CN1897225A - 薄化晶片的方法 - Google Patents
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Abstract
首先，提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面。接着提供一承载晶片，并利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合。随后进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片。最后去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄化晶片的方法，特别是涉及一种先利用一可移除的接合媒介将一晶片接合于一承载晶片上，再进行一晶片薄化工艺薄化晶片厚度的方法，藉此晶片厚度可达到100微米之下。
背景技术
许多半导体元件与微机电元件，基于功能考量或是尺寸需求，必须进行晶片薄化工艺，以将晶片缩减至适当厚度。现行晶片薄化工艺以研磨(polish)与蚀刻工艺为主，而对于上述任一种方法而言，晶片厚度的极限仅能达到约100微米。一般而言，晶片薄化工艺可于制作元件之前进行，或是待元件制作完成后再由晶片的背面进行。对于前者的作法而言，当晶片厚度低于100微米以下时(一般称之为超薄晶片)，过薄的厚度使晶片在固定于传送上产生问题，因而易造成晶片破裂。对于后者的作法而言，不仅同样具有晶片不易固定于传送的问题，同时在元件已制作于晶片的正面的情况下，使用研磨方式易造成元件应力改变问题，而使用蚀刻方式则易于蚀刻工艺本身以及后续清洗工艺时造成元件受损等问题。
由上述可知，现有薄化晶片的方法在应用上有其极限，已无法满足现今对晶片厚度的要求，而犹待进一步的改善。鉴于此，申请人根据此缺点及依据多年相关经验，悉心观察且研究而提出改良的本发明，以提高晶片薄化工艺的极限。
发明内容
据此，本发明的主要目的在于提供一种薄化晶片的方法，以解决现有技术无法克服的难题，进而提高晶片薄化工艺的极限。
根据本发明的权利要求，提供一种薄化晶片的方法。首先，提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面。接着提供一承载晶片，并利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合。随后进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片。最后去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。
由于本发明薄化晶片的方法先利用一接合媒介将晶片固定于一承载晶片上，接着再利用一晶片薄化工艺薄化晶片的厚度，因此相较于现有技术直接进行晶片薄化工艺的方法，可大幅提升晶片薄化工艺的极限，并有效避免应力集中与晶片翘曲(warp)等问题。
为了进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1至图5为本发明的一优选实施例薄化晶片的方法示意图。
简单符号说明
10 晶片 12 正面
14 背面 16 元件
20 承载晶片 22 接合媒介
具体实施方式
请参考图1至图5。图1至第图5为本发明的一优选实施例薄化晶片的方法示意图。如图1所示，首先，提供一晶片10，其包括一正面12与一背面14。接着进行一初步晶片薄化工艺，由晶片10的正面12薄化晶片10。于图1中，虚线所示为晶片10的初始厚度，通过初步晶片薄化工艺，晶片10的厚度可被缩减至一般工艺机器可固定传送的厚度，例如约100至150微米。另外，初步晶片薄化工艺可为一般现有研磨、化学机械研磨或化学蚀刻等工艺。
如图2所示，接着提供一承载晶片20，并利用一接合媒介22将晶片10的下表面14固定于承载晶片20上。其中承载晶片20的尺寸与晶片10相近，藉此可适用于标准工艺机器固定传送，而承载晶片20的材料则可视需要采用半导体材料、玻璃、石英与陶瓷等。另外，接合媒介22用以接合晶片10与承载晶片20，且将于后续元件制作完成后去除，因此于材料的选用上需具有易去除的特性。于本实施例中，接合媒介22选用一热分离胶带，热分离胶带在温度高于其分离温度时会丧失其黏性，因此可轻易加以去除而不致导致晶片10受损。然而接合媒介22的材料并不限于热分离胶带，而可视需要选用紫外线胶带、光致抗蚀剂、腊与蓝膜等。
如图3所示，接着进行一晶片薄化工艺，由晶片10的正面12缩减晶片10至所需的厚度，其中虚线所示为晶片10于晶片薄化工艺之前的厚度。晶片薄化工艺可为研磨工艺、化学机械研磨工艺、湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺，且以干式蚀刻工艺优选。于本实施例中，晶片薄化工艺选用一等离子体蚀刻工艺，其理由在于等离子体蚀刻工艺为一干式工艺，因此不需于工艺完毕后另外进行清洗与干燥等工艺，减少了微粒污染与晶片10受损的风险。于晶片薄化工艺中，晶片10的厚度可进一步被缩减至100微米之下，甚至达到10微米左右，而由于晶片10通过接合媒介22固定于承载晶片20上，因此晶片10不致破裂，同时晶片10可利用承载晶片20进行固定与传送。
如图4所示，由晶片10的正面12形成多个元件16，其中元件16可为半导体元件与微机电元件等，而制作元件16的方法并非本发明的重点，因此在此不另外赘述。如图5所示，接着去除接合媒介22，以分离晶片10与承载晶片20。如前所述，由本实施例中选用热分离胶带作为接合媒介22，因此仅需利用加热方式即可轻易分离晶片10与承载晶片20。若接合媒介22使用其它材料，例如紫外线胶带，则亦可利用照射紫外线方式加以去除。
另外值得注意的是于上述实施例中，于晶片的正面形成元件后晶片即与承载晶片分离，然而本发明的应用并不局限于此。举例来说，于分离晶片与承载晶片之前可进一步整合后续切割工艺，若接合媒介选用可扩张的材料，例如蓝膜，则还可进一步整合扩片工艺。
由上述可知，本发明薄化晶片的方法的主要特征在于先利用一接合媒介将晶片固定于一承载晶片上，接着再利用一晶片薄化工艺薄化晶片的厚度，在此状况下，晶片于进行晶片薄化工艺时具有良好的固定与支撑，可确保晶片不致破裂。相较于现有技术直接进行晶片薄化工艺的方法，本发明薄化晶片的方法可大幅提升晶片薄化工艺的极限，并有效避免应力集中与晶片翘曲(warp)等问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (18)
1.一种薄化晶片的方法，包括：
提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面；
提供一承载晶片；
利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合；
进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片；以及
去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。
2.如权利要求1所述的方法，其中该接合媒介选自热分离胶带、紫外线胶带、光致抗蚀剂、腊与蓝膜中的任一种。
3.如权利要求1所述的方法，其中该晶片薄化工艺为一干式蚀刻工艺。
4.如权利要求3所述的方法，其中该干式蚀刻为一等离子体蚀刻工艺。
5.如权利要求1所述的方法，其中该晶片薄化工艺为一湿式蚀刻工艺。
6.如权利要求1所述的方法，还包括于该晶片薄化工艺之后于该晶片的该正面形成多个元件。
7.如权利要求1所述的方法，还包括于接合该晶片的该背面与该承载晶片之前先进行一初步晶片薄化工艺。
8.如权利要求7所述的方法，其中于该初步晶片薄化工艺之后，该晶片的厚度大于100微米。
9.如权利要求1所述的方法，其中于该晶片薄化工艺之后，该晶片的厚度小于100微米。
10.如权利要求1所述的方法，其中该承载晶片具有作为固定及传送该晶片的作用。
11.一种薄化晶片的方法，包括：
提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面；
进行一初步晶片薄化工艺；
提供一承载晶片；
利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合；
进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片；以及
去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。
12.如权利要求11所述的方法，其中该接合媒介选自热分离胶带、紫外线胶带、光致抗蚀剂、腊与蓝膜中的任一种。
13.如权利要求11所述的方法，其中该晶片薄化工艺为一干式蚀刻工艺。
14.如权利要求13所述的方法，其中该干式蚀刻为一等离子体蚀刻工艺。
15.如权利要求11所述的方法，其中该晶片薄化工艺为一湿式蚀刻工艺。
16.如权利要求11所述的方法，还包括于该晶片薄化工艺之后于该晶片的该正面形成多个元件。
17.如权利要求11所述的方法，其中于该初步晶片薄化工艺之后，该晶片的厚度大于100微米。
18.如权利要求11所述的方法，其中于该晶片薄化工艺之后，该晶片的厚度小于100微米。
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