CN1915596B - 透明抛光垫 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种可用来在使用抛光组合物的CMP过程中对基片进行平面化的抛光垫。所述抛光垫是透明的，可用于原位光学终点检测设备，而且在抛光垫中不需要独立的孔或窗口。

Description

透明抛光垫

技术领域

本发明一般涉及可用来使用化学机械平面化(“CMP”)法对基片进行抛光和平面化的抛光垫。更具体来说，本发明提供了一种可与原位光学终点检测装置联合使用的包含嵌入的聚合物胶囊(capsule)的聚合物基质抛光垫。 

背景技术

在集成电路和其他电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层导电材料、半导体材料和介电材料，或者将多层导电材料、半导体材料和介电材料从半导体晶片的表面上除去。导电材料、半导体材料和介电材料的薄层可通过许多种沉积技术沉积。现代工艺中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD，也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)和电化学镀敷(ECP)。 

随着各材料层按照顺序被沉积和蚀刻，晶片的最上层表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如金属化)要求该晶片具有平坦表面，所以需要对晶片进行平面化。平面化适合于除去不希望有的表面形貌和表面缺陷，例如凹凸表面、成团材料、晶格损坏、划痕和被污染的层或材料。 

在通常的CMP法中，具有圆形旋转板的下部台板固定着抛光垫；安装抛光垫的时候使抛光垫的抛光面(polishing surface)朝上。向抛光垫的抛光面施用抛光组合物，该组合物通常包含能够与基片相互作用的化学物质，可包含磨粒。具有旋转支架的上部台板固定着基片；该基片的固定方式使得待平面化的面朝下。支架的定位使得其旋转轴与抛光垫的旋转轴平行，而且不与抛光垫的旋转轴重合；另外，支架还可以以振动或其他适于CMP处理的方式在抛光垫表面周围移动。通过上部台板的向下的作用力使基片和抛光垫相接触并挤压在一起，使得抛光垫表面上的抛光组合物与基片的表面(工作环境)接触，使化学物质与基片反应，并发生机械抛光。 

抛光垫可通过许多种方法制造，例如浇铸块状体或浇铸片材。在通常的制造过程中，混合聚合物抛光垫材料组分形成树脂，所述聚合物抛光垫材料组分 可包括一种或多种预聚物、交联剂、固化剂和磨料。通过倾倒、抽吸或注射等方法将树脂转移到模具中。聚合物通常很快地固化，可最终转移到烘箱内以完成固化过程。然后将固化的块状体或片材切割成所需的厚度和形状。 

抛光垫表面的凹凸结构(asperity)有助于在CMP过程中输送抛光组合物，可通过许多种方法在抛光垫的抛光面上产生凹凸结构。根据一种方法，通过在包含聚合物基质的抛光垫中嵌入空心聚合物胶囊(polymeric capsules)，可以产生凹凸结构。具体来说，通过使这些胶囊破裂、使其中所含的空穴暴露于抛光垫表面上的工作环境，从而形成表面凹凸结构。这可通过对抛光垫进行精整来完成。 

通常精整包括用嵌在精整垫的精整面中的金刚石磨头(或其他刻划或切割工具)研磨抛光垫的抛光面。在使用精整过的抛光垫的时候，所述凹凸结构被磨去，并且开始被CMP过程产生的碎屑堵塞。这使得抛光垫在连续的使用过程中失去其表面凹凸结构。当抛光面在CMP过程中受到磨损的时候，可以通过连续或间断的精整重新产生凹凸结构。当嵌入的聚合物胶囊在抛光过程中暴露于抛光面并破裂的时候，不需研磨精整便可使凹凸结构再生。为了简便起见，术语“精整”表示通过使抛光垫磨损暴露新的凹凸结构、使用精整垫或使用其他再生技术使表面凹凸结构再生。 

为了有效地进行抛光过程，除了抛光组合物的传输以外，抛光组合物必须在抛光垫的表面上流动。大规模的图案有助于这种流动。通过引入凹槽，在抛光垫的抛光面上形成了大规模的图案。凹槽图案设计和凹槽尺寸会影响抛光垫的性能和CMP处理的性能。在抛光垫上形成凹槽是本领域众所周知的，已知的凹槽设计包括放射状、圆形、螺旋性、x-y型等。通常在形成抛光垫之后，通过使用凿子之类的固定刀片或其他切割装置切割的机械方法在抛光垫的抛光面上引入凹槽，但是凹槽也可整体性地形成于抛光垫中，或者通过冲压形成。 

很重要的是，当从基片表面上除去所需量的材料之后，停止CMP处理。在一些系统中，在不停止处理过程的前提下对CMP过程进行全程连续监控，以测定何时已经从基片的表面上除去了所需量的材料。这通常可通过原位光学终点检测来完成。原位光学终点检测包括从台板侧投射激光(或其它光束)通过抛光垫中的孔或窗口，使得激光从基片被抛光的表面反射，并被检测器采集。这些系统对于光学透明的抛光垫可以良好地工作，但是通常无法用于填充的抛光垫。 

一种通常用于CMP处理的抛光垫是Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies制造的IC 1000^TM抛光垫。如图1所示，这些抛光垫10具有透明基质12和由气体填充的聚合物球体14形成的孔隙。透明基质12和聚合物球体14之间折射率的巨大差异使其具有很大的折射度。特别是对于高孔隙率抛光垫，遇到大量界面的时候，由于进入抛光垫的光发生显著的折射，使得抛光垫变得不透明，光线无法以足够的自由度通过抛光垫并反射回来通过抛光垫以有效地产生信号。 

图2显示了现有技术中常规的气体填充球体14的光程。所述聚合物胶囊14包括具有第一折射率的聚合物外壳16，具有第二折射率的气体芯18，聚合物外壳16与聚合物基质材料12相接触的第一界面20，以及聚合物外壳16与气体芯18接触的第二界面22。所述气体芯18与聚合物外壳16的折射率差异程度是大多数商业抛光设备所不能接受的。图中显示光线24射过聚合物基质材料12，遇到第一界面20并轻微地折射。光线24通过聚合物外壳16，遇到第二界面22并部分反射(在下文中将更详细地讨论)和部分折射，反射光线为图中光线26，折射光线为光线28。光线28通过气体芯18，直至其第二次接触到第二界面22，在此界面再次部分反射并部分折射，反射光线为图中所示的光线30，折射光线为图中所示光线32。光线32遇到第一界面20，发生轻微折射并离开聚合胶囊14，该光线发生了显著的信号损失。另外，反射光线30会通过气体芯18，直至其遇到第二界面22，在这里发生部分反射和部分折射，反射光线为图中所示光线34，折射光线为图中所示的光线36。 

Birang等在美国专利第5893796号中揭示了一种这样的窗口，其中窗口由透明的聚合物制得，嵌入形成于抛光垫中的孔内。从基片表面反射的光的量对应于从基片表面除去的材料的量。当测得的光的量等于预定值的时候，CMP处理便达到了所需的终点，从而终止CMP处理。 

专利’796的窗口可以嵌入形成的抛光垫中用来接受该窗口的孔内，或者可以将窗口浇铸在所需的位置。然而，任何制造具有专利‘796所述窗口的抛光垫的方法都会导致形成两(或更多)片抛光垫。结果，抛光组合物会进入抛光垫材料和窗口材料之间的接缝内，会漏出该抛光垫，干扰原位光学终点检测设备。人们已经进行了许多的尝试，例如通过用不渗透性的膜覆盖抛光垫底部来减少或消除这种现象。但是这种方法在制造过程中添加了另外的步骤和新材料，这是低效率而高成本的。另外，窗口材料通常与抛光垫材料不同，具有不同于抛光垫材料的性质，会对抛光造成负面影响。 

因此，人们需要一种多孔抛光垫，这种抛光垫是透明的，无需独立的窗口 便可观察基片的表面。 

发明内容

本发明提供了一种可以在使用抛光组合物和原位光学终点检测设备的化学机械抛光法中用来有效地抛光基片的透明抛光垫，该抛光垫包括：具有第一折射率的聚合物基质材料；大量聚合物胶囊，所述聚合物胶囊嵌入所述聚合物基质材料的空穴中，这些胶囊与所述聚合物基材材料光学连接，所述聚合物胶囊包括具有一定直径、厚度和第二折射率的聚合物外壳，所述第一折射率在所述聚合物外壳的第二折射率的30％以内，所述聚合物胶囊还包括包含在所述聚合物外壳内的液体芯，所述液体芯与聚合物外壳光学连接，具有第三折射率，该第一折射率在所述液体芯的第三折射率的30％以内；抛光面，该抛光面包含聚合物基质材料和暴露于抛光面的嵌入的聚合物胶囊的空穴形成的大量凹凸结构。 

附图说明

图1是现有技术的聚合物胶囊的部分截面示意图； 

图2是显示图1的聚合物胶囊的光散射的示意图； 

图3显示用于CMP法的本发明抛光垫的示意图； 

图4是图3中抛光垫的部分截面示意图； 

图5是显示图4的聚合物胶囊的光透射的示意图。 

具体实施方式

参见图3，本发明提供了一种可以在CMP处理中对基片42进行有效地平面化的抛光垫40，该抛光垫是透明的，可以在不需要使用孔或窗口的前提下与原位光学终点检测设备(图中未显示)一起使用，这消除了可能渗漏抛光组合物的接缝，而且制造所需的步骤更少。抛光垫40安装在台板44上，使抛光面46朝上，并与基片42接触。图中还显示了抛光垫的区域50，该区域将在图4中更详细地显示。 

如图4所示，抛光垫40由聚合物基质材料52制得，包含聚合物胶囊54。所述聚合物胶囊54具有液体芯56。图4还显示了由抛光面46上或附近处的聚合物胶囊54暴露的空穴形成的孔58。所述聚合物基质材料52、聚合物外壳70(图5)和液体芯56各自具有特定的折射率。具体来说，所述聚合物基质材料、聚合物 外壳和液体芯的折射率相类似，使得抛光垫为透明的，可用于原位光学终点检测。较佳的是，所述抛光垫对于允许进行原位光学终点检测的至少一种激光波长是透明的。最佳的是，所述抛光垫对波长为640-670纳米的激光是透明的。 

所述聚合物基质材料52可包括热塑性材料，例如热塑性聚(偏二氯乙烯)PDVC、聚氨酯、聚氯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯、聚烯烃、聚酯、聚丁二烯、乙烯-丙烯三元共聚物、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二酯、及其混合物。另外，基质材料52可包含热固性材料，例如交联的聚氨酯、环氧树脂、聚酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚丁二烯及其混合物。较佳的是，所述聚合物基质材料52包含聚氨酯，更优选包括交联的聚氨酯，例如Rohm and Haas Electronic MaterialsCMPTechnologies制造的IC 1000^TM和VisionPad^TM抛光垫。 

下面参见图5，所述聚合物外壳70可包括热塑性材料，例如热塑性聚氨酯、聚氯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯、聚烯烃、聚酯、聚丁二烯、乙烯-丙烯三元共聚物、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二酯、及其混合物。另外，聚合物外壳70可包括热固性材料，例如交联的聚氨酯、环氧树脂、聚酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚丁二烯及其混合物。较佳的是，所述聚合物外壳70包括PDVC。 

抛光垫可通过浇铸、注塑、共轴注塑、挤出、烧结、胶合等常规的方法形成。较佳的是，所述抛光垫10通过浇铸片材或块状体形成。在这样形成抛光垫10的时候，通过倾倒或注射将该混合物转移到一个打开或关闭的模具内。任选地将片材连续地浇铸成卷材以提高生产速率。然后优选使用可被光致活化、时间活化、热致活化或化学活化的固化剂使混合物固化。一旦固化，便将批料从模具中取出，通过切片或冲压之类的机械法或激光切割将其切割成独立的抛光垫。所述抛光垫任选通过将混合物浇铸在模具中、固化并切片而形成。液体芯可以特别有效地限制浇铸聚合物块状体时可能出现的抛光垫和抛光垫之间的变化。例如，能够加热块状体的中心和顶部的放热反应对液体填充的胶囊造成的热膨胀要小于对气体填充的胶囊造成的热膨胀。 

除了减少胶囊膨胀和密度不均匀性以外，液体芯的传热能力有助于减少或消除成槽过程中聚合物基质材料的熔融或碳化。液体芯通过将热量从某一区域传走，在成形过程中冷却凹槽周围的聚合物基质材料，增大抛光垫的热质量，降低聚合物基质材料的升温程度。因此，在对本发明的抛光垫成槽的时候会产 生较少的熔融或碳化，而且不需要进行空气冷却或引入大量的水。 

液体芯56可包含水性或非水性液体，例如醇。较佳的是，所述液体芯包含水溶液，例如有机盐或无机盐的水溶液、预聚物或低聚物的溶液、或水溶性聚合物的溶液。所述液体芯可任选地包含用于CMP处理的试剂。最佳的是，所述液体芯是仅含偶然夹带的杂质的水，例如包含溶解的气体的去离子水。 

所述聚合物胶囊54的直径为D，由具有厚度T的聚合物外壳70和包含在该聚合物外壳70以内的液体芯56组成。所示厚度T相对于聚合物胶囊54的直径D是比较小的。较佳的是，所述聚合物外壳70的直径D为1-150微米。更佳的是，聚合物胶囊54的直径为2-75微米。较佳的是，所述聚合物胶囊54的厚度T为0.01-5微米。更佳的是，聚合物胶囊54的厚度T为0.05-2微米。在所述抛光垫10形成之前，所述聚合物外壳70防止液体芯56与聚合物基质材料52接触，在抛光过程中，例如精整或受到晶片磨损的过程中，聚合物外壳70打开，产生凹凸结构，使得抛光组合物代替该液体芯56的位置，并输送抛光组合物。或者聚合物外壳70防止液体芯56在抛光垫10形成之前与聚合物基质52材料接触，抛光垫形成之后，聚合物外壳70溶解，在聚合物基质中形成空穴，该空穴在抛光过程中被打开，产生凹凸结构，使得抛光组合物代替液体芯56的位置，并传输抛光组合物。 

通常任意两种光学连接的相邻组分材料在连接点形成一个截面。所述聚合物胶囊54具有聚合物外壳70与聚合物基质材料52接触的第一界面72，以及聚合物外壳70与液体芯56接触的第二界面74。当任何组分材料的折射率与相邻且光学连接的材料的折射率不同的时候，通过一种材料进入另一种材料的光线将会在界面发生显著的折射。图5显示了入射到聚合物胶囊54表面上的光线80。当该光线80遇到第一界面72的时候，它们在通过第一界面72时仅发生很少的折射。然后光线80遇到第二界面74，在该界面74发生折射。然后光线80通过液体芯56并第二次遇到第二界面74，在此处发生折射。最后，光线80第二次遇到第一界面，发生折射并离开聚合物胶囊。从图5可以看出，入射光线80仅发生少量的折射，在通过聚合物胶囊54的时候仅有很小的由于折射造成的累积效应。 

两种光学连接的材料之间的折射率差值较小会使得折射程度较小。当遇到的界面较少、或者当聚合物基质52、聚合外壳70和液体芯56具有接近的折射率时，这种折射特别小。对于透明的抛光垫，优选使用透明的次级垫(subpad) 或具有使光信号能够自由通过的开口的次级垫。另外，使得抛光垫在特定的区域没有形成凹槽也可改进信号强度。 

除了折射以外，两种光学连接的材料之间折射率的相对差异会影响反射。当光线遇到折射率相差很大的两种光学连接材料的界面时，会发生部分反射。这两种光学连接材料之间的折射率差别越大，所反射的光的百分数越高。这种反射和折射一起减少通过抛光垫的光量，从而导致不透明。较佳的是，各聚合物基质材料的折射率在聚合物外壳和液体芯的折射率的30％以内。更佳的是，各聚合物基质材料的折射率在聚合物外壳的折射率和液体芯的25％以内。最佳的是，各聚合物基质材料的折射率在聚合物外壳和液体芯的折射率的20％以内。出于本说明书的目的，如果满足下式，则折射率r1(聚合物基质)在第二折射率r2(外壳或液体芯)的x％以内： 

(r1*(1-(x/100)))≤r2≤((1+(x/100))*r1) 

通常所述聚合物基质、聚合物外壳和液体芯的折射率越接近，则传输通过到达晶片并反射回来用来进行过程监测的信号强度越强。另外，聚合物胶囊的尺寸、透光性和密度之类的其他因素也会影响信号强度。例如，向聚合物胶囊添加液体芯可将不适用于化学机械抛光的光学不透明的抛光垫转化为适用于用例如激光器产生的光学信号进行终点检测的光学透明抛光垫。另外，液体芯增大了抛光垫的硬度，这可提高抛光垫的平面化能力。另外，相对于气体填充的聚合物胶囊，液体芯改进了抛光垫的热导性。最后，液体芯可以提高在抛光垫中切割凹槽，例如改良的辐射状凹槽之类的复杂凹槽的机械可加工性。 

Claims (10)

1.一种可以在使用抛光组合物和原位光学终点检测设备的化学机械抛光法中用来抛光基片的透明抛光垫，该抛光垫包括：

具有第一折射率的聚合物基质材料；

大量聚合物胶囊，所述聚合物胶囊嵌入所述聚合物基质材料的空穴中，这些聚合物胶囊与所述聚合物基质材料光学连接，所述聚合物胶囊包括具有一定直径、厚度和第二折射率的聚合物外壳，所述第一折射率在所述聚合物外壳的第二折射率的30％以内，所述聚合物胶囊还包括包含在所述聚合物外壳内的液体芯，所述液体芯与聚合物外壳光学连接，并具有第三折射率，第一折射率在所述液体芯的第三折射率的30％以内；

抛光面，该抛光面包含聚合物基质材料和由暴露于抛光面的嵌入聚合物胶囊的空穴形成的大量凹凸结构。

2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳防止液体芯在形成抛光垫之前与聚合物基质材料接触，所述聚合物外壳在抛光过程中打开，形成凹凸结构，使得抛光组合物代替液体芯，并输送抛光组合物。

3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳防止液体芯在形成抛光垫之前与聚合物基质材料接触，在抛光垫形成之后，所述聚合物外壳溶解，在聚合物基质材料中形成空穴，空穴在抛光过程中打开，形成凹凸结构，使得抛光组合物代替液体芯，并输送抛光组合物。

4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物胶囊的直径为1-150微米。

5.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫能透射能够进行原位光学终点检测的至少一种激光的波长。

6.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光垫能透射波长为640-670纳米的激光。

7.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳的厚度为0.1-5微米。

8.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述液体芯是包含有偶然夹杂的杂质的水。

9.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物外壳是聚偏二氯乙烯。

10.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚合物基质材料的第一折射率在聚合物外壳的第二折射率的20％以内，所述聚合物基质材料的第一折射率在所述液体芯的第三折射率的20％以内。

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