CN1877821A - 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 - Google Patents

高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN1877821A
CN1877821A CN 200610031906 CN200610031906A CN1877821A CN 1877821 A CN1877821 A CN 1877821A CN 200610031906 CN200610031906 CN 200610031906 CN 200610031906 A CN200610031906 A CN 200610031906A CN 1877821 A CN1877821 A CN 1877821A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alloy powder
powder
squeezing
ball
extruding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 200610031906
Other languages
English (en)
Other versions
CN100411157C (zh
Inventor
杨伏良
易丹青
甘卫平
张伟
刘泓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central South University
Original Assignee
Central South University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central South University filed Critical Central South University
Priority to CNB2006100319065A priority Critical patent/CN100411157C/zh
Publication of CN1877821A publication Critical patent/CN1877821A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100411157C publication Critical patent/CN100411157C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，A)粉末制取：将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al－Si合金粉末；B)粉末的球磨处理工艺：将Al－Si合金粉末进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；C)热挤压工艺：将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al－Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

Description

高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
技术领域
本发明涉及一种铝硅电子封装材料的制备工艺，尤其涉及一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
背景技术
自1958年第一块半导体集成电路问世以来，到目前为止，IC芯片集成度的发展基本遵循MOORE定律。芯片集成度的提高必然导致其发热率的升高，使得电路的工作温度不断上升，从而导致元件失效率的增大。与此同时，电子封装也不断向小型化，轻量化和高密度组装化的方向发展，二十世纪九十年代以来，各种高密度封装技术，如芯片尺寸封装(CSP)，多芯片组件(MCM)及单极集成组件(SLIM)等的不断涌现，进一步增大了系统单位体积的发热率。为满足上述IC和封装技术的迅速发展，一方面要求对封装的结构进行合理的设计；另一方面，为从根本上改进产品的性能，全力研究和开发具有低密度低膨胀高热导及良好综合性能的新型封装材料显得尤为重要。用高硅铝合金制备的电子封装材料由于具有质量轻(密度小于2.7g·cm-3)、热膨胀系数低、热传导性能良好、以及高的强度和刚度，与金、银、铜、镍可镀，与基材可焊，易于精密机加工、无毒等优越性能，符合电子封装技术朝小型化、轻量化、高密度组装化方向发展的要求。另外，铝硅在地球上含量都相当丰富，硅粉的制备工艺成熟，成本低廉，所以铝硅合金材料成为了一种潜在的具有广阔应用前景的电子封装材料，但由于铝硅合金当硅含量较高时材料加工成形困难，期待研发出一种工艺稳定，成本较低，材料综合性能优良的制备工艺。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，使铝硅电子封装材料具有优良的综合使用性能。
为了解决上述技术问题，本发明提供的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺步骤是：
A)、粉末制取
将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；
C)、热挤压工艺
将氧化后的合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300-500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。
所述的粉末制取工艺为：工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2配料在感应炉中熔炼，升温至750～1200℃，充分搅拌，用30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石为熔剂进行覆盖造渣，并用六氯乙烷除气；金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得Al-Si粉末。
本发明提出了一种切实可行的工艺路线，通过高能球磨产生的机械活化效应来改善粉末的特性，使铝硅合金粉末中增强硅粒子明显细化，基体与增强颗粒的界面结合状态改善，同时，粉末处理后反应生成的氧化颗粒弥散分布在材料的组织中，提高了材料的综合性能。是在传统粉末冶金工艺制备复合材料的基础上，先对合金粉末进行高能球磨处理，使粉末颗粒明显细化，同时使粉末进行充分氧化，再将粉末采用纯铝包套进行热挤压成材，制备出氧化物弥散强化的铝硅复合电子封装材料。
本发明先采用粉末高能球磨处理，同时使粉末进行充分氧化，再结合包套热挤压的致密化工艺，制备出了具有优良的综合性能的铝硅合金电子封装材料。
热挤压后材料的性能指标如下：
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：0.2～1.5；热导率(W·M-1·K-1)：118.2～168.9；100℃时的线膨胀系数(10-6K-1)：14.8～11.5；抗拉强度(MPa)：185～298。
其综合性能指标明显优于传统电子封装材料，完全可满足电子封装材料的使用要求。
综上所述，本发明是一种能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度，保持材料较低的热膨胀系数，大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，使铝硅电子封装材料具有优良的综合使用性能。
具体实施方式
实施例1：
A)粉末制取
工业纯铝及高纯硅按质量百分比8.8∶1.2配料在感应炉中熔炼，升温至750℃，充分搅拌，用熔剂(30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石)进行覆盖造渣，并用六氯乙烷(C2Cl6)除气。金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得所需的Al-12Si合金粉末，其制粉工艺参数附表1。
                              表1制粉工艺参数
  熔炼温度(℃)   保温时间(h)   喷嘴孔径(mm) 雾化气体   气体压力(MPa) 喷腔类型
  750   0.5   3.5   空气   0.6   环缝式
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-12Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为5∶1，球磨时间为32小时；
C)热挤压工艺
将球磨后的Al-12Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，其密度可达理论密度的70％，焊合包套，在一端留有一出气孔。在300吨油压机上采用正向挤压方式进行挤压。挤压前对Al-12Si合金粉末采用400℃保温0.5小时，挤压比为21(挤压筒内径和挤压棒直径分别为60mm和13mm)，挤压筒采用45#钢制成，其内径为60mm，挤压模内径为13mm，挤压锥角为90°。挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200充分预热保温，挤压前在挤压筒内均匀涂敷润滑剂(75％石墨+25％机油)。挤压完后即为成品。
D)材料性能
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：0.2；热导率(W·M-1·K-1)：168.9；100℃时的线膨胀系数(10-6K-1)：14.8；抗拉强度(MPa)：185。
实施例2：
A)粉末制取
工业纯铝及高纯硅按质量百分比8∶2配料在感应炉中熔炼，升温至900℃，充分搅拌，用熔剂(30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石)进行覆盖造渣，并用六氯乙烷(C2Cl6)除气。金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得所需的Al-20Si合金粉末，其制粉工艺参数附表2。
                         表2制粉工艺参数
  熔炼温度(℃)   保温时间(h)   喷嘴孔径(mm) 雾化气体   气体压力(MPa) 喷腔类型
  900   0.5   3.5   空气   0.6   环缝式
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-20Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为10∶1，球磨时间为24小时；
C)热挤压工艺
将球磨后的Al-20Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，其密度可达理论密度的70％，焊合包套，在一端留有一出气孔。在350吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压。挤压前对Al-20Si合金粉末采用430℃保温一个小时，挤压比为16(挤压筒内径和挤压棒直径分别为40mm和10mm)，挤压筒采用45#钢制成，其内径为40mm，挤压模内径为10mm，挤压锥角为90°。挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在250℃充分预热保温，挤压前在挤压筒内均匀涂敷润滑剂(75％石墨+25％机油)。挤压完后即为成品。
D)材料性能
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：0.3；热导率(W·M-1·K-1)：156.5；100时的线膨胀系数(10-6K-1)：13.5；抗拉强度(MPa)：245。
实施例3：
A)粉末制取
工业纯铝及高纯硅按质量百分比7.4∶2.6配料在感应炉中熔炼，升温至1050，充分搅拌，用熔剂(30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石)进行覆盖造渣，并用六氯乙烷(C2Cl6)除气。金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得所需的Al-26Si合金粉末，其制粉工艺参数附表3。
                           表3制粉工艺参数
  熔炼温度(℃)   保温时间(h)   喷嘴孔径(mm)   雾化气体   气体压力(MPa) 喷腔类型
  1050   1   3.5   空气   0.6   环缝式
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-26Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为10∶1，球磨时间为24小时。
C)热挤压工艺
将球磨后的Al-26Si合金粉末，初装、振实装入纯铝包套内，其密度可达理论密度的70％，焊合包套，在一端留有一出气孔。在400吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压。挤压前对Al-26Si合金粉末采用460℃保温一个小时，挤压比为14(挤压筒内径和挤压棒直径分别为40mm和10.7mm)，挤压筒采用45#钢制成，其内径为40mm，挤压模内径为10.7mm，挤压锥角为90°。挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在300℃充分预热保温，挤压前在挤压筒内均匀涂敷润滑剂(75％石墨+25％机油)。挤压完后即为成品。
D)材料性能
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：0.2；热导率(W·M-1·K-1)：144.4；100时的线膨胀系数(10-6K-1)：12.9；抗拉强度(MPa)：285。
实施例4：
A)粉末制取
工业纯铝及高纯硅按质量百分比6.7∶3.3配料在感应炉中熔炼，升温至1200，充分搅拌，用熔剂(30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石)进行覆盖造渣，并用六氯乙烷(C2Cl6)除气。金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得所需的Al-33Si合金粉末，其制粉工艺参数附表4。
                          表4制粉工艺参数
  熔炼温度(℃)   保温时间(h)   喷嘴孔径(mm) 雾化气体   气体压力(MPa) 喷腔类型
  1200   1   3.5   空气   0.6   环缝式
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-33Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料比为15∶1，球磨时间为16h；
C)热挤压工艺
将球磨后的Al-33Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，其密度可达理论密度的70％，焊合包套，在一端留有一出气孔。在450吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压。挤压前对Al-33Si合金粉末采用490℃保温1.5小时，挤压比为12(挤压筒内径和挤压棒直径分别为40mm和11.5mm)，挤压筒采用45#钢制成，其内径为40mm，挤压模内径为11.5mm，挤压锥角为90°。挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在350℃充分预热保温，挤压前在挤压筒内均匀涂敷润滑剂(75％石墨+25％机油)。挤压完后即为成品。
D)材料性能
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：0.8；热导率(W·M-1·K-1)：126.8；100℃时的线膨胀系数(10-6K-1)：12.2；抗拉强度(MPa)：298。
实施例5：
A)粉末制取
工业纯铝及高纯硅按质量百分比6∶4配料在感应炉中熔炼，升温至1350℃，充分搅拌，用熔剂(30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石)进行覆盖造渣，并用六氯乙烷(C2Cl6)除气。金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得所需的Al-40Si合金粉末，其制粉工艺参数附表5。
                          表5制粉工艺参数
  熔炼温度(℃)   保温时间(h)   喷嘴孔径(mm)   雾化气体   气体压力(MPa)   喷腔类型
  1350   1   3.5   空气   0.6   环缝式
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-40Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为15∶1，球磨时间为8小时；
C)热挤压工艺
将球磨后的Al-40Si合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，其密度可达理论密度的70％，焊合包套，在一端留有一出气孔。在500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压。挤压前对Al-40Si合金粉末采用520℃保温2小时，挤压比为10(挤压筒内径和挤压棒直径分别为40mm和16mm)，挤压筒采用45#钢制成，其内径为40mm，挤压模内径为16mm，挤压锥角为90°。挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在400℃充分预热保温，挤压前在挤压筒内均匀涂敷润滑剂(75％石墨+25％机油)。挤压完后即为成品。
D)材料性能
气密性(10-9Pa·m3·s-1)：1.5；热导率(W·M-1·K-1)：118.2；100℃时的线膨胀系数(10-6K-1)：11.5；抗拉强度(MPa)：239。

Claims (2)

1、一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，其工艺步骤如下：
A)、粉末制取
将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2制备成Al-Si合金粉末；
B)粉末的球磨处理工艺
将制备好的Al-Si合金粉末装入球磨筒内进行球磨，球料质量比为5～15∶1，球磨时间为8～32小时；
C)、热挤压工艺
将氧化后的合金粉末初装、振实装入纯铝包套内，在300～500吨液压机上采用正向挤压方式进行挤压，挤压前对Al-Si合金粉末采用400～520℃保温0.5～2小时，挤压比为10～21，挤压前各种挤压模具首先置入加热炉中，在200～400℃充分预热保温，挤压完后即为成品。
2、根据权利要求1所述的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺，其特征是：所述的粉末制取工艺为：工业纯铝及高纯硅按质量百分比6～8.8∶4～1.2配料在感应炉中熔炼，升温至750～1200℃，充分搅拌，用30％NaCl+47％KCl+23％冰晶石为熔剂进行覆盖造渣，并用六氯乙烷除气；金属液滴经漏嘴注入喷雾装置中，被高压氮气雾化后的金属液珠直接喷入了距离喷嘴约200mm的高压水流中，经冷却后，含Al-Si合金粉末的水流经筛网过漏掉杂物流入高速旋转的甩干机进行脱水处理，经烘干、过筛制得Al-Si粉末。
CNB2006100319065A 2006-06-30 2006-06-30 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺 Expired - Fee Related CN100411157C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100319065A CN100411157C (zh) 2006-06-30 2006-06-30 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2006100319065A CN100411157C (zh) 2006-06-30 2006-06-30 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1877821A true CN1877821A (zh) 2006-12-13
CN100411157C CN100411157C (zh) 2008-08-13

Family

ID=37510198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100319065A Expired - Fee Related CN100411157C (zh) 2006-06-30 2006-06-30 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100411157C (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101649400B (zh) * 2009-07-20 2011-04-20 温州宏丰电工合金股份有限公司 电子封装用金刚石增强金属基复合材料及其制备方法
CN104617276A (zh) * 2015-02-10 2015-05-13 南开大学 锂离子二次电池多孔硅/碳复合负极材料及其制备方法
CN105463266A (zh) * 2015-12-22 2016-04-06 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105506402A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105543577A (zh) * 2015-12-22 2016-05-04 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105543610A (zh) * 2015-12-22 2016-05-04 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105568068A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105568067A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105568066A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105603262A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105624509A (zh) * 2015-12-22 2016-06-01 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105624510A (zh) * 2015-12-22 2016-06-01 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN106493352A (zh) * 2016-11-29 2017-03-15 广东坚美铝型材厂（集团）有限公司 一种硅铝合金电子封装材料及其制备方法
CN106670467A (zh) * 2016-12-28 2017-05-17 北京有色金属研究总院 一种快速凝固粉末冶金高硅铝合金脱皮热挤压的制备方法
CN110434187A (zh) * 2019-06-19 2019-11-12 广东坚美铝型材厂（集团）有限公司 一种高脆性铝合金的挤压方法及高脆性铝合金挤压件
CN110904368A (zh) * 2019-12-18 2020-03-24 南方科技大学 一种铝硅电子封装材料及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1150343C (zh) * 2001-06-22 2004-05-19 中国科学院金属研究所 一种低膨胀高导热的硅铝合金
CN1287449C (zh) * 2003-03-14 2006-11-29 北京有色金属研究总院 一种硅铝合金封装材料及制备方法
JP2005243895A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Sanyo Special Steel Co Ltd 圧粉コア用粉末およびそれを用いた圧粉コア
CN1299861C (zh) * 2005-01-14 2007-02-14 浙江大学 亚微米银铜合金粉末的制备方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101649400B (zh) * 2009-07-20 2011-04-20 温州宏丰电工合金股份有限公司 电子封装用金刚石增强金属基复合材料及其制备方法
CN104617276A (zh) * 2015-02-10 2015-05-13 南开大学 锂离子二次电池多孔硅/碳复合负极材料及其制备方法
CN104617276B (zh) * 2015-02-10 2018-03-30 南开大学 锂离子二次电池多孔硅/碳复合负极材料及其制备方法
CN105568066A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105624509A (zh) * 2015-12-22 2016-06-01 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105543610A (zh) * 2015-12-22 2016-05-04 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105568068A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105568067A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105506402A (zh) * 2015-12-22 2016-04-20 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105603262A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料的制备方法
CN105543577A (zh) * 2015-12-22 2016-05-04 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105624510A (zh) * 2015-12-22 2016-06-01 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN105463266A (zh) * 2015-12-22 2016-04-06 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 一种电子封装材料
CN106493352A (zh) * 2016-11-29 2017-03-15 广东坚美铝型材厂（集团）有限公司 一种硅铝合金电子封装材料及其制备方法
CN106493352B (zh) * 2016-11-29 2018-08-10 广东坚美铝型材厂（集团）有限公司 一种硅铝合金电子封装材料及其制备方法
CN106670467A (zh) * 2016-12-28 2017-05-17 北京有色金属研究总院 一种快速凝固粉末冶金高硅铝合金脱皮热挤压的制备方法
CN110434187A (zh) * 2019-06-19 2019-11-12 广东坚美铝型材厂（集团）有限公司 一种高脆性铝合金的挤压方法及高脆性铝合金挤压件
CN110904368A (zh) * 2019-12-18 2020-03-24 南方科技大学 一种铝硅电子封装材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100411157C (zh) 2008-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1877821A (zh) 高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
CN102260814B (zh) 一种原位纳米TiC陶瓷颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
CN1165632C (zh) 过共晶铝硅合金粉末冶金材料及其制备方法
CN1877823A (zh) 一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
CN100376703C (zh) 一种镁合金复合材料的制备方法
CN1944698A (zh) 一种超高导热、低热膨胀系数的复合材料及其制备方法
CN105328186B (zh) 一种基于激光3d打印形成的铝基原位复合材料及其制备方法
CN106756159B (zh) 一种多级结构钨颗粒增强铝基复合材料的制备方法
JPWO2005040066A1 (ja) カーボンナノチューブ分散複合材料とその製造方法並びにその適用物
CN110846597B (zh) 一种碳化硅纳米线混杂增强钨酸锆/铝复合材料及其制备方法
CN1927988A (zh) 热界面材料及其制备方法
CN105400977B (zh) 铝基碳化硅的制备方法
CN103194629B (zh) 一种钨钼铜复合材料的制备方法
CN103911565A (zh) 一种高导热石墨晶须定向增强金属基复合材料的制备方法
CN1877822A (zh) 一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺
CN105789145A (zh) 一种新型电子封装复合材料及其制备方法
CN1590571A (zh) 一种钨铜功能复合材料及其制备工艺
CN1600883A (zh) 一种超细晶钨－铜合金件及其制备
CN105385902B (zh) 一种AlN与AlB2颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
CN100432252C (zh) 制备纳米SiC增强铝基复合材料的方法
CN107841669B (zh) 一种高导热活性复合封装材料及其制备方法
CN109332717B (zh) 一种球形钼钛锆合金粉末的制备方法
CN106906388A (zh) 一种高硅铝合金的制备方法
CN104911383B (zh) 一种制备Al2O3弥散强化铜合金的方法
CN111636006B (zh) 一种铝硅合金石墨复合导热材料及其制备与应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Hengyang Hengfei Cable Co., Ltd.

Assignor: Central South University

Contract fulfillment period: 2009.3.30 to 2018.3.30 contract change

Contract record no.: 2009430000038

Denomination of invention: Process for preparing silumin electronic package materials

Granted publication date: 20080813

License type: Exclusive license

Record date: 2009.6.3

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.3.30 TO 2018.3.30; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: HENGYANG HENGFEI CABLE CO., LTD.

Effective date: 20090603

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080813

Termination date: 20120630