CN114171700B - 一种oled屏体及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种OLED屏体及其制备方法，OLED屏体包括：透明基板；第一电极层，位于透明基板的一侧；辅助电极层，位于第一电极层远离透明基板的一侧；辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；绝缘层，围绕辅助电极的侧壁以及辅助电极远离透明基板一侧的表面设置；防短路层，位于第一电极层远离透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，防短路层包括通孔；横向扩流层，位于绝缘层以及防短路层远离透明基板的一侧；横向扩流层通过通孔与第一电极层搭接；发光层，位于横向扩流层远离透明基板的一侧；第二电极层，位于发光层远离透明基板的一侧；实现了在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，降低屏体短路概率，保证了产品的寿命和良率。

Description

一种OLED屏体及其制备方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED屏体及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合可以发光的器件。根据这种发光原理而制成显示器或照明产品被称为有机发光显示器或有机发光照明器件。

目前，采用提高供应电流的方法满足OLED器件的高亮度发光需求，但是提高供应电流后，OLED屏体易发生短路的情况，并且存在产品寿命大幅下降的问题，影响了产品的良率。

发明内容

本发明实施例提供了一种OLED屏体及其制备方法，以在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，降低短路概率，保证产品的寿命和良率。

第一方面，本发明实施例提供了一种OLED屏体，包括：

透明基板；

第一电极层，所述第一电极层位于所述透明基板的一侧；

辅助电极层，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧；所述辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；

绝缘层，所述绝缘层围绕所述辅助电极的侧壁以及所述辅助电极远离所述透明基板一侧的表面设置；

防短路层，所述防短路层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，所述防短路层包括通孔；

横向扩流层，所述横向扩流层位于所述绝缘层远离所述透明基板的一侧，以及所述防短路层远离所述透明基板的一侧；所述横向扩流层通过所述通孔与所述第一电极层搭接；

发光层，所述发光层位于所述横向扩流层远离所述透明基板的一侧；

第二电极层，所述第二电极层位于所述发光层远离所述透明基板的一侧。

可选的，所述横向扩流层用于增大所述发光层的发光面积，相邻的两个辅助电极之间的区域为发光区。

可选的，所述防短路层包括的通孔的个数为多个；通孔的开口宽度范围包括30-300μm；所述防短路层的厚度与所述通孔的开口宽度正相关。

可选的，所述通孔的形状包括倒梯形，在沿着所述防短路层指向所述透明基板的方向上，所述通孔的宽度与所述通孔的深度负相关。

可选的，所述防短路层的材料包括：熔点低于200℃的透明介质材料。

可选的，OLED屏体还包括封装盖，所述封装盖位于所述发光层远离所述透明基板的一侧。

可选的，所述辅助电极层的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种；所述辅助电极层的厚度范围包括0.1-1μm，

所述绝缘层的材料包括过氧化苯甲酰、聚酰亚胺或苯并环丁烯；

所述横向扩流层包括半透明金属层，所述横向扩流层的材料具有脆性，所述横向扩流层材料包括金、银、铝或镱。

可选的，所述透明基板的材料包括：玻璃、PET、PI、石英片、PEN、PC、或PES，厚度的范围包括0.5-1.5mm；

所述第一电极层包括透明导电层，所述第一电极层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺氟氧化锡、铝掺杂氧化锌、PEDOT:PSS、石墨烯、银纳米线、碳纳米管其中的一种或二种以上复合的透明导电材料；

所述第二电极层包括反射导电层，所述第二电极层的材料包括Al、Mg、Ag、Li和Ca中的至少一种。

第二方面，本发明实施例提供了一种OLED屏体的制备方法，包括：

提供透明基板；

形成第一电极层，所述第一电极层位于所述透明基板的一侧；

形成辅助电极层，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧；所述辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；

围绕所述辅助电极的侧壁以及所述辅助电极远离所述透明基板一侧的表面形成绝缘层；

形成防短路层，所述防短路层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，所述防短路层包括通孔；

形成横向扩流层，所述横向扩流层位于所述绝缘层远离所述透明基板的一侧，以及所述防短路层远离所述透明基板的一侧；所述横向扩流层通过所述通孔与所述第一电极层搭接；

形成发光层，所述发光层位于所述横向扩流层远离所述透明基板的一侧；

形成第二电极层，所述第二电极层位于所述发光层远离所述透明基板的一侧。

可选的，所述形成第二电极层之后，还包括：

于所述第二电极层远离所述透明基板的一侧形成封装盖板。

本发明实施例提供了一种OLED屏体及其制备方法，其中OLED屏体包括：透明基板；第一电极层，第一电极层位于透明基板的一侧；辅助电极层，辅助电极层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧；辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；绝缘层，绝缘层围绕辅助电极的侧壁以及辅助电极远离透明基板一侧的表面设置；防短路层，位于第一电极层远离透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，防短路层包括通孔；横向扩流层，横向扩流层位于绝缘层远离透明基板的一侧，以及防短路层远离透明基板的一侧；横向扩流层通过通孔与第一电极层搭接；发光层，发光层位于横向扩流层远离透明基板的一侧；第二电极层，第二电极层位于发光层远离透明基板的一侧，本发明实施例提供的技术方案通过设置横向扩流层，在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应，通过调节光程可显著提高屏体的发光亮度，无需提高所供的电流；另外，通过设置防短路层，使得在发生短路时电流产生的高温将横向扩流层及其下的防短路层烧断，将短路区与其他区域隔绝开来，不影响其它区域的发光，进而达到防短路的目的，从而实现在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，降低短路概率，保证了产品的寿命和良率。

附图说明

图1是现有技术中提供的一种OLED屏体结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种OLED屏体结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种OLED屏体的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

如背景技术，有机发光二极管是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合可以发光的器件。根据这种发光原理而制成显示器或照明产品被称为有机发光显示器或有机发光照明器件。图1是现有技术中提供的一种OLED屏体结构示意图，参考图1，OLED屏体结构包括透明基板1，以及依次位于透明基板1上的阳极层2、阳极层2上的辅助电极3、辅助电极3上的绝缘层4、有机发光层5和阴极层6。目前，采用提高供应电流的方法满足OLED屏体的高亮度发光需求，但是提高供应电流后，会存在产品寿命大幅下降的问题；并且由于有机发光层5厚度较薄，因此会存在阳极层2与阴极层6易发生短路的问题，从而影响了OLED屏体其它的发光区域，降低了OLED屏体的良率。

本发明实施例提供了一种OLED屏体，图2是本发明实施例提供的一种OLED屏体结构示意图，参考图2，OLED屏体包括：

透明基板10；

第一电极层20，第一电极层20位于透明基板10的一侧；

辅助电极层，辅助电极层位于第一电极层20远离透明基板10的一侧；辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极30；

绝缘层40，绝缘层40围绕辅助电极30的侧壁以及辅助电极30远离透明基板10一侧的表面设置；

防短路层80，防短路层80位于第一电极层20远离透明基板10的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极30之间，防短路层80包括通孔；

横向扩流层50，横向扩流层50位于绝缘层40远离透明基板10的一侧，以及防短路层80远离透明基板10的一侧；横向扩流层50通过通孔与第一电极层20搭接；

发光层60，发光层60位于横向扩流层50远离透明基板10的一侧；

第二电极层70，第二电极层70位于发光层60远离透明基板10的一侧。

具体的，OLED屏体包括透明基板10，以及依次位于透明基板10上的第一电极层20、第一电极层20上的辅助电极30、辅助电极30上的绝缘层40、绝缘层40上以及相邻辅助电极30之间的横向扩流层50、横向扩流层50上的发光层60、发光层60上的第二电极层70。其中，透明基板10的材料可以包括：石英片、PEN、PC、或PES，厚度的范围包括0.5-1.5mm。第一电极层20包括透明导电层，第一电极层20的材料可以为氧化铟锡、氧化铟锌、掺氟氧化锡、铝掺杂氧化锌、PEDOT:PSS、石墨烯、银纳米线、碳纳米管其中的一种或二种以上复合的透明导电材料；第二电极层70包括反射导电层，第二电极层70的材料可以为Al、Mg、Ag、Li和Ca中的至少一种。OLED屏体的出光面位于透明基板10的一侧，发光层60发出的光通过透明基板10射出。发光层60所发出的光部分直接依次透过横向扩流层50、防短路层80、第一电极层20和透明基板10射出，发光层60所发出的光部分通过第二电极层70反射后，依次透过发光层60、横向扩流层50、防短路层80、第一电极层20和透明基板10射出。横向扩流层50位于第一电极层20与第二电极层70之间，在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应，通过调节光程可显著提高屏体的发光亮度，无需提高所供的电流，可以保证OLED屏体的使用寿命。

辅助电极层位于第一电极层20远离透明基板10的一侧；辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极30。由于辅助电极30与透明基板10的接触角较大，为了降低在辅助电极30上直接蒸镀有机发光层60而导致有机发光层60断层的风险，在辅助电极30上设置了绝缘层40。绝缘层40围绕辅助电极30的侧壁以及辅助电极30远离透明基板10一侧的表面设置，绝缘层40与透明基板10的接触角小于辅助电极30与透明基板10的接触角，因此在形成发光层60时，可以降低位于辅助电极30所在区域的发光层60断裂的风险。

防短路层80设置于横向扩流层50与第一电极层20之间，防短路层80包括通孔，横向扩流层50与第一电极层20通过通孔搭接。防短路层80的材料可以为熔点温度小于200℃的有机材料或光刻胶。若防短路层80的材料为有机材料，可通过精细金属掩膜版(FMM)在发光区的位置将有机材料沉积在第一电极层20上；若防短路层80的材料为光刻胶，可在发光区的位置将光刻胶沉积在第一电极层20上，再通过光刻将光刻胶图案化。由于发光层60的厚度较薄，因此会存在第二电极层70与横向扩流层50易发生短路的问题。当横向扩流层50和第二电极间发生短路时，发生短路部位的电流增高。设置防短路层80的材料为低熔点的有机材料或光刻胶，高电流产生的高温可以使位于横向扩流层50发生短路部位下方的防短路层80熔化，进而发生汽化现象，使得发生短路部位的横向扩流层50没有支撑力发生断裂。即电流产生的高温将横向扩流层50以及位于其下方的防短路层80烧断，将短路区与其他区域隔绝开来，不影响其它区域的发光，进而达到防短路的目的。

本发明实施例提供的一种OLED屏体，通过设置横向扩流层，横向扩流层位于第一电极层与第二电极层之间，在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应，通过调节光程可显著提高屏体的发光亮度，无需提高所供的电流；另外，通过设置防短路层，使得在发生短路时电流产生的高温将横向扩流层及其下的防短路层烧断，将短路区与其他区域隔绝开来，不影响其它区域的发光，进而达到防短路的目的，从而实现在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，降低短路概率，保证了产品的寿命和良率。

可选的，参考图2，横向扩流层50用于增大发光层60的发光面积，相邻的两个辅助电极30之间的区域为发光区。

具体的，由于发光层60的有机发光材料的横向载流子传输能力很差，引入绝缘层40后，绝缘层40阻隔了辅助电极30与发光层60的接触，绝缘层40所在的区域中的发光层60无法产生激子形成发光，导致非发光线宽为每个辅助电极上的绝缘层所对应的宽度，即图1中箭头B所示宽度，其较实际的栅格线(辅助电极3)更宽。也就说是，现有技术中相邻的两个绝缘层40之间的区域为OLED屏体的发光区。进而导致OLED屏体发光单元的开口率降低，影响了OLED屏体的发光效果。本发明实施例增设的横向扩流层50的材料为导电材料，因此具有导电性。横向扩流层50与辅助电极30之间的第一电极层20接触，相邻的两个辅助电极30之间的横向扩流层50与绝缘层40远离透明基板10的一侧的横向扩流层50为一整层的导电层，因此两个辅助电极30之间的横向扩流层50在接收到第一电极层20的电信号后可以向位于绝缘层40远离透明基板10一侧的横向扩流层50传输，从而可以使位于绝缘层40远离透明基板10的一侧至少部分发光层60发光，增大了发光层60发光的面积。发光层60发光的面积可实现等于整层的发光层60的面积。但是，由于辅助电极30的透光率较低，辅助电极30所在位置的光不易透过，非发光线宽为每个辅助电极所对应的宽度，即图2中箭头A所示宽度。因此发光区的面积最大可实现相邻的两个辅助电极层之间对应区域的面积，即本发明实施例中相邻的两个辅助电极30之间的区域为OLED屏体的发光区，从而增大了发光区的面积，提高了发光单元的开口率。

可选的，防短路层80包括的通孔的个数可以为多个，可以提高横向扩流层50与第一电极层20的接触位置，便于电信号的传输。通孔的开口宽度范围包括30-300μm，通孔的开口宽度越大，虽然可以增大横向扩流层50与第一电极层20的接触面积，但是降低了防短路层80的覆盖面积，影响了防短路层的防短路作用；通孔的开口越小，虽然可以提高防短路层的防短路作用，但是影响了横向扩流层50与第一电极层20之间的接触面积。设置通孔的开口宽度范围为30-300μm，可以保证横向扩流层50与第一电极层20之间的接触面积的同时，还可以确保防短路层的防短路作用。防短路层80的厚度与通孔的开口宽度正相关。也就是说，防短路层80的整体厚度设置的较大时，通孔的开口宽度可以设置的相对较大；防短路层80的整体厚度设置的较小时，通孔的开口宽度可以设置的较小。在防短路层80的整体厚度设置的较大时，通过设置通孔的开口宽度较大，在形成横向扩流层50时可以使得横向扩流层50易于通过通孔与位于通孔底部的第一电极层20接触，避免出现通孔堵塞而导致横向扩流层50无法与第一电极层20接触。防短路层80的整体厚度设置的较小时，设置通孔的开口宽度较小即可达到在形成横向扩流层50时，横向扩流层50通过通孔与位于通孔底部的第一电极层20接触的效果，同时还可以减少横向扩流层50材料的使用量，降低成本。

可选的，其中通孔的形状可以为倒梯形，在防短路层80指向透明基板10的方向Y上，通孔的深度与通孔的宽度(通孔的宽度为在垂直于方向Y的方向上，通孔的侧壁之间的距离)负相关。即从防短路层80指向透明基板10的方向Y上，通孔的宽度呈减小趋势。相对于矩形的通孔，倒梯形的通孔在透明基板上的垂直投影与防短路层80在透明基板上的垂直投影具有交叠区域，当交叠区域的横向扩流层50发生短路时，横向扩流层50该位置下的防短路层80可以起到防短路的作用。将通孔设置为倒梯形，可以使得第一电极层20与横向扩流层50之间填充的防短路层80的材料增多，进一步的提高防短路层80对OLED屏体防短路保护的作用。

可选的，参考图2，横向扩流层50包括半透明金属层，横向扩流层50的材料具有脆性，横向扩流层50材料包括金、银、铝或镱。

具体的，横向扩流层50的厚度较薄，材料包括金、银、铝或镱。例如，横向扩流层50为厚度为20nm的Ag层，即横向扩流层50可以为半透明金属层。横向扩流层50的材料具有一定的脆性，保证由于短路产生的高温使横向扩流层50熔化后不会继续扩散而保持连通的状态，使得横向扩流层50易于在短路部位发生断裂，将短路区与其他区域隔绝开来，不影响其它区域的发光。

可选的，参考图2，辅助电极层的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种；辅助电极层的厚度范围包括0.1-1μm。

具体的，辅助电极层的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种，辅助电极层的厚度范围包括0.1-1μm。即辅助电极层中的辅助电极30的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种，辅助电极30的厚度范围包括0.1-1μm。辅助电极层的厚度越小，其降低第一电极层20的电阻的效果越差；辅助电极层的厚度越大，其与透明基板10的接触角越大。而将辅助电极层的厚度范围设置在0.1-1μm之间，既可以保证辅助电极层的导电能力，又可以确保辅助电极30与透明基板10有较小的接触角。

可选的，参考图2，绝缘层40的材料包括过氧化苯甲酰(BPO)、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)。由于微腔效应的存在，光程的微小变化即可导致屏体性能的突变，而绝缘层40与第一电极层20间存在接触角，在绝缘层40范围内的光程会发生变化，从而可以使得绝缘层40区域显示不同的颜色。可以通过绝缘层40蚀刻工艺改变其与第一电极层20间存在的接触角，进而可以调整谐振腔光程，实现绝缘层所在的区域发光颜色的渐变。还可以通过设计绝缘层40的宽度实现图案化，如形成星型、蝴蝶型等图案，还可以实现文字化的图形。

可选的，参考图2，OLED屏体还包括封装盖90，封装盖90位于发光层60远离所述透明基板10的一侧。封装盖90用于封装以及保护内部的膜层结构。

本发明实施例还提供了OLED屏体的制备方法，图3是本发明实施例提供的一种OLED屏体的制备方法的流程图，参考图，制备方法包括：

S110、提供透明基板。

具体的，透明基的厚度范围包括0.5-1.5mm，基材可以选择玻璃、PET、PI、石英片、PEN、PC、或PES或Ag纳米线等材料。

S120、形成第一电极层，第一电极层位于透明基板的一侧。

具体的，第一电极层用作阳极并且可以由各种导电材料形成。第一电极层为透明电极层，第一电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、掺氟氧化锡、铝掺杂氧化锌、PEDOT:PSS、石墨烯、银纳米线、碳纳米管其中的一种或二种以上复合的透明导电材料等。

S130、形成辅助电极层，辅助电极层位于第一电极层远离透明基板的一侧；辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极。

具体的，辅助电极层的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种；辅助电极层的厚度范围包括0.1-1μm。在第一电极层上制备辅助电极，可以降低OLED屏体中第一电极层的电阻，第一电极层为OLED屏体的阳极。

S140、围绕辅助电极的侧壁以及辅助电极远离透明基板一侧的表面形成绝缘层。

具体的，由于辅助电极与透明基板的接触角较大，为了降低在辅助电极上直接蒸镀有机发光层而导致有机发光层断层的风险，在辅助电极上设置了绝缘层。绝缘层围绕辅助电极的侧壁以及辅助电极远离透明基板一侧的表面设置，绝缘层与透明基板的接触角小于辅助电极与透明基板的接触角，因此在形成发光层时，可以降低位于辅助电极所在区域的发光层断裂的风险。绝缘层的材料包括过氧化苯甲酰(BPO)、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)。

S150、形成防短路层，防短路层位于第一电极层远离透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，防短路层包括通孔。

具体的，防短路层的材料可以为熔点温度小于200℃的有机材料或光刻胶。若防短路层的材料为有机材料，可通过精细金属掩膜版(FMM)在发光区的位置将有机材料沉积在第一电极层上；若防短路层的材料为光刻胶，可在发光区的位置将光刻胶沉积在第一电极层上，再通过光刻将光刻胶图案化。防短路层位于相邻两个辅助电极之间的发光区，并设置于后续工艺形成的横向扩流层与第一电极层之间，防短路层包括通孔，从而实现横向扩流层与第一电极层的搭接。由于发光层的厚度较薄，因此会存在第二电极层与横向扩流层易发生短路的问题。当横向扩流层和第二电极间发生短路时，电流产生的高温使短路区的防短路层发生熔化，从而使短路区的横向扩流层没有支撑力，并且在高温的作用下而发生断裂。即电流产生的高温将横向扩流层及其下方的防短路层烧断，将短路区与其他区域隔绝开来，不影响其它区域的发光，进而达到防短路的目的。

S160、形成横向扩流层，横向扩流层位于绝缘层远离透明基板的一侧，以及相邻的两个辅助电极之间。

具体的，横向扩流层位于第一电极层与第二电极层之间，在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应，通过调节光程可显著提高屏体的发光亮度，无需提高所供的电流；另外，横向扩流层的具体位置位于绝缘层远离透明基板的一侧，以及相邻的两个辅助电极之间，两个辅助电极之间的横向扩流层在接收到第一电极层的电信号后可以向位于绝缘层远离透明基板的一侧横向扩流层传输，从而可以使位于绝缘层远离透明基板的一侧至少部分发光层发光，提高像素单元的开口率，从而实现在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，保证产品的寿命和发光效果。横向扩流层包括半透明金属层，横向扩流层的材料具有脆性，材料包括金、银、铝或镱。

S170、形成发光层，发光层位于横向扩流层远离透明基板的一侧。

具体的，发光层的材料为有机发光材料。通过蒸镀有机发光材料的方式形成发光层。在发光层与辅助电极层之间还可以形成空穴传输功能层，在发光层远离辅助电极层的一侧还可以行成电子传输功能层。

S180、形成第二电极层，第二电极层位于发光层远离透明基板的一侧。

具体的，第二电极层的材料为金属材料。可以通过在发光层的整个表面上使Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的混合物蒸发来形成第二电极层。

本发明实施例提供的技术方案通过设置横向扩流层，横向扩流层位于第一电极层与第二电极层之间，在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应，通过调节光程可显著提高屏体的发光亮度，无需提高所供的电流；另外，横向扩流层的具体位置位于绝缘层远离透明基板的一侧，以及相邻的两个辅助电极之间，两个辅助电极之间的横向扩流层在接收到第一电极层的电信号后可以向位于绝缘层远离透明基板的一侧横向扩流层传输，从而可以使位于绝缘层远离透明基板的一侧至少部分发光层发光，提高了发光单元的开口率，从而在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时，保证产品的寿命和发光效果。

可选的，形成第二电极层之后，还包括：

于第二电极层远离透明基板的一侧形成封装盖板。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种OLED屏体，其特征在于，包括：

透明基板；

第一电极层，所述第一电极层位于所述透明基板的一侧；

辅助电极层，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧；所述辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；

绝缘层，所述绝缘层围绕所述辅助电极的侧壁以及所述辅助电极远离所述透明基板一侧的表面设置；

防短路层，所述防短路层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，所述防短路层包括通孔；

横向扩流层，所述横向扩流层位于所述绝缘层远离所述透明基板的一侧，以及所述防短路层远离所述透明基板的一侧；所述横向扩流层通过所述通孔与所述第一电极层搭接；

发光层，所述发光层位于所述横向扩流层远离所述透明基板的一侧；

第二电极层，所述第二电极层位于所述发光层远离所述透明基板的一侧；其中，所述横向扩流层位于所述第一电极层与所述第二电极层之间，用于在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应。

2.根据权利要求1所述的OLED屏体，其特征在于，所述横向扩流层用于增大所述发光层的发光面积，相邻的两个辅助电极之间的区域为发光区。

3.根据权利要求1所述的OLED屏体，其特征在于，所述防短路层包括的通孔的个数为多个；通孔的开口宽度范围为30-300μm；所述防短路层的厚度与所述通孔的开口宽度正相关。

4.根据权利要求3所述的OLED屏体，其特征在于，

所述通孔的形状包括倒梯形，在沿着所述防短路层指向所述透明基板的方向上，所述通孔的深度与所述通孔的宽度负相关。

5.根据权利要求1所述的OLED屏体，其特征在于，所述防短路层的材料包括：熔点低于200℃的透明介质材料。

6.根据权利要求1所述的OLED屏体，还包括封装盖，所述封装盖位于所述发光层远离所述透明基板的一侧。

7.根据权利要求1所述的OLED屏体，其特征在于，

所述辅助电极层的材料包括Ag、Mo、Cr、Cu、Ti和Al中的至少一种；所述辅助电极层的厚度范围为0.1-1μm，

所述绝缘层的材料包括过氧化苯甲酰、聚酰亚胺或苯并环丁烯；

所述横向扩流层包括半透明金属层，所述横向扩流层的材料具有脆性，所述横向扩流层材料包括金、银、铝或镱。

8.根据权利要求1所述的OLED屏体，其特征在于，所述透明基板的材料包括：玻璃、PET、PI、石英片、PEN、PC、或PES，厚度的范围为0.5-1.5mm；

所述第一电极层包括透明导电层，所述第一电极层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺氟氧化锡、铝掺杂氧化锌、PEDOT:PSS、石墨烯、银纳米线、碳纳米管其中的一种或二种以上复合的透明导电材料；

所述第二电极层包括反射导电层，所述第二电极层的材料包括Al、Mg、Ag、Li和Ca中的至少一种。

9.一种OLED屏体的制备方法，其特征在于，包括：

提供透明基板；

形成第一电极层，所述第一电极层位于所述透明基板的一侧；

形成辅助电极层，所述辅助电极层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧；所述辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极；

围绕所述辅助电极的侧壁以及所述辅助电极远离所述透明基板一侧的表面形成绝缘层；

形成防短路层，所述防短路层位于所述第一电极层远离所述透明基板的一侧，并设置于相邻的两个辅助电极之间，所述防短路层包括通孔；

形成横向扩流层，所述横向扩流层位于所述绝缘层远离所述透明基板的一侧，以及所述防短路层远离所述透明基板的一侧；所述横向扩流层通过所述通孔与所述第一电极层搭接；

形成发光层，所述发光层位于所述横向扩流层远离所述透明基板的一侧；

形成第二电极层，所述第二电极层位于所述发光层远离所述透明基板的一侧；其中，所述横向扩流层位于所述第一电极层与所述第二电极层之间，用于在两电极间构成微谐振腔以产生微腔效应。

10.根据权利要求9所述的OLED屏体的制备方法，其特征在于，所述形成第二电极层之后，还包括：

于所述第二电极层远离所述透明基板的一侧形成封装盖板。