通过将ITO或IZO与诸如Ni、Cr等的金属结合形成作为各种组合的公共电极190。这里，采用公共电极190作为向有机发射层180提供电子的阴极。

下文，将参考图3A-3H说明根据本发明实施例的显示装置的制造方法。

首先，如图3A所示，在绝缘基板10上形成公共电压线140和驱动薄膜晶体管150。驱动薄膜晶体管150具有能够通过已知方法制作的由非晶硅构成的沟道。在形成驱动薄膜晶体管150之后，在驱动薄膜晶体管150上形成钝化层30。这时，在钝化层30由氮化硅构成的情况下，可以采用化学气相淀积(CVD)法。之后，对钝化层30进行光刻，由此形成源电极155和公共电极140分别通过其暴露的接触孔157和141。在形成接触孔157之后，形成通过接触孔157与源电极155连接的像素电极160。可以采用溅射法淀积金属，并对淀积的金属构图，由此形成像素电极160。这里，像素电极160提供带有孔的发射层。

如图3B所示，有机绝缘层40形成于钝化层30上，但未形成于一部分像素电极160上以及接触孔141内。淀积有机绝缘层40并通过光刻对其构图，由此从接触孔141内去除任何淀积物，并暴露公共电压线140。在形成钝化层30和有机层40时，提供位于公共电压线140上的接触孔141。执行两次光刻工艺，以形成穿过两个层(30、40)的接触孔141。

如图3C所示，采用负性光致抗蚀剂170a形成淀积阻挡柱170。在这种情况下，在绝缘基板10上以均匀厚度形成光致抗蚀剂170a。在本实施例中，光致抗蚀剂170a是负性型的，使得暴露区域不会与显影剂发生反应。之后，将具有为淀积阻挡柱170设计的图案的掩模200放置在光致抗蚀剂170a上，并与之对准，之后使光致抗蚀剂170a曝光。

图3D示出了曝光和显影之后的光致抗蚀剂170a。这里，将残留的光致抗蚀剂170a用作淀积阻挡柱170。由于曝光和显影确定了淀积阻挡柱170和公共电压线140之间的角度θ，因此，可以通过控制曝光时间使淀积阻挡柱170的侧面倾斜预期角度。在形成淀积阻挡柱170之后，采用开放掩模210依次对空穴注入层181和空穴输运层182构图。

如图3E所示，开放掩模210在淀积阻挡柱170之上是封闭的。在采用小分子时，通过蒸镀法形成空穴注入层181和空穴输运层182。在采用蒸镀法时，有机材料穿过开放掩模210内的开口移动，但是通常不会穿过封闭部分扩散。因此，在由淀积阻挡柱170覆盖的接触孔141内没有淀积空穴注入层181和空穴输运层182。

如图3F所示，在像素电极160上形成用于显示颜色的发射层185。形成在形成发射层185的过程中采用的遮挡掩模220，使其在对应于彩色像素的区域内具有开口，由此在淀积某一颜色的发射材料的过程中，防止正在处理的像素对其他像素造成影响。为了在绝缘基板10上淀积某种颜色的发射材料，每次都要随着遮挡掩模220的移动而重新使其对准。因此，采用遮挡掩模220的过程比采用开放掩模200的过程更为复杂和困难。每当淀积用于红色、绿色和蓝色(或青色、品红和黄色)的不同发射材料时，都执行上述各个过程，由此形成发射层185。

图3G示出了在发射层185上形成电子输运层186和电子注入层187的过程。与针对空穴注入层181和空穴输运层182的图3E类似，采用开放掩模210在绝缘基板10上淀积电子输运层186和电子注入层187。

空穴注入层181、空穴输运层182、电子输运层186和电子注入层187的作用在于促进来自发射层185的光发射以及空穴和电子向发射层185的输运。因此，并非所有的这些层都是必要的。根据实施例，空穴注入层181、空穴输运层182、电子输运层186和电子注入层187可以被全部采用，也可以采用其中几个或都不采用。

最后，在绝缘基板10的表面上形成公共电极190。这里，可以根据用于公共电极的材料是否在淀积于绝缘基板10上的过程中沿各个方向扩散而选择淀积公共电极190的方法。

在采用溅射法作为一种淀积公共电极190的物理气相淀积(PVD)法时，公共电极材料190a沿绝缘基板10的各个方向扩散(参考图3H)。结果，公共电极材料190a可能形成于未形成有机发射层180的部分上。根据溅射法，在真空室内填充氩气的过程中，产生等离子体状态，之后经过加速的处于等离子体状态的离子撞击材料使之溅射。所述撞击使材料粒子从材料逸出。随着材料粒子附着于绝缘基板10，形成公共电极190。

除了物理气相淀积(PVD)之外，可以采用原子层化学气相淀积(ALCVD)法形成公共电极190。在这种情况下，在绝缘基板10上沿各个方向淀积用于化合(chemical combination)的公共电极材料，从而能够在暴露公共电压线140的部分上形成公共电极190。

或者，公共电极190可以由蒸镀法形成。具体而言，电子束蒸镀法被广泛用作首选的蒸镀法。在电子束蒸镀法中，向丝极(filament)施加高压，在淀积金属材料的过程中采用从丝极中发射的电子束。从丝极发射的电子束具有足够高的能量水平，从而使金属材料部分熔化并蒸发。随着蒸发的金属原子附着于绝缘基板10上，形成了公共电极190。电子束蒸镀法具有淀积速度快、易于淀积高熔点金属等优点。

在通过诸如电子束蒸镀法的蒸镀法形成公共电极190的情况下，金属原子在其淀积于绝缘基板10上的过程中沿正交方向抵达绝缘基板10而没有沿各个方向扩散。在这种情况下，公共电极190可能不会正常地形成于被淀积阻挡柱170覆盖的公共电压线140的部分上。因此，在实施淀积工艺的过程中，使绝缘基板10倾斜。更具体地说，使绝缘基板10相对于蒸发的金属材料的前进方向倾斜预定角度，从而在被淀积阻挡柱170覆盖的公共电压线140的部分上充分淀积金属材料。

图4是根据本发明第二实施例的显示装置的截面图。如图中所示，淀积阻挡柱170包括上部绝缘层175和下部绝缘层177两层。上部绝缘层175和下部绝缘层177示意性地具有与图1所示的淀积阻挡柱170相似的梯形截面，但是被划分成了两层。这里，上部绝缘层175随着其远离绝缘基板10而变宽，下部绝缘层177随着其远离绝缘基板10而变窄。上部绝缘层175的最宽部分宽于下部绝缘层177的最宽部分。绝缘层175和177由具有不同蚀刻速率的绝缘材料构成，每一层可以包括SiO2、SiNx和SiON之一。

现在将对淀积阻挡柱170的制造过程予以描述。首先，淀积具有不同蚀刻速率的绝缘材料，并对光致抗蚀剂进行曝光和显影，由此形成光致抗蚀剂层。之后，蚀刻显影后的光致抗蚀剂层，以形成两个绝缘层175和177。由于用于下部绝缘层177的绝缘材料的蚀刻速率高于用于上部绝缘层177的绝缘材料，因此采用相同的蚀刻剂对其进行不同地蚀刻，从而产生两个反转梯形柱。根据本发明的第二实施例，淀积阻挡柱170的形状根据绝缘材料相对于蚀刻剂的属性和蚀刻速率而变化。

应当理解，绝缘层175和177不局限于上述的两层，其可以形成为作为具有各种蚀刻速率的材料的组合的更多层。

图5是根据本发明第三实施例的显示装置的截面图。根据本发明的第三实施例的淀积阻挡柱170与根据第二实施例的淀积阻挡柱170就分为两层形成这一点是类似的，不同点在于上层179由金属而不是绝缘材料构成。

金属层179可以包括从下述集合中选出的材料：钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼-钨合金(MoW)和铝-钕合金(AlNd)。此外，可以通过各种金属的组合获得金属层179。这里，金属层179的蚀刻速率低于绝缘层177的蚀刻速率，因此，优选将金属层179放置在绝缘层177上，从而获得淀积阻挡柱170的反转梯形(inverted trapezoidal)截面。

就淀积阻挡柱170的形成方法而言，第三实施例类似于第二实施例，其与第二实施例的不同之处在于在形成光致抗蚀剂层之前依次淀积绝缘层和金属层。在将金属层179用于淀积阻挡柱170时，金属的蚀刻速率通常低于绝缘材料的蚀刻速率，因而，不存在需要考虑蚀刻速率的复杂过程，并且也易于形成反转梯形截面。

如上所述，本发明提供了一种能够简化制造过程并降低生产成本的显示装置。

此外，本发明提供了一种显示装置的制造方法，其比目前采用的制造过程简单，并且最为经济有效。

尽管已经展示和描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员将要理解，可以在这些实施例中做出改变而不脱离本发明的原理和精神，本发明的范围由权利要求及其等同要件界定。

本申请要求于2005年9月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.2005-0088157的权益，其公开全文引入于此以做参考。

Claims

1.一种显示装置，包括：

绝缘基板；

形成于所述绝缘基板上的公共电压线；

设置于所述公共电压线上的绝缘层；

通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔；

位于所述接触孔内与所述公共电压线的一部分接触的淀积阻挡柱，其中，所述淀积阻挡柱的宽度根据其与所述绝缘基板的距离而变化；以及

连接至所述公共电压线的公共电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的最宽部分宽于位于所述接触孔的底部的所述公共电压线的宽度，所述接触孔由所述淀积阻挡柱覆盖。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的最宽部分是离所述绝缘基板最远的所述淀积阻挡柱的部分。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的侧壁与所述公共电压线形成锐角。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述锐角处于大约30°和大约75°之间。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱具有处于大约0.5μm和大约30μm之间的高度。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括至少两层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括至少两个具有不同蚀刻速率的绝缘层。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的所述绝缘层中的至少一个包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的至少其中之一。

10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括两层。

11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的所述绝缘层中之一包括金属。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述金属层至少包括钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼-钨合金(MoW)和铝-钕合金(AlNd)之一。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共电极至少包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镍(Ni)和铬(Cr)之一。

14.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

薄膜晶体管；

电连接到所述薄膜晶体管的像素电极；以及

形成于所述像素电极上的发射层，

其中，所述发射层通过所述公共电极发射光。

15.一种制造显示装置的方法，包括：

在绝缘基板上形成公共电压线；

在所述公共电压线上形成第一绝缘层；

形成通过所述第一绝缘层的接触孔，所述接触孔延伸至所述公共电压线；

形成与所述公共电压线的一部分接触的淀积阻挡柱，其中，所述淀积阻挡柱的宽度根据其与所述绝缘基板的距离而变化；以及

形成连接至暴露的所述公共电压线的公共电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过对负性光致抗蚀剂进行曝光和显影形成淀积阻挡柱。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述淀积阻挡柱的形成包括：

形成多个具有不同蚀刻速率的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成光致抗蚀剂层；以及

通过蚀刻去除一部分所述第二绝缘层。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述淀积阻挡柱的形成包括：

依次形成第二绝缘层和金属层；

在所述金属层上形成光致抗蚀剂层；以及

通过蚀刻去除一部分所述第二绝缘层和所述金属层。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，通过溅射法形成所述公共电极。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，通过蒸镀法形成所述公共电极，执行所述蒸镀法时，使所述绝缘基板倾斜，从而与淀积分子前进的主要方向形成预定角度。

21.根据权利要求15所述的方法，还包括：

形成薄膜晶体管；

形成像素电极，其电连接到所述薄膜晶体管并且位于所述绝缘层上；以及

在所述像素电极上形成发射层。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，利用遮挡掩模形成所述发射层。

23.根据权利要求21所述的方法，还包括：

在所述像素电极上至少形成空穴注入层和空穴输运层之一；以及

在所述发射层上至少形成电子输运层和电子注入层之一，

其中，利用开放掩模形成所述空穴注入层、所述空穴输运层、所述电子输运层和所述电子注入层。